Продукція > HUF

HUF75229P3

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

421+	72.47 грн
500+	69.39 грн
1000+	65.54 грн

Мінімальне замовлення: 421

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

381+	60.18 грн

Мінімальне замовлення: 381

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

Description: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

457+	87.48 грн

Мінімальне замовлення: 457

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

MOSFET 44a 50V N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

Trans MOSFET N-CH Si 50V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75305D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307

03+ SOT-223;

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D35T

00+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D38

на замовлення 373 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

08+ TSSOP

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

MOSFET TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

99+

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 109404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	31.07 грн

Мінімальне замовлення: 740

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

Description: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1106+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 1106

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 2597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_SB78016

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_SN00079

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307DS3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307DS3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307P3

MOSFETs TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3S136

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

915+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 915

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 5176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 761

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST/5307

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST136

Description: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk

на замовлення 3263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	19.70 грн

Мінімальне замовлення: 1158

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST136

INTEL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 14180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	33.01 грн

Мінімальне замовлення: 1232

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 1687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 15980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3
Код товару: 189443

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 9584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309T3ST

SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1050+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 1050

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	33.20 грн
21+	29.92 грн
100+	26.43 грн
500+	22.96 грн
2500+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 3284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.57 грн
10+	42.76 грн
100+	33.46 грн
500+	28.18 грн
1000+	26.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	35.34 грн
20+	31.62 грн
25+	31.44 грн
100+	26.69 грн
250+	24.47 грн
500+	23.12 грн
1000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 2519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	46.11 грн
100+	29.65 грн
500+	26.48 грн
1000+	25.45 грн
2500+	24.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

HUF75321D3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

HUF75321P3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	94.31 грн
236+	51.84 грн
500+	51.33 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.86 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3
Код товару: 53580

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109.30 грн
10+	87.58 грн
100+	48.14 грн
500+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.23 грн
50+	83.76 грн
100+	66.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

MOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.31 грн
10+	67.43 грн
100+	48.33 грн
500+	40.98 грн
1000+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3ST

Description: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 1069

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

Description: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	58.35 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

371+	59.46 грн

Мінімальне замовлення: 371

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	84.18 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

258+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 258

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	62.46 грн
100+	43.91 грн
500+	35.53 грн
1000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

HUF75329D3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	59.39 грн
100+	45.47 грн
500+	39.21 грн
1000+	32.37 грн
2500+	30.46 грн
5000+	28.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3STS2559

TO-252

на замовлення 19990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329G3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	48.50 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: ONSEMI - HUF75329S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

FAIRCHIL

09+ DIP

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3ST

MOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P2

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.49 грн
10+	83.30 грн
100+	57.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3
Код товару: 144977

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	34.30 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Power dissipation: 145W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.60 грн
10+	109.59 грн
12+	81.23 грн
31+	76.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.93 грн
10+	90.53 грн
100+	67.90 грн
500+	66.87 грн
800+	66.80 грн
2400+	64.00 грн
5600+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Description: ONSEMI - HUF75332P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	78.40 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	172.32 грн
10+	136.56 грн
12+	97.48 грн
31+	91.96 грн
50+	88.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: ONSEMI - HUF75332S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 23990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

386+	57.88 грн

Мінімальне замовлення: 386

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

SOP-8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 139017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	60.04 грн

Мінімальне замовлення: 365

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

06+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	60.04 грн

Мінімальне замовлення: 365

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

MOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3
Код товару: 189444

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_NS2552

Description: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_Q

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

485+	46.20 грн

Мінімальне замовлення: 485

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

485+	46.20 грн

Мінімальне замовлення: 485

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	85.00 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 3009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	81.48 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	75.94 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

на замовлення 1531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.93 грн
10+	92.22 грн
100+	71.14 грн
500+	59.96 грн
1000+	57.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

HUF75339P3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.71 грн
50+	85.31 грн
100+	80.82 грн
500+	65.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.83 грн
10+	94.91 грн
100+	85.00 грн
500+	68.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.51 грн
10+	68.58 грн
100+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3

Description: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3ST

Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	73.20 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3S_TR4935

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3

MOSFET 75A 55V N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	79.89 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	79.89 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	120.49 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	112.43 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	169.18 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	124.62 грн

Мінімальне замовлення: 243

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	112.91 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 285W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 7nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 205 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	347.61 грн
5+	235.88 грн
14+	215.19 грн
30+	214.27 грн
300+	206.91 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	249.55 грн
120+	197.74 грн
270+	190.34 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 1252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.94 грн
10+	280.04 грн
30+	171.41 грн
120+	141.25 грн
270+	133.89 грн
2520+	128.01 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.67 грн
5+	189.28 грн
14+	179.32 грн
30+	178.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3
Код товару: 59800

