Продукція > HUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF40244BTPHILIPS09+
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF65343G3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.23 грн
500+98.31 грн
1000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3onsemi / FairchildMOSFETs 44a 50V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.23 грн
500+98.31 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75305D3ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307FAIR03+ SOT-223;
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ONS/FAIMOSFET N-CH 55V 15A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D35T00+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D38HARRIS
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 109404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_SB78016onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_SN00079onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307DS3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307P3onsemi / FairchildMOSFETs TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3S136INTERSIL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 915 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STONS/FAITrans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3ST/5307FAIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3ST136Harris CorporationDescription: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3STFAIRCHILD
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 9334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3
Код товару: 189443
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 93W; TO252AA
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 36mΩ
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.54 грн
21+37.44 грн
100+33.07 грн
500+28.73 грн
2500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.22 грн
20+39.57 грн
25+39.33 грн
100+33.40 грн
250+30.61 грн
500+28.93 грн
1000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.67 грн
10+62.85 грн
100+41.77 грн
500+30.71 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.57 грн
236+60.22 грн
500+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
50+63.70 грн
100+57.05 грн
500+42.60 грн
1000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3
Код товару: 53580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 34mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.29 грн
10+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.75 грн
10+109.57 грн
100+60.22 грн
500+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3onsemiMOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SHARRISHUF75321S3S
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3Sonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3FAIRCHILDHUF75329D3
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3onsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFAIRCHILDHUF75329D3S
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFAIRCHILDHUF75329D3S
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 128W; TO252AA
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 26mΩ
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 128W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.72 грн
10+71.06 грн
100+47.53 грн
500+35.13 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3STS2559INTERSILTO-252
на замовлення 19990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.