Продукція > NSV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Packaging: Box
Voltage: 12
Type: Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 86998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+55.03 грн
100+36.29 грн
500+26.49 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.19 грн
6000+20.67 грн
9000+19.82 грн
15000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.73 грн
11+28.89 грн
100+17.14 грн
500+13.45 грн
1000+11.20 грн
4000+10.31 грн
8000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+34.10 грн
100+21.98 грн
500+15.73 грн
1000+14.16 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.22 грн
12+28.50 грн
100+16.86 грн
500+13.25 грн
1000+11.81 грн
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+33.58 грн
100+21.65 грн
500+15.49 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.04 грн
11+31.33 грн
100+20.07 грн
500+15.98 грн
1000+12.84 грн
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.99 грн
2000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.16 грн
10+38.71 грн
100+23.35 грн
500+18.02 грн
1000+15.16 грн
2000+12.56 грн
10000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
10+37.13 грн
100+25.78 грн
500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.78 грн
10+34.55 грн
100+21.17 грн
500+16.52 грн
1000+13.38 грн
3000+11.20 грн
9000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.39 грн
6000+12.24 грн
9000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.94 грн
10+32.69 грн
100+22.72 грн
500+16.65 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.46 грн
19+42.85 грн
50+35.61 грн
200+26.33 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.10 грн
100+23.46 грн
500+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.88 грн
2000+14.77 грн
3000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.61 грн
200+26.33 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.35 грн
2000+20.15 грн
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
на замовлення 14348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+38.16 грн
100+21.58 грн
500+16.59 грн
1000+14.54 грн
2000+12.84 грн
5000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.09 грн
2000+21.70 грн
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON-SemiconductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A, NPN Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.59 грн
10+62.26 грн
100+37.55 грн
500+35.03 грн
1000+27.65 грн
3000+26.90 грн
6000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+48.08 грн
100+31.66 грн
500+23.08 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.55 грн
10+50.09 грн
100+30.18 грн
500+25.19 грн
1000+21.44 грн
2500+19.05 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.62 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.13 грн
10+54.02 грн
100+35.98 грн
500+28.47 грн
1000+22.80 грн
2500+20.62 грн
5000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.06 грн
43+17.36 грн
44+17.19 грн
100+10.50 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.36 грн
59+13.70 грн
100+8.60 грн
500+5.79 грн
1000+4.64 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD523; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+10.35 грн
100+7.47 грн
156+4.75 грн
500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWDI 100V TR
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
20+15.94 грн
100+8.40 грн
500+5.67 грн
1000+4.98 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5918+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 5918
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 202963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+13.17 грн
100+8.26 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3555+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3555
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.79 грн
1000+4.64 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 158765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35715+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 35715
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
6000+4.10 грн
9000+3.87 грн
15000+3.40 грн
21000+3.25 грн
30000+3.12 грн
75000+2.77 грн
150000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+13.24 грн
100+8.30 грн
500+5.77 грн
1000+4.78 грн
2000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOD523 SWDI 100V TR
на замовлення 8512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.26 грн
23+14.21 грн
100+7.78 грн
500+5.74 грн
1000+4.57 грн
2500+4.44 грн
5000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 1A 89SC3
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
11+28.70 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
1000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.17 грн
15+21.83 грн
100+15.16 грн
500+13.25 грн
1000+11.81 грн
3000+9.97 грн
9000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+10.73 грн
9000+9.96 грн
30000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
11+28.70 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
1000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
11+30.70 грн
100+18.57 грн
500+14.47 грн
1000+11.81 грн
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
21+15.00 грн
100+8.19 грн
500+6.08 грн
1000+4.85 грн
2500+4.78 грн
5000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV204NL-CC-B100K-9.5G; моно; с LED-подсветкой; линейная характеристика; 0,1Вт; 40,7x6мм; TOMY ()
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
18+18.29 грн
100+6.49 грн
1000+3.96 грн
2500+3.76 грн
8000+2.80 грн
24000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 50851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
27+11.09 грн
100+6.93 грн
500+4.79 грн
1000+4.24 грн
2000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GON Semiconductor
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.36 грн
16000+2.94 грн
24000+2.79 грн
40000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 27985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.74 грн
25+12.20 грн
100+7.64 грн
500+5.30 грн
1000+4.70 грн
2000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.33 грн
29+11.07 грн
100+4.98 грн
1000+4.10 грн
2500+4.03 грн
8000+3.00 грн
24000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.26W; SOT723
Mounting: SMD
Case: SOT723
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.26W
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.78 грн
12+27.01 грн
100+17.55 грн
500+13.72 грн
1000+10.99 грн
3000+9.29 грн
9000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV30100LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
500+10.95 грн
1500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.07 грн
24000+8.90 грн
30000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.52 грн
50+28.60 грн
100+18.32 грн
500+12.87 грн
1500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
12+24.85 грн
100+14.90 грн
500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.35 грн
13+24.97 грн
100+11.06 грн
1000+10.10 грн
3000+8.12 грн
9000+7.10 грн
24000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.04 грн
6000+21.02 грн
9000+19.46 грн
30000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 2.0 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+50.59 грн
100+35.03 грн
500+27.47 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.55 грн
100+16.99 грн
500+12.05 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3178+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3178
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.17 грн
50+23.02 грн
100+15.61 грн
500+11.32 грн
1500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.61 грн
500+11.32 грн
1500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.38 грн
12+26.30 грн
100+14.95 грн
500+11.40 грн
1000+10.24 грн
3000+8.47 грн
9000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300CTWGonsemiDescription: PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+47.63 грн
100+37.03 грн
500+29.45 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) PNP Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.64 грн
10+40.91 грн
100+28.13 грн
500+22.05 грн
1000+14.75 грн
2000+12.56 грн