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT

у наявності 20 шт:

16 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	135.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.36 грн
10+	181.56 грн
100+	155.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 34 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	170.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.91 грн
30+	183.33 грн
120+	151.15 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3
Код товару: 191834

Додати до обраних Обраний товар

Intersil

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

у наявності 39 шт:

39 шт - склад

1+	115.00 грн
10+	106.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	117.46 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

HUF75344P3 THT N channel transistors

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	249.57 грн
7+	178.40 грн
17+	168.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.06 грн
50+	143.12 грн
100+	129.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3
Код товару: 119353

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	115.00 грн
10+	106.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.64 грн
10+	230.97 грн
50+	122.86 грн
100+	112.56 грн
250+	111.82 грн
500+	107.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3_NL

Description: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	99.03 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

312+	90.17 грн

Мінімальне замовлення: 312

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3

Description: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 296

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

MOSFET 55V Single

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 41324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	54.56 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 41324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

501+	60.49 грн

Мінімальне замовлення: 501

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

HUF75345G3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.51 грн
30+	185.04 грн
120+	156.13 грн
510+	132.52 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	347.61 грн
10+	271.58 грн
30+	162.59 грн
120+	148.61 грн
270+	147.87 грн
510+	140.52 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	97.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3
Код товару: 122685

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	55.50 грн
10+	49.50 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	128.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 2656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.16 грн
10+	101.52 грн
100+	82.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.81 грн
10+	103.16 грн
100+	101.51 грн
500+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

HUF75345P3 THT N channel transistors

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	242.63 грн
8+	146.22 грн
21+	138.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.48 грн
50+	111.04 грн
100+	101.46 грн
500+	79.22 грн
1000+	77.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	97.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	141.65 грн

Мінімальне замовлення: 169

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_NS2552

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 1610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.25 грн
10+	354.49 грн
100+	232.48 грн
800+	229.53 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

1998

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	568.41 грн
10+	512.91 грн
25+	488.24 грн
100+	421.55 грн
250+	374.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 7210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	470.32 грн
10+	320.02 грн
100+	241.57 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

HUF75345S3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	612.13 грн
23+	552.36 грн
25+	525.80 грн
100+	453.98 грн
250+	403.06 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	238.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75531SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75531SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75531SK8T

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	115.77 грн
111+	109.96 грн
124+	95.60 грн
250+	87.63 грн
500+	83.29 грн
1000+	79.80 грн

Мінімальне замовлення: 106

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156.42 грн
10+	142.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

HUF75542P3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.50 грн
10+	102.76 грн
50+	102.11 грн
100+	88.77 грн
250+	81.37 грн
500+	77.34 грн
1000+	74.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V

на замовлення 3682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.64 грн
50+	137.53 грн
100+	126.08 грн
500+	100.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

MOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm

на замовлення 669 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

2+	235.17 грн
10+	197.13 грн
50+	165.53 грн
100+	139.78 грн
250+	135.37 грн
500+	125.07 грн
1000+	107.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3
Код товару: 174091

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

Description: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	176.61 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	110.23 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P

04+

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.82 грн
10+	187.82 грн
50+	149.34 грн
100+	114.03 грн
250+	105.94 грн
500+	93.43 грн
1000+	88.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.36 грн
50+	127.63 грн
100+	116.08 грн
500+	90.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 235nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	238.67 грн
8+	157.57 грн
20+	143.46 грн
250+	137.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.58 грн
10+	153.18 грн
25+	151.64 грн
50+	135.50 грн
100+	92.50 грн
250+	88.67 грн
500+	80.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.01 грн
10+	250.06 грн
100+	123.79 грн
500+	106.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	189.73 грн
74+	165.52 грн
75+	163.85 грн
81+	146.41 грн
109+	99.95 грн
250+	95.82 грн
500+	87.21 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	198.89 грн
8+	126.45 грн
20+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	99.10 грн

Мінімальне замовлення: 222

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_Q

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_R4932

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	82.22 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 72474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.21 грн
10+	188.90 грн
100+	138.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.95 грн
10+	208.12 грн
100+	133.16 грн
250+	127.27 грн
800+	118.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	120.25 грн
1600+	115.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	146.90 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF7554S3S

Description: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

217+	103.48 грн

Мінімальне замовлення: 217

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3

MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623P3

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	38.75 грн

Мінімальне замовлення: 579

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3ST

MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631P

на замовлення 569 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631P3

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 16024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	164.21 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.00 грн
10+	246.07 грн
100+	199.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

