НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSB-5120Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Part Status: Active
Number of Ports: 1
Number of Rows: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5130Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 2
Number of Rows: 1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5210Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5220Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5240Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Keystone Jacks
Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
Style: Surface Mount
Type: Mounting Box
Number of Ports: 4
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Port Direction: Straight
Part Status: Active
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5260Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1-D3FP4G-178
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1010XV5T5 - NSB1010XV5T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1011XV6T5 - NSB1011XV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GON SemiconductorDescription: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GLittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
на замовлення 383930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13211DW6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 383910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3G - NSB13ANT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HonsemiDescription: SMB TVS 600W 13V
Packaging: Bulk
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3H - SMB TVS 600W 13V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS0611PB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
6000+3.58 грн
9000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 21230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.31 грн
26+13.52 грн
100+7.37 грн
500+5.36 грн
1000+4.76 грн
3000+3.87 грн
6000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.55 грн
41+20.54 грн
100+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
27+11.86 грн
100+7.38 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANDescription: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5097.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANDescription: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3971.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANDescription: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2442.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANDescription: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4093.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANDescription: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5000.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANDescription: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4266.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REANDescription: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4266.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANDescription: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4647.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q0R9A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q1R0A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANDescription: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7052.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANXLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANDescription: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5798.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANDescription: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5794.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
на замовлення 17693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
18+20.02 грн
100+11.09 грн
1000+4.99 грн
3000+3.57 грн
9000+3.27 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GMOTSOT26/
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 741000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6151+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 6151
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4365+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4365
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2G
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANDescription: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9073.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANPatch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15003.56 грн
10+14201.31 грн
25+12081.82 грн
50+12027.50 грн
100+11866.77 грн
250+11632.36 грн
2500+11631.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANDescription: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9483.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB503 STARTERInterlightDescription: Replacement for Lucas NSB503 Sta
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19364.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB857J
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+27.51 грн
1600+27.23 грн
2400+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+25.54 грн
1600+25.29 грн
2400+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT/31Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishayRectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81VishayDiode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/45VishayDiode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.99 грн
10+68.03 грн
100+45.99 грн
500+38.99 грн
1000+31.70 грн
2000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers RECOMMENDED ALT NSB8
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.12 грн
10+67.95 грн
100+45.99 грн
500+38.99 грн
800+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+61.31 грн
100+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81VishayDiode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.17 грн
10+66.58 грн
100+45.02 грн
500+38.17 грн
1000+31.03 грн
2000+30.14 грн
5000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.17 грн
10+66.58 грн
100+45.02 грн
500+38.99 грн
800+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-HE3/45VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.39 грн
10+66.49 грн
100+45.02 грн
500+39.36 грн
800+31.10 грн
2400+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-M3/IVishayRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.88 грн
10+88.14 грн
100+58.94 грн
500+43.16 грн
800+37.88 грн
2400+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.33 грн
10+101.78 грн
100+79.37 грн
500+61.53 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.86 грн
10+91.57 грн
100+61.69 грн
500+52.24 грн
1000+42.49 грн
2000+40.03 грн
5000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.87 грн
10+45.78 грн
100+29.69 грн
500+23.37 грн
1000+18.08 грн
2000+15.03 грн
10000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
10+43.13 грн
2500+11.91 грн
8000+5.95 грн
24000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3275+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3275
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.01 грн
100+10.63 грн
500+8.14 грн
