Продукція > NSV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Packaging: Box
Voltage: 12
Type: Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 86998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+56.33 грн
100+37.14 грн
500+27.11 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.74 грн
6000+21.16 грн
9000+20.29 грн
15000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.18 грн
10+34.90 грн
100+22.50 грн
500+16.10 грн
1000+14.49 грн
2000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.76 грн
11+29.57 грн
100+17.54 грн
500+13.77 грн
1000+11.46 грн
4000+10.55 грн
8000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.21 грн
12+29.17 грн
100+17.26 грн
500+13.56 грн
1000+12.09 грн
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+34.37 грн
100+22.16 грн
500+15.86 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.91 грн
11+32.07 грн
100+20.55 грн
500+16.35 грн
1000+13.14 грн
3000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.38 грн
10+38.00 грн
100+26.38 грн
500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.39 грн
2000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.23 грн
10+39.62 грн
100+23.90 грн
500+18.45 грн
1000+15.51 грн
2000+12.86 грн
10000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.74 грн
10+35.36 грн
100+21.66 грн
500+16.91 грн
1000+13.70 грн
3000+11.46 грн
9000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+33.46 грн
100+23.26 грн
500+17.04 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.70 грн
6000+12.52 грн
9000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
на замовлення 14348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.84 грн
10+39.06 грн
100+22.08 грн
500+16.98 грн
1000+14.88 грн
2000+13.14 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.27 грн
2000+15.12 грн
3000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.44 грн
200+26.95 грн
500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.09 грн
19+43.86 грн
50+36.44 грн
200+26.95 грн
500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.35 грн
2000+20.15 грн
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.11 грн
10+36.94 грн
100+24.01 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.09 грн
2000+21.70 грн
3000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+33.88 грн
1036+31.24 грн
10000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 955
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON-SemiconductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A, NPN Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.37 грн
10+63.73 грн
100+38.44 грн
500+35.85 грн
1000+28.30 грн
3000+27.53 грн
6000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.10 грн
5000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.92 грн
10+51.27 грн
100+30.89 грн
500+25.79 грн
1000+21.94 грн
2500+19.50 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.76 грн
10+49.21 грн
100+32.40 грн
500+23.62 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.79 грн
16+53.16 грн
100+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.59 грн
10+55.29 грн
100+36.83 грн
500+29.14 грн
1000+23.34 грн
2500+21.10 грн
5000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 158765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35715+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 35715
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.81 грн
59+14.02 грн
100+8.81 грн
500+5.93 грн
1000+4.75 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.06 грн
43+17.36 грн
44+17.19 грн
100+10.50 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+10.35 грн
100+7.47 грн
156+4.75 грн
500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GOn SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWDI 100V TR
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.27 грн
20+16.31 грн
100+8.60 грн
500+5.80 грн
1000+5.10 грн
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5918+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 5918
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.93 грн
1000+4.75 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3555+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3555
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOD523 SWDI 100V TR
на замовлення 8512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.81 грн
23+14.55 грн
100+7.97 грн
500+5.87 грн
1000+4.68 грн
2500+4.54 грн
5000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.80 грн
23+13.55 грн
100+8.49 грн
500+5.91 грн
1000+4.90 грн
2000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 1A 89SC3
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+47.66 грн
100+27.25 грн
500+21.10 грн
1000+19.08 грн
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
11+29.37 грн
100+20.40 грн
500+14.94 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
6000+10.98 грн
9000+10.20 грн
30000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.76 грн
15+22.34 грн
100+15.51 грн
500+13.56 грн
1000+12.09 грн
3000+10.20 грн
9000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+47.66 грн
100+27.25 грн
500+21.10 грн
1000+19.08 грн
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
11+31.42 грн
100+19.01 грн
500+14.82 грн
1000+12.09 грн
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
11+29.37 грн
100+20.40 грн
500+14.94 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.27 грн
21+15.35 грн
100+8.39 грн
500+6.22 грн
1000+4.96 грн
2500+4.89 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GON Semiconductor
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.44 грн
16000+3.01 грн
24000+2.85 грн
40000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
18+18.72 грн
100+6.64 грн
1000+4.05 грн
2500+3.84 грн
8000+2.87 грн
24000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 50851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
27+11.36 грн
100+7.09 грн
500+4.90 грн
1000+4.34 грн
2000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT723
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.71 грн
29+11.33 грн
100+5.10 грн
1000+4.19 грн
2500+4.12 грн
8000+3.07 грн
24000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 27985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.23 грн
25+12.49 грн
100+7.82 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
2000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.53 грн
12+27.65 грн
100+17.96 грн
500+14.05 грн
1000+11.25 грн
3000+9.50 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV30100LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.28 грн
13+25.56 грн
100+11.32 грн
1000+10.34 грн
3000+8.32 грн
9000+7.27 грн
24000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
12+25.44 грн
100+15.25 грн
500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.61 грн
50+29.27 грн
100+18.75 грн
500+13.17 грн
1500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.07 грн
24000+8.90 грн
30000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.47 грн
500+11.20 грн
1500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+51.78 грн
100+35.85 грн
500+28.12 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 2.0 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.58 грн
6000+21.51 грн
9000+19.92 грн
30000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.98 грн
50+23.56 грн
100+15.98 грн
500+11.58 грн
1500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.37 грн
12+26.92 грн
100+15.30 грн
500+11.67 грн
1000+10.48 грн
3000+8.67 грн
9000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3178+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3178
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.60 грн
12+27.18 грн
100+17.39 грн
500+12.33 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.98 грн
500+11.58 грн
1500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300CTWGonsemiDescription: PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+48.75 грн
100+37.90 грн
500+30.15 грн
1000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.41 грн
2000+16.16 грн
5000+15.12 грн
10000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) PNP Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.72 грн
10+41.87 грн
100+28.79 грн
500+22.57 грн
1000+15.09 грн
2000+12.86 грн
10000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.25 грн
10+68.07 грн
100+39.48 грн
500+31.03 грн
1000+28.30 грн
3000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301CTWGonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40301MDR2G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MDR2GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.01 грн
11+29.33 грн
25+25.44 грн
100+23.48 грн
250+14.82 грн
5000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.81 грн
10+37.78 грн
100+26.18 грн
500+20.53 грн
1000+17.47 грн
2000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.92 грн
100+25.58 грн
500+19.71 грн
1000+17.82 грн
2000+16.28 грн
4000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.54 грн
10+50.42 грн
100+34.93 грн
500+27.39 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
на замовлення 30221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.05 грн
10+54.57 грн
100+31.24 грн
500+24.32 грн
1000+22.08 грн
2500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.49 грн
10+38.41 грн
100+24.95 грн
500+19.64 грн
1000+15.23 грн
3000+12.51 грн
9000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
на замовлення 84865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 1466
В кошику  од. на суму  грн.