10000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.98 грн
2000+15.79 грн
5000+14.77 грн
10000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301CTWGonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+66.50 грн
100+38.58 грн
500+30.31 грн
1000+27.65 грн
3000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40301MDR2G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.28 грн
11+28.66 грн
25+24.85 грн
100+22.94 грн
250+14.47 грн
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.21 грн
10+43.89 грн
100+24.99 грн
500+19.25 грн
1000+17.41 грн
2000+15.91 грн
4000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
10+36.91 грн
100+25.58 грн
500+20.06 грн
1000+17.07 грн
2000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
на замовлення 30221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.03 грн
10+53.31 грн
100+30.52 грн
500+23.76 грн
1000+21.58 грн
2500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+49.26 грн
100+34.13 грн
500+26.76 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40501UW3T2G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+37.53 грн
100+24.37 грн
500+19.19 грн
1000+14.88 грн
3000+12.22 грн
9000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
на замовлення 84865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 1466
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
12+25.00 грн
25+23.37 грн
100+16.30 грн
250+13.79 грн
500+13.17 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 15MA +/- 20% CCR
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
21+15.62 грн
25+12.08 грн
100+10.45 грн
250+9.63 грн
500+9.15 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
31+9.76 грн
35+8.61 грн
100+6.90 грн
250+6.34 грн
500+6.00 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
6000+5.55 грн
9000+5.46 грн
15000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON Semiconductor
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 20MA 10% CCR
на замовлення 8523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.77 грн
31+10.36 грн
35+7.99 грн
100+6.83 грн
250+6.28 грн
500+5.94 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 20 mA
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.97 грн
13+24.34 грн
25+18.91 грн
100+16.45 грн
250+15.29 грн
500+14.54 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+41.42 грн
25+34.35 грн
100+24.95 грн
250+21.47 грн
500+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 20MA 15% CCR
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
25+12.72 грн
28+9.83 грн
100+8.40 грн
250+7.78 грн
500+7.37 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
12+24.85 грн
25+22.78 грн
100+14.42 грн
250+11.93 грн
500+10.94 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
6000+6.98 грн
15000+6.40 грн
30000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 25MA 10% CCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.83 грн
24+13.58 грн
26+10.51 грн
100+9.01 грн
250+8.33 грн
500+7.92 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.19 грн
14+22.63 грн
25+20.68 грн
100+13.10 грн
250+10.84 грн
500+9.93 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+39.72 грн
25+32.93 грн
100+23.84 грн
250+20.48 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Driver, Constant Current Regulator, 25 mA, 45 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.90 грн
14+22.77 грн
25+17.75 грн
100+15.36 грн
250+14.27 грн
500+13.66 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
12+24.85 грн
25+22.78 грн
100+14.42 грн
250+11.93 грн
500+10.94 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+7.68 грн
15000+7.05 грн
30000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 25MA 15% CCR
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
25+12.72 грн
28+9.83 грн
100+8.40 грн
250+8.12 грн
3000+6.55 грн
6000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+23.45 грн
25+19.23 грн
100+13.59 грн
250+11.40 грн
500+10.05 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 30MA 10% CCR
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.77 грн
31+10.36 грн
35+7.99 грн
100+6.90 грн
250+6.28 грн
500+6.01 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.21 грн
9000+6.83 грн
15000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45 ~ 56 VDC
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 30MA 15% CCR
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.25 грн
14+23.56 грн
100+16.18 грн
500+12.36 грн
1000+9.70 грн
3000+8.19 грн
6000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45 ~ 56 VDC
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
13+23.96 грн
100+16.29 грн
500+11.95 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONN
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.12 грн
17+44.91 грн
25+44.26 грн
100+28.99 грн
250+26.21 грн
500+23.54 грн
1000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONN
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.49 грн
500+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONN
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Dvr Adj Constant Crnt Reg 45V 35mA
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.97 грн
13+24.34 грн
25+18.91 грн
100+16.45 грн
250+15.29 грн
500+14.54 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.71 грн
30+27.32 грн
100+21.27 грн
500+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONN
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+45.41 грн
25+37.69 грн
100+27.17 грн
250+23.14 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
10+34.91 грн
100+23.96 грн
500+17.79 грн
1000+16.25 грн
2000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 35 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 100mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+60.87 грн
25+50.98 грн
100+37.70 грн
250+32.84 грн
500+29.90 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.13 грн
10+75.03 грн
25+70.58 грн
100+55.60 грн
250+47.70 грн
500+40.15 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON Semiconductor
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.74 грн
12+67.63 грн
100+45.64 грн
500+33.36 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 100mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+70.03 грн
197+65.88 грн
241+53.81 грн
260+48.08 грн
500+39.03 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 60MA
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.16 грн
10+62.03 грн
25+45.95 грн
100+35.78 грн
250+30.79 грн
500+27.65 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.64 грн
500+33.36 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45090JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/90 mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 160mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TO-252 (DPAK)
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.05 грн
15+55.60 грн
100+43.41 грн
500+33.28 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 160mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 90 - 160 mA
на замовлення 19792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.10 грн
11+28.66 грн
25+22.33 грн
100+19.53 грн
250+18.16 грн
500+17.34 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 160mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 10MA
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
21+15.62 грн
25+12.08 грн
100+10.45 грн
250+9.63 грн
500+9.15 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
20+15.02 грн
25+13.37 грн
100+10.81 грн
250+9.98 грн
500+9.48 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON Semiconductor
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 150MA
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.77 грн
2500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.96 грн
5000+27.76 грн
12500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 350MA
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.00 грн
10+52.84 грн
25+41.38 грн
100+36.19 грн
250+33.52 грн
500+31.82 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+63.98 грн
25+60.74 грн
100+43.77 грн
250+38.67 грн