1000+6.04 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.08 грн
14+24.82 грн
100+12.28 грн
1000+6.18 грн
4000+5.43 грн
8000+4.32 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.62 грн
8000+5.18 грн
12000+4.48 грн
28000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5G
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.59 грн
12+29.35 грн
100+15.92 грн
1000+8.41 грн
2500+7.52 грн
8000+6.25 грн
24000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.25 грн
16000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
15+21.08 грн
100+13.37 грн
500+9.40 грн
1000+8.38 грн
2000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1G
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
500+19.05 грн
1000+14.36 грн
2000+6.40 грн
4000+4.54 грн
8000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+7.58 грн
2087+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+10.07 грн
86+7.04 грн
112+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
11+30.00 грн
100+18.67 грн
500+11.99 грн
1000+9.22 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.18 грн
8000+8.35 грн
12000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
15+23.36 грн
100+8.41 грн
1000+5.28 грн
4000+5.21 грн
8000+4.32 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
17+20.45 грн
100+11.31 грн
1000+5.06 грн
2500+4.39 грн
8000+3.13 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 447554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3571+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3571
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+8.93 грн
4000+4.99 грн
8000+4.02 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+5.58 грн
4000+4.46 грн
8000+4.02 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3onsemi PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 5912
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1G
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 943798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSC70-6
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
1000+21.58 грн
2000+7.44 грн
4000+4.99 грн
8000+3.94 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3523+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3523
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.30 грн
15+23.02 грн
100+13.62 грн
1000+7.66 грн
2500+6.99 грн
8000+6.18 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUALL 22/47
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+8.56 грн
4000+4.99 грн
8000+4.02 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transitor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4404+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4404
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
1000+21.58 грн
2000+7.44 грн
4000+4.99 грн
8000+3.94 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4849+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4849
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMINSBA143TDXV6T1-0 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
500+19.05 грн
1000+14.36 грн
2000+6.40 грн
4000+4.99 грн
8000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4404+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4404
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
16000+3.36 грн
24000+3.19 грн
40000+2.81 грн
56000+2.70 грн
80000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 364271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 151900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
22+14.11 грн
100+8.84 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
2000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4832+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4832
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6Rochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2848+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 2848
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.37 грн
100+27.47 грн
1000+8.63 грн
4000+8.56 грн
8000+7.22 грн
24000+6.92 грн
48000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3onsemionsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
17+20.45 грн
100+11.31 грн
1000+5.06 грн
2500+4.39 грн
8000+3.13 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6048+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 6048
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 449603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4058+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4058
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.99 грн
18+19.85 грн
100+10.86 грн
500+8.11 грн
1000+6.47 грн
5000+6.25 грн
8000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4404+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4404
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2953+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2953
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.80 грн
12+30.47 грн
100+16.52 грн
500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2953+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2953
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4849+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4849
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4832+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4832
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 47/22 K OHM
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+8.56 грн
4000+4.99 грн
8000+4.17 грн
24000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4849+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 4849
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+29.01 грн
100+15.70 грн
1000+8.33 грн
4000+7.14 грн
8000+6.40 грн
24000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.33 грн
8000+6.49 грн
12000+6.20 грн
20000+5.51 грн
28000+5.33 грн
40000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.67 грн
100+19.12 грн
500+12.95 грн
1000+9.75 грн
2000+8.48 грн
4000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.69 грн
8000+4.96 грн
12000+4.70 грн
20000+4.13 грн
28000+3.97 грн
40000+3.81 грн
100000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+18.06 грн
100+12.16 грн
500+8.84 грн
1000+7.98 грн
2000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114BDXV6T1
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.90 грн
100+10.60 грн
500+7.40 грн
1000+6.57 грн
2000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.44 грн
22+15.75 грн
100+9.52 грн
1000+7.81 грн
2500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 163999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.31 грн
16000+4.67 грн
24000+4.44 грн
40000+3.93 грн
56000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 529587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4948+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 4948
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON07+;
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
21+15.12 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.23 грн
8000+4.56 грн
12000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 247300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.01 грн
25+13.86 грн
100+6.25 грн
