НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSB-5120Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Part Status: Active
Number of Ports: 1
Number of Rows: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+339.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5130Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 2
Number of Rows: 1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5210Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5220Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5240Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Keystone Jacks
Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
Style: Surface Mount
Type: Mounting Box
Number of Ports: 4
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Port Direction: Straight
Part Status: Active
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+174.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSB-5260Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1-D3FP4G-178
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1010XV5T5 - NSB1010XV5T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1010XV5T5
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1011XV6T5 - NSB1011XV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1011XV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GLittelfuseESD Protection Diodes / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB12ANT3GON SemiconductorDescription: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
на замовлення 383930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13211DW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13211DW6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 383910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3G - NSB13ANT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HONSEMIDescription: ONSEMI - NSB13ANT3H - SMB TVS 600W 13V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB13ANT3HonsemiDescription: SMB TVS 600W 13V
Packaging: Bulk
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS0611PB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB16GLF2-513BOURNS
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
6000+3.85 грн
9000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GON06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.79 грн
41+22.09 грн
100+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.65 грн
27+12.76 грн
100+7.94 грн
500+5.48 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.69 грн
27+13.72 грн
100+7.52 грн
500+5.44 грн
1000+4.80 грн
3000+4.00 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1A-8/4REANDescription: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5482.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANDescription: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4272.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1B-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANDescription: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2627.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1C-8/0REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-12/4REANDescription: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4403.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANDescription: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8480.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2A-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-12/4REANDescription: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4589.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REANDescription: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4589.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REANPatch Panels STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8440.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2B-16/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANDescription: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5482.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB2C-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q0R9A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3030Q1R0A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANDescription: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7585.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3A-32/4REANXLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANDescription: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6236.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3B-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB3C-20/4REANDescription: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7561.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GMOTSOT26/
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
на замовлення 17693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.12 грн
18+21.54 грн
100+11.93 грн
1000+5.36 грн
3000+3.84 грн
9000+3.52 грн
24000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 741000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6151+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 6151
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2G
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4365+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4365
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/4REANDescription: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9759.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANDescription: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10201.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REANPatch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16138.51 грн
10+15275.58 грн
25+12995.76 грн
50+12937.33 грн
100+12764.43 грн
250+12512.30 грн
2500+12511.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB4A-40/8REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB503 STARTERInterlightDescription: Replacement for Lucas NSB503 Sta
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20829.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSB857J
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.61 грн
1600+30.30 грн
2400+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.57 грн
1600+28.28 грн
2400+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT/31Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishayRectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8ATHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81VishayDiode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8BTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8DTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/45VishayDiode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8GTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.42 грн
10+73.18 грн
100+49.47 грн
500+41.94 грн
1000+34.10 грн