500+36.64 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50350AST3G - LED-Treiber, AC/DC, 350mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, DO-214AB-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DO-214AB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 50V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 385mA
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Konstantstrom, linear
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.04 грн
7500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.40 грн
5000+23.45 грн
7500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3G
Код товару: 131283
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMC 350MA
на замовлення 19266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.73 грн
10+36.90 грн
25+28.88 грн
100+25.33 грн
250+23.62 грн
500+22.60 грн
1000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.77 грн
10+63.02 грн
25+52.66 грн
100+38.39 грн
250+32.98 грн
500+29.65 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
13+25.36 грн
100+14.06 грн
500+10.72 грн
1000+9.42 грн
3000+9.01 грн
6000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 530mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
12+24.85 грн
100+14.90 грн
500+12.95 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
12+26.11 грн
100+15.66 грн
500+13.61 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+8.70 грн
9000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+42.09 грн
100+23.90 грн
500+18.43 грн
1000+16.80 грн
3000+13.93 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.87 грн
100+24.83 грн
500+19.47 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.89 грн
76+9.77 грн
77+9.62 грн
79+9.12 грн
100+8.31 грн
250+7.84 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGON SemiconductorPNP Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
13+25.36 грн
100+14.06 грн
500+10.72 грн
1000+9.42 грн
3000+8.47 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.80 грн
12+25.52 грн
100+15.27 грн
500+13.27 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+27.04 грн
791+16.37 грн
799+16.20 грн
854+14.61 грн
1300+8.89 грн
3000+7.75 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.98 грн
26+28.97 грн
100+16.91 грн
250+15.50 грн
500+13.92 грн
1000+9.14 грн
3000+8.31 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
10+35.73 грн
100+24.82 грн
500+18.19 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.73 грн
10+37.22 грн
100+24.17 грн
500+18.98 грн
1000+14.68 грн
3000+13.38 грн
9000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 150...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
13+25.36 грн
100+14.06 грн
500+10.72 грн
1000+9.56 грн
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
13+23.45 грн
100+14.98 грн
500+10.62 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+34.47 грн
100+23.96 грн
500+17.56 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+38.55 грн
100+23.83 грн
500+18.37 грн
1000+15.84 грн
2000+14.68 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.31 грн
11+29.68 грн
100+17.41 грн
500+14.68 грн
1000+13.66 грн
2000+12.70 грн
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.68 грн
8000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
10+40.98 грн
100+31.38 грн
500+23.29 грн
1000+18.63 грн
2000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+35.06 грн
100+24.29 грн
500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.75 грн
17+47.24 грн
100+30.83 грн
500+22.12 грн
1000+18.37 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.83 грн
500+22.12 грн
1000+18.37 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 155832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+35.96 грн
100+22.12 грн
500+18.16 грн
1000+14.47 грн
2000+12.22 грн
5000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+35.21 грн
100+24.38 грн
500+19.12 грн
1000+16.27 грн
2000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
11+28.74 грн
100+18.23 грн
500+15.36 грн
1000+14.41 грн
2000+13.59 грн
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.04 грн
8000+14.63 грн
12000+13.55 грн
28000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.21 грн
10+43.73 грн
100+24.92 грн
500+19.19 грн
1000+16.11 грн
2000+14.34 грн
5000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.59 грн
10+40.68 грн
100+26.56 грн
500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.26 грн
2000+16.90 грн
3000+16.07 грн
5000+14.19 грн
7000+13.67 грн
10000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA235(MPS-F-7217
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278JRCSMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278-903MHZ
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278903MHZ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279JRCSMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279927MHZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA391
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531/886.0/931.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543(1765MHZ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543-1765MHZJRC3X3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 COMPLEMENTARY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 2273
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2147+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 2147
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.38 грн
12+27.95 грн
100+16.86 грн
500+13.18 грн
1000+10.72 грн
3000+9.42 грн
9000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
10+31.58 грн
100+20.30 грн
500+14.49 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
6000+10.88 грн
9000+10.36 грн
15000+9.19 грн
21000+8.87 грн
30000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4873+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 4873
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
12+26.85 грн
4000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
28+11.31 грн
100+7.44 грн
500+6.55 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.43 грн
33+9.23 грн
100+7.42 грн
250+6.83 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
2500+5.76 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.43 грн
33+9.23 грн
100+7.42 грн
250+6.83 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
2500+5.76 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
28+11.31 грн
100+7.44 грн
500+6.55 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.96 грн
15+22.38 грн
100+12.77 грн
500+9.35 грн
1000+8.53 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.43 грн
33+9.23 грн
100+7.42 грн
250+6.83 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
2500+5.76 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.43 грн
33+9.23 грн
100+7.42 грн
250+6.83 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
2500+5.76 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.96 грн
15+22.38 грн
100+12.77 грн
500+9.35 грн
1000+8.53 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.89 грн
100+11.05 грн
500+8.46 грн
1000+6.28 грн
2000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
12+26.85 грн
100+17.21 грн
500+11.54 грн
1000+8.81 грн
2000+5.26 грн
4000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.85 грн
8000+5.38 грн
12000+4.65 грн
28000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.96 грн
15+22.38 грн
100+12.77 грн
500+9.35 грн
1000+8.53 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.43 грн
33+9.23 грн
100+7.42 грн
250+6.83 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
2500+5.76 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.91 грн
77+3.85 грн
100+3.28 грн
500+2.22 грн
1000+1.76 грн
2000+1.58 грн
5000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75V SWITCH DIODE SS SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
10+31.86 грн
14+22.61 грн
100+8.67 грн
1000+6.01 грн
2500+5.74 грн
10000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.06 грн
43+7.03 грн
100+4.35 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.70 грн
40+7.93 грн
100+4.10 грн
500+3.00 грн
1000+2.53 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC88 SWITCHING DIODE
на замовлення 30807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.34 грн