1000+5.06 грн
4000+4.46 грн
8000+3.65 грн
24000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 13871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.59 грн
13+26.61 грн
100+13.10 грн
500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
17+20.45 грн
100+7.29 грн
1000+4.39 грн
2500+4.02 грн
8000+3.27 грн
24000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 53044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
17+18.68 грн
100+9.09 грн
500+7.12 грн
1000+4.95 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.40 грн
16000+3.51 грн
24000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T1GRochester Electronics, LLCDescription: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 9112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.80 грн
30+11.55 грн
100+5.43 грн
1000+4.61 грн
2500+4.46 грн
8000+3.65 грн
24000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 121799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 93785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
31+11.38 грн
100+7.22 грн
500+6.92 грн
1000+5.66 грн
2000+5.13 грн
4000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
21+15.12 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 242000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.36 грн
27+12.92 грн
100+5.80 грн
1000+4.69 грн
2500+4.46 грн
8000+3.65 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
15+23.36 грн
100+8.41 грн
1000+5.28 грн
4000+5.21 грн
8000+4.32 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3579+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3579
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+29.01 грн
100+15.70 грн
1000+8.26 грн
2500+7.44 грн
8000+6.18 грн
24000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+10.27 грн
4000+4.91 грн
8000+4.02 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114XDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDCV6T5
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 182991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 40962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.79 грн
26+13.18 грн
100+5.88 грн
1000+4.84 грн
2500+4.46 грн
8000+3.42 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1Onsemi09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1OnsemiSOT363
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4808
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.32 грн
100+10.77 грн
500+8.25 грн
1000+6.12 грн
2000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.46 грн
55+15.36 грн
100+9.68 грн
500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.30 грн
17+20.71 грн
100+7.96 грн
1000+5.21 грн
4000+5.13 грн
8000+4.32 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.43 грн
19+18.74 грн
100+6.47 грн
1000+4.24 грн
2500+3.94 грн
8000+3.20 грн
24000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 175947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 15441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDigital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 15298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.36 грн
27+12.92 грн
100+5.80 грн
1000+4.69 грн
2500+4.46 грн
8000+3.50 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 379710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.24 грн
8000+4.57 грн
12000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
21+15.27 грн
100+9.57 грн
500+6.66 грн
1000+5.91 грн
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 43903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.23 грн
26+13.26 грн
100+5.95 грн
1000+4.84 грн
4000+4.39 грн
8000+3.50 грн
24000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.26 грн
21+16.94 грн
100+6.40 грн
1000+5.13 грн
4000+4.61 грн
8000+3.80 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.56 грн
8000+5.12 грн
12000+4.43 грн
28000+4.08 грн
100000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
15+20.85 грн
100+10.52 грн
500+8.06 грн
1000+5.98 грн
2000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+28.75 грн
100+15.55 грн
1000+8.26 грн
2500+6.70 грн
8000+6.03 грн
24000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 292000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 7359
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
17+20.45 грн
100+11.31 грн
1000+5.06 грн
2500+4.39 грн
8000+3.20 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 706141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.33 грн
1000+6.33 грн
4000+5.51 грн
8000+3.80 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.70 грн
8000+4.97 грн
12000+4.71 грн
20000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.91 грн
100+15.48 грн
1000+6.40 грн
4000+5.51 грн
8000+4.39 грн
24000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 55925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
14+23.72 грн
100+15.05 грн
500+10.61 грн
1000+9.48 грн
2000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.52 грн
16000+4.86 грн
24000+4.62 грн
40000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.56 грн
17+20.71 грн
100+9.45 грн
1000+7.14 грн
2500+6.92 грн
8000+6.18 грн
24000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.70 грн
8000+4.97 грн
12000+4.71 грн
20000+4.14 грн
28000+3.98 грн
40000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
19+18.06 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
1000+6.33 грн
2000+5.51 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.51 грн
100+10.37 грн
500+7.23 грн
1000+6.42 грн
2000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.07 грн
12+29.35 грн
100+15.92 грн
500+10.94 грн
1000+8.41 грн
2500+6.62 грн
8000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.68 грн
16000+3.23 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.61 грн
22+15.83 грн
100+5.95 грн
1000+4.84 грн
8000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.53 грн
117+7.18 грн
500+5.97 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.70 грн
8000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
19+18.06 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
1000+6.40 грн
2000+5.58 грн
4000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.30 грн
51+16.53 грн
117+7.18 грн
500+5.97 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
19+16.51 грн
100+10.37 грн
500+7.23 грн
1000+6.42 грн
2000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7955+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 7955
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 261500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
26+12.01 грн
100+8.06 грн
500+5.81 грн
1000+5.23 грн
2000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
20+17.80 грн
100+7.29 грн
1000+5.28 грн
4000+4.99 грн
8000+4.02 грн
24000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
16+22.16 грн
100+10.72 грн
1000+6.70 грн
8000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
19+17.05 грн
100+11.49 грн
500+8.35 грн
1000+7.54 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
10+43.13 грн
1000+35.20 грн
2500+30.51 грн
5000+7.29 грн
8000+4.32 грн
24000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.75 грн
8000+4.19 грн
12000+3.98 грн
20000+3.53 грн
