Продукція > HUF

HUF75229P3

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	99.68 грн
500+	89.72 грн
1000+	82.74 грн

Мінімальне замовлення: 325

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

MOSFETs 44a 50V N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

HUF75229P3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	99.68 грн
500+	89.72 грн

Мінімальне замовлення: 325

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

312+	66.36 грн

Мінімальне замовлення: 312

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3

Description: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

457+	86.42 грн

Мінімальне замовлення: 457

В кошику од. на суму грн.

HUF75229P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75305D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307

FAIR

03+ SOT-223;

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D35T

00+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D38

на замовлення 373 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3S

MOSFET TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 109404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	30.69 грн

Мінімальне замовлення: 740

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST

99+

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

Description: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1106+	28.29 грн

Мінімальне замовлення: 1106

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 2597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_SB78016

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3ST_SN00079

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307D3_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307DS3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307P3

MOSFETs TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3S136

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

915+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 915

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 5176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 761

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST/5307

FAIR

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST136

INTEL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75307T3ST136

Description: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk

на замовлення 3263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

790+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 790

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 15980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 1687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 14180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 1232

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3
Код товару: 189443

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 9584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	32.39 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75309T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1050+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 1050

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.10 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.56 грн
10+	37.45 грн
100+	26.49 грн
500+	25.30 грн
1000+	24.25 грн
2500+	22.99 грн
5000+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.84 грн
10+	60.64 грн
100+	40.29 грн
500+	29.62 грн
1000+	26.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	30.30 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.62 грн
21+	36.61 грн
100+	32.33 грн
500+	28.09 грн
2500+	25.76 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.23 грн
20+	38.69 грн
25+	38.46 грн
100+	32.66 грн
250+	29.93 грн
500+	28.28 грн
1000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3
Код товару: 53580

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.92 грн
50+	82.75 грн
100+	65.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.71 грн
10+	107.14 грн
100+	58.89 грн
500+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	33.77 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

MOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.03 грн
10+	64.05 грн
100+	45.91 грн
500+	38.92 грн
1000+	37.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	100.00 грн
236+	54.96 грн
500+	54.42 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	55.60 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

575+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 575

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

HUF75321S3S

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

665+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 665

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

575+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 575

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3ST

Description: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 1069

В кошику од. на суму грн.

HUF75321S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

HUF75329D3

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	84.02 грн
500+	75.62 грн
1000+	69.73 грн

Мінімальне замовлення: 385

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

Description: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	57.64 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

371+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 371

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

HUF75329D3S

на замовлення 3075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	120.74 грн
500+	108.88 грн
1000+	100.45 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

258+	80.18 грн

Мінімальне замовлення: 258

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

HUF75329D3S

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	120.74 грн
500+	108.88 грн
1000+	100.45 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.77 грн
10+	60.03 грн
100+	42.23 грн
500+	34.49 грн
1000+	31.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 3557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.91 грн
10+	67.99 грн
100+	42.14 грн
500+	36.69 грн
1000+	32.91 грн
2500+	30.68 грн
5000+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329D3STS2559

TO-252

на замовлення 19990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329G3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

384+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 384

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3

Description: ONSEMI - HUF75329S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75329S3ST

MOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P2

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.86 грн
10+	82.29 грн
100+	56.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 145W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	130.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

Description: ONSEMI - HUF75332P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3
Код товару: 144977

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3

MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.01 грн
10+	85.99 грн
100+	64.50 грн
500+	63.52 грн
800+	63.45 грн
2400+	60.80 грн
5600+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75332P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

466+	42.76 грн

Мінімальне замовлення: 466

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

HUF75332S3S

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

466+	55.54 грн
518+	49.98 грн

Мінімальне замовлення: 466

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3S

HUF75332S3S

на замовлення 2151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

466+	55.54 грн
518+	49.98 грн
1000+	46.10 грн

Мінімальне замовлення: 466

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: ONSEMI - HUF75332S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

HUF75332S3ST

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	98.27 грн
500+	88.44 грн
1000+	81.57 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

SOP-8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

HUF75332S3ST

на замовлення 23990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	98.27 грн
500+	88.44 грн
1000+	81.57 грн
10000+	70.13 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 23990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 263

В кошику од. на суму грн.