33+9.74 грн
100+5.26 грн
500+4.37 грн
1000+3.76 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
19+15.68 грн
100+9.07 грн
500+5.55 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT1G
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
10+34.25 грн
13+25.68 грн
100+12.63 грн
500+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.16 грн
122+6.54 грн
256+3.11 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.91 грн
66+4.51 грн
100+4.30 грн
500+2.43 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes Switching Diode, High Voltage 120 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+6.85 грн
73+4.32 грн
100+3.21 грн
500+2.18 грн
1000+1.91 грн
3000+1.57 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
48+6.21 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
2000+2.01 грн
5000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GON Semiconductor
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
6000+1.85 грн
9000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+9.99 грн
46+6.44 грн
100+5.29 грн
500+3.63 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SOD323 SWCH DIO 250V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.28 грн
46+6.83 грн
100+4.85 грн
500+3.55 грн
1000+3.14 грн
3000+1.91 грн
6000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.47 грн
104+7.70 грн
126+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1 - DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1onsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.16 грн
131+6.09 грн
250+3.35 грн
1000+2.54 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 29385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.08 грн
53+5.97 грн
100+4.57 грн
500+3.35 грн
1000+2.59 грн
3000+1.71 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.68 грн
59+5.03 грн
100+4.46 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.35 грн
1000+2.54 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.45 грн
15000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.91 грн
98+3.03 грн
123+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 52311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+7.17 грн
109+2.91 грн
138+1.98 грн
1000+1.78 грн
2500+1.57 грн
10000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GONN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.88 грн
15+21.67 грн
100+10.04 грн
500+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
43+6.95 грн
100+6.31 грн
500+4.35 грн
1000+3.46 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 225MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.59 грн
36+8.28 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.35 грн
17+19.24 грн
100+7.37 грн
1000+5.67 грн
3000+4.37 грн
9000+3.82 грн
24000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 225MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 13913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
29+10.36 грн
100+8.31 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.43 грн
74+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
71+11.23 грн
100+9.08 грн
500+5.74 грн
1000+4.53 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
6000+2.94 грн
9000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes TRIPLE HIGH VTG SWITCH
на замовлення 712387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
29+10.91 грн
100+6.83 грн
500+5.67 грн
1000+4.85 грн
3000+2.80 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.74 грн
1000+4.53 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching TRIPLE HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
29+10.36 грн
100+8.31 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
42+7.17 грн
100+4.83 грн
500+3.30 грн
1000+2.42 грн
2000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 250V SW DIODE IN SOD523
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.51 грн
22+14.60 грн
100+5.19 грн
1000+3.21 грн
2500+2.94 грн
8000+2.32 грн
24000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1onsemiDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.07A
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3249+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3249
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS70LT1 - NSVBAS70LT1, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GON Semiconductor
на замовлення 54970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHTKY DIODE
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+22.61 грн
100+13.86 грн
500+10.79 грн
1000+8.06 грн
3000+6.69 грн
9000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2141+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 2141
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH16MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 100V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 8724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.07 грн
15+21.83 грн
100+9.56 грн
1000+5.80 грн
2500+4.85 грн
8000+4.03 грн
24000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
23+13.02 грн
100+7.15 грн
500+5.62 грн
1000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.70 грн
9000+3.57 грн
15000+3.20 грн
21000+3.15 грн
30000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.50 грн
23+13.90 грн
100+5.60 грн
1000+4.51 грн
3000+3.69 грн
9000+3.14 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
22+14.60 грн
100+7.92 грн
500+6.96 грн
1000+5.87 грн
2500+5.19 грн
5000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.45 грн
19+16.65 грн
100+5.94 грн
1000+4.37 грн
3000+3.55 грн
9000+3.07 грн
24000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+22.71 грн
25+19.88 грн
100+10.67 грн
250+10.00 грн
500+8.00 грн
1000+6.03 грн
2500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 200V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
23+13.98 грн
100+8.60 грн
500+6.42 грн
1000+5.12 грн
2500+5.05 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.31 грн
16000+4.55 грн
24000+4.26 грн
56000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR-175DEGC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDescription: HIGH VOLT DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 0.2A X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
23+13.24 грн
100+9.34 грн
500+6.51 грн
1000+5.64 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 0.2A X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 250V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
23+13.98 грн
100+8.60 грн
500+6.42 грн
1000+5.12 грн
2500+5.05 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1ONSOD323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+7.78 грн
190+4.21 грн
201+3.97 грн
500+2.89 грн
1000+2.07 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY DIODE
на замовлення 99750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.56 грн
64+4.95 грн
100+3.41 грн
500+2.46 грн
1000+2.18 грн
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.68 грн
75+3.99 грн
100+3.48 грн
500+2.36 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.95 грн
6000+1.74 грн
9000+1.73 грн
15000+1.30 грн
21000+1.24 грн
30000+1.17 грн
75000+1.02 грн
150000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.89 грн
1000+2.07 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
45+6.66 грн
100+6.40 грн
500+4.30 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 56884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.63 грн
48+6.67 грн
100+4.44 грн
500+4.16 грн
1000+4.10 грн
3000+2.66 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 200 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.63 грн
49+6.52 грн
100+4.10 грн
500+3.00 грн
1000+2.12 грн
5000+1.78 грн
8000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
48+6.21 грн
100+4.43 грн
500+3.03 грн
1000+2.37 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
6000+8.64 грн
9000+8.42 грн
12000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.55 грн
29+25.72 грн
30+25.47 грн
100+12.27 грн
250+11.24 грн
500+9.97 грн
1000+9.69 грн
3000+9.42 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.13 грн
34+9.42 грн
100+4.92 грн
500+3.55 грн
