Продукція > SiA

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-200U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U010S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-400U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-4040AI5S-1

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-812S-1

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-LT1121C5S-1

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA-MA001S-1

на замовлення 601 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0051X

SOP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0241A01-10

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0291X01-A0

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426C01-SO

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426C02-SO

SAMSUNG

09+ SOP28

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0426CO1-SO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-D0

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-DO

SAMSUNG

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0427B01-DO

SIP

2001

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0501X01-SO

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0686X01-AO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0902X01-AO

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0902X01-AOBO

на замовлення 4217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-007

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-EORO

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA0903X01-QO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA1000T

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA1000T

SILICON

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.88 грн
50+	63.32 грн
100+	42.41 грн
500+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 10023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.32 грн
10+	58.09 грн
100+	38.33 грн
500+	28.00 грн
1000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.41 грн
500+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 63141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.76 грн
10+	59.01 грн
100+	35.62 грн
500+	29.73 грн
1000+	25.28 грн
3000+	22.49 грн
6000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.53 грн
6000+	21.87 грн
9000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.69 грн
6000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.35 грн
10+	68.30 грн
100+	45.50 грн
500+	35.99 грн
1000+	28.83 грн
3000+	26.03 грн
6000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.57 грн
500+	23.42 грн
1000+	19.81 грн
5000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.83 грн
10+	60.68 грн
100+	46.53 грн
500+	34.51 грн
1000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.56 грн
19+	45.63 грн
100+	31.57 грн
500+	23.42 грн
1000+	19.81 грн
5000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.86 грн
10+	62.57 грн
100+	41.65 грн
500+	32.75 грн
1000+	29.81 грн
3000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.01 грн
10+	67.36 грн
100+	44.70 грн
500+	32.83 грн
1000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA110DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 31630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.51 грн
13+	69.33 грн
100+	46.81 грн
500+	32.46 грн
1000+	27.28 грн
5000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.88 грн
500+	23.74 грн
1000+	19.59 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V

на замовлення 10935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.52 грн
10+	48.77 грн
100+	28.90 грн
500+	24.22 грн
1000+	21.20 грн
3000+	17.88 грн
6000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

на замовлення 5339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.76 грн
17+	51.72 грн
100+	34.88 грн
500+	23.74 грн
1000+	19.59 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA112LDJ-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA1514-C

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-D0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-D0B0

на замовлення 756 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01-DO

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2206D01HO

N/A

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2220X01-IO

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2221A01-10

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2221A02-10

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2268

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2284A01-10

на замовлення 487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2297B

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA2297B01

SAMSUNG

02+

на замовлення 7105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA3223-1R0M

на замовлення 3816 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 149957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.57 грн
10+	41.50 грн
100+	26.90 грн
500+	19.36 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	15.08 грн
817+	14.99 грн
976+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.65 грн
6000+	14.74 грн
9000+	14.08 грн
15000+	12.52 грн
21000+	12.11 грн
30000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.57 грн
21+	41.23 грн
100+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	22.71 грн
31+	19.59 грн
32+	19.42 грн
100+	16.03 грн
250+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 23688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.49 грн
12+	30.55 грн
100+	19.17 грн
500+	16.45 грн
1000+	15.47 грн
3000+	12.68 грн
9000+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA402A

на замовлення 472 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.65 грн
10+	68.39 грн
100+	45.41 грн
500+	33.35 грн
1000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA413ADJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

на замовлення 27540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	55.11 грн
100+	37.65 грн
500+	35.09 грн
1000+	28.22 грн
3000+	26.71 грн
6000+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 159622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.46 грн
10+	69.17 грн
100+	45.94 грн
500+	33.76 грн
1000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.61 грн
21+	29.76 грн
25+	29.64 грн
100+	26.84 грн
250+	24.60 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 17033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.53 грн
10+	36.55 грн
100+	28.42 грн
500+	22.61 грн
1000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	37.61 грн
18+	35.39 грн
25+	35.26 грн
100+	30.05 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA414DJ-T1-GE3

MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

на замовлення 37948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.59 грн
10+	41.83 грн
100+	28.30 грн
500+	24.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

на замовлення 14250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.99 грн
6000+	17.33 грн
9000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 60408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.69 грн
14+	25.77 грн
100+	18.71 грн
3000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.79 грн
10+	41.74 грн
100+	28.88 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.88 грн
20+	42.33 грн
100+	33.01 грн
500+	25.63 грн
1000+	20.17 грн
5000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA416DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V

