НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSB-5120Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Part Status: Active
Number of Ports: 1
Number of Rows: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5130Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 2
Number of Rows: 1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5210Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5220Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5240Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Keystone Jacks
Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
Style: Surface Mount
Type: Mounting Box
Number of Ports: 4
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Port Direction: Straight
Part Status: Active
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5260Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1-D3FP4G-178
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1010XV5T5 - NSB1010XV5T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1011XV6T5 - NSB1011XV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GLittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GON SemiconductorDescription: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13211DW6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 383910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
на замовлення 383930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3G - NSB13ANT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3H - SMB TVS 600W 13V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HonsemiDescription: SMB TVS 600W 13V
Packaging: Bulk
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS0611PB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
6000+3.74 грн
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.83 грн
41+21.42 грн
100+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.99 грн
27+12.37 грн
100+7.70 грн
500+5.31 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.01 грн
27+13.30 грн
100+7.30 грн
500+5.28 грн
1000+4.66 грн
3000+3.88 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANDescription: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5317.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANDescription: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4143.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANDescription: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2548.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANDescription: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4270.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANDescription: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8225.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANDescription: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4451.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REANPatch Panels STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8186.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REANDescription: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4451.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANDescription: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5317.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q0R9A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q1R0A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANXLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANDescription: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7357.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANDescription: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6049.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANDescription: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7333.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GMOTSOT26/
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
на замовлення 17693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
18+20.89 грн
100+11.57 грн
1000+5.20 грн
3000+3.73 грн
9000+3.42 грн
24000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 741000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6151+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 6151
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2G
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4365+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4365
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANDescription: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9465.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANDescription: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9894.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANPatch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15652.61 грн
10+14815.66 грн
25+12604.48 грн
50+12547.81 грн
100+12380.13 грн
250+12135.58 грн
2500+12134.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB503 STARTERInterlightDescription: Replacement for Lucas NSB503 Sta
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20202.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB857J
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.04 грн
1600+29.74 грн
2400+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.04 грн
1600+27.76 грн
2400+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT/31Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishayRectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81VishayDiode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/45VishayDiode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.67 грн
10+70.98 грн
100+47.98 грн
500+40.68 грн
1000+33.07 грн
2000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.46 грн
10+63.97 грн
100+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers RECOMMENDED ALT NSB8
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.76 грн
10+70.89 грн
100+47.98 грн
500+40.68 грн
800+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81VishayDiode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.77 грн
10+69.46 грн
100+46.97 грн
500+39.83 грн
1000+32.37 грн
2000+31.44 грн
5000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.77 грн
10+69.46 грн
100+46.97 грн
500+40.68 грн
800+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-HE3/45VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.95 грн
10+69.37 грн
100+46.97 грн
500+41.07 грн
800+32.45 грн
2400+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-M3/IVishayRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.50 грн
10+99.99 грн
100+57.60 грн
500+43.40 грн
800+40.76 грн
2400+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.45 грн
10+106.18 грн
100+82.81 грн
500+64.19 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.74 грн
10+95.53 грн
100+64.36 грн
500+54.50 грн
1000+44.33 грн
2000+41.77 грн
5000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.24 грн
10+47.76 грн
100+30.98 грн
500+24.38 грн
1000+18.86 грн
2000+15.68 грн
10000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.03 грн
10+40.80 грн
100+28.96 грн
500+19.56 грн
1000+14.83 грн
2500+13.12 грн