1000+3.35 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 137676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1356+9.55 грн
3000+8.45 грн
6000+7.41 грн
12000+6.80 грн
18000+6.06 грн
30000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 1356
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70,SOT323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+23.77 грн
1090+11.88 грн
1102+11.75 грн
1192+10.47 грн
1226+9.42 грн
3000+8.79 грн
6000+8.52 грн
15000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 137676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.23 грн
3000+9.06 грн
6000+7.94 грн
12000+7.29 грн
18000+6.49 грн
30000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.45 грн
48+6.29 грн
100+6.08 грн
500+4.19 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
6000+2.36 грн
9000+2.32 грн
15000+2.17 грн
21000+2.07 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+8.92 грн
48+6.60 грн
100+5.67 грн
500+4.10 грн
1000+3.62 грн
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARR GP 250V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 16634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.45 грн
55+5.40 грн
100+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes 250 V Dual High Voltage Common Cathode Switching Diode
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+8.92 грн
55+5.73 грн
100+4.85 грн
1000+4.78 грн
3000+3.55 грн
6000+3.14 грн
9000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARR GP 250V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+3.45 грн
9000+3.42 грн
15000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDescription: NSVBAV70D - SWITCHING DIODE, QUA
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT563 SWITCH DIO
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
14+23.87 грн
100+14.13 грн
500+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV70TT1 - BAV70T - DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1onsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3620
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC75 DUAL DIO 70V
на замовлення 56620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+9.32 грн
52+6.05 грн
100+4.44 грн
500+3.21 грн
1000+2.73 грн
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.45 грн
55+5.40 грн
100+4.46 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes DUAL SWITCHING DIODE
на замовлення 10031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.05 грн
32+9.81 грн
100+5.33 грн
500+3.41 грн
1000+2.53 грн
5000+2.12 грн
10000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.83 грн
35+8.65 грн
100+5.38 грн
500+3.62 грн
1000+2.63 грн
2000+2.38 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
35+8.58 грн
100+5.36 грн
500+3.68 грн
1000+2.86 грн
2000+2.64 грн
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SC70
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.26 грн
1000+3.41 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 DUAL DIODE T
на замовлення 10408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.77 грн
35+9.19 грн
100+4.98 грн
500+3.55 грн
1000+2.59 грн
5000+2.25 грн
10000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.60 грн
77+10.43 грн
123+6.51 грн
500+4.26 грн
1000+3.41 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
30+10.06 грн
100+8.09 грн
500+5.62 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 70V TR-175DEGC
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
29+10.84 грн
100+7.65 грн
500+5.67 грн
1000+4.85 грн
3000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.94 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
20+16.10 грн
100+8.81 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
2000+5.26 грн
4000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.28 грн
33+9.11 грн
100+7.31 грн
250+6.72 грн
500+6.37 грн
1000+5.98 грн
2500+5.67 грн
5000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.94 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.20 грн
8000+4.54 грн
12000+4.30 грн
20000+3.78 грн
28000+3.64 грн
40000+3.49 грн
100000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
15+20.49 грн
100+13.03 грн
500+9.19 грн
1000+8.21 грн
2000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS RSTR XSTR TR
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
20+16.10 грн
100+8.81 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
2000+5.60 грн
4000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.94 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65G
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YPDXV65G - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.98 грн
22+14.60 грн
100+7.99 грн
500+5.94 грн
1000+5.12 грн
2000+4.57 грн
4000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
22+13.54 грн
100+8.50 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
12+26.85 грн
100+22.87 грн
4000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JDXV6T5GonsemiDescription: SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3146+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3146
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.28 грн
33+9.11 грн
100+7.31 грн
250+6.72 грн
500+6.37 грн
1000+5.98 грн
2500+5.67 грн
5000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.80 грн
100+9.22 грн
500+6.90 грн
1000+6.08 грн
2000+5.46 грн
4000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
18+16.79 грн
100+10.56 грн
500+7.38 грн
1000+6.55 грн
2000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.67 грн
8000+4.08 грн
12000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUALL 22/ 47
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 COMPLEMENTARY 22/47
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC143TPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.90 грн
9000+5.81 грн
15000+5.35 грн
21000+5.29 грн
30000+5.24 грн
75000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.28 грн
33+9.11 грн
100+7.31 грн
250+6.72 грн
500+6.37 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
15+21.01 грн
100+12.60 грн
500+10.95 грн
1000+7.45 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.28 грн
33+9.11 грн
100+7.31 грн
250+6.72 грн
500+6.37 грн
1000+5.98 грн
2500+5.67 грн
5000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2996+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 2996
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
17+19.32 грн
100+10.58 грн
500+7.78 грн
1000+6.01 грн
2000+5.26 грн
4000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.11 грн
15+21.91 грн
100+10.72 грн
500+7.31 грн
1000+5.53 грн
2000+4.85 грн
4000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
29+10.28 грн
33+9.11 грн
100+7.31 грн
250+6.72 грн
500+6.37 грн
1000+5.98 грн
2500+5.67 грн
5000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
14+22.34 грн
100+11.28 грн
500+8.63 грн
1000+6.41 грн
2000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC144EPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.02 грн
1000+3.05 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.86 грн
99+8.12 грн
152+5.27 грн
500+3.25 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.24 грн
39+19.45 грн
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
45+6.58 грн
100+4.03 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDigital Transistors SS SC70 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.42 грн
37+8.64 грн
100+4.71 грн
500+3.48 грн
1000+3.07 грн
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.62 грн
1000+2.81 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.47 грн
81+9.18 грн
82+9.03 грн
169+4.23 грн
250+3.88 грн
500+3.69 грн
1000+3.67 грн
3000+3.65 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.10 грн
49+15.14 грн
50+14.35 грн
100+6.76 грн
250+6.21 грн
500+6.04 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON Semiconductor
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3158+4.10 грн
3192+4.05 грн
3219+4.02 грн
3240+3.85 грн
3254+3.55 грн
6000+3.39 грн
15000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3158
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.83 грн
37+8.14 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.30 грн
9000+3.11 грн
15000+2.72 грн