NSV40501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40501UW3T2G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 15MA +/- 20% CCR
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.43 грн
17+19.05 грн
25+14.54 грн
100+12.09 грн
250+10.20 грн
500+9.64 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.45 грн
12+25.59 грн
25+23.92 грн
100+16.68 грн
250+14.12 грн
500+13.47 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45015WT1GON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 20MA 10% CCR
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.14 грн
30+10.93 грн
34+8.39 грн
100+7.20 грн
250+6.64 грн
500+6.22 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
6000+5.68 грн
9000+5.59 грн
15000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON Semiconductor
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
31+9.99 грн
35+8.81 грн
100+7.06 грн
250+6.49 грн
500+6.14 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.69 грн
10+42.40 грн
25+35.16 грн
100+25.54 грн
250+21.98 грн
500+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOT223 EUTECTIC 20MA
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.79 грн
13+24.91 грн
25+19.36 грн
100+16.84 грн
250+15.65 грн
500+14.88 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GON Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
12+25.44 грн
25+23.32 грн
100+14.76 грн
250+12.21 грн
500+11.20 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 20MA 15% CCR
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
24+13.42 грн
28+10.34 грн
100+8.88 грн
250+8.04 грн
500+7.62 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 25MA 10% CCR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.30 грн
24+13.90 грн
26+10.76 грн
100+9.22 грн
250+8.53 грн
500+8.11 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.87 грн
14+23.17 грн
25+21.17 грн
100+13.41 грн
250+11.09 грн
500+10.17 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
6000+7.14 грн
15000+6.55 грн
30000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GOn SemiconductorCurrent Regulator Regulator High/Low-Side 25mA SOT-223 Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOT223 25MA 10% CCR
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
14+23.31 грн
25+18.17 грн
100+15.72 грн
250+14.61 грн
500+13.98 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorРегулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.54 грн
10+40.65 грн
25+33.70 грн
100+24.40 грн
250+20.96 грн
500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 25MA 15% CCR
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.91 грн
25+13.02 грн
28+10.06 грн
100+8.60 грн
250+8.32 грн
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
6000+7.86 грн
15000+7.21 грн
30000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45025T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 25mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
12+25.44 грн
25+23.32 грн
100+14.76 грн
250+12.21 грн
500+11.20 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
13+24.00 грн
25+19.68 грн
100+13.91 грн
250+11.67 грн
500+10.28 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+7.38 грн
9000+6.99 грн
15000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030AT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 30MA 10% CCR
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.14 грн
31+10.61 грн
35+8.18 грн
100+7.06 грн
250+6.43 грн
500+6.15 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45 ~ 56 VDC
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.74 грн
13+24.53 грн
100+16.67 грн
500+12.24 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 30MA 15% CCR
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.06 грн
14+24.11 грн
100+16.56 грн
250+16.35 грн
500+12.65 грн
1000+10.97 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45 ~ 56 VDC
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45030T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.88 грн
500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.12 грн
17+44.91 грн
25+44.26 грн
100+28.99 грн
250+26.21 грн
500+23.54 грн
1000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.40 грн
10+46.48 грн
25+38.58 грн
100+27.81 грн
250+23.69 грн
500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.62 грн
30+27.96 грн
100+21.77 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GONN
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT1GonsemiLED Lighting Driver ICs LED Dvr Adj Constant Crnt Reg 45V 35mA
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
13+25.64 грн
25+19.99 грн
100+17.40 грн
250+16.07 грн
500+15.37 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SOT223 EUTECTIC 35MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45035JZT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 70mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.82 грн
10+35.73 грн
100+24.52 грн
500+18.21 грн
1000+16.63 грн
2000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+70.03 грн
197+65.88 грн
241+53.81 грн
260+48.08 грн
500+39.03 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 60MA
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.21 грн
10+41.15 грн
25+32.22 грн
100+28.23 грн
250+26.42 грн
500+25.23 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 100mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.25 грн
12+69.22 грн
100+46.72 грн
500+34.14 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.13 грн
10+75.03 грн
25+70.58 грн
100+55.60 грн
250+47.70 грн
500+40.15 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON Semiconductor
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.72 грн
500+34.14 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 100mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.92 грн
10+62.31 грн
25+52.18 грн
100+38.59 грн
250+33.61 грн
500+30.60 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 160mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 160mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 90MA
на замовлення 19594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.79 грн
13+26.76 грн
25+21.52 грн
100+19.08 грн
250+18.17 грн
500+16.77 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV45090JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45090JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/90 mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 160mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TO-252 (DPAK)
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.51 грн
15+56.91 грн
100+44.43 грн
500+34.07 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON Semiconductor
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.80 грн
20+15.37 грн
25+13.69 грн
100+11.07 грн
250+10.22 грн
500+9.71 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiLED Lighting Driver ICs SOD 123 10MA
на замовлення 6316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.15 грн
21+15.99 грн
25+12.37 грн
100+10.69 грн
250+9.85 грн
500+9.36 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 150MA
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.40 грн
2500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.66 грн
5000+28.42 грн
12500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON Semiconductor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiLED Lighting Driver ICs DPAK 350MA
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+54.09 грн
25+42.35 грн
100+37.04 грн
250+34.31 грн
500+32.57 грн
1000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
10+65.49 грн
25+62.17 грн
100+44.80 грн
250+39.58 грн
500+37.50 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50350AST3G - LED-Treiber, AC/DC, 350mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, DO-214AB-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DO-214AB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 50V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 385mA
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Konstantstrom, linear
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.20 грн
7500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMC 350MA
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.97 грн
10+37.77 грн
25+29.49 грн
100+25.93 грн
250+24.18 грн
500+23.06 грн
1000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3G
Код товару: 131283
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
товару немає в наявності
очікується 30 шт:
30 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.67 грн
10+36.19 грн
25+32.55 грн
100+26.78 грн
250+24.98 грн
500+23.90 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50350AST3GOn SemiconductorIC CURRENT REGULATOR 10% SMC Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