HUF75631S3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	172.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.51 грн
10+	239.43 грн
25+	203.05 грн
100+	179.51 грн
250+	175.09 грн
500+	166.26 грн
800+	141.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

SOP8 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

0913+ SOP8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T_NB82083

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	68.27 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

HUF75637P3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 5595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 6080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	122.03 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3_NR4895

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

HUF75639G3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.68 грн
30+	190.84 грн
120+	163.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.79 грн
10+	248.73 грн
25+	172.89 грн
100+	155.96 грн
250+	146.40 грн
450+	138.31 грн
900+	111.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	340.02 грн
10+	269.87 грн
100+	199.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P
Код товару: 61772

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	84.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	158.85 грн
10+	133.16 грн
100+	112.71 грн
250+	106.34 грн
500+	89.37 грн
800+	69.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Description: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

HUF75639P3 THT N channel transistors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	215.89 грн
9+	132.42 грн
23+	125.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.57 грн
86+	143.00 грн
101+	121.03 грн
250+	114.19 грн
500+	95.97 грн
800+	74.47 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.77 грн
50+	102.12 грн
100+	93.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 1675 шт:

термін постачання 154-163 дні (днів)

2+	224.87 грн
10+	161.59 грн
100+	100.05 грн
500+	82.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3
Код товару: 122687

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	39.00 грн
10+	34.70 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.01 грн
10+	141.54 грн
100+	98.08 грн
500+	74.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3..

Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_F102

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	134.21 грн
500+	128.11 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.78 грн
10+	170.59 грн
100+	119.50 грн
800+	87.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	134.21 грн
500+	128.11 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	134.21 грн
500+	128.11 грн
1000+	120.99 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

MOSFETs TO-262

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.99 грн
10+	139.60 грн
100+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	134.21 грн
500+	128.11 грн
1000+	120.99 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

на замовлення 5257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	107.17 грн

Мінімальне замовлення: 207

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

HUF75639S3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	134.21 грн
500+	128.11 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

HUF75639S3S

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	136.24 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

на замовлення 20586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	109.37 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

HUF75639S3S

на замовлення 17755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	136.24 грн
500+	131.16 грн
1000+	124.04 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	119.67 грн

Мінімальне замовлення: 243

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

HUF75639S3S

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	136.24 грн
500+	131.16 грн
1000+	124.04 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	98.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.01 грн
10+	168.36 грн
50+	143.60 грн
100+	110.35 грн
250+	99.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.78 грн
10+	154.19 грн
100+	107.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн
1000+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 4578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.36 грн
10+	171.74 грн
100+	105.20 грн
800+	89.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн
1000+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST
Код товару: 163634

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 96165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн
1000+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	88.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	91.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.35 грн
250+	99.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	93.96 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	117.94 грн
500+	112.86 грн
1000+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	75.57 грн
10+	71.59 грн
25+	71.35 грн
50+	68.11 грн
100+	57.13 грн
250+	54.30 грн
500+	53.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST-S2515

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3STNL

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	86.62 грн

Мінімальне замовлення: 256

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	94.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

HUF75639S3ST_Q

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

284+	107.78 грн
500+	103.71 грн
1000+	97.66 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	99.03 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 271

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 271

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	90.29 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

HUF7563P3

TO-220

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	205.42 грн
81+	151.71 грн
95+	128.46 грн
104+	113.22 грн
250+	98.79 грн
500+	86.69 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	231.74 грн
3+	197.68 грн
7+	164.61 грн
19+	155.41 грн
250+	149.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3
Код товару: 56156

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	113.30 грн
100+	103.55 грн
250+	97.58 грн
500+	86.02 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 26207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.53 грн
50+	136.21 грн
100+	123.36 грн
500+	94.66 грн
1000+	87.88 грн
2000+	86.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.24 грн
10+	140.50 грн
50+	118.97 грн
100+	104.86 грн
250+	91.49 грн
500+	80.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.04 грн
10+	171.74 грн
50+	140.52 грн
100+	111.82 грн
250+	108.15 грн
500+	101.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 19 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	108.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.63 грн
7+	137.17 грн
19+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	96.06 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3-SB82282