HUF75332S3ST_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 139017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3
Код товару: 189444

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

MOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3

06+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_NS2552

Description: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333P3_Q

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

330+	61.79 грн

Мінімальне замовлення: 330

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

330+	61.79 грн

Мінімальне замовлення: 330

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75337P3

TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 3009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	80.50 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3

Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	83.98 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

HUF75339G3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.11 грн
10+	78.11 грн
100+	65.48 грн
500+	60.73 грн
1000+	55.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.08 грн
10+	83.16 грн
100+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.75 грн
50+	87.92 грн
100+	79.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.26 грн
10+	83.90 грн
100+	74.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	123.20 грн
5+	90.85 грн
10+	80.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

TO220, 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	80.51 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

HUF75339P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3

Description: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	69.00 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3ST

Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	72.32 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

HUF75339S3S_TR4935

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343G3

HUF75343G3

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	109.96 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

HUF75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3

MOSFET 75A 55V N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

HUF75343S3

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.91 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	91.24 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	119.03 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

HUF75343S3

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.91 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	91.24 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	167.14 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	99.53 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

HUF75343S3_NL

HUF75343S3_NL

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	148.76 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	123.11 грн

Мінімальне замовлення: 243

В кошику од. на суму грн.

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	112.68 грн

Мінімальне замовлення: 178

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.64 грн
30+	197.48 грн
120+	186.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.35 грн
10+	159.93 грн
120+	136.97 грн
510+	120.90 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Description: ONSEMI - HUF75344G3 - MOSFET, N-KANAL, 55V, 75A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	372.59 грн
10+	192.41 грн
100+	179.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	228.81 грн
120+	188.85 грн
270+	186.30 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	181.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	184.93 грн
120+	174.72 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3
Код товару: 59800

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT

у наявності 10 шт:

10 шт - склад

1+	135.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.55 грн
30+	173.01 грн
120+	142.79 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	117.35 грн

Мінімальне замовлення: 170

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C; HUF75344P3 THUF75344p
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	147.20 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 199 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	250.02 грн
10+	148.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3
Код товару: 119353

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	115.00 грн
10+	106.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.37 грн
50+	129.21 грн
100+	117.14 грн
500+	90.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.02 грн
10+	140.64 грн
100+	109.72 грн
500+	107.62 грн
1000+	98.53 грн
5000+	97.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3
Код товару: 191834

Додати до обраних Обраний товар

Intersil

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

у наявності 30 шт:

10 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	115.00 грн
10+	106.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3_NL

HUF75344P3_NL

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	149.84 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	116.02 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

HUF75344P3_NL

Description: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	97.84 грн

Мінімальне замовлення: 306

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3

Description: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	99.35 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 41324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

501+	59.76 грн

Мінімальне замовлення: 501

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 41485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

284+	70.68 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

HUF75344S3ST

MOSFET 55V Single

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.62 грн
30+	182.80 грн
120+	154.24 грн
510+	130.91 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345G3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	330.19 грн
10+	257.97 грн
30+	154.44 грн
120+	141.16 грн
270+	140.46 грн
510+	133.48 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.22 грн
10+	96.20 грн
100+	95.39 грн
500+	87.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	109.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 2656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.14 грн
10+	96.44 грн
100+	78.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3
Код товару: 122685

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	55.50 грн
10+	49.50 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	109.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 4648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.36 грн
50+	117.31 грн
100+	106.13 грн
500+	81.20 грн
1000+	75.28 грн
2000+	70.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	148.71 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_NS2552

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	695.37 грн
10+	627.47 грн
25+	597.29 грн
100+	515.71 грн
250+	457.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 7210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.63 грн
10+	316.15 грн
100+	238.65 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 1610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.84 грн
10+	336.73 грн
100+	220.83 грн
800+	218.03 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

1998

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	649.01 грн
23+	585.64 грн
25+	557.47 грн
100+	481.33 грн
250+	427.34 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	236.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 1171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.65 грн
10+	357.62 грн
100+	238.30 грн
500+	233.41 грн
800+	222.23 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75345S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75531SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75531SK8T