12+25.44 грн
100+15.25 грн
500+13.25 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.80 грн
13+25.96 грн
100+14.40 грн
500+10.97 грн
1000+9.64 грн
3000+9.22 грн
6000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 530mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
12+26.72 грн
100+16.03 грн
500+13.93 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
6000+8.91 грн
9000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMR6T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.12 грн
10+43.08 грн
100+24.46 грн
500+18.87 грн
1000+17.19 грн
3000+14.26 грн
6000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
10+36.72 грн
100+25.41 грн
500+19.93 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.89 грн
76+9.77 грн
77+9.62 грн
79+9.12 грн
100+8.31 грн
250+7.84 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200DMTWTBGON SemiconductorPNP Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.59 грн
12+26.12 грн
100+15.63 грн
500+13.58 грн
1000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.80 грн
13+25.96 грн
100+14.40 грн
500+10.97 грн
1000+9.64 грн
3000+8.67 грн
6000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+27.04 грн
791+16.37 грн
799+16.20 грн
854+14.61 грн
1300+8.89 грн
3000+7.75 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.98 грн
26+28.97 грн
100+16.91 грн
250+15.50 грн
500+13.92 грн
1000+9.14 грн
3000+8.31 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.76 грн
10+38.09 грн
100+24.74 грн
500+19.43 грн
1000+15.02 грн
3000+13.70 грн
9000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.81 грн
10+36.57 грн
100+25.40 грн
500+18.61 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.10 грн
13+24.00 грн
100+15.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.80 грн
13+25.96 грн
100+14.40 грн
500+10.97 грн
1000+9.78 грн
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.24 грн
10+35.28 грн
100+24.53 грн
500+17.97 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+39.46 грн
100+24.39 грн
500+18.80 грн
1000+16.21 грн
2000+15.02 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.12 грн
8000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.47 грн
11+30.38 грн
100+17.82 грн
500+15.02 грн
1000+13.98 грн
2000+13.00 грн
4000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.53 грн
10+41.94 грн
100+32.12 грн
500+23.83 грн
1000+19.07 грн
2000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.24 грн
10+35.88 грн
100+24.86 грн
500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 155832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.34 грн
10+36.81 грн
100+22.64 грн
500+18.59 грн
1000+14.82 грн
2000+12.51 грн
5000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.53 грн
17+48.35 грн
100+31.55 грн
500+22.64 грн
1000+18.80 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.55 грн
500+22.64 грн
1000+18.80 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.24 грн
10+36.04 грн
100+24.95 грн
500+19.57 грн
1000+16.65 грн
2000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.41 грн
8000+14.97 грн
12000+13.86 грн
28000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.19 грн
11+29.41 грн
100+18.66 грн
500+15.72 грн
1000+14.75 грн
2000+13.91 грн
4000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
10+41.64 грн
100+27.19 грн
500+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 300mV; 3A; 720mW; SOT223; 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 300mV
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 1000pcs.
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 220
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 110MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.76 грн
100+25.51 грн
500+19.64 грн
1000+16.00 грн
2000+14.68 грн
5000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.71 грн
2000+17.30 грн
3000+16.44 грн
5000+14.53 грн
7000+13.99 грн
10000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA235(MPS-F-7217
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278JRCSMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278-903MHZ
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278903MHZ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279JRCSMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279927MHZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA391
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531/886.0/931.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543(1765MHZ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543-1765MHZJRC3X3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 COMPLEMENTARY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 2273
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2147+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 2147
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.25 грн
10+32.33 грн
100+20.78 грн
500+14.83 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.16 грн
12+28.61 грн
100+17.26 грн
500+13.49 грн
1000+10.97 грн
3000+9.64 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
6000+11.13 грн
9000+10.61 грн
15000+9.40 грн
21000+9.07 грн
30000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4873+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 4873
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
12+27.48 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
29+10.67 грн
33+9.45 грн
100+7.59 грн
250+6.99 грн
500+6.62 грн
1000+6.21 грн
2500+5.90 грн
5000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
28+11.57 грн
100+7.62 грн
500+6.71 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
29+10.67 грн
33+9.45 грн
100+7.59 грн
250+6.99 грн
500+6.62 грн
1000+6.21 грн
2500+5.90 грн
5000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
28+11.57 грн
100+7.62 грн
500+6.71 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
29+10.67 грн
33+9.45 грн
100+7.59 грн
250+6.99 грн
500+6.62 грн
1000+6.21 грн
2500+5.90 грн
5000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.83 грн
15+22.90 грн
100+13.07 грн
500+9.57 грн
1000+8.74 грн
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.58 грн
100+13.70 грн
500+9.67 грн
1000+8.64 грн
2000+7.77 грн
5000+6.72 грн
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.83 грн
15+22.90 грн
100+12.65 грн
500+9.57 грн
1000+7.69 грн
3000+6.64 грн
9000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
14+22.41 грн
100+11.31 грн
500+8.66 грн
1000+6.43 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.98 грн
8000+5.51 грн
12000+4.76 грн
28000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
12+27.48 грн
100+17.61 грн
500+11.81 грн
1000+9.01 грн
2000+5.38 грн
4000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
32+10.21 грн
100+7.06 грн
500+6.64 грн
1000+6.01 грн
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.58 грн
100+13.70 грн
500+9.67 грн
1000+8.64 грн
2000+7.77 грн
5000+6.72 грн
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
77+3.94 грн
100+3.35 грн
500+2.27 грн
1000+1.81 грн
2000+1.62 грн
5000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75V SWITCH DIODE SS SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
10+32.61 грн
14+23.15 грн
100+8.88 грн
1000+6.15 грн
2500+5.87 грн
10000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.02 грн
42+7.72 грн
100+4.19 грн
500+3.07 грн
1000+2.73 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.36 грн
39+7.80 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC75; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
Max. forward voltage: 1V
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 6ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 3ns; SC88; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC88
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.23 грн
25+12.42 грн
100+7.76 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC88 SWITCHING DIODE
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.66 грн
18+18.00 грн
100+9.92 грн
500+6.15 грн
1000+4.54 грн
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT1G
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
10+35.06 грн
13+26.28 грн
100+12.93 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
66+4.62 грн
100+4.41 грн
500+2.49 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.38 грн
122+6.69 грн
256+3.19 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes Switching Diode, High Voltage 120 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+7.01 грн
73+4.42 грн
100+3.28 грн
500+2.24 грн
1000+1.96 грн
3000+1.61 грн
6000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
48+6.36 грн
100+3.91 грн
500+2.66 грн
1000+2.33 грн