2000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.99 грн
10+65.95 грн
100+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers RECOMMENDED ALT NSB8
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.49 грн
10+73.09 грн
100+49.47 грн
500+41.94 грн
800+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JT-M3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3/81VishayDiode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishayRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8JTHM3/IVishay8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.46 грн
10+71.61 грн
100+48.43 грн
500+41.06 грн
1000+33.38 грн
2000+32.42 грн
5000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.46 грн
10+71.61 грн
100+48.43 грн
500+41.94 грн
800+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-HE3/45VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KT-M3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3/81VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHE3_B/PVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8KTHM3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.62 грн
10+71.52 грн
100+48.43 грн
500+42.34 грн
800+33.46 грн
2400+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-M3/IVishayRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+103.10 грн
100+59.39 грн
500+44.74 грн
800+42.02 грн
2400+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/45VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3/81VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/IVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.40 грн
10+98.49 грн
100+66.36 грн
500+56.19 грн
1000+45.70 грн
2000+43.06 грн
5000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.28 грн
10+109.48 грн
100+85.38 грн
500+66.19 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.02 грн
10+49.25 грн
100+31.94 грн
500+25.13 грн
1000+19.45 грн
2000+16.17 грн
10000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.33 грн
10+42.07 грн
100+29.86 грн
500+20.17 грн
1000+15.29 грн
2500+13.53 грн
5000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3275+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3275
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.05 грн
8000+5.57 грн
12000+4.82 грн
28000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.58 грн
14+26.69 грн
100+13.21 грн
1000+6.64 грн
4000+5.84 грн
8000+4.64 грн
24000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
15+22.60 грн
100+11.43 грн
500+8.75 грн
1000+6.50 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T5G
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
12+31.57 грн
100+17.13 грн
1000+9.04 грн
2500+8.08 грн
8000+6.72 грн
24000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
16+24.02 грн
100+13.61 грн
500+10.09 грн
1000+9.12 грн
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.57 грн
16000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.10 грн
15+22.68 грн
100+14.38 грн
500+10.11 грн
1000+9.02 грн
2000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.26 грн
12+32.22 грн
500+20.49 грн
1000+15.45 грн
2000+6.88 грн
4000+4.88 грн
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T1G
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+7.87 грн
2087+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.06 грн
86+8.44 грн
112+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.16 грн
11+32.27 грн
100+20.09 грн
500+12.90 грн
1000+9.92 грн
2000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.88 грн
8000+8.98 грн
12000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.51 грн
15+25.13 грн
100+9.04 грн
1000+5.68 грн
4000+5.60 грн
8000+4.64 грн
24000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
17+22.00 грн
100+12.17 грн
1000+5.44 грн
2500+4.72 грн
8000+3.36 грн
24000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 447554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3571+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3571
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
2000+11.69 грн
4000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
13+30.47 грн
2000+6.56 грн
4000+4.56 грн
8000+4.08 грн
24000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3onsemi PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 5912
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123EF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1G
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 943798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5ONSC70-6
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 6086
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 7592
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
500+18.49 грн
1000+14.01 грн
2000+6.80 грн
4000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.44 грн
15+24.76 грн
100+14.65 грн
1000+8.24 грн
2500+7.52 грн
8000+6.64 грн
24000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3523+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3523
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
16+24.02 грн
100+13.61 грн
500+10.09 грн
1000+9.12 грн
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
2000+12.65 грн
4000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA124XF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124XF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transitor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
500+18.49 грн
1000+14.01 грн
2000+6.80 грн
4000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.32 грн
31+11.01 грн
35+9.71 грн
100+7.78 грн
250+7.15 грн
500+6.77 грн
1000+6.35 грн
2500+6.02 грн
5000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
16+24.02 грн
100+13.61 грн
500+10.09 грн
1000+9.12 грн
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
100+18.33 грн
500+12.33 грн
1000+9.37 грн
2000+5.60 грн
4000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3692
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 150580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.51 грн
26+13.26 грн
100+8.25 грн
500+5.71 грн
1000+5.05 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 364271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.03 грн
16000+3.53 грн
24000+3.35 грн
40000+2.95 грн
56000+2.84 грн
80000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4013
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6Rochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
100+29.55 грн
1000+9.28 грн
4000+9.20 грн
8000+7.76 грн
24000+7.44 грн
48000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2369+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2369
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3onsemionsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5031+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 5031
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
17+22.00 грн
100+12.17 грн