5000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3275+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3275
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
15+21.92 грн
100+11.09 грн
500+8.49 грн
1000+6.30 грн
2000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.87 грн
8000+5.40 грн
12000+4.67 грн
28000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.51 грн
14+25.89 грн
100+12.81 грн
1000+6.44 грн
4000+5.67 грн
8000+4.50 грн
24000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5G
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.30 грн
12+30.62 грн
100+16.61 грн
1000+8.77 грн
2500+7.84 грн
8000+6.52 грн
24000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
16+23.30 грн
100+13.20 грн
500+9.78 грн
1000+8.85 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.43 грн
16000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
15+22.00 грн
100+13.95 грн
500+9.81 грн
1000+8.75 грн
2000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.14 грн
12+31.25 грн
500+19.87 грн
1000+14.98 грн
2000+6.68 грн
4000+4.74 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1G
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+11.84 грн
86+8.28 грн
112+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+7.73 грн
2087+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.58 грн
8000+8.71 грн
12000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.41 грн
15+24.37 грн
100+8.77 грн
1000+5.51 грн
4000+5.43 грн
8000+4.50 грн
24000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.83 грн
11+31.30 грн
100+19.48 грн
500+12.51 грн
1000+9.62 грн
2000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 447554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
17+21.34 грн
100+11.80 грн
1000+5.28 грн
2500+4.58 грн
8000+3.26 грн
24000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3571+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3571
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
2000+11.33 грн
4000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
13+29.55 грн
2000+6.37 грн
4000+4.43 грн
8000+3.96 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3onsemi PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 5912
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1G
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSC70-6
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 943798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
500+17.93 грн
1000+13.59 грн
2000+6.60 грн
4000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.53 грн
15+24.02 грн
100+14.21 грн
1000+8.00 грн
2500+7.30 грн
8000+6.44 грн
24000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3523+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3523
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
16+23.30 грн
100+13.20 грн
500+9.78 грн
1000+8.85 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
2000+11.33 грн
4000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transitor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963
Case: SOT963
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 269mW
Current gain: 15...27
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
500+17.93 грн
1000+13.59 грн
2000+6.60 грн
4000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 15...27
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 4000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 4.7kΩ
Case: SOT1123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Current gain: 15...27
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.80 грн
31+10.67 грн
35+9.41 грн
100+7.54 грн
250+6.93 грн
500+6.56 грн
1000+6.16 грн
2500+5.84 грн
5000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
16+23.30 грн
100+13.20 грн
500+9.78 грн
1000+8.85 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
100+17.78 грн
500+11.96 грн
1000+9.08 грн
2000+5.43 грн
4000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; 4.7kΩ
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 160...250
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 4000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3692
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 150580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.83 грн
26+12.86 грн
100+8.00 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
2000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; 4.7kΩ
Case: SOT1123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Current gain: 160...250
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.91 грн
16000+3.42 грн
24000+3.24 грн
40000+2.86 грн
56000+2.75 грн
80000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 364271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4013
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6Rochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2369+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 2369
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.12 грн
100+28.66 грн
1000+9.01 грн
4000+8.93 грн
8000+7.53 грн
24000+7.22 грн
48000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3onsemionsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
17+21.34 грн
100+11.80 грн
1000+5.28 грн
2500+4.58 грн
8000+3.26 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5031+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 5031
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; R1: 47kΩ
Case: SOT963
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 269mW
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
20+16.34 грн
100+10.28 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
2000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 7526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.87 грн
17+21.78 грн
100+11.88 грн
500+8.69 грн
1000+6.13 грн
5000+5.12 грн
8000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.15 грн
16000+4.53 грн
24000+4.31 грн
40000+3.81 грн
56000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 505603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3366+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3366
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 4000pcs.
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.57 грн
12+31.78 грн
100+17.23 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2456+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 2456
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2456+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 2456
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
16+23.30 грн
100+13.20 грн
500+9.78 грн
1000+8.85 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.80 грн
31+10.67 грн
35+9.41 грн
100+7.54 грн
250+6.93 грн
500+6.56 грн
1000+6.16 грн
2500+5.84 грн
5000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; 47kΩ
Case: SOT1123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Current gain: 120...250
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 47kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4013
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
2000+14.13 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 4000pcs.