2000+2.05 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GON Semiconductor
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
6000+1.90 грн
9000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SOD323 SWCH DIO 250V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.52 грн
46+6.99 грн
100+4.96 грн
500+3.63 грн
1000+3.21 грн
3000+1.96 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.22 грн
46+6.59 грн
100+5.41 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.74 грн
104+7.88 грн
126+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1onsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1 - DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.38 грн
131+6.23 грн
250+3.42 грн
1000+2.60 грн
5000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.36 грн
39+7.95 грн
100+4.91 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.42 грн
1000+2.60 грн
5000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 29385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.29 грн
53+6.11 грн
100+4.68 грн
500+3.42 грн
1000+2.66 грн
3000+1.75 грн
6000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 52311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+7.34 грн
109+2.97 грн
138+2.03 грн
1000+1.82 грн
2500+1.61 грн
10000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
98+3.10 грн
123+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+10.98 грн
100+6.87 грн
500+4.73 грн
1000+4.18 грн
2000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.54 грн
15+22.18 грн
100+10.27 грн
500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5GONN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 225MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.06 грн
17+19.69 грн
100+7.55 грн
1000+5.80 грн
3000+4.47 грн
9000+3.91 грн
24000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 225MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.15 грн
37+8.25 грн
100+5.08 грн
500+3.47 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes TRIPLE HIGH VTG SWITCH
на замовлення 656652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
29+11.17 грн
100+7.90 грн
500+5.80 грн
1000+5.17 грн
3000+4.26 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.37 грн
22+14.38 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.04 грн
71+11.50 грн
100+9.29 грн
500+5.87 грн
1000+4.64 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.43 грн
74+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SC74; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.87 грн
1000+4.64 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.37 грн
22+14.38 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SC74; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GonsemiSmall Signal Switching Diodes TRIPLE HIGH VOLTAGE
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
29+11.17 грн
100+7.90 грн
500+5.80 грн
1000+4.96 грн
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 250V SW DIODE IN SOD523
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.01 грн
22+14.95 грн
100+5.31 грн
1000+3.28 грн
2500+3.00 грн
8000+2.38 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
42+7.34 грн
100+4.94 грн
500+3.38 грн
1000+2.48 грн
2000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1onsemiDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.07A
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3249+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3249
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS70LT1 - NSVBAS70LT1, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GON Semiconductor
на замовлення 54970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHTKY DIODE
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.66 грн
14+23.15 грн
100+14.19 грн
500+11.04 грн
1000+8.25 грн
3000+6.85 грн
9000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS70LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT233
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2141+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 2141
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH16MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 100V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 8724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.80 грн
15+22.34 грн
100+9.78 грн
1000+5.94 грн
2500+4.96 грн
8000+4.12 грн
24000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 250V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.05 грн
23+14.22 грн
100+5.73 грн
1000+4.61 грн
3000+3.77 грн
9000+3.21 грн
24000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.59 грн
23+13.32 грн
100+7.32 грн
500+5.75 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
6000+3.78 грн
9000+3.66 грн
15000+3.27 грн
21000+3.23 грн
30000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH19MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.78 грн
19+17.36 грн
100+9.50 грн
500+7.06 грн
1000+5.66 грн
5000+4.26 грн
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.03 грн
19+17.04 грн
100+6.08 грн
1000+4.47 грн
3000+3.63 грн
9000+3.14 грн
24000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
14+23.24 грн
25+20.35 грн
100+10.92 грн
250+10.24 грн
500+8.19 грн
1000+6.18 грн
2500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.44 грн
16000+4.65 грн
24000+4.36 грн
56000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 200V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
23+14.30 грн
100+8.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.24 грн
2500+5.17 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR-175DEGC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDescription: HIGH VOLT DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiSmall Signal Switching Diodes High Voltage Switching Diode Series, +175C 250V, Switching Diode, Automotive
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
23+14.30 грн
100+8.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.24 грн
2500+5.17 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 0.2A X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.09 грн
23+13.55 грн
100+9.56 грн
500+6.67 грн
1000+5.77 грн
2000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH21MX2WT5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 250V 0.2A X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1ONSOD323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
49+6.21 грн
100+3.82 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.96 грн
1000+2.12 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY DIODE
на замовлення 99750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.78 грн
64+5.06 грн
100+3.49 грн
500+2.52 грн
1000+2.24 грн
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.25 грн
90+4.71 грн
108+3.90 грн
139+3.03 грн
500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 83460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+7.97 грн
190+4.30 грн
201+4.07 грн
500+2.96 грн
1000+2.12 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 56884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.90 грн
48+6.83 грн
100+4.54 грн
500+4.26 грн
1000+4.19 грн
3000+2.73 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
45+6.81 грн
100+6.55 грн
500+4.40 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54LT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
48+6.36 грн
100+4.53 грн
500+3.10 грн
1000+2.43 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54M3T5GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 200 mA, 30 V, Schottky Barrier Diode
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.90 грн
49+6.67 грн
100+4.19 грн
500+3.07 грн
1000+2.17 грн
5000+1.82 грн
8000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 137676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.23 грн
3000+9.06 грн
6000+7.94 грн
12000+7.29 грн
18000+6.49 грн
30000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GOn SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
6000+8.64 грн
9000+8.42 грн
12000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.55 грн
29+25.72 грн
30+25.47 грн
100+12.27 грн
250+11.24 грн
500+9.97 грн
1000+9.69 грн
3000+9.42 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.77 грн
26+12.54 грн
100+6.64 грн
500+4.82 грн
1000+4.19 грн
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 137676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1356+9.55 грн
3000+8.45 грн
6000+7.41 грн
12000+6.80 грн
18000+6.06 грн
30000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 1356
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70,SOT323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 19690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