21000+2.60 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 50V
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.26 грн
17+19.32 грн
100+14.00 грн
500+8.60 грн
1000+6.42 грн
3000+3.14 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
27+11.78 грн
100+6.42 грн
500+4.71 грн
1000+3.69 грн
5000+3.35 грн
8000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 15342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
27+11.02 грн
100+6.87 грн
500+4.75 грн
1000+4.20 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.79 грн
1000+3.48 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.08 грн
71+11.23 грн
114+7.04 грн
500+4.79 грн
1000+3.48 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.56 грн
29+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.44 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
29+11.15 грн
100+6.08 грн
500+4.44 грн
1000+3.96 грн
3000+3.21 грн
9000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.17 грн
51+15.77 грн
100+9.88 грн
500+6.73 грн
1000+4.84 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1570+8.24 грн
1584+8.17 грн
2404+5.38 грн
2947+4.23 грн
3125+3.70 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1570
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 19887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
23+13.98 грн
100+7.65 грн
500+5.60 грн
1000+4.37 грн
2500+4.30 грн
5000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.95 грн
51+14.69 грн
100+8.01 грн
500+5.14 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+7.48 грн
2600+4.98 грн
3572+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.73 грн
1000+4.84 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+12.94 грн
100+8.11 грн
500+5.63 грн
1000+4.99 грн
2000+4.46 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.90 грн
30+24.97 грн
100+13.62 грн
500+8.74 грн
1000+5.63 грн
2500+4.86 грн
10000+4.28 грн
20000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.02 грн
46+16.23 грн
47+16.06 грн
100+8.52 грн
250+7.81 грн
500+4.94 грн
1000+4.03 грн
3000+3.80 грн
6000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.91 грн
24+13.35 грн
100+7.37 грн
500+5.39 грн
1000+4.78 грн
3000+3.96 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.74 грн
24+12.35 грн
100+7.75 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.83 грн
38+7.91 грн
100+4.91 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.42 грн
38+8.48 грн
100+4.57 грн
500+3.35 грн
1000+2.94 грн
3000+2.39 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.67 грн
123+6.48 грн
198+4.04 грн
500+2.69 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
6000+1.52 грн
9000+1.43 грн
15000+1.23 грн
21000+1.17 грн
30000+1.11 грн
75000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 16102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.56 грн
55+5.73 грн
100+3.14 грн
500+2.25 грн
1000+1.98 грн
3000+1.57 грн
6000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.69 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 114124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.22 грн
55+5.40 грн
100+3.31 грн
500+2.25 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC849BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
6000+3.13 грн
9000+2.95 грн
15000+2.58 грн
21000+2.46 грн
30000+2.35 грн
75000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
29+11.07 грн
100+6.01 грн
500+4.44 грн
1000+3.96 грн
3000+3.21 грн
6000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 143880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.46 грн
500+4.46 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
29+11.15 грн
100+6.08 грн
500+4.44 грн
1000+3.96 грн
3000+3.21 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.43 грн
100+6.50 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
27+11.02 грн
100+6.87 грн
500+4.75 грн
1000+4.20 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 6721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
27+11.78 грн
100+6.42 грн
500+4.71 грн
1000+3.69 грн
5000+3.35 грн
8000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 19635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.83 грн
26+12.09 грн
100+6.55 грн
500+4.85 грн
1000+3.82 грн
5000+3.35 грн
10000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.89 грн
1000+4.33 грн
2000+3.85 грн
5000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857BLT3G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 213977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.74 грн
24+12.57 грн
100+7.86 грн
500+5.45 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR PNP
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.91 грн
24+13.35 грн
100+7.37 грн
500+5.39 грн
1000+4.78 грн
3000+3.96 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.35 грн
45+6.99 грн
100+3.96 грн
500+2.94 грн
1000+2.39 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M01onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M02onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SC70
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC858AWT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 11344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.05 грн
23+13.74 грн
500+11.54 грн
1000+9.70 грн
3000+2.73 грн
6000+2.18 грн
9000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
46+6.44 грн
100+3.97 грн
500+2.71 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.63 грн
46+6.83 грн
100+3.69 грн
500+2.73 грн
1000+2.32 грн
3000+1.91 грн
6000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+1.85 грн
9000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 9137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.99 грн
45+7.07 грн
100+3.82 грн
500+2.59 грн
1000+2.32 грн
3000+1.91 грн
9000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
44+6.73 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.71 грн
26+11.61 грн
100+7.25 грн
500+5.02 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
27+11.70 грн
100+6.83 грн
500+5.05 грн
1000+4.30 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 56300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.83 грн
32+9.32 грн
100+7.51 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
6000+2.86 грн
9000+2.82 грн
15000+2.57 грн
21000+2.56 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) NPN Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.42 грн
33+9.66 грн
100+6.83 грн
500+5.05 грн
1000+4.30 грн
3000+2.73 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GON Semiconductor
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR PNP 80V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.02 грн
11+30.23 грн
100+16.93 грн
500+13.38 грн
1000+11.95 грн
4000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5316MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5316MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.80 грн
10+33.37 грн
100+19.12 грн
500+15.02 грн
1000+13.25 грн
3000+11.13 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
11+27.81 грн
100+17.87 грн
500+12.75 грн
1000+11.45 грн
2000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NPN 80V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.67 грн
11+29.68 грн
100+16.59 грн
500+12.63 грн
1000+11.33 грн
2000+10.31 грн
4000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5610MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.93 грн
10+29.96 грн
100+19.33 грн
500+13.83 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5610MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V,1A, NPN,WDFNW3 2X2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.09 грн
10+31.96 грн
100+17.96 грн
500+13.66 грн
1000+12.29 грн
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5616MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V,1A, NPN,WDFNW3 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.43 грн
10+40.12 грн
100+22.74 грн
500+17.48 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 3086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.22 грн
500+9.15 грн
1000+7.58 грн
2000+6.55 грн
5000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
15+20.71 грн
100+13.15 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.17 грн
