Продукція > NSB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSB-5120 | Quest Technology International Inc. | Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8 Packaging: Bulk Connector Type: Jack Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Orientation: Straight Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Termination: IDC, Color Coded Block LED Color: Does Not Contain LED Ratings: Cat5e Tab Direction: Up Part Status: Active Number of Ports: 1 Number of Rows: 1 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB-5130 | Quest Technology International Inc. | Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8 Packaging: Bulk Connector Type: Jack Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Orientation: Straight Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Termination: IDC, Color Coded Block LED Color: Does Not Contain LED Ratings: Cat5e Tab Direction: Up Contact Material: Phosphor Bronze Part Status: Active Number of Ports: 2 Number of Rows: 1 | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB-5210 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB-5220 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB-5240 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT Packaging: Bulk Color: White For Use With/Related Products: Keystone Jacks Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) Style: Surface Mount Type: Mounting Box Number of Ports: 4 Material Flammability Rating: UL94 V-0 Port Direction: Straight Part Status: Active | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB-5260 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1-D3FP4G-178 | на замовлення 8400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB1010XV5T5 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB1010XV5T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1010XV5T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB1010XV5T5 - NSB1010XV5T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1011XV6T5 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB1011XV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1011XV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB1011XV6T5 - NSB1011XV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB12ANT3G | Littelfuse | ESD Protection Diodes / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB12ANT3G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB12ANT3G | ON Semiconductor | Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB13211DW6T1G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 383910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 | на замовлення 383930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB13ANT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB13ANT3G - NSB13ANT3G, TVS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB13ANT3G | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB13ANT3G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB13ANT3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB13ANT3H - SMB TVS 600W 13V tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB13ANT3H | onsemi | Description: SMB TVS 600W 13V Packaging: Bulk | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB16GLF2-513 | BOURNS | 0611PB | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB16GLF2-513 | BOURNS | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1 | на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 10832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ON | 06+ | на замовлення 1559 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | на замовлення 15632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1A-8/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1A-8/4 | REAN | Description: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1B-8/0 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB1B-8/0 | REAN | Description: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1C-8/0 | REAN | Description: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB1C-8/0 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB2A-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB2A-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB2A-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB2A-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB2B-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB2B-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB2B-16/0 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB2B-16/0 | REAN | Description: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB2C-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB2C-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB3030Q0R9A3H5C-L | Unspecified | PRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB3030Q1R0A3H5C-L | Unspecified | PRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB3A-32/4 | REAN | Description: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB3A-32/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB3B-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB3B-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB3C-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB3C-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 756000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | на замовлення 5974 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR | на замовлення 17693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | MOT | SOT26/ | на замовлення 981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T2G | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB4904DW1T2G | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 256mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB4A-40/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4A-40/4 | REAN | Description: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P tariffCode: 85369095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN | Patch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN | Description: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P tariffCode: 85369095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB503 STARTER | Interlight | Description: Replacement for Lucas NSB503 Sta | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB857J | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8AT/31 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3/81 | Vishay | Diode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GT-E3/45 | Vishay | Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT NSB8 | на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JT-M3/I | Vishay | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3/81 | Vishay | Diode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHM3/I | Vishay | 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8JTHM3/I | Vishay | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-HE3/45 | Vishay | Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KT-M3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3/81 | Vishay | Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHM3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8KTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3/45 | Vishay | Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3/81 | Vishay | Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB9435 | MOTOROLA | 00+ SOT-223 | на замовлення 8999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1 | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB9435T1 | ON | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSB9435T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 61339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1/9435R | ON | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSB9435T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSB9435T1G | onsemi | Digital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP | на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSB9703 | Desco | Description: COMMON POINT GND CORD 10MM 10' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA113EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT | на замовлення 7949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 158500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 15990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 107250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T5G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 221500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 7277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 44925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | на замовлення 10252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | на замовлення 10252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 15999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114TDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 136788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 235650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 7990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YF3 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 6099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 447554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563 | на замовлення 15975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA115EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA115TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | onsemi | Description: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EF3 | onsemi | PNP DIGITAL TRANSISTOR (B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6 | onsemi | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 164737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123JDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 164737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | на замовлення 481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5 | ON | SC70-6 | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 943798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5 | ON | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 472000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 472000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA123TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 7489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 293500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 293500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124XDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor | на замовлення 7786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transitor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA124XF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 304000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 304000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | ONSEMI | NSBA143TDXV6T1-0 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 364271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 159900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6 | Rochester Electronics, LLC | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 43990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 43990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZF3 | onsemi | onsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 7876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 449603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | Fairchild Semiconductor | Description: NSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR | на замовлення 6964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 867833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 867833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor | на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA144WF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor | на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114BDXV6T1 | на замовлення 221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 72014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 163999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 529587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1 | ON | 07+; | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 7850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 247300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 19895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 896000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 896000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 13871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 9306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 53044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T1G | Rochester Electronics, LLC | Description: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 11700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 11700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | на замовлення 9112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 127970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 121799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 97635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 242000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 13390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114EPDXVT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114EPDXVT1G | onsemi | Description: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 58833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | на замовлення 11865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 107600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 107600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT | на замовлення 5598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 83930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 83930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 102500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114XDXV6T1 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC114YDCV6T5 | на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 40962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 182991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 23960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | Onsemi | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 23960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | Onsemi | SOT363 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 250746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 175947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 9485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 595000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963 | на замовлення 15298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 15441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 379710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 43903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115EPDXV6T1G | onsemi | Description: SS SOT563 RSTR XSTR TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors RSTR XSTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 7984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 292000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 706141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 469000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 317000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123EPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 9499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 55925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 51750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 60970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 119831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 183831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY | на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1591000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 5026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 14502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 9632 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 261500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 3573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 4316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDX | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 211695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 211695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 4016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 51566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 624297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 256mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 448000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124EPDXVT5 | на замовлення 13642 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 91950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 66750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 5781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124XF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC124XPDXV6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 29409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 317830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 631985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 631985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 27986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | на замовлення 716 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4771144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 6334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 58941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 6037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY | на замовлення 14859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T5G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1 | на замовлення 6905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON | SOT-363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 15143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON | 09+ | на замовлення 16018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 7995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | на замовлення 6650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 250222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 299290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT | на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 27490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 184000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144WDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NSBC144WF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144WF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|