33+9.31 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+23.77 грн
1090+11.88 грн
1102+11.75 грн
1192+10.47 грн
1226+9.42 грн
3000+8.79 грн
6000+8.52 грн
15000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70,SOT323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.78 грн
46+6.99 грн
100+5.94 грн
500+4.47 грн
1000+3.70 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARR GP 250V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.30 грн
25+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes DUAL CPR CMDTY PBF
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
28+11.57 грн
100+7.69 грн
500+5.73 грн
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARR GP 250V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV23CLT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.4A; 150ns; SOT23; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.4A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT563 SWITCH DIO
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
14+24.43 грн
100+14.47 грн
500+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDescription: NSVBAV70D - SWITCHING DIODE, QUA
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV70TT1 - BAV70T - DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1onsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3620
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.36 грн
38+8.02 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC75 DUAL DIO 70V
на замовлення 56620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+9.54 грн
52+6.19 грн
100+4.54 грн
500+3.28 грн
1000+2.80 грн
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes DUAL SWITCHING DIODE
на замовлення 10031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.41 грн
32+10.05 грн
100+5.45 грн
500+3.49 грн
1000+2.59 грн
5000+2.17 грн
10000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.51 грн
32+9.61 грн
100+5.99 грн
500+4.12 грн
1000+3.63 грн
2000+3.21 грн
5000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.36 грн
1000+3.49 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.02 грн
77+10.68 грн
123+6.66 грн
500+4.36 грн
1000+3.49 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
32+9.46 грн
100+5.88 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
2000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV99WT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 DUAL DIODE T
на замовлення 10408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.14 грн
35+9.40 грн
100+5.10 грн
500+3.63 грн
1000+2.66 грн
5000+2.31 грн
10000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.51 грн
29+10.52 грн
100+8.44 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAWH56WT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 70V TR-175DEGC
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
29+11.09 грн
100+7.83 грн
500+5.80 грн
1000+4.96 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
20+16.47 грн
100+9.01 грн
500+6.71 грн
1000+5.94 грн
2000+5.38 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.52 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
2000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.60 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.27 грн
100+13.53 грн
500+9.55 грн
1000+8.53 грн
2000+7.67 грн
5000+6.63 грн
10000+6.07 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 103540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.52 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
2000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.56 грн
13+26.76 грн
100+14.75 грн
500+9.22 грн
1000+8.04 грн
2000+7.06 грн
4000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.40 грн
8000+4.71 грн
12000+4.47 грн
20000+3.93 грн
28000+3.78 грн
40000+3.63 грн
100000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
15+20.97 грн
100+13.33 грн
500+9.41 грн
1000+8.40 грн
2000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
20+15.29 грн
100+9.61 грн
500+6.72 грн
1000+5.97 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS RSTR XSTR TR
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
20+16.47 грн
100+9.01 грн
500+6.71 грн
1000+5.94 грн
2000+5.73 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65G
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YPDXV65G - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4537
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.54 грн
22+14.95 грн
100+8.18 грн
500+6.08 грн
1000+5.24 грн
2000+4.68 грн
4000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.59 грн
22+14.08 грн
100+8.83 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
2000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.30 грн
12+27.48 грн
100+22.08 грн
500+13.98 грн
1000+12.23 грн
2000+10.69 грн
4000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JDXV6T5GonsemiDescription: SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC123JPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 SRF MT RST XSTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
12+27.48 грн
500+20.89 грн
1000+18.31 грн
2000+9.22 грн
4000+5.17 грн
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.60 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.27 грн
100+13.53 грн
500+9.55 грн
1000+8.53 грн
2000+7.67 грн
5000+6.63 грн
10000+6.07 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.40 грн
8000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
20+16.47 грн
100+9.01 грн
500+6.71 грн
1000+5.94 грн
2000+5.38 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.52 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
2000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUALL 22/ 47
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 COMPLEMENTARY 22/47
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC143TPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.60 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.00 грн
6000+7.01 грн
9000+6.66 грн
15000+5.87 грн
21000+5.65 грн
30000+5.44 грн
75000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.27 грн
100+13.53 грн
500+9.55 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.52 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
2000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
20+16.47 грн
100+9.01 грн
500+6.71 грн
1000+5.94 грн
2000+5.38 грн
4000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.60 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.27 грн
100+13.53 грн
500+9.55 грн
1000+8.53 грн
2000+7.67 грн
5000+6.63 грн
10000+6.07 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
17+19.77 грн
100+10.83 грн
500+7.97 грн
1000+6.15 грн
2000+5.38 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.93 грн
21+15.75 грн
100+8.60 грн
500+6.43 грн
1000+5.66 грн
2000+4.96 грн
4000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.16 грн
21+14.84 грн
100+9.32 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
2000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.16 грн
15+21.27 грн
100+13.53 грн
500+9.55 грн
1000+8.53 грн
2000+7.67 грн
5000+6.63 грн
10000+6.07 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.60 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.52 грн
100+9.76 грн
500+6.81 грн
1000+6.06 грн
2000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC144EPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.19 грн
99+8.32 грн
152+5.39 грн
500+3.33 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 10392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.64 грн
44+7.39 грн
100+4.68 грн
500+2.94 грн
1000+2.59 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.24 грн
39+19.45 грн
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.11 грн
1000+3.12 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.71 грн
1000+2.87 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.47 грн
81+9.18 грн
82+9.03 грн
169+4.23 грн
250+3.88 грн
500+3.69 грн
1000+3.67 грн
3000+3.65 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDigital Transistors SS SC70 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.76 грн
37+8.84 грн
100+4.82 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.10 грн
49+15.14 грн
50+14.35 грн
100+6.76 грн
250+6.21 грн
500+6.04 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON Semiconductor
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3158+4.10 грн
3192+4.05 грн
3219+4.02 грн
3240+3.85 грн
3254+3.55 грн
6000+3.39 грн
15000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3158
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
6000+3.38 грн
9000+3.19 грн
15000+2.79 грн
21000+2.66 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC818-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 50V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.81 грн