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3-SB82282

HUF75645P3_SB82282

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3_Q

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

TO-263 10+PBF

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 14970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.78 грн
10+	186.53 грн
100+	150.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.69 грн
10+	212.92 грн
100+	149.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 12652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.87 грн
10+	186.13 грн
25+	160.38 грн
100+	133.89 грн
250+	133.16 грн
500+	125.07 грн
800+	108.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.30 грн
1600+	114.86 грн
2400+	108.15 грн
5600+	97.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	224.93 грн
10+	190.86 грн
25+	146.23 грн
100+	128.91 грн
250+	103.04 грн
500+	97.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST-F101

N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75mA, Drain Source Voltage Vds:100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	309.45 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_Q

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	309.45 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	349.10 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S_NL

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.72 грн
10+	452.08 грн
25+	444.37 грн
50+	421.31 грн
100+	381.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.26 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	458.95 грн
28+	441.71 грн
50+	418.78 грн
100+	379.06 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	760.00 грн
30+	435.28 грн
120+	370.27 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

MOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET

на замовлення 776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	810.23 грн
10+	797.81 грн
30+	413.45 грн
120+	400.21 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75823D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

346+	69.24 грн

Мінімальне замовлення: 346

В кошику од. на суму грн.

HUF75823D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75823D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3

Description: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

465+	47.71 грн

Мінімальне замовлення: 465

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3

Description: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

681+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 681

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75831SK8T

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75831SK8T

Description: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75831SK8T

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

на замовлення 4636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	179.97 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.23 грн
10+	344.34 грн
100+	244.98 грн
500+	201.58 грн
1000+	189.81 грн
2500+	185.39 грн
5000+	183.18 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3

Description: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	180.74 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	119.04 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

на замовлення 3509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	90.39 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3ST

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

MOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 900 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

1+	950.13 грн
10+	681.06 грн
30+	591.49 грн
120+	567.21 грн
270+	559.85 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

HUF75852G3 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	658.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3
Код товару: 160801

Додати до обраних Обраний товар

Fair

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400

у наявності 4 шт:

4 шт - склад

1+	590.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	658.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	967.23 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3ST

Description: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

на замовлення 2631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3ST

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

HUF75925S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3

Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3_F102

Description: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	190.44 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3ST

Description: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	278.12 грн

Мінімальне замовлення: 144

В кошику од. на суму грн.

HUF75945G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	183.83 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

HUF75945P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

589+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 589

В кошику од. на суму грн.

HUF75945S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75945S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76

93+ SOP8P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76/107D

01+ SOP8P

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009P3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76009P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V

на замовлення 7513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 523

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3S

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

на замовлення 1212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1212+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 1212

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

на замовлення 150700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

987+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 987

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

MOSFETs 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

на замовлення 5326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF76013S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76013S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017T3ST

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8T

9948+

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D35ST

210

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	34.22 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

TO252

на замовлення 660 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3ST

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3ST

92 TO-252

на замовлення 286 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.28 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76112SK8

Intersil

99+

на замовлення 12774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76112SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113

93+ SOP8P

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113

03+ SOT-223;

на замовлення 196 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113D

00+ SOP

на замовлення 4838 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active

на замовлення 77500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF76113SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	47.75 грн

Мінімальне замовлення: 503

В кошику од. на суму грн.

HUF76113SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

Description: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	61.90 грн

Мінімальне замовлення: 654

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

Description: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	41.90 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	36.61 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

Description: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

781+	51.17 грн

Мінімальне замовлення: 781

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3ST

FAI

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 76888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	35.02 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUF76121P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 26402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76121P3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	37.40 грн

Мінімальне замовлення: 634

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

Description: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

517+	61.24 грн

Мінімальне замовлення: 517

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 430

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3ST

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3ST

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3ST

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76121SK8

HAR

1997 SOP

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76127S3S

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129

TO220/

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 24723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	52.12 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 42200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 437

В кошику од. на суму грн.

HUF76129P3

1999

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129P3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76129P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	65.26 грн

Мінімальне замовлення: 365

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	48.48 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3ST

на замовлення 396 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3ST

TO263/2.5

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3ST

FAIRCHLD

на замовлення 198 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131

01+ SOP8P

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V

на замовлення 10025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 567

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8T_NB82084

Description: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76132P3

Description: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S

2001

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P

на замовлення 24050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

MOSFET 75a 30V 0.009 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 13040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	66.86 грн

Мінімальне замовлення: 329

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

Description: ONSEMI - HUF76137P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 396

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	141.80 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3

00+

на замовлення 385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 12841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	75.69 грн

Мінімальне замовлення: 293

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3

00+

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3-NS2552

Trans MOSFET N-CH Si 30V 75A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3_NS2552

Description: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S

1998

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	90.54 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

Description: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	43.49 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3STK

Description: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	43.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3STK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P

INTELSIL

2001

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 108627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 430

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P3

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S

на замовлення 4600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	59.69 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3

09+

на замовлення 165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	56.50 грн

Мінімальне замовлення: 423

В кошику од. на суму грн.

