Продукція > NSV

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Part Status: Active
Type: Battery
Voltage: 12
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Power - Max: 740 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 86998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.16 грн
100+37.03 грн
500+27.03 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Power - Max: 740 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.66 грн
6000+21.09 грн
9000+20.23 грн
15000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.80 грн
100+22.43 грн
500+16.06 грн
1000+14.45 грн
2000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.80 грн
6000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.27 грн
100+22.09 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.33 грн
2000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+37.89 грн
100+26.30 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.66 грн
6000+12.49 грн
9000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+33.36 грн
100+23.19 грн
500+16.99 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.83 грн
100+23.94 грн
500+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.22 грн
2000+15.07 грн
3000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.44 грн
2000+22.03 грн
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.58 грн
2000+22.15 грн
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON-SemiconductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A, NPN Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.06 грн
100+32.30 грн
500+23.55 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.04 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.55 грн
43+17.72 грн
44+17.54 грн
100+10.72 грн
250+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+10.56 грн
100+7.62 грн
156+4.85 грн
500+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5918+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 5918 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2145593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3555+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWDI 100V TR
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.94 грн
100+9.36 грн
500+6.51 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 158765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35715+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 35715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T1GOn SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
20+15.10 грн
100+9.46 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
2000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOD523 SWDI 100V TR
на замовлення 8512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.46 грн
100+62.56 грн
500+46.70 грн
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Frequency: 155MHz
Polarisation: bipolar
Transistor: PNP x2
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 100
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+29.29 грн
100+20.33 грн
500+14.90 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
6000+10.95 грн
9000+10.17 грн
30000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+29.29 грн
100+20.33 грн
500+14.90 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Power - Max: 265 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.93 грн
100+7.43 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT723
Transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GON Semiconductor
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Power - Max: 265 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 27985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.80 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
2000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]