17+19.77 грн
500+13.28 грн
1000+9.85 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 15332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.44 грн
26+11.96 грн
100+7.49 грн
500+5.18 грн
1000+4.58 грн
2000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.91 грн
1000+3.56 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XSTR NPN
на замовлення 21279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
27+12.05 грн
100+6.57 грн
500+4.82 грн
1000+3.77 грн
5000+3.70 грн
8000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.51 грн
71+11.50 грн
114+7.21 грн
500+4.91 грн
1000+3.56 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
28+11.65 грн
100+6.36 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.65 грн
27+11.28 грн
100+7.00 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1570+8.24 грн
1584+8.17 грн
2404+5.38 грн
2947+4.23 грн
3125+3.70 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1570
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.27 грн
500+7.08 грн
1000+5.18 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.95 грн
51+14.69 грн
100+8.01 грн
500+5.14 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+7.48 грн
2600+4.98 грн
3572+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.37 грн
22+14.16 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.46 грн
2000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.90 грн
30+24.97 грн
100+13.62 грн
500+8.74 грн
1000+5.63 грн
2500+4.86 грн
10000+4.28 грн
20000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.81 грн
23+14.30 грн
100+7.83 грн
500+5.80 грн
1000+4.61 грн
5000+3.98 грн
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.07 грн
50+16.47 грн
100+10.27 грн
500+7.08 грн
1000+5.18 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.02 грн
46+16.23 грн
47+16.06 грн
100+8.52 грн
250+7.81 грн
500+4.94 грн
1000+4.03 грн
3000+3.80 грн
6000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN
на замовлення 10180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.42 грн
24+13.66 грн
100+7.55 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.80 грн
23+13.48 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.76 грн
38+8.68 грн
100+4.68 грн
500+3.42 грн
1000+3.00 грн
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
36+8.55 грн
100+5.29 грн
500+3.63 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.92 грн
123+6.64 грн
198+4.13 грн
500+2.76 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 13424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.52 грн
52+6.19 грн
100+3.35 грн
500+2.45 грн
1000+2.17 грн
3000+1.61 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.92 грн
123+6.64 грн
198+4.13 грн
500+2.76 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 112391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.22 грн
53+5.75 грн
100+3.57 грн
500+2.42 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC849BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 113880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+11.20 грн
100+6.96 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 8305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.91 грн
29+11.33 грн
100+6.15 грн
500+4.54 грн
1000+4.05 грн
3000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.68 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.91 грн
29+11.41 грн
100+6.22 грн
500+4.54 грн
1000+4.05 грн
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.65 грн
27+11.28 грн
100+7.00 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XSTR PNP
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
27+12.05 грн
100+6.57 грн
500+4.82 грн
1000+3.77 грн
5000+3.42 грн
8000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.65 грн
26+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.44 грн
25+12.19 грн
100+7.61 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
2000+4.15 грн
5000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857BLT3G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 213977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 17971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.30 грн
26+12.38 грн
100+6.71 грн
500+4.96 грн
1000+3.91 грн
5000+3.42 грн
10000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 220...475
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR PNP
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.42 грн
24+13.66 грн
100+7.55 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
3000+4.05 грн
6000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.64 грн
39+8.44 грн
100+4.68 грн
500+2.94 грн
1000+2.59 грн
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M01onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC857CWT1G-M02onsemiDescription: TRANS 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC858AWT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SC70
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 11344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.41 грн
23+14.06 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.90 грн
45+7.15 грн
100+4.54 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 9137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.52 грн
50+6.43 грн
100+3.49 грн
500+2.66 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
42+7.27 грн
100+4.46 грн
500+3.04 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.44 грн
26+12.04 грн
100+7.53 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.15 грн
20+16.80 грн
100+8.32 грн
500+5.59 грн
1000+4.54 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.01 грн
21+15.07 грн
100+7.72 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.15 грн
20+16.80 грн
100+8.32 грн
500+5.59 грн
1000+4.54 грн
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GON Semiconductor
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53-16T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR PNP 80V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.20 грн
11+30.94 грн
100+17.33 грн
500+14.75 грн
1000+12.65 грн
4000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
16+20.09 грн
100+13.98 грн
500+13.49 грн
1000+13.35 грн
3000+12.65 грн
6000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5316MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5316MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.83 грн
10+34.48 грн
100+19.57 грн
500+15.02 грн
1000+13.21 грн
3000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NPN 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5610MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
10+30.43 грн
100+19.64 грн
500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5610MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.32 грн
10+32.71 грн
100+18.38 грн
500+13.98 грн
1000+12.58 грн
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5616MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V,1A, NPN,WDFNW3 2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.00 грн
10+41.07 грн
100+24.81 грн
500+21.73 грн
1000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.74 грн
14+22.26 грн
100+14.16 грн
500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.51 грн
500+9.36 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.32 грн
2000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW32LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW32LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW32LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 29664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.82 грн
100+9.95 грн
500+6.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
6000+5.01 грн
9000+4.74 грн
15000+4.16 грн
21000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP
на замовлення 30558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.81 грн
23+14.06 грн
100+7.97 грн
500+6.08 грн
1000+5.66 грн
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
20+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.66 грн
20+16.23 грн
100+9.22 грн
500+7.76 грн
1000+6.08 грн
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.88 грн
19+17.04 грн
100+9.29 грн
500+6.92 грн
1000+6.15 грн
3000+5.45 грн
6000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.59 грн
22+14.16 грн
100+8.88 грн
500+6.19 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.27 грн
22+15.27 грн
100+8.39 грн
500+6.22 грн
1000+5.45 грн
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBT2222ADW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 20 MA 15% CCR
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.32 грн
14+23.95 грн
25+18.66 грн
100+16.21 грн
250+15.02 грн