2000+7.95 грн
3000+7.49 грн
5000+6.55 грн
7000+6.27 грн
10000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW32LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW32LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
20+15.53 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
20+16.41 грн
100+9.01 грн
500+6.69 грн
1000+5.60 грн
3000+4.71 грн
6000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
6000+4.91 грн
9000+4.64 грн
15000+4.08 грн
21000+3.91 грн
30000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.05 грн
20+15.86 грн
100+8.67 грн
500+7.58 грн
1000+5.94 грн
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 44865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
18+16.57 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
21000+4.16 грн
30000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.24 грн
19+16.65 грн
100+9.08 грн
500+6.76 грн
1000+6.01 грн
3000+5.33 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
22+14.92 грн
100+8.19 грн
500+6.08 грн
1000+5.33 грн
3000+4.44 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
22+13.83 грн
100+8.68 грн
500+6.04 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+40.68 грн
25+33.76 грн
100+24.33 грн
250+20.71 грн
500+18.48 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 20 MA 15% CCR
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.94 грн
10+35.65 грн
100+20.28 грн
500+18.78 грн
1000+15.57 грн
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.16 грн
5000+14.24 грн
7500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 38853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
14+23.40 грн
25+18.23 грн
100+15.84 грн
250+14.68 грн
500+14.06 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.16 грн
5000+14.24 грн
7500+13.57 грн
12500+12.03 грн
17500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GON SemiconductorLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+40.68 грн
25+33.76 грн
100+24.33 грн
250+20.71 грн
500+18.48 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 50 MA 15% CCR
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.98 грн
10+37.14 грн
25+27.92 грн
100+22.80 грн
250+18.84 грн
1000+17.62 грн
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+40.68 грн
25+33.76 грн
100+24.33 грн
250+20.71 грн
500+18.48 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD070ALT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOT23 DUAL DIO 70V TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.90 грн
39+8.24 грн
100+3.21 грн
1000+2.87 грн
3000+1.98 грн
9000+1.64 грн
24000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD2004ML2T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD2004ML2T1/
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD350HT1GON SemiconductorDescription: DIODE SWITCHING 350V SOD323
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD350HT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 3
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.82 грн
500+36.69 грн
1000+29.02 грн
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiLED Lighting Driver ICs MI SO8 60V LED DRVR TR
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.65 грн
10+43.42 грн
25+31.27 грн
100+28.61 грн
250+27.31 грн
500+25.81 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.86 грн
11+77.82 грн
100+50.82 грн
500+36.69 грн
1000+29.02 грн
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GON Semiconductor
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+40.76 грн
25+36.72 грн
100+30.29 грн
250+28.30 грн
500+27.10 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 80 V Dual Common Cathode Switching Diode
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.53 грн
17+19.55 грн
100+9.63 грн
500+6.42 грн
1000+4.92 грн
3000+3.82 грн
9000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.90 грн
28+10.80 грн
100+6.63 грн
500+5.45 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE (DUA
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiDescription: RF DIODE PIN 80V 2X3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.33pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Current - Max: 100 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.57 грн
16000+7.04 грн
24000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GON SemiconductorPIN Diode Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiDescription: RF DIODE PIN 80V 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.33pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Current - Max: 100 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.94 грн
13+23.52 грн
100+15.05 грн
500+10.67 грн
1000+9.28 грн
2000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiPIN Diodes Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch Automotive part
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.75 грн
13+24.81 грн
100+14.06 грн
500+10.72 грн
1000+8.60 грн
2500+8.53 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GON SemiconductorPIN Diode Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
28+11.62 грн
100+6.35 грн
500+4.64 грн
1000+3.55 грн
2500+3.14 грн
5000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.43 грн
100+6.49 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.52 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.53 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
32+9.39 грн
100+5.84 грн
500+4.01 грн
1000+3.54 грн
2000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.41 грн
32+9.97 грн
100+5.46 грн
500+3.96 грн
1000+3.14 грн
5000+2.80 грн
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT-723 BIAS RESISTO
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.13 грн
31+10.29 грн
100+5.67 грн
500+4.64 грн
1000+3.62 грн
2500+3.41 грн
8000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
28+10.87 грн
100+6.80 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.52 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+2.18 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
9000+2.00 грн
15000+1.73 грн
21000+1.65 грн
30000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.96 грн
16000+3.17 грн
24000+3.11 грн
56000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7672+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 7672
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
18+16.79 грн
100+8.20 грн
500+6.42 грн
1000+4.46 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723BR XSTR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA143EM3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143EM3T5GonsemiDigital Transistors BIAS RESISTOR TRANSISTO
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.85 грн
5000+22.87 грн
8000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.32 грн
100+4.56 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+2.18 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
6000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
6000+2.15 грн
9000+2.01 грн
15000+1.75 грн
21000+1.67 грн
30000+1.59 грн
75000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+2.18 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.32 грн
100+4.56 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
18+18.06 грн
100+5.80 грн
1000+3.55 грн
2500+3.48 грн
8000+2.73 грн
24000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GONN
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
28+10.87 грн
100+6.80 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GONN
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GONN
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
32+9.25 грн
100+5.75 грн
500+3.96 грн
1000+3.49 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.83 грн
26+12.09 грн
100+6.55 грн
500+4.85 грн
1000+3.82 грн
2500+3.76 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDigital Transistors SMALL SIGNAL BIAS RE
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+2.18 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
42+7.17 грн
100+4.46 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.25 грн
16000+2.84 грн
24000+2.69 грн
40000+2.37 грн
56000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDigital Transistors SOT-723BIAS RESISTOR