28000+3.40 грн
40000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
15+23.36 грн
100+8.41 грн
1000+5.28 грн
4000+4.91 грн
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 51566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
26+12.01 грн
100+8.06 грн
500+5.81 грн
1000+5.23 грн
2000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 448000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXVT5
на замовлення 13642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 91950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
15+24.22 грн
100+9.38 грн
1000+6.25 грн
4000+5.51 грн
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+14.37 грн
57+10.64 грн
58+10.54 грн
100+5.85 грн
250+5.40 грн
500+5.18 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
20+15.66 грн
100+10.59 грн
500+7.68 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XPDXV6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.64 грн
12+29.95 грн
2000+10.27 грн
4000+5.06 грн
8000+4.02 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+28.75 грн
100+15.55 грн
1000+8.26 грн
2500+7.44 грн
8000+6.03 грн
24000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.62 грн
8000+5.18 грн
12000+4.48 грн
28000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.01 грн
100+10.63 грн
500+8.14 грн
1000+6.04 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 28799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
19+18.06 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
1000+6.40 грн
2000+5.58 грн
4000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 317830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.30 грн
16+22.68 грн
100+13.39 грн
1000+7.59 грн
2500+6.33 грн
8000+5.51 грн
48000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3771+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3771
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
13+27.04 грн
100+14.66 грн
1000+7.44 грн
4000+6.70 грн
8000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.51 грн
15+23.45 грн
100+11.53 грн
1000+5.88 грн
4000+5.06 грн
8000+4.09 грн
24000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 5679
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3597+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3597
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.34 грн
14+25.50 грн
100+15.11 грн
500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+29.01 грн
100+15.70 грн
1000+8.26 грн
2500+7.44 грн
8000+6.18 грн
24000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDigital Transistors 100mA Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.01 грн
100+10.63 грн
500+8.14 грн
1000+6.04 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
15+23.36 грн
100+8.41 грн
1000+5.28 грн
8000+4.32 грн
24000+4.02 грн
48000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4771144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1G
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
17+20.28 грн
100+9.30 грн
1000+7.59 грн
8000+5.88 грн
24000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.64 грн
14+22.79 грн
100+14.47 грн
500+10.20 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.33 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.24 грн
100+10.74 грн
500+8.22 грн
1000+6.10 грн
2000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.73 грн
33+25.79 грн
100+9.93 грн
500+7.33 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 58821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.09 грн
22+16.26 грн
100+9.15 грн
500+6.92 грн
1000+6.33 грн
2000+5.51 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.86 грн
13+27.38 грн
100+16.30 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
14+24.90 грн
100+14.73 грн
1000+8.33 грн
2500+7.59 грн
8000+6.62 грн
24000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+22.09 грн
100+13.24 грн
500+11.51 грн
1000+7.83 грн
2000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 14859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.36 грн
27+12.92 грн
100+5.73 грн
1000+4.69 грн
2500+4.54 грн
8000+3.50 грн
24000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.60 грн
16000+4.03 грн
24000+3.83 грн
40000+3.39 грн
56000+3.26 грн
80000+3.14 грн
200000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
22+15.92 грн
100+6.40 грн
1000+5.13 грн
4000+4.69 грн
8000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
16+20.39 грн
100+12.25 грн
500+10.64 грн
1000+7.24 грн
2000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.37 грн
8000+6.80 грн
12000+6.12 грн
28000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.56 грн
33+25.79 грн
100+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7950+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 7950
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
21+14.88 грн
100+9.30 грн
500+6.47 грн
1000+5.73 грн
2000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.60 грн
16000+4.03 грн
24000+3.83 грн
40000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.36 грн
27+12.92 грн
100+5.80 грн
1000+4.69 грн
2500+4.46 грн
8000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.87 грн
8000+4.29 грн
12000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3025
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GONSOT-363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+11.19 грн
90+6.71 грн
91+6.65 грн
100+5.86 грн
250+4.90 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 15143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.79 грн
28+12.41 грн
100+5.80 грн
1000+4.84 грн
4000+4.09 грн
8000+3.80 грн
24000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.32 грн
26+12.32 грн
100+8.27 грн
500+5.96 грн
1000+5.36 грн
2000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7995+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 7995
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5G
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
19+16.98 грн
100+11.44 грн
500+8.32 грн
1000+7.51 грн
2000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+28.92 грн
100+10.72 грн
1000+7.44 грн
2500+7.07 грн
8000+5.95 грн
48000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
12+28.75 грн
100+15.55 грн
1000+8.78 грн
2500+7.44 грн
8000+6.03 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 299290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.32 грн
26+12.32 грн
100+8.27 грн
500+5.96 грн
1000+5.36 грн
2000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
20+17.80 грн
100+7.29 грн
1000+5.28 грн
4000+4.39 грн
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.87 грн
8000+4.29 грн
12000+4.09 грн
20000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5840+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 5840
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144TF3T5GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.30 грн
15+23.53 грн
100+11.61 грн
1000+5.95 грн
4000+5.06 грн
8000+4.09 грн
24000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 5679
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144WDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144WDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.