на замовлення 2523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.83 грн
6000+	28.20 грн
15000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.69 грн
500+	39.07 грн
1000+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.96 грн
10+	66.82 грн
25+	57.80 грн
100+	45.35 грн
500+	36.30 грн
1000+	32.00 грн
3000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

на замовлення 2625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.35 грн
13+	65.52 грн
100+	49.69 грн
500+	39.07 грн
1000+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 53213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	62.57 грн
100+	48.77 грн
500+	37.81 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA421DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

на замовлення 2702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.10 грн
500+	20.04 грн
1000+	16.04 грн
5000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.54 грн
13+	28.03 грн
100+	16.90 грн
500+	13.28 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.98 грн
10+	40.40 грн
100+	30.16 грн
500+	22.24 грн
1000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.76 грн
21+	41.48 грн
100+	28.10 грн
500+	20.04 грн
1000+	16.04 грн
5000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.54 грн
13+	28.20 грн
100+	18.34 грн
500+	14.41 грн
1000+	11.47 грн
3000+	9.66 грн
9000+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.57 грн
500+	15.01 грн
1000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.28 грн
12+	28.53 грн
100+	21.29 грн
500+	15.69 грн
1000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.44 грн
32+	27.09 грн
100+	21.33 грн
500+	15.25 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 8625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.90 грн
50+	30.05 грн
100+	21.59 грн
500+	17.29 грн
1500+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.11 грн
6000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

на замовлення 8625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.59 грн
500+	17.29 грн
1500+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.18 грн
10+	31.99 грн
100+	22.25 грн
500+	16.30 грн
1000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427ADJ-T4-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.91 грн
6000+	12.71 грн
9000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

на замовлення 138436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.08 грн
10+	38.10 грн
100+	23.09 грн
500+	18.04 грн
1000+	14.64 грн
3000+	12.07 грн
9000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 22828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.81 грн
10+	33.96 грн
100+	23.60 грн
500+	17.29 грн
1000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 20785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	39.85 грн
100+	25.86 грн
500+	18.61 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.94 грн
23+	37.75 грн
100+	25.82 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 20675 шт:

термін постачання 881-890 дні (днів)

7+	51.33 грн
10+	43.39 грн
100+	28.15 грн
500+	22.56 грн
1000+	19.09 грн
3000+	17.20 грн
6000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 20300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.95 грн
6000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.82 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin Thin PowerPAK SC-70 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.27 грн
26+	33.78 грн
100+	23.11 грн
500+	18.79 грн
1000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 13935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.30 грн
10+	41.83 грн
100+	27.17 грн
500+	21.36 грн
1000+	16.53 грн
3000+	15.02 грн
9000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.64 грн
20+	43.09 грн
100+	26.58 грн
500+	19.49 грн
1000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.28 грн
10+	44.80 грн
100+	29.16 грн
500+	21.05 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 96155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.43 грн
10+	41.22 грн
100+	24.45 грн
500+	20.45 грн
1000+	17.43 грн
3000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.18 грн
6000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.58 грн
500+	19.49 грн
1000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 190 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.89 грн
13+	70.35 грн
100+	54.77 грн
500+	43.15 грн
1000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.81 грн
10+	63.36 грн
100+	49.26 грн
500+	39.19 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.88 грн
10+	69.42 грн
100+	42.33 грн
500+	38.03 грн
1000+	32.75 грн
3000+	30.56 грн
6000+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA433DJ-T1-GE3

SIA 433DJ-T1-GE3 PPAK-SC70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.22 грн
10+	43.04 грн
100+	27.09 грн
500+	23.24 грн
1000+	20.45 грн
3000+	16.68 грн
6000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 8146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.61 грн
10+	42.37 грн
100+	29.31 грн
500+	22.99 грн
1000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.90 грн
23+	26.61 грн
25+	26.34 грн
100+	16.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.28 грн
6000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA433EDJ-T1-GE3.