1000+5.44 грн
2500+4.72 грн
8000+3.36 грн
24000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA143ZF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 505603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3366+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3366
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.57 грн
20+16.84 грн
100+10.60 грн
500+7.39 грн
1000+6.57 грн
2000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.31 грн
16000+4.67 грн
24000+4.44 грн
40000+3.93 грн
56000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 7526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.98 грн
17+22.46 грн
100+12.25 грн
500+8.96 грн
1000+6.32 грн
5000+5.28 грн
8000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2456+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 2456
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.89 грн
12+32.77 грн
100+17.77 грн
500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2456+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 2456
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
16+24.02 грн
100+13.61 грн
500+10.09 грн
1000+9.12 грн
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.32 грн
31+11.01 грн
35+9.71 грн
100+7.78 грн
250+7.15 грн
500+6.77 грн
1000+6.35 грн
2500+6.02 грн
5000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144TF3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4013
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
2000+14.57 грн
4000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4034+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 4034
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA144WF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+31.20 грн
100+16.89 грн
1000+8.96 грн
4000+7.68 грн
8000+6.88 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
18+19.43 грн
100+13.08 грн
500+9.51 грн
1000+8.58 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.88 грн
8000+6.98 грн
12000+6.67 грн
20000+5.93 грн
28000+5.73 грн
40000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
100+18.33 грн
500+12.33 грн
1000+9.37 грн
2000+5.60 грн
4000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.12 грн
8000+5.34 грн
12000+5.05 грн
20000+4.44 грн
28000+4.27 грн
40000+4.10 грн
100000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114BDXV6T1
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.28 грн
20+19.05 грн
100+10.57 грн
500+7.84 грн
1000+6.80 грн
2500+4.64 грн
5000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
20+16.68 грн
100+10.49 грн
500+7.32 грн
1000+6.50 грн
2000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 163999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.25 грн
16000+4.62 грн
24000+4.39 грн
40000+3.89 грн
56000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 529587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3366+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3366
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1ON07+;
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
22+15.68 грн
100+9.86 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
2000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 209060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.95 грн
21+17.58 грн
100+9.61 грн
500+7.12 грн
1000+6.16 грн
2000+5.52 грн
4000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.42 грн
8000+4.73 грн
12000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 13871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.29 грн
13+28.63 грн
100+14.09 грн
500+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.54 грн
16000+3.98 грн
24000+3.78 грн
40000+3.34 грн
56000+3.22 грн
80000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+9.18 грн
500+6.38 грн
1000+5.66 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.38 грн
100+8.96 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+4.80 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Case: SOT1123
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.31 грн
32+10.71 грн
36+9.46 грн
100+7.58 грн
250+6.96 грн
500+6.59 грн
1000+6.18 грн
2500+5.86 грн
5000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+13.37 грн
500+9.85 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T1GRochester Electronics, LLCDescription: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.66 грн
28+13.35 грн
100+7.52 грн
500+6.56 грн
1000+5.12 грн
2500+5.04 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+9.20 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.42 грн
8000+4.73 грн
12000+4.48 грн
20000+3.94 грн
28000+3.78 грн
40000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 68894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.51 грн
27+13.99 грн
100+7.84 грн
500+5.68 грн
1000+4.88 грн
2000+4.48 грн
4000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
22+15.68 грн
100+9.86 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
2000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 242000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3030
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXVT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3620
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+9.20 грн
500+6.39 грн
1000+5.67 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.48 грн
100+9.04 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+5.04 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.63 грн
22+15.72 грн
100+9.87 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
2000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
18+21.17 грн
100+11.53 грн
500+8.24 грн
1000+6.56 грн
2000+5.60 грн
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.42 грн
8000+4.73 грн
12000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3692
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+31.20 грн
100+16.89 грн
1000+8.88 грн
2500+8.00 грн
8000+6.64 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2407+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 2407
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
2000+16.97 грн
4000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.42 грн
8000+4.73 грн
12000+4.48 грн
20000+3.94 грн
28000+3.78 грн
40000+3.63 грн
100000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 202500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1872+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 1872
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114TPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 10kΩ
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114XDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDCV6T5
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.55 грн
16000+3.99 грн
24000+3.79 грн
40000+3.35 грн
56000+3.22 грн