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 47kΩ
Case: SOT1123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.27 грн
100+16.38 грн
1000+8.69 грн
4000+7.45 грн
8000+6.68 грн
24000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.65 грн
8000+6.77 грн
12000+6.47 грн
20000+5.75 грн
28000+5.56 грн
40000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
100+17.78 грн
500+11.96 грн
1000+9.08 грн
2000+5.43 грн
4000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.94 грн
8000+5.18 грн
12000+4.90 грн
20000+4.31 грн
28000+4.14 грн
40000+3.97 грн
100000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
18+18.84 грн
100+12.69 грн
500+9.22 грн
1000+8.32 грн
2000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114BDXV6T1
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+17.63 грн
100+11.06 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.54 грн
16000+4.87 грн
24000+4.64 грн
40000+4.10 грн
56000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 529587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4948+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 4948
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.34 грн
18+20.71 грн
100+10.40 грн
500+7.61 грн
1000+6.60 грн
2500+5.05 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 163999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON07+;
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.77 грн
100+9.91 грн
500+6.91 грн
1000+6.13 грн
2000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 211380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.08 грн
21+17.05 грн
100+9.32 грн
500+6.91 грн
1000+6.06 грн
2000+5.43 грн
4000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.45 грн
8000+4.76 грн
12000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 13871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.13 грн
13+27.77 грн
100+13.66 грн
500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 53044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
17+19.49 грн
100+9.49 грн
500+7.43 грн
1000+5.16 грн
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
23+15.89 грн
100+8.69 грн
500+6.44 грн
1000+5.12 грн
2500+4.66 грн
5000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.59 грн
16000+3.67 грн
24000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+22.94 грн
100+12.96 грн
500+9.55 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T1GRochester Electronics, LLCDescription: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.55 грн
26+14.20 грн
100+7.84 грн
500+6.37 грн
1000+5.51 грн
2500+5.43 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 121799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.77 грн
100+9.91 грн
500+6.91 грн
1000+6.13 грн
2000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 84585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+17.12 грн
32+11.25 грн
100+6.44 грн
500+5.51 грн
1000+4.74 грн
2000+4.35 грн
4000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 242000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
23+15.98 грн
100+8.77 грн
500+6.44 грн
1000+5.12 грн
2500+4.89 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.41 грн
15+24.37 грн
100+8.77 грн
1000+5.51 грн
4000+5.43 грн
8000+4.50 грн
24000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3579+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3579
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.27 грн
100+16.38 грн
1000+8.62 грн
2500+7.76 грн
8000+6.44 грн
24000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
2000+16.46 грн
4000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114XDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDCV6T5
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 182991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 32937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
23+15.98 грн
100+8.77 грн
500+6.44 грн
1000+5.12 грн
2500+4.89 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1Onsemi09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1OnsemiSOT363
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4808
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
15+22.24 грн
100+11.24 грн
500+8.61 грн
1000+6.39 грн
2000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.26 грн
52+16.81 грн
100+10.62 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.69 грн
17+21.61 грн
100+8.31 грн
1000+5.43 грн
4000+5.36 грн
8000+4.50 грн
24000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 175947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.62 грн
19+19.55 грн
100+6.75 грн
1000+4.43 грн
2500+4.11 грн
8000+3.34 грн
24000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDigital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 4013
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 379710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 43903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.10 грн
26+13.84 грн
100+6.21 грн
1000+5.05 грн
4000+4.58 грн
8000+3.65 грн
24000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.93 грн
100+9.99 грн
500+6.95 грн
1000+6.16 грн
2000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.47 грн
8000+4.77 грн
12000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.08 грн
21+17.05 грн
100+9.32 грн
500+6.91 грн
1000+6.06 грн
2000+5.43 грн
