Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF40244BTPHILIPS09+
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF65343G3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3onsemi / FairchildMOSFETs 44a 50V N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
500+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
500+98.09 грн
1000+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75229P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75305D3ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307FAIR03+ SOT-223;
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ONS/FAIMOSFET N-CH 55V 15A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D35T00+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D38HARRIS
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3STHARRIS99+
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 109404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_SB78016onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3ST_SN00079onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307D3_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307DS3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307P3onsemi / FairchildMOSFETs TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3S136INTERSIL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 915 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STONS/FAITrans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3ST/5307FAIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3ST136Harris CorporationDescription: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75307T3ST136INTEL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1232+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 1232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3STFAIRCHILD
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3
Код товару: 189443
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
на замовлення 9334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.73 грн
10+68.35 грн
100+39.57 грн
500+31.00 грн
1000+28.22 грн
2500+23.55 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 93W; TO252AA
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 36mΩ
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.45 грн
21+37.36 грн
100+32.99 грн
500+28.67 грн
2500+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.12 грн
20+39.48 грн
25+39.24 грн
100+33.32 грн
250+30.54 грн
500+28.86 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.45 грн
10+37.34 грн
100+26.41 грн
500+25.22 грн
1000+24.18 грн
2500+22.92 грн
5000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.16 грн
100+42.63 грн
500+31.34 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.45 грн
10+109.33 грн
100+60.09 грн
500+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3onsemiMOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.50 грн
10+69.63 грн
100+53.93 грн
500+41.73 грн
1000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
50+65.02 грн
100+58.23 грн
500+43.48 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.33 грн
236+60.09 грн
500+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3
Код товару: 53580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3onsemi / FairchildMOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.68 грн
10+63.86 грн
100+45.77 грн
500+38.81 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 34mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SHARRISHUF75321S3S
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3Sonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3onsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3FAIRCHILDHUF75329D3
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.87 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75329D3SFAIRCHILDHUF75329D3S
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]