80000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 182991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 32937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.48 грн
100+9.04 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+5.04 грн
5000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 122126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+9.20 грн
500+6.39 грн
1000+5.67 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3030
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1Onsemi09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1OnsemiSOT363
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.63 грн
22+15.72 грн
100+9.87 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
2000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.95 грн
21+17.58 грн
100+9.61 грн
500+7.12 грн
1000+6.24 грн
2000+5.60 грн
4000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GFairchild SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1872+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 1872
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+28.10 грн
52+17.33 грн
100+10.95 грн
500+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 39761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3692
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 13728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.65 грн
26+13.09 грн
100+8.16 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
2000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.09 грн
26+14.64 грн
100+8.00 грн
500+5.92 грн
1000+4.64 грн
5000+4.16 грн
8000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Case: SOT1123
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDigital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.48 грн
100+9.04 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+5.04 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 371274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+9.20 грн
500+6.39 грн
1000+5.67 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.55 грн
16000+3.99 грн
24000+3.79 грн
40000+3.35 грн
56000+3.22 грн
80000+3.10 грн
200000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 291710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.98 грн
23+15.09 грн
100+9.47 грн
500+6.59 грн
1000+5.84 грн
2000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.12 грн
16+23.47 грн
100+11.53 грн
500+7.76 грн
1000+6.08 грн
2000+5.44 грн
4000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3030
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3692+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3692
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.90 грн
15+22.43 грн
100+11.31 грн
500+8.67 грн
1000+6.43 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.99 грн
8000+5.51 грн
12000+4.77 грн
28000+4.39 грн
100000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.95 грн
21+17.58 грн
100+9.61 грн
500+7.12 грн
1000+6.24 грн
2000+5.60 грн
4000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 292000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+30.93 грн
100+16.73 грн
1000+8.88 грн
2500+7.20 грн
8000+6.48 грн
24000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 7359
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
17+22.00 грн
100+12.17 грн
1000+5.44 грн
2500+4.72 грн
8000+3.44 грн
24000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 706141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.13 грн
8000+5.35 грн
12000+5.07 грн
20000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
13+30.47 грн
2000+7.84 грн
4000+5.12 грн
8000+4.24 грн
24000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SSP SOT563 DUAL 22/22K
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
13+30.47 грн
500+19.37 грн
1000+14.65 грн
2000+6.56 грн
4000+4.64 грн
8000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.94 грн
16000+5.22 грн
24000+4.97 грн
40000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.54 грн
20+18.69 грн
100+10.25 грн
500+7.60 грн
1000+6.08 грн
5000+4.96 грн
8000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 55925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
14+25.51 грн
100+16.19 грн
500+11.42 грн
1000+10.20 грн
2000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.30 грн
19+17.76 грн
100+11.16 грн
500+7.77 грн
1000+6.90 грн
2000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.26 грн
20+18.41 грн
100+10.09 грн
500+7.52 грн
1000+6.56 грн
2000+5.84 грн
4000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.13 грн
8000+5.35 грн
12000+5.07 грн
20000+4.45 грн
28000+4.28 грн
40000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.02 грн
12+31.57 грн
100+17.13 грн
500+11.77 грн
1000+9.04 грн
2500+7.12 грн
8000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.96 грн
16000+3.47 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.11 грн
22+16.85 грн
100+9.20 грн
500+6.88 грн
1000+5.60 грн
5000+4.24 грн
8000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
21+16.01 грн
100+10.01 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
2000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.26 грн
20+18.41 грн
100+10.09 грн
500+7.52 грн
1000+6.48 грн
2000+5.68 грн
4000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.30 грн
19+17.76 грн
100+11.16 грн
500+7.77 грн
1000+6.90 грн
2000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.78 грн
117+7.72 грн
500+6.42 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.13 грн
8000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+28.28 грн
51+17.78 грн
117+7.72 грн
500+6.42 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7955+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 7955
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 261500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 5900
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.91 грн
26+12.92 грн
100+8.67 грн
500+6.25 грн
1000+5.62 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.26 грн
20+18.41 грн
100+10.09 грн
500+7.52 грн
1000+6.56 грн
2000+5.84 грн
4000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.57 грн
19+18.34 грн
100+12.36 грн
500+8.98 грн
1000+8.11 грн
2000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
16+23.56 грн
100+12.25 грн
500+8.72 грн
1000+6.80 грн
2500+6.08 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+13.37 грн
500+9.85 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.33 грн
10+42.07 грн
500+30.26 грн
1000+22.89 грн
2500+20.41 грн
5000+7.04 грн
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 51566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.91 грн
26+12.92 грн
100+8.67 грн
500+6.25 грн
1000+5.62 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.11 грн
8000+4.50 грн
12000+4.29 грн
20000+3.79 грн
28000+3.66 грн
40000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
18+21.17 грн