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 178022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.12 грн
10+	45.30 грн
100+	30.18 грн
500+	23.85 грн
1000+	19.09 грн
3000+	18.41 грн
6000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.53 грн
25+	30.23 грн
100+	24.44 грн
250+	21.96 грн
500+	19.07 грн
1000+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 9521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.77 грн
10+	39.38 грн
100+	27.59 грн
500+	22.02 грн
1000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 81066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.93 грн
500+	23.27 грн
1000+	19.45 грн
5000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.31 грн
6000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T1-GE3

на замовлення 81066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.55 грн
23+	37.25 грн
100+	27.93 грн
500+	23.27 грн
1000+	19.45 грн
5000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA436DJ-T4-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.84 грн
39+	22.09 грн
100+	11.77 грн
500+	10.45 грн
1000+	9.14 грн
5000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 23997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.73 грн
11+	33.32 грн
100+	19.77 грн
1000+	11.55 грн
3000+	9.66 грн
9000+	8.90 грн
24000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 5510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.18 грн
11+	29.08 грн
100+	17.46 грн
500+	15.17 грн
1000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.77 грн
500+	10.45 грн
1000+	9.14 грн
5000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 22247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 122010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.73 грн
24+	36.23 грн
100+	29.37 грн
500+	22.25 грн
1000+	17.99 грн
5000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 258418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.79 грн
10+	48.25 грн
100+	28.60 грн
500+	23.92 грн
1000+	20.37 грн
3000+	16.98 грн
6000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA437DJ-T1-GE3

на замовлення 122010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.37 грн
500+	22.25 грн
1000+	17.99 грн
5000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA438EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III

на замовлення 1496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 15985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.37 грн
14+	22.95 грн
100+	17.76 грн
500+	14.44 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	39.29 грн
25+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3
Код товару: 192984

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 132216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.90 грн
33+	26.16 грн
100+	20.74 грн
500+	15.33 грн
1000+	12.77 грн
5000+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.83 грн
6000+	10.08 грн
9000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 162171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.54 грн
16+	22.30 грн
100+	15.02 грн
500+	13.05 грн
1000+	12.53 грн
3000+	9.58 грн
9000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.37 грн
6000+	11.94 грн
9000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 24126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

432+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 432

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.04 грн
6000+	10.66 грн
9000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.16 грн
50+	45.46 грн
100+	34.03 грн
500+	24.84 грн
1500+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 127839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.77 грн
10+	39.83 грн
100+	25.13 грн
500+	20.45 грн
1000+	17.88 грн
3000+	14.49 грн
9000+	13.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 28917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.69 грн
10+	40.87 грн
100+	27.65 грн
500+	20.39 грн
1000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

на замовлення 7473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.80 грн
500+	23.97 грн
1500+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.56 грн
6000+	14.68 грн
9000+	14.04 грн
15000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA443DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.43 грн
10+	42.53 грн
100+	29.43 грн
500+	23.08 грн
1000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA4446DJ-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.57 грн
25+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 5347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

на замовлення 6539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.91 грн
10+	45.59 грн
100+	29.74 грн
500+	21.52 грн
1000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.27 грн
500+	20.75 грн
1000+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.12 грн
10+	43.48 грн
100+	25.81 грн
500+	21.58 грн
1000+	18.34 грн
3000+	17.73 грн
6000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJ-T1-GE3

на замовлення 2628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.88 грн
20+	43.85 грн
100+	30.39 грн
500+	23.58 грн
1000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.10 грн
11+	28.85 грн
100+	20.08 грн
500+	14.71 грн
1000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA445EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 105122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.47 грн
11+	32.54 грн
100+	19.70 грн
500+	15.39 грн
1000+	12.53 грн
3000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V

на замовлення 9567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.36 грн
10+	47.08 грн
100+	30.69 грн
500+	22.20 грн
1000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.53 грн
17+	36.96 грн
25+	36.47 грн
100+	25.60 грн
250+	23.47 грн
500+	19.77 грн
1000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.23 грн
6000+	17.07 грн
9000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.98 грн
6000+	11.10 грн
9000+	10.67 грн
15000+	9.90 грн
21000+	9.74 грн
30000+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3
Код товару: 188286

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 36273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.51 грн
12+	30.37 грн
100+	17.96 грн
500+	14.79 грн
1000+	13.21 грн
3000+	10.56 грн
9000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 40620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.95 грн
36+	23.62 грн
100+	17.52 грн
500+	13.99 грн
1000+	11.39 грн
5000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	18.38 грн
3000+	15.04 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 64098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.34 грн
13+	25.00 грн
100+	18.41 грн
500+	15.27 грн
1000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