500+14.40 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.54 грн
10+41.64 грн
25+34.55 грн
100+24.90 грн
250+21.19 грн
500+18.92 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.54 грн
5000+14.58 грн
7500+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.54 грн
5000+14.58 грн
7500+13.89 грн
12500+12.31 грн
17500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 38853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.32 грн
14+23.95 грн
25+18.66 грн
100+16.21 грн
250+15.02 грн
500+14.40 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 30mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.54 грн
10+41.64 грн
25+34.55 грн
100+24.90 грн
250+21.19 грн
500+18.92 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GON SemiconductorLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2030JBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 50mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.54 грн
10+41.64 грн
25+34.55 грн
100+24.90 грн
250+21.19 грн
500+18.92 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVC2050JBT3GonsemiLED Lighting Driver ICs SMB 50 MA 15% CCR
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.82 грн
10+38.01 грн
25+28.58 грн
100+23.34 грн
250+19.29 грн
1000+18.03 грн
2500+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD070ALT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOT23 DUAL DIO 70V TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.21 грн
39+8.44 грн
100+3.28 грн
1000+2.94 грн
3000+2.03 грн
9000+1.68 грн
24000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD2004ML2T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD2004ML2T1/
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD350HT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 3
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD350HT1GON SemiconductorDescription: DIODE SWITCHING 350V SOD323
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.02 грн
500+37.55 грн
1000+29.70 грн
2500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.82 грн
11+79.65 грн
100+52.02 грн
500+37.55 грн
1000+29.70 грн
2500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.11 грн
10+43.15 грн
25+38.88 грн
100+32.08 грн
250+29.98 грн
500+28.71 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GON Semiconductor
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiLED Lighting Driver ICs MI SO8 60V LED DRVR TR
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.10 грн
10+44.44 грн
25+30.54 грн
100+28.72 грн
250+27.95 грн
500+26.00 грн
1000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.54 грн
5000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SOT416; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Type of diode: switching
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 80V
Features of semiconductor devices: small signal
Reverse recovery time: 4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.30 грн
28+11.05 грн
100+6.79 грн
500+5.57 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAN222T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 80 V Dual Common Cathode Switching Diode
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.15 грн
17+20.01 грн
100+9.85 грн
500+6.57 грн
1000+5.03 грн
3000+3.91 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE (DUA
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiPIN Diodes Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch Automotive part
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.68 грн
13+25.40 грн
100+14.40 грн
500+10.97 грн
1000+8.81 грн
2500+8.74 грн
5000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GON SemiconductorPIN Diode Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiDescription: RF DIODE PIN 80V 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.33pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Current - Max: 100 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
12+26.04 грн
100+16.67 грн
500+11.82 грн
1000+10.59 грн
2000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GON SemiconductorPIN Diode Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDP301MX2WT5GonsemiDescription: RF DIODE PIN 80V 2X3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.33pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.3Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Current - Max: 100 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.91 грн
28+11.89 грн
100+6.50 грн
500+4.75 грн
1000+3.63 грн
2500+3.21 грн
5000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.08 грн
29+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
2000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.59 грн
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
41+7.49 грн
100+4.65 грн
500+3.18 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.51 грн
32+9.61 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
2000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
32+10.21 грн
100+5.59 грн
500+4.05 грн
1000+3.21 грн
5000+2.87 грн
8000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+11.20 грн
100+6.99 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
2000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT-723 BIAS RESISTO
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.53 грн
31+10.53 грн
100+5.80 грн
500+4.75 грн
1000+3.70 грн
2500+3.49 грн
8000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.80 грн
3000+2.24 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
41+7.42 грн
100+4.63 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+2.18 грн
9000+2.04 грн
15000+1.78 грн
21000+1.69 грн
30000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.06 грн
16000+3.24 грн
24000+3.18 грн
56000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723BR XSTR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7672+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 7672
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
18+17.19 грн
100+8.39 грн
500+6.57 грн
1000+4.56 грн
2000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA143EM3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143EM3T5GonsemiDigital Transistors BIAS RESISTOR TRANSISTO
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.48 грн
5000+23.41 грн
8000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
41+7.49 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA143ZET1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.80 грн
3000+2.24 грн
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
6000+2.20 грн
9000+2.06 грн
15000+1.79 грн
21000+1.71 грн
30000+1.62 грн
75000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR PNP
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.80 грн
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
41+7.49 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC113EM3T5GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GONN
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+11.13 грн
100+6.96 грн
500+4.81 грн
1000+4.25 грн
2000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.31 грн
18+18.48 грн
100+5.94 грн
1000+3.63 грн
2500+3.56 грн
8000+2.80 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.80 грн
32+10.21 грн
100+5.59 грн
500+4.05 грн
1000+3.21 грн
5000+3.14 грн
8000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
32+9.46 грн
100+5.88 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
2000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
42+7.34 грн
100+4.57 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDigital Transistors SMALL SIGNAL BIAS RE
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.80 грн
3000+2.24 грн
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.33 грн
16000+2.91 грн
24000+2.76 грн
40000+2.43 грн
56000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+10.98 грн
100+6.86 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
2000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JM3T5GonsemiDigital Transistors SOT-723BIAS RESISTOR
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
28+11.89 грн
100+6.50 грн
500+4.61 грн
1000+3.56 грн
2500+3.35 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4226+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 4226
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDigital Transistors SS SC75 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.29 грн
41+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.80 грн
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
41+7.42 грн
100+4.59 грн
500+3.13 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+11.05 грн
100+6.89 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
28+11.89 грн
100+6.50 грн