4000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
15+21.75 грн
100+10.97 грн
500+8.40 грн
1000+6.24 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
8000+5.34 грн
12000+4.62 грн
28000+4.26 грн
100000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 292000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.00 грн
100+16.23 грн
1000+8.62 грн
2500+6.99 грн
8000+6.29 грн
24000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
17+21.34 грн
100+11.80 грн
1000+5.28 грн
2500+4.58 грн
8000+3.34 грн
24000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 7359
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT963
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base resistor: 100kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 706141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
13+29.55 грн
2000+7.61 грн
4000+4.97 грн
8000+4.11 грн
24000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.95 грн
8000+5.19 грн
12000+4.91 грн
20000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SSP SOT563 DUAL 22/22K
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
13+29.55 грн
500+18.79 грн
1000+14.21 грн
2000+6.37 грн
4000+4.50 грн
8000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.62 грн
20+18.12 грн
100+9.94 грн
500+7.38 грн
1000+5.90 грн
5000+4.81 грн
8000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 55925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
14+24.75 грн
100+15.70 грн
500+11.07 грн
1000+9.89 грн
2000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.76 грн
16000+5.07 грн
24000+4.82 грн
40000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+17.22 грн
100+10.82 грн
500+7.54 грн
1000+6.69 грн
2000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.35 грн
20+17.86 грн
100+9.78 грн
500+7.30 грн
1000+6.37 грн
2000+5.67 грн
4000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.95 грн
8000+5.19 грн
12000+4.91 грн
20000+4.32 грн
28000+4.15 грн
40000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.76 грн
12+30.62 грн
100+16.61 грн
500+11.41 грн
1000+8.77 грн
2500+6.91 грн
8000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
16000+3.37 грн
24000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.26 грн
22+16.34 грн
100+8.93 грн
500+6.68 грн
1000+5.43 грн
5000+4.11 грн
8000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.43 грн
51+17.24 грн
117+7.49 грн
500+6.23 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+17.22 грн
100+10.82 грн
500+7.54 грн
1000+6.69 грн
2000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.35 грн
20+17.86 грн
100+9.78 грн
500+7.30 грн
1000+6.29 грн
2000+5.51 грн
4000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.95 грн
8000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.24 грн
117+7.49 грн
500+6.23 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7955+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 7955
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 261500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.35 грн
20+17.86 грн
100+9.78 грн
500+7.30 грн
1000+6.37 грн
2000+5.67 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.31 грн
26+12.53 грн
100+8.41 грн
500+6.07 грн
1000+5.45 грн
2000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
19+17.79 грн
100+11.98 грн
500+8.71 грн
1000+7.87 грн
2000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
16+22.86 грн
100+11.88 грн
500+8.46 грн
1000+6.60 грн
2500+5.90 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+22.94 грн
100+12.96 грн
500+9.55 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.03 грн
10+40.80 грн
500+29.35 грн
1000+22.20 грн
2500+19.80 грн
5000+6.83 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
18+20.53 грн
100+11.18 грн
500+8.00 грн
1000+6.37 грн
2000+5.82 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 51566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.31 грн
26+12.53 грн
100+8.41 грн
500+6.07 грн
1000+5.45 грн
2000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
8000+4.37 грн
12000+4.16 грн
20000+3.68 грн
28000+3.55 грн
40000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 448000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXVT5
на замовлення 13642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 91950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+16.90 грн
57+12.52 грн
58+12.40 грн
100+6.88 грн
250+6.35 грн
500+6.09 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.98 грн
17+21.43 грн
100+11.41 грн
500+8.00 грн
1000+6.68 грн
2000+5.67 грн
4000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.19 грн
20+16.34 грн
100+11.05 грн
500+8.01 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XPDXV6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
13+28.21 грн
2000+8.69 грн
4000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.00 грн
100+16.23 грн
1000+8.62 грн
2500+7.76 грн
8000+6.29 грн
24000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
15+21.92 грн
100+11.09 грн
500+8.49 грн
1000+6.30 грн
2000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.08 грн
21+17.05 грн
100+9.32 грн
500+6.91 грн
1000+6.06 грн
2000+4.89 грн
4000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.87 грн
8000+5.40 грн
12000+4.67 грн
28000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.53 грн
16+23.66 грн
100+13.97 грн
1000+7.92 грн