522+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 522

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V

на замовлення 3699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 80709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.71 грн
11+	30.50 грн
100+	20.59 грн
500+	14.69 грн
1000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.01 грн
12+	30.55 грн
100+	19.85 грн
500+	15.62 грн
1000+	12.07 грн
3000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 80709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.70 грн
6000+	10.73 грн
9000+	9.97 грн
15000+	9.30 грн
21000+	8.98 грн
30000+	8.66 грн
75000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA449DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.87 грн
27+	31.91 грн
100+	19.39 грн
500+	14.07 грн
1000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA450DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.69 грн
500+	32.23 грн
1000+	27.72 грн
5000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.21 грн
6000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

на замовлення 10223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.93 грн
16+	54.94 грн
100+	38.69 грн
500+	32.23 грн
1000+	27.72 грн
5000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 273-282 дні (днів)

5+	73.69 грн
10+	59.36 грн
100+	40.22 грн
500+	34.11 грн
1000+	32.45 грн
6000+	32.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.12 грн
10+	47.40 грн
100+	34.47 грн
500+	30.94 грн
1000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

5+	76.94 грн
10+	67.43 грн
100+	45.73 грн
500+	37.81 грн
1000+	29.88 грн
2500+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA456DJ-T3-GE3

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.80 грн
6000+	10.78 грн
9000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 58030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.68 грн
26+	32.93 грн
100+	24.63 грн
500+	17.92 грн
1000+	12.84 грн
5000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 120880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.72 грн
10+	34.89 грн
100+	21.58 грн
500+	16.53 грн
1000+	13.81 грн
3000+	11.17 грн
6000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 16938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.10 грн
11+	28.77 грн
100+	20.02 грн
500+	14.67 грн
1000+	11.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 16005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.38 грн
31+	27.60 грн
100+	18.96 грн
500+	13.91 грн
1000+	10.96 грн
5000+	10.23 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 45249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.15 грн
6000+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

на замовлення 20010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.32 грн
500+	10.14 грн
1000+	9.21 грн
5000+	9.00 грн
10000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.26 грн
12+	26.65 грн
100+	18.02 грн
500+	13.00 грн
1000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 19630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.49 грн
500+	13.68 грн
1000+	9.94 грн
5000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.21 грн
6000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

на замовлення 18825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.45 грн
31+	27.43 грн
100+	20.49 грн
500+	13.68 грн
1000+	9.94 грн
5000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 8047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.20 грн
13+	24.92 грн
100+	17.32 грн
500+	12.69 грн
1000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA462DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA465EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.12 грн
10+	42.09 грн
100+	26.03 грн
500+	22.03 грн
1000+	18.87 грн
3000+	17.28 грн
6000+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.50 грн
100+	16.86 грн
250+	15.60 грн
500+	14.96 грн
1000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	19.88 грн
619+	19.77 грн
1000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 6385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.90 грн
10+	41.58 грн
100+	29.04 грн
500+	23.28 грн
1000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.20 грн
500+	23.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

652+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 652

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 78661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.29 грн
10+	44.43 грн
100+	28.90 грн
500+	22.71 грн
1000+	17.51 грн
3000+	16.00 грн
6000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.87 грн
10+	44.73 грн
100+	33.39 грн
500+	24.62 грн
1000+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 18635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.55 грн
50+	27.17 грн
100+	12.70 грн
500+	10.93 грн
1500+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	26.00 грн
71+	15.56 грн
196+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 111295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.10 грн
15+	21.38 грн
100+	13.43 грн
500+	11.41 грн
1000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.57 грн
500+	14.31 грн
1000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 153660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.89 грн
14+	26.64 грн
100+	13.66 грн
1000+	9.36 грн
3000+	8.07 грн
9000+	7.40 грн
24000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

790+	15.49 грн
795+	15.39 грн
942+	13.00 грн
1000+	11.83 грн

Мінімальне замовлення: 790

В кошику од. на суму грн.

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.18 грн
6000+	7.18 грн
9000+	6.83 грн
15000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.48 грн
500+	19.65 грн
1500+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	17.92 грн
744+	16.45 грн
752+	16.28 грн
772+	15.29 грн
1000+	14.08 грн
3000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 683

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.37 грн
6000+	14.51 грн
9000+	14.12 грн
15000+	12.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.65 грн
50+	41.14 грн
100+	28.10 грн
500+	21.69 грн
1500+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 153346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.82 грн
12+	31.33 грн
100+	20.98 грн
500+	18.26 грн
1000+	16.53 грн
3000+	15.32 грн
6000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.35 грн
37+	16.64 грн
100+	14.73 грн
250+	13.50 грн
500+	12.62 грн
1000+	12.55 грн
3000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 21767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.92 грн
12+	26.25 грн
100+	20.25 грн
500+	16.48 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA471DJGE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA472EDJ-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