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

MOSFETs 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm

на замовлення 357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.16 грн
10+	145.46 грн
100+	111.81 грн
500+	103.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3
Код товару: 174091

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	150.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	122.75 грн
111+	116.59 грн
124+	101.36 грн
250+	92.91 грн
500+	88.30 грн
1000+	84.61 грн

Мінімальне замовлення: 106

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.36 грн
10+	174.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.51 грн
10+	125.71 грн
50+	124.92 грн
100+	108.60 грн
250+	99.54 грн
500+	94.61 грн
1000+	90.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V

на замовлення 2859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.46 грн
50+	144.55 грн
100+	131.26 грн
500+	101.30 грн
1000+	94.28 грн
2000+	92.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	108.90 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

Description: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	174.47 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

HUF75542S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P

04+

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	140.14 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.80 грн
10+	167.62 грн
100+	126.18 грн
500+	113.81 грн
1600+	104.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	140.14 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.06 грн
10+	148.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

на замовлення 30200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	140.14 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	140.14 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.52 грн
10+	130.99 грн
100+	102.73 грн
500+	99.23 грн
1000+	85.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	200.08 грн
91+	142.30 грн
100+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	270.05 грн
83+	157.28 грн
110+	118.40 грн
500+	106.79 грн
1600+	98.41 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	164.87 грн
10+	127.02 грн
20+	126.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	108.91 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_Q

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545P3_R4932

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

HUF75545S3

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	116.42 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	90.21 грн

Мінімальне замовлення: 222

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3

HUF75545S3

на замовлення 1729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	116.42 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.36 грн
10+	158.83 грн
100+	110.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	211.29 грн
74+	175.93 грн
100+	155.23 грн
200+	143.04 грн
500+	131.67 грн
800+	124.19 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 27200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.84 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 75A; 270W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Power dissipation: 270W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	145.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 7556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.26 грн
10+	166.35 грн
100+	104.12 грн
500+	84.56 грн
2400+	78.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75545S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF7554S3S

Description: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

217+	102.23 грн

Мінімальне замовлення: 217

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3

MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623P3

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	38.28 грн

Мінімальне замовлення: 579

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75623S3ST

MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631P

на замовлення 569 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631P3

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 16024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3S

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	55.21 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	162.22 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	210.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.32 грн
10+	243.09 грн
100+	196.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.71 грн
10+	227.43 грн
25+	192.88 грн
100+	170.51 грн
250+	166.32 грн
500+	157.93 грн
800+	134.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	165.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

SOP8 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75631SK8T_NB82083

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	67.44 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

HUF75637P3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 5595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 6080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	120.55 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75637S3_NR4895

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 30895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.89 грн
30+	160.93 грн
120+	132.38 грн
510+	104.58 грн
1020+	97.41 грн
2010+	95.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.12 грн
10+	176.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	136.03 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	173.29 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.69 грн
10+	145.46 грн
120+	109.72 грн
510+	102.03 грн
1020+	97.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

ONN

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	169.25 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	162.69 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

HUF75639G3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.07 грн
10+	170.37 грн
120+	110.41 грн
510+	104.12 грн
1020+	97.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P
Код товару: 61772

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	184.80 грн
10+	155.62 грн
50+	110.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	151.47 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3
Код товару: 122687

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	39.00 грн
10+	34.70 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.07 грн
10+	172.15 грн
100+	164.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.27 грн
50+	107.73 грн
100+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Description: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3..

Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_F102

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639P3_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.22 грн
10+	157.24 грн
100+	110.14 грн
800+	80.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

HUF75639S3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн
1000+	121.81 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн
1000+	121.81 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	101.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

на замовлення 5257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	112.31 грн

Мінімальне замовлення: 180

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

MOSFETs TO-262

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.67 грн
10+	132.60 грн
100+	87.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	137.98 грн
500+	131.52 грн
1000+	123.97 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	118.22 грн

Мінімальне замовлення: 243

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 20230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	114.34 грн

Мінімальне замовлення: 178

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	137.98 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

на замовлення 17755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	137.98 грн
500+	131.52 грн
1000+	123.97 грн
10000+	112.27 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн
1000+	134.75 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.34 грн
10+	238.87 грн
100+	166.68 грн
500+	159.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 1893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.54 грн
10+	155.91 грн
100+	94.34 грн
500+	93.64 грн
800+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн
1000+	134.75 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.94 грн
10+	124.54 грн
100+	109.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн
1000+	134.75 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.85 грн
10+	173.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 96165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн
1000+	134.75 грн
10000+	115.38 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	161.70 грн
500+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	127.20 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST
Код товару: 163634

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3STNL

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	116.11 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

HUF75639S3ST_Q

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	147.69 грн
500+	132.59 грн
1000+	122.89 грн
10000+	104.99 грн

Мінімальне замовлення: 219

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	92.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3S_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	155.23 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	97.84 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	121.79 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	155.23 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

HUF7563P3

TO-220

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	138.60 грн
100+	126.68 грн
250+	119.38 грн
500+	105.23 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	122.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.74 грн
10+	171.88 грн
50+	145.54 грн
100+	128.28 грн
250+	111.93 грн
500+	98.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 26207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.16 грн
50+	134.56 грн
100+	121.87 грн
500+	93.51 грн
1000+	86.81 грн
2000+	85.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3
Код товару: 56156

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.47 грн
10+	119.74 грн
100+	96.44 грн
500+	85.26 грн
1000+	78.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	101.85 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	217.80 грн
81+	160.85 грн
95+	136.20 грн
104+	120.04 грн
250+	104.74 грн
500+	91.91 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3-SB82282

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645P3_Q

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 14970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.99 грн
10+	184.27 грн
100+	149.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 12652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.90 грн
10+	176.80 грн
25+	152.34 грн
100+	127.19 грн
250+	126.49 грн
500+	118.80 грн
800+	103.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.17 грн
10+	233.49 грн
25+	178.89 грн
100+	157.71 грн
250+	126.06 грн
500+	119.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	137.62 грн
1600+	113.47 грн
2400+	106.84 грн
5600+	96.20 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.80 грн
10+	189.96 грн
100+	133.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	146.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	305.70 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_Q

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	305.70 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	344.87 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

HUF75645S3S_NL

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	486.60 грн
28+	468.32 грн
50+	444.01 грн
100+	401.89 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

MOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	727.24 грн
10+	404.23 грн
120+	336.83 грн
2520+	323.56 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.85 грн
10+	553.05 грн
25+	543.63 грн
50+	515.41 грн
100+	466.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

MOSFET N-CH Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	750.80 грн
30+	430.01 грн
120+	365.79 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75652G3

MOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	747.62 грн
10+	411.47 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75823D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75823D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

346+	68.40 грн

Мінімальне замовлення: 346

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3

Description: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

465+	47.14 грн

Мінімальне замовлення: 465

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3

Description: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

681+	57.89 грн

Мінімальне замовлення: 681

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3S

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75829D3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75831SK8T

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75831SK8T

Description: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.88 грн
10+	327.08 грн
100+	232.71 грн
500+	191.48 грн
1000+	180.30 грн
2500+	176.10 грн
5000+	174.01 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

на замовлення 4636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	177.80 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

HUF75842P3

Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	117.60 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3

Description: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	178.55 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3S

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75842S3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

на замовлення 3509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	89.29 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3
Код товару: 160801

Додати до обраних Обраний товар

Fair

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400

у наявності 4 шт:

4 шт - склад

1+	590.00 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	650.17 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	955.52 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

MOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	916.39 грн
10+	676.67 грн
120+	483.59 грн
510+	482.19 грн
1020+	481.49 грн

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	650.17 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3ST

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925D3ST

Description: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

на замовлення 2631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75925P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	82.84 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

HUF75925S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3

Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939P3_F102

Description: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3ST

Description: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	274.75 грн

Мінімальне замовлення: 144

В кошику од. на суму грн.

HUF75939S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	188.13 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

HUF75945G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	193.52 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

HUF75945P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

589+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 589

В кошику од. на суму грн.