100+11.53 грн
500+8.24 грн
1000+6.56 грн
2000+6.00 грн
4000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 448000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 5413
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXVT5
на замовлення 13642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 91950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.98 грн
20+16.84 грн
100+11.39 грн
500+8.26 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.22 грн
57+12.75 грн
58+12.64 грн
100+7.01 грн
250+6.47 грн
500+6.21 грн
1000+6.20 грн
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.94 грн
17+22.09 грн
100+11.77 грн
500+8.24 грн
1000+6.88 грн
2000+5.84 грн
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XPDXV6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
13+29.09 грн
2000+8.96 грн
4000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+30.93 грн
100+16.73 грн
1000+8.88 грн
2500+8.00 грн
8000+6.48 грн
24000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.95 грн
21+17.58 грн
100+9.61 грн
500+7.12 грн
1000+6.24 грн
2000+5.04 грн
4000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
15+22.60 грн
100+11.43 грн
500+8.75 грн
1000+6.50 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.05 грн
8000+5.57 грн
12000+4.82 грн
28000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 317830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.44 грн
16+24.39 грн
100+14.41 грн
1000+8.16 грн
2500+6.80 грн
8000+5.92 грн
48000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.13 грн
13+29.09 грн
100+15.77 грн
1000+8.00 грн
4000+7.20 грн
8000+6.40 грн
24000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3771+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3771
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.90 грн
15+25.22 грн
100+12.41 грн
1000+6.32 грн
4000+5.44 грн
8000+4.40 грн
24000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 5679
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
14+27.43 грн
100+16.25 грн
500+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3597+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3597
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+31.20 грн
100+16.89 грн
1000+8.88 грн
2500+8.00 грн
8000+6.64 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3527
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXVonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDigital Transistors 100mA Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.51 грн
15+25.13 грн
100+9.04 грн
1000+5.68 грн
8000+4.64 грн
24000+4.32 грн
48000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4771144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
15+22.60 грн
100+11.43 грн
500+8.75 грн
1000+6.49 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T1G
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143TPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143XMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+13.37 грн
500+9.85 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.54 грн
20+18.69 грн
100+10.25 грн
500+7.60 грн
1000+6.08 грн
5000+4.96 грн
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.56 грн
14+24.51 грн
100+15.57 грн
500+10.98 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
15+22.85 грн
100+11.55 грн
500+8.84 грн
1000+6.56 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.43 грн
33+27.75 грн
100+10.69 грн
500+7.88 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.88 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 58821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.49 грн
31+12.06 грн
100+7.60 грн
500+7.04 грн
1000+6.40 грн
2000+5.60 грн
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.42 грн
13+29.46 грн
100+17.53 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
14+26.79 грн
100+15.85 грн
1000+8.96 грн
2500+8.16 грн
8000+7.12 грн
24000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.04 грн
15+23.76 грн
100+14.24 грн
500+12.38 грн
1000+8.42 грн
2000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+13.37 грн
500+9.85 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
21+16.01 грн
100+10.01 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
2000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 14844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.48 грн
100+9.04 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+5.04 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.94 грн
16000+4.34 грн
24000+4.12 грн
40000+3.64 грн
56000+3.51 грн
80000+3.38 грн
200000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6TonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.93 грн
8000+7.32 грн
12000+6.59 грн
28000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+40.41 грн
33+27.75 грн
100+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
16+21.93 грн
100+13.17 грн
500+11.44 грн
1000+7.78 грн
2000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.61 грн
22+17.12 грн
100+6.88 грн
1000+5.52 грн
4000+5.04 грн
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7950+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 7950
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T5G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.94 грн
16000+4.34 грн
24000+4.12 грн
40000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
23+16.48 грн
100+9.04 грн
500+6.64 грн
1000+5.28 грн
2500+5.04 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
21+16.01 грн
100+10.01 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
2000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 15143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.44 грн
28+13.35 грн
100+6.24 грн
1000+5.20 грн
4000+4.40 грн
8000+4.08 грн
24000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.78 грн
26+13.26 грн
100+8.90 грн
500+6.41 грн
1000+5.76 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GONSOT-363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3025
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.41 грн
90+8.05 грн
91+7.96 грн
100+7.02 грн
250+5.88 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.24 грн
8000+4.62 грн
12000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7995+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 7995
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5G
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3602
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.57 грн
19+18.26 грн
100+12.31 грн
500+8.95 грн
1000+8.08 грн
2000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+31.11 грн
100+11.53 грн
1000+8.00 грн
2500+7.60 грн
8000+6.40 грн
48000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC144EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+13.37 грн
500+9.85 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3549
В кошику  од. на суму  грн.