2500+6.60 грн
8000+5.74 грн
48000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 317830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.95 грн
13+28.21 грн
100+15.29 грн
1000+7.76 грн
4000+6.99 грн
8000+6.21 грн
24000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3771+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3771
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.88 грн
15+24.46 грн
100+12.03 грн
1000+6.13 грн
4000+5.28 грн
8000+4.27 грн
24000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 5679
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
14+26.60 грн
100+15.76 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3597+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3597
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.27 грн
100+16.38 грн
1000+8.62 грн
2500+7.76 грн
8000+6.44 грн
24000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDigital Transistors 100mA Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
15+21.92 грн
100+11.09 грн
500+8.49 грн
1000+6.30 грн
2000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.41 грн
15+24.37 грн
100+8.77 грн
1000+5.51 грн
8000+4.50 грн
24000+4.19 грн
48000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4771144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1G
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143XMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+22.94 грн
100+12.96 грн
500+9.55 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
14+23.78 грн
100+15.10 грн
500+10.65 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.62 грн
20+18.12 грн
100+9.94 грн
500+7.38 грн
1000+5.90 грн
5000+4.81 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.64 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
15+22.16 грн
100+11.20 грн
500+8.57 грн
1000+6.36 грн
2000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 58821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.93 грн
31+11.70 грн
100+7.38 грн
500+6.83 грн
1000+6.21 грн
2000+5.43 грн
4000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.27 грн
33+26.91 грн
100+10.36 грн
500+7.64 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.32 грн
13+28.57 грн
100+17.00 грн
500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
14+25.98 грн
100+15.37 грн
1000+8.69 грн
2500+7.92 грн
8000+6.91 грн
24000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
15+23.05 грн
100+13.81 грн
500+12.01 грн
1000+8.17 грн
2000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+22.94 грн
100+12.96 грн
500+9.55 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.80 грн
16000+4.21 грн
24000+4.00 грн
40000+3.53 грн
56000+3.40 грн
80000+3.27 грн
200000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 14844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
23+15.98 грн
100+8.77 грн
500+6.44 грн
1000+5.12 грн
2500+4.89 грн
5000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.81 грн
22+16.61 грн
100+6.68 грн
1000+5.36 грн
4000+4.89 грн
8000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.69 грн
8000+7.10 грн
12000+6.39 грн
28000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.19 грн
33+26.91 грн
100+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
16+21.27 грн
100+12.78 грн
500+11.10 грн
1000+7.55 грн
2000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7950+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 7950
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
21+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.98 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.80 грн
16000+4.21 грн
24000+4.00 грн
40000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.45 грн
23+15.98 грн
100+8.77 грн
500+6.44 грн
1000+5.12 грн
2500+4.89 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GONSOT-363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.15 грн
26+12.86 грн
100+8.63 грн
500+6.22 грн
1000+5.59 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 15143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.73 грн
28+12.95 грн
100+6.06 грн
1000+5.05 грн
4000+4.27 грн
8000+3.96 грн
24000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.08 грн
8000+4.48 грн
12000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3025
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.16 грн
90+7.90 грн
91+7.82 грн
100+6.89 грн
250+5.77 грн
500+4.95 грн
1000+4.36 грн
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7995+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 7995
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5G
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
19+17.71 грн
100+11.94 грн
500+8.68 грн
1000+7.83 грн
2000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.18 грн
100+11.18 грн
1000+7.76 грн
2500+7.38 грн
8000+6.21 грн
48000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+22.94 грн
100+12.96 грн
500+9.55 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 299290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+30.00 грн
100+16.23 грн
1000+9.16 грн
2500+7.76 грн
8000+6.29 грн
24000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.15 грн
26+12.86 грн
100+8.63 грн
500+6.22 грн
1000+5.59 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
20+18.57 грн
100+7.61 грн
1000+5.51 грн
4000+4.58 грн
8000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.