HUF76145P3

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

на замовлення 64800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	163.94 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

290+	82.76 грн

Мінімальне замовлення: 290

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

Description: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	115.54 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D

04+05+ TO-251(IPAK)

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

на замовлення 22053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	29.87 грн

Мінімальне замовлення: 802

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

Description: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 1401

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 10853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.07 грн
10+	49.20 грн
100+	42.11 грн
500+	35.77 грн
1000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

HUF76407D3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.82 грн
5000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

MOSFETs 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 8448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.54 грн
10+	60.07 грн
100+	40.83 грн
500+	33.77 грн
1000+	31.93 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.99 грн
15+	58.84 грн
100+	46.05 грн
500+	35.33 грн
1000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.05 грн
500+	35.33 грн
1000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8T

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8T

SO-8

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8T

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8TR4810

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407P3

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407P3

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

663+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 663

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST-S2457

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST-SB82270

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_S2457

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SB82270

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SN00065

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SN00066

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

Description: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

728+	55.29 грн

Мінімальне замовлення: 728

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413P3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3STR4921

Description: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	40.41 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3STR4921

Description: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	61.90 грн

Мінімальне замовлення: 654

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419P3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419P3

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

на замовлення 42556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

451+	52.27 грн

Мінімальне замовлення: 451

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

MOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-Q

0546+

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-Q

05+;

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

Description: ONSEMI - HUF76423D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

822+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 822

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 8936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

MOSFETs 20a 60V N-Channel 0.037Ohm

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.16 грн
10+	76.99 грн
100+	56.06 грн
500+	49.44 грн
800+	41.71 грн
2400+	40.83 грн
5600+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 23A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	176.28 грн
10+	103.14 грн
16+	70.81 грн
44+	67.13 грн
250+	64.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.90 грн
10+	82.76 грн
16+	59.01 грн
44+	55.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	57.30 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

Description: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

508+	79.23 грн

Мінімальне замовлення: 508

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

347+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

MOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

HUF76429S3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

MOSFETs 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.49 грн
10+	109.14 грн
100+	76.51 грн
800+	56.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST_Q

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432P3

Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432P3

MOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3ST

Description: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	72.75 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3STR4908

Description: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

MOSFET TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

Description: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	141.12 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3ST

Description: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

641+	62.72 грн

Мінімальне замовлення: 641

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439P3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

MOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.28 грн
10+	186.97 грн
100+	130.95 грн
500+	95.64 грн
800+	91.22 грн
2400+	85.34 грн
4800+	81.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

HUF76439S3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

на замовлення 3171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.11 грн
10+	153.42 грн
100+	106.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.34 грн
1600+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	60.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76443P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76443P3

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	147.22 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	132.90 грн

Мінімальне замовлення: 180

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	131.31 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

HUF76445P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76445P3

07+ TO-220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	111.70 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3ST

Description: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	169.18 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

FAIRCHIL

0441

на замовлення 1148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

Description: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 916

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

на замовлення 10799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.21 грн
10+	46.11 грн
100+	31.41 грн
500+	25.38 грн
1000+	23.62 грн
10000+	22.95 грн
25000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	65.22 грн
100+	49.97 грн
500+	37.07 грн
1000+	29.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.80 грн
14+	44.25 грн
100+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3

MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1144+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 1144

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1031+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 1031

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

Description: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

479+	60.74 грн

Мінімальне замовлення: 479

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	67.53 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 12964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.08 грн
10+	123.99 грн
100+	96.61 грн
500+	81.07 грн
1000+	76.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.54 грн
10+	137.90 грн
100+	93.43 грн
500+	80.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 9325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.66 грн
10+	130.39 грн
100+	103.16 грн
500+	88.13 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	131.41 грн
10+	119.46 грн
25+	118.80 грн
100+	102.64 грн
250+	90.60 грн
500+	79.52 грн
1000+	76.67 грн
3000+	73.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	81.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

HUF76629D3ST SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

на замовлення 9325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.16 грн
500+	88.13 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	141.52 грн
95+	128.64 грн
96+	127.94 грн
107+	110.53 грн
250+	97.56 грн
500+	85.64 грн
1000+	82.56 грн
3000+	79.48 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

MOSFET UltraFET Power MOSFET

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3STNL

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3STR4885

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 21252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629DS3

Description: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3 F085
Код товару: 94093

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Description: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085