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
28+11.62 грн
100+6.35 грн
500+4.51 грн
1000+3.48 грн
2500+3.28 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
28+10.72 грн
100+6.70 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.48 грн
500+3.06 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
41+7.77 грн
100+4.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+2.12 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4226+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 4226
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
28+10.80 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
1000+4.11 грн
2000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
28+11.62 грн
100+6.35 грн
500+4.64 грн
1000+3.69 грн
5000+3.21 грн
8000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723 BR XSTR NP
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.20 грн
28+11.62 грн
100+6.35 грн
500+4.64 грн
1000+3.69 грн
5000+3.62 грн
8000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
28+10.87 грн
100+6.80 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIASED RESISTOR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Transistor
на замовлення 11887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: NSVDTC144 - BIAS RESISTOR TRANSI
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTC144WET1G - RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SC-75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.46 грн
13+25.52 грн
100+15.09 грн
500+11.33 грн
1000+8.53 грн
4000+7.24 грн
8000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+23.96 грн
100+15.25 грн
500+10.77 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUL BRT TR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
13+23.45 грн
100+15.98 грн
500+11.24 грн
1000+8.43 грн
2000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GRochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.36 грн
8000+7.34 грн
12000+6.99 грн
20000+6.18 грн
28000+5.95 грн
40000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.22 грн
500+9.15 грн
1000+8.19 грн
2000+7.37 грн
4000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 63945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
13+23.15 грн
100+14.70 грн
500+10.37 грн
1000+9.27 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 882
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 691-700 дні (днів)
6+60.54 грн
10+53.16 грн
100+36.53 грн
250+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 3.5V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.60 грн
11+30.15 грн
100+18.71 грн
500+15.91 грн
1000+14.13 грн
3000+11.20 грн
9000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
18+16.64 грн
25+14.85 грн
100+12.04 грн
250+11.13 грн
500+10.59 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.53 грн
12+27.87 грн
100+18.71 грн
500+16.25 грн
1000+13.18 грн
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.90 грн
500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
16+19.01 грн
25+16.89 грн
100+13.75 грн
250+12.74 грн
500+12.13 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.58 грн
41+19.60 грн
100+14.90 грн
500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.70 грн
10+36.20 грн
100+25.13 грн
250+24.44 грн
500+20.35 грн
1000+16.25 грн
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.14 грн
500+18.64 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.97 грн
38+19.87 грн
100+17.70 грн
250+16.23 грн
500+14.68 грн
1000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.99 грн
23+35.37 грн
100+24.14 грн
500+18.64 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
14+21.60 грн
25+19.29 грн
100+15.72 грн
250+14.59 грн
500+13.90 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.21 грн
500+14.57 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.86 грн
10+37.22 грн
100+21.92 грн
500+19.60 грн
1000+16.52 грн
3000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.85 грн
38+21.35 грн
100+17.21 грн
500+14.57 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.60 грн
38+21.11 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.35 грн
11+30.94 грн
100+18.50 грн
500+16.45 грн
1000+13.38 грн
2500+12.15 грн
8000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
на замовлення 13603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.84 грн
11+30.15 грн
100+20.48 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.38 грн
42+19.04 грн
100+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
10+31.07 грн
25+28.96 грн
100+21.75 грн
250+20.20 грн
500+17.09 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.64 грн
27+28.42 грн
100+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.54 грн
500+14.87 грн
1000+10.79 грн
5000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.85 грн
52+15.37 грн
100+12.27 грн
500+9.91 грн
1000+8.81 грн
5000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.81 грн
20+15.78 грн
100+10.92 грн
500+10.38 грн
1000+9.97 грн
2500+9.90 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
11+27.59 грн
25+25.71 грн
100+19.30 грн
250+17.92 грн
500+15.16 грн
1000+11.52 грн
2500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+38.94 грн
100+24.99 грн
500+21.10 грн
1000+17.48 грн
3000+15.77 грн
6000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
10+38.68 грн
25+36.36 грн
100+27.83 грн
250+25.86 грн
500+22.01 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.19 грн
10+48.08 грн
25+39.97 грн
100+28.88 грн
250+24.63 грн
500+22.02 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.97 грн
500+20.04 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.89 грн
24+34.49 грн
100+25.97 грн
500+20.04 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
14+23.87 грн
100+16.80 грн
500+14.95 грн
1000+14.13 грн
3000+14.06 грн
24000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.22 грн
10+37.65 грн
100+24.49 грн
500+17.68 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiRF Bipolar Transistors FSB560A-SN00165
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+39.81 грн
100+22.60 грн
500+17.41 грн
1000+15.70 грн
3000+13.66 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
10+36.61 грн
25+34.44 грн
100+24.50 грн
250+20.85 грн
500+19.81 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC, AMPLIFIER, 3 V, 6 MA, 0.1 TO 2.8 GHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GONN
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.61 грн
13+24.81 грн
25+19.25 грн
100+16.73 грн
250+15.57 грн
500+14.88 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
13+23.45 грн
25+20.92 грн
100+17.09 грн
250+15.86 грн
500+15.13 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.97 грн
100+11.09 грн
500+9.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
14+23.48 грн
100+9.08 грн
1000+6.96 грн
3000+6.08 грн
9000+5.67 грн
24000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
12+25.81 грн
100+19.62 грн
500+16.86 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
10+37.06 грн
100+21.85 грн
500+17.68 грн
1000+15.70 грн
3000+13.93 грн
6000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.67 грн
500+16.86 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+29.39 грн
558+23.19 грн
564+22.96 грн
621+20.11 грн
1000+16.79 грн
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 441
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.18 грн
6000+14.14 грн
9000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.84 грн
23+32.57 грн
25+31.49 грн
100+23.96 грн
250+21.96 грн
500+19.15 грн
1000+17.27 грн
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.94 грн
33+24.37 грн
100+19.67 грн
500+16.86 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
10+34.70 грн
100+21.71 грн
500+16.93 грн
1000+13.79 грн
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.27 грн
29+27.88 грн
100+20.23 грн
500+14.28 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
11+27.07 грн
100+20.22 грн
500+15.84 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.23 грн
500+14.28 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
6000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.