на замовлення 58890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.14 грн
11+	33.58 грн
100+	20.30 грн
500+	15.85 грн
1000+	12.90 грн
3000+	10.34 грн
9000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 13346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.81 грн
12+	26.57 грн
100+	18.09 грн
500+	13.31 грн
1000+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 64601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.37 грн
11+	32.46 грн
100+	20.90 грн
500+	16.00 грн
1000+	12.83 грн
3000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.64 грн
6000+	10.36 грн
9000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA477EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

P Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.51 грн
500+	13.99 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.92 грн
14+	23.19 грн
100+	15.73 грн
500+	11.52 грн
1000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.23 грн
32+	27.17 грн
100+	16.51 грн
500+	13.99 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 87617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.05 грн
10+	35.06 грн
100+	20.75 грн
500+	15.62 грн
1000+	11.70 грн
3000+	10.64 грн
6000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA483ADJ-T1-GE3

SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 67217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.89 грн
12+	31.33 грн
100+	20.07 грн
500+	15.85 грн
1000+	12.90 грн
3000+	10.87 грн
9000+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.68 грн
6000+	10.88 грн
9000+	10.59 грн
15000+	9.62 грн
21000+	9.29 грн
30000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.05 грн
63+	17.64 грн
173+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 50603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.63 грн
12+	27.83 грн
100+	20.24 грн
500+	14.98 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 72861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.96 грн
13+	26.99 грн
100+	16.30 грн
500+	12.68 грн
1000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 28951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.30 грн
10+	39.07 грн
100+	25.35 грн
500+	18.26 грн
1000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.19 грн
10+	45.84 грн
49+	22.64 грн
135+	21.32 грн
1000+	20.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.15 грн
500+	26.41 грн
1500+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 28950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.92 грн
6000+	13.24 грн
9000+	13.11 грн
15000+	11.84 грн
21000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 84185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.05 грн
10+	42.61 грн
100+	24.90 грн
500+	19.17 грн
1000+	16.75 грн
3000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.49 грн
11+	36.79 грн
49+	18.87 грн
135+	17.76 грн
1000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3
Код товару: 164618

Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Транзисторні збірки

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

на замовлення 7423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.22 грн
50+	48.42 грн
100+	36.15 грн
500+	26.41 грн
1500+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 295244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.08 грн
10+	36.00 грн
100+	25.03 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 120212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.14 грн
500+	19.34 грн
1000+	14.44 грн
5000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 291000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.75 грн
6000+	13.48 грн
9000+	12.51 грн
30000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET

на замовлення 72942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.03 грн
10+	39.40 грн
100+	24.45 грн
500+	19.24 грн
1000+	17.36 грн
3000+	12.68 грн
9000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA519EDJ-T1-GE3

на замовлення 118907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.16 грн
25+	34.79 грн
100+	27.77 грн
500+	18.87 грн
1000+	14.73 грн
5000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.79 грн
24+	36.32 грн
100+	24.63 грн
500+	17.84 грн
1000+	14.87 грн
5000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

на замовлення 48270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.08 грн
10+	35.84 грн
100+	21.13 грн
500+	17.05 грн
1000+	15.09 грн
3000+	11.85 грн
9000+	11.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.00 грн
10+	33.17 грн
100+	23.09 грн
500+	16.93 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 26510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.48 грн
500+	18.47 грн
1000+	11.68 грн
5000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	29.32 грн
25+	24.98 грн
100+	19.41 грн
250+	16.35 грн
500+	14.13 грн
1000+	12.75 грн
3000+	10.69 грн
6000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.61 грн
6000+	12.44 грн
9000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.27 грн
6000+	13.04 грн
9000+	12.69 грн
15000+	11.47 грн
21000+	11.10 грн
30000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.57 грн
21+	41.23 грн
100+	30.81 грн
500+	22.40 грн
1000+	16.04 грн
5000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 35642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.34 грн
10+	35.92 грн
100+	25.33 грн
500+	17.74 грн
1000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.87 грн
500+	18.55 грн
1000+	14.51 грн
5000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA533EDJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 47199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.29 грн
10+	39.92 грн
100+	24.90 грн
500+	18.64 грн
1000+	15.77 грн
3000+	13.05 грн
6000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.39 грн
6000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.38 грн
10+	44.08 грн
100+	26.64 грн
500+	20.83 грн
1000+	16.90 грн
3000+	14.34 грн
9000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 4069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.99 грн
30+	20.79 грн
31+	20.00 грн
100+	18.53 грн
250+	16.18 грн
500+	14.54 грн
1000+	12.92 грн
3000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 8395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.98 грн
10+	40.01 грн
100+	27.82 грн
500+	20.38 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA777EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA810DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.91 грн
10+	40.96 грн
100+	23.09 грн
500+	17.58 грн
1000+	15.85 грн
3000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