500+4.75 грн
1000+3.77 грн
5000+3.28 грн
8000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.87 грн
28+11.13 грн
100+6.96 грн
500+4.81 грн
1000+4.25 грн
2000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT723 BR XSTR NP
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.65 грн
28+11.89 грн
100+6.50 грн
500+4.75 грн
1000+3.77 грн
5000+3.70 грн
8000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIASED RESISTOR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144TM3T5GonsemiDigital Transistors SOT723 BIASED RESISTOR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Transistor
на замовлення 11887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: NSVDTC144 - BIAS RESISTOR TRANSI
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC144WET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTC144WET1G - RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SC-75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
13+24.53 грн
100+15.61 грн
500+11.03 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.20 грн
13+26.12 грн
100+15.44 грн
500+11.60 грн
1000+8.74 грн
4000+7.41 грн
8000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUL BRT TR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.45 грн
13+24.00 грн
100+16.35 грн
500+11.51 грн
1000+8.63 грн
2000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GRochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
15+22.50 грн
100+12.51 грн
500+9.36 грн
1000+8.39 грн
2000+7.55 грн
4000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 63945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.10 грн
13+23.70 грн
100+15.04 грн
500+10.62 грн
1000+9.49 грн
2000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.55 грн
8000+7.52 грн
12000+7.15 грн
20000+6.32 грн
28000+6.09 грн
40000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 882
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 691-700 дні (днів)
6+61.96 грн
10+54.41 грн
100+37.39 грн
250+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 3.5V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
18+17.03 грн
25+15.20 грн
100+12.32 грн
250+11.39 грн
500+10.83 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.91 грн
11+30.86 грн
100+19.15 грн
500+16.28 грн
1000+14.47 грн
3000+11.46 грн
9000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.36 грн
12+28.53 грн
100+19.15 грн
500+16.63 грн
1000+13.49 грн
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.25 грн
500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.09 грн
16+19.46 грн
25+17.29 грн
100+14.07 грн
250+13.04 грн
500+12.41 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.13 грн
41+20.06 грн
100+15.25 грн
500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.70 грн
500+19.08 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.70 грн
10+37.05 грн
100+25.72 грн
250+25.02 грн
500+20.82 грн
1000+16.63 грн
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.93 грн
23+36.20 грн
100+24.70 грн
500+19.08 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.97 грн
38+19.87 грн
100+17.70 грн
250+16.23 грн
500+14.68 грн
1000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+14.91 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.65 грн
38+21.85 грн
100+17.61 грн
500+14.91 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.23 грн
14+22.11 грн
25+19.74 грн
100+16.09 грн
250+14.93 грн
500+14.23 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
10+38.09 грн
100+22.43 грн
500+20.06 грн
1000+16.91 грн
3000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.28 грн
11+31.66 грн
100+18.94 грн
500+16.84 грн
1000+13.70 грн
2500+12.44 грн
8000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.23 грн
38+21.61 грн
100+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
на замовлення 13603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.69 грн
11+30.86 грн
100+20.96 грн
500+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.91 грн
42+19.49 грн
100+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.52 грн
10+31.80 грн
25+29.65 грн
100+22.27 грн
250+20.68 грн
500+17.50 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.64 грн
27+28.42 грн
100+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.44 грн
52+15.74 грн
100+12.56 грн
500+10.14 грн
1000+9.01 грн
5000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
11+28.24 грн
25+26.32 грн
100+19.75 грн
250+18.34 грн
500+15.52 грн
1000+11.80 грн
2500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.42 грн
20+16.15 грн
100+11.18 грн
500+10.62 грн
1000+10.20 грн
2500+10.13 грн
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.07 грн
500+15.22 грн
1000+11.04 грн
5000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.51 грн
10+39.86 грн
100+25.58 грн
500+21.59 грн
1000+17.89 грн
3000+16.14 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.38 грн
10+39.59 грн
25+37.22 грн
100+28.49 грн
250+26.46 грн
500+22.52 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.58 грн
500+20.52 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.71 грн
24+35.30 грн
100+26.58 грн
500+20.52 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.12 грн
10+49.21 грн
25+40.91 грн
100+29.56 грн
250+25.21 грн
500+22.54 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.61 грн
14+24.43 грн
100+17.19 грн
500+15.30 грн
1000+14.47 грн
3000+14.40 грн
24000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiRF Bipolar Transistors FSB560A-SN00165
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.61 грн
10+40.74 грн
100+23.13 грн
500+17.82 грн
1000+16.07 грн
3000+13.98 грн
6000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.61 грн
10+40.50 грн
100+26.38 грн
500+19.04 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GONSEMICategory: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 0.1÷3.6GHz; Ch: 1; 2.7÷3.3VDC; MCPH6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 0.1...3.6GHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...3.3V DC
Case: MCPH6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.81 грн
10+37.47 грн
25+35.25 грн
100+25.08 грн
250+21.34 грн
500+20.28 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC, AMPLIFIER, 3 V, 6 MA, 0.1 TO 2.8 GHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.44 грн
13+25.40 грн
25+19.71 грн
100+17.12 грн
250+15.93 грн
500+15.23 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.59 грн
13+23.62 грн
25+21.08 грн
100+17.21 грн
250+15.98 грн
500+15.24 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GONN
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.59 грн
15+20.29 грн
100+12.85 грн
500+9.03 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
16+20.33 грн
100+11.18 грн
500+8.39 грн
1000+7.48 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
6000+14.47 грн
9000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.14 грн
500+17.26 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+37.93 грн
100+22.36 грн
500+18.10 грн
1000+16.07 грн
3000+14.26 грн
6000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+29.39 грн
558+23.19 грн
564+22.96 грн
621+20.11 грн
1000+16.79 грн
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 441
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.69 грн
33+24.95 грн
100+20.14 грн
500+17.26 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.84 грн
23+32.57 грн
25+31.49 грн
100+23.96 грн
250+21.96 грн
500+19.15 грн
1000+17.27 грн
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.31 грн
12+26.42 грн
100+20.08 грн
500+17.26 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
10+35.52 грн
100+22.22 грн
500+17.33 грн
1000+14.12 грн
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.31 грн
11+27.71 грн
100+20.70 грн
500+16.21 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
6000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.71 грн
500+14.61 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
29+28.54 грн
100+20.71 грн
500+14.61 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3onsemi NCH J-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.03 грн
50+46.31 грн
100+30.82 грн
500+22.03 грн
1500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, -25 V, 20 to 40 mA, 40 mS
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.81 грн
10+35.20 грн
100+20.82 грн
500+17.82 грн
1000+15.79 грн
3000+13.00 грн
6000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.11 грн
10+39.37 грн
100+26.28 грн
500+19.54 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
6000+14.96 грн
9000+14.43 грн
15000+13.31 грн
21000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.93 грн
100+31.31 грн
500+25.82 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.