HUF75945S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76

93+ SOP8P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76/107D

01+ SOP8P

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76009P3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76009P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V

на замовлення 7513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 523

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3S

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

на замовлення 1212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1212+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 1212

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

на замовлення 150700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

987+	22.58 грн

Мінімальне замовлення: 987

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

на замовлення 5326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

HUF76013P3

MOSFETs 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76013S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76017T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105DK8T

9948+

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76105SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D35ST

210

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	33.81 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

HUF76107D3ST

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76107P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	30.90 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76112SK8

Intersil

99+

на замовлення 12774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113

93+ SOP8P

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113D

00+ SOP

на замовлення 4838 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113DK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active

на замовлення 77500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	40.10 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF76113SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	47.17 грн

Мінімальне замовлення: 503

В кошику од. на суму грн.

HUF76113SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

Description: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

371+	54.12 грн

Мінімальне замовлення: 371

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76113T3ST

Description: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	61.15 грн

Мінімальне замовлення: 654

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

Description: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

781+	50.55 грн

Мінімальне замовлення: 781

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 76888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUF76121D3ST

FAI

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 26402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.18 грн

Мінімальне замовлення: 701

В кошику од. на суму грн.

HUF76121P3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 634

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 430

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3S

Description: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

517+	60.49 грн

Мінімальне замовлення: 517

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3ST

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	39.31 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76121S3ST

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76121SK8

HAR

1997 SOP

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76127S3S

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129

TO220/

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 24723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

HUF76129D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 42200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	50.04 грн

Мінімальне замовлення: 437

В кошику од. на суму грн.

HUF76129P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	64.47 грн

Мінімальне замовлення: 365

В кошику од. на суму грн.

HUF76129P3

1999

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	47.89 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76129S3ST

FAIR

TO263/2.5

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131

01+ SOP8P

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V

на замовлення 10025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	41.67 грн

Мінімальне замовлення: 567

В кошику од. на суму грн.

HUF76131SK8T_NB82084

Description: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76132P3

Description: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	72.92 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S

2001

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	77.05 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	77.05 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

HUF76132SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P

на замовлення 24050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

MOSFET 75a 30V 0.009 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

Description: ONSEMI - HUF76137P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	68.48 грн

Мінімальне замовлення: 396

В кошику од. на суму грн.

HUF76137P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 13040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	66.05 грн

Мінімальне замовлення: 329

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	140.08 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

HUF76137S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 12841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	74.77 грн

Мінімальне замовлення: 293

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3

00+

на замовлення 385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139P3_NS2552

Description: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S

1998

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	89.44 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3

HUF76139S3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	154.15 грн
500+	137.98 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

Description: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

HUF76139S3ST

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	56.40 грн
1000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3STK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3STK

Description: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF76139S3STK

HUF76139S3STK

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

574+	56.40 грн
1000+	52.01 грн
10000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P

INTELSIL

2001

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 108627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 430

В кошику од. на суму грн.

HUF76143P3

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S

на замовлення 4600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3

09+

на замовлення 165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	58.96 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76143S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	55.82 грн

Мінімальне замовлення: 423

В кошику од. на суму грн.

HUF76145P3

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	161.95 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

на замовлення 64800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3S

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

290+	81.76 грн

Мінімальне замовлення: 290

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

Description: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	114.14 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

HUF76145S3ST

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D

04+05+ TO-251(IPAK)

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

на замовлення 22053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 802

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

Description: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 1401

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 5113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.42 грн
10+	68.97 грн
100+	46.15 грн
500+	34.11 грн
1000+	31.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

MOSFETs 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 4319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.74 грн
10+	78.11 грн
100+	45.42 грн
500+	35.78 грн
1000+	32.70 грн
2500+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.49 грн
500+	37.25 грн
1000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.93 грн
5000+	27.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 92mΩ
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407D3ST

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.57 грн
16+	53.08 грн
100+	45.49 грн
500+	37.25 грн
1000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8T

SO-8

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8T

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407DK8TR4810

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76407P3

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 592

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

663+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 663

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST-S2457

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST-SB82270

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_S2457

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SB82270

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SN00065

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76409D3ST_SN00066

onsemi

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

Description: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

728+	54.62 грн

Мінімальне замовлення: 728

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.30 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76413D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76413P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3

MOSFETs 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1244+	26.00 грн

Мінімальне замовлення: 1244

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	18.74 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST

MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3STR4921

HUF76419D3STR4921

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

464+	69.78 грн
515+	62.81 грн
1000+	57.92 грн

Мінімальне замовлення: 464

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3STR4921

Description: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	61.15 грн

Мінімальне замовлення: 654

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3STR4921

Description: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	39.92 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

HUF76419D3ST_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419P3

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

на замовлення 42556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

451+	51.64 грн

Мінімальне замовлення: 451

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

MOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST-Q

05+;

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76419S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

Description: ONSEMI - HUF76423D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

822+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 822

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 8936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

MOSFETs 20a 60V N-Channel 0.037Ohm

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.57 грн
10+	51.59 грн
100+	42.07 грн
500+	39.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76423S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	56.60 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

347+	63.09 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3

Description: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

508+	78.27 грн

Мінімальне замовлення: 508

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3S

MOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429D3ST_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

MOSFETs 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.89 грн
10+	118.14 грн
100+	70.58 грн
500+	66.11 грн
800+	53.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76429S3ST_Q

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432P3

MOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432P3

Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	71.87 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3ST

Description: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76432S3STR4908

Description: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

Description: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	139.42 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	93.76 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF76437P3

MOSFET TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3ST

Description: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

641+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 641

В кошику од. на суму грн.

HUF76437S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

на замовлення 3171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.14 грн
10+	151.56 грн
100+	105.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

MOSFETs 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.54 грн
10+	149.48 грн
100+	90.15 грн
500+	71.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	84.30 грн
1600+	75.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF76443P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76443P3

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	145.44 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	131.29 грн

Мінімальне замовлення: 180

В кошику од. на суму грн.

HUF76443S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	129.72 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

HUF76445P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76445P3

07+ TO-220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3ST

Description: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	167.14 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

HUF76445S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	110.35 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

на замовлення 10799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3S

Description: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 916

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

DPAK-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.25 грн
14+	54.13 грн
100+	42.37 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.26 грн
10+	64.43 грн
100+	49.37 грн
500+	36.63 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3ST

MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.55 грн
10+	43.80 грн
100+	29.84 грн
500+	24.11 грн
1000+	22.43 грн
10000+	21.80 грн
25000+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

HUF76609D3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3

MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1144+	34.24 грн

Мінімальне замовлення: 1144

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1031+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 1031

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

Description: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

479+	60.01 грн

Мінімальне замовлення: 479

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	66.72 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.77 грн
10+	146.14 грн
25+	145.34 грн
100+	125.56 грн
250+	110.83 грн
500+	97.28 грн
1000+	93.79 грн
3000+	90.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 17964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.46 грн
10+	118.18 грн
100+	92.33 грн
500+	77.54 грн
1000+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 8815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.88 грн
500+	82.52 грн
1000+	74.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.96 грн
10+	155.91 грн
100+	95.04 грн
500+	82.46 грн
1000+	81.06 грн
2500+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	76.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	150.05 грн
95+	136.39 грн
96+	135.65 грн
107+	117.19 грн
250+	103.44 грн
500+	90.80 грн
1000+	87.54 грн
3000+	84.27 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 8815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.96 грн
10+	158.17 грн
100+	110.88 грн
500+	82.52 грн
1000+	74.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST-F085

MOSFET UltraFET Power MOSFET

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3STNL

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3STR4885

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 21252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76629D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76629DS3

Description: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3

MOSFETs 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3 F085
Код товару: 94093

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	127.20 грн
500+	114.27 грн
1000+	105.18 грн

Мінімальне замовлення: 255

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	83.07 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-F085

Description: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3-R4883

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3_NL

MOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3_R4883

ON Semiconductor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633P3_SN00075

ON Semiconductor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3S

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST

Description: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

на замовлення 12648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.30 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST-F085

MOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76633S3ST-SB82274

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3

MOSFETs 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3

FAIRCHIL

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3
Код товару: 46829

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3_NL

MOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639P3_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST

MOSFETs 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.29 грн
10+	120.55 грн
100+	78.97 грн
500+	63.10 грн
800+	62.47 грн
2400+	58.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.19 грн
10+	128.25 грн
100+	88.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST
Код товару: 176379

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST-F085

MOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST-F085

Description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3STR4882

infleon

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST_SN00076

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76639S3ST_SN00077

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

на замовлення 1230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76645S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF76645S3S???

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUF76645S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	171.39 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

HUFA7510P3

MOSFET TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75249D3ST

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3

MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3S

Description: ONSEMI - HUFA75307D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 1686

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 1402

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3S

MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3ST

Description: ONSEMI - HUFA75307D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1526+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 1526

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 4459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307P3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307P3

на замовлення 10804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 1402

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307P3

MOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307P3_Q

MOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307T3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75307T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309D3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1374+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 1374

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309D3S

MOSFET PWR MOS 55V/3.0A/0.070 OHMS N-CH SOT-223 TAPE AND REEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 13174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1312+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 1312

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V

на замовлення 34459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

875+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 875

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309T3ST

Description: ONSEMI - HUFA75309T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 34459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

972+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 972

В кошику од. на суму грн.

HUFA75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

на замовлення 6970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3ST

Description: N-CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36

на замовлення 79571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

780+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 780

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3ST

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3STQ

Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36

на замовлення 1739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1202+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 1202

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321D3STQ

Description: ONSEMI - HUFA75321D3STQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1335+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 1335

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75321S3ST

2001

на замовлення 33750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

342+	63.82 грн

Мінімальне замовлення: 342

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	7130.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329P3

MOSFET 55V 49a 0.024 Ohms Logic Level N-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329S3ST

Description: ONSEMI - HUFA75329S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

821+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 821

В кошику од. на суму грн.

HUFA75329S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 5196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	32.39 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332G3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3S

MOSFET 55V 60a 0.019 Ohm N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3ST

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 44255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

433+	46.10 грн

Мінімальне замовлення: 433

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3ST

MOSFET 55V 60a 0.019 Ohm N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75332S3ST_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75333G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	97.78 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

HUFA75333P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75333P3

MOSFET 66a 55V 0.016Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75333S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

HUFA75337S3ST

Description: ONSEMI - HUFA75337S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

472+	66.36 грн

Мінімальне замовлення: 472

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	125.62 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75339S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	80.38 грн

Мінімальне замовлення: 273

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

386+	57.00 грн

Мінімальне замовлення: 386

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343S3S

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344G3

MOSFET 75a 55V 0.008Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 96233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	166.58 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 254

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344P3

MOSFET 75a 55V 0.008Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344P3_F085

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 9217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	111.21 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	100.42 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 27832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	101.10 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345P3

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	173.83 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75429D3ST

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75433S3ST

Description: 64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 254

В кошику од. на суму грн.

HUFA75433S3ST

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75531SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75542S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	92.87 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

HUFA75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75545S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75545S3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75617D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75623S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75623S3ST

Description: ONSEMI - HUFA75623S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 32730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	38.40 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

HUFA75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

на замовлення 32730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

404+	50.25 грн

Мінімальне замовлення: 404

В кошику од. на суму грн.

HUFA75631S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75631SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637P3

Description: ONSEMI - HUFA75637P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

552+	71.75 грн

Мінімальне замовлення: 552

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637P3

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	65.19 грн

Мінімальне замовлення: 313

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637S3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75637S3ST

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639G3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639P3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3ST

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

179+	113.67 грн

Мінімальне замовлення: 179

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3ST

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 1539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3ST

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CHAN UltraFET Pwr 56A 100V 0.025Ohm

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75639S3ST-F085A

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	110.96 грн

Мінімальне замовлення: 183

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 1228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	196.23 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645S3S

на замовлення 2096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	356.14 грн
10+	244.83 грн
100+	176.22 грн

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645S3S

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.28 грн
10+	229.04 грн
100+	173.31 грн
800+	148.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUFA75645S3S

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	167.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUFA75652G3