на замовлення 2751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.67 грн
10+	37.89 грн
100+	24.54 грн
500+	17.60 грн
1000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA811DJ-TI-E3

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.65 грн
500+	15.64 грн
1000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 7824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.94 грн
16+	20.75 грн
100+	17.64 грн
500+	14.71 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	29.80 грн
35+	24.21 грн
100+	20.65 грн
500+	15.64 грн
1000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.08 грн
6000+	10.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 50645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.82 грн
12+	29.68 грн
100+	20.37 грн
500+	15.85 грн
1000+	13.28 грн
3000+	10.64 грн
6000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	82.46 грн
238+	51.57 грн
366+	33.43 грн
367+	32.14 грн
500+	22.84 грн
1000+	19.83 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 55048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.64 грн
10+	38.88 грн
100+	23.17 грн
500+	19.24 грн
1000+	17.36 грн
3000+	13.36 грн
9000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 116960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.71 грн
10+	37.42 грн
100+	25.99 грн
500+	19.04 грн
1000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.55 грн
500+	17.92 грн
1000+	15.53 грн
5000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.31 грн
6000+	13.99 грн
9000+	12.99 грн
30000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.60 грн
29+	30.14 грн
100+	23.36 грн
500+	19.26 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

на замовлення 5 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 110725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.33 грн
10+	35.58 грн
100+	22.19 грн
500+	16.98 грн
1000+	14.04 грн
3000+	12.75 грн
6000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.00 грн
10+	33.17 грн
100+	23.09 грн
500+	16.93 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.18 грн
6000+	16.12 грн
9000+	15.41 грн
15000+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.28 грн
10+	44.80 грн
100+	29.16 грн
500+	21.05 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	20.46 грн
32+	19.03 грн
100+	16.54 грн
250+	15.16 грн
500+	13.56 грн
1000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 51568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.69 грн
29+	29.37 грн
100+	21.42 грн
500+	17.29 грн
1000+	15.16 грн
5000+	12.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 170097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.72 грн
10+	34.89 грн
100+	21.58 грн
500+	20.45 грн
1000+	17.43 грн
3000+	14.94 грн
6000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA911ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911ADJ-T1-GE3

MOSFETs 20V 4.5A 6.5W

на замовлення 4131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.79 грн
10+	41.57 грн
100+	23.47 грн
500+	17.96 грн
1000+	15.85 грн
3000+	13.73 грн
6000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T1-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911DJ-T5-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.51 грн
6000+	12.95 грн
9000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V

на замовлення 5279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.56 грн
10+	43.74 грн
100+	24.52 грн
500+	18.87 грн
1000+	16.83 грн
3000+	13.81 грн
6000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.61 грн
10+	32.54 грн
100+	22.23 грн
500+	16.44 грн
1000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA913DJ-T1-GE3

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH

на замовлення 7235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA914ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3CT

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA915DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.18 грн
10+	32.23 грн
100+	24.04 грн
500+	17.72 грн
1000+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 12390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.37 грн
12+	29.33 грн
100+	17.43 грн
500+	15.17 грн
1000+	12.45 грн
3000+	10.87 грн
9000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA918EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA918EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.83 грн
30+	28.78 грн
100+	19.64 грн
500+	15.88 грн
1000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA918EDJ-T1-GE3

SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA920DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA920DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.19 грн
19+	45.20 грн
100+	28.02 грн
500+	20.59 грн
1000+	17.99 грн
5000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 64927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.24 грн
10+	45.30 грн
100+	26.86 грн
500+	22.11 грн
1000+	19.09 грн
3000+	16.15 грн
6000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

на замовлення 6862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.02 грн
500+	20.59 грн
1000+	17.99 грн
5000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.92 грн
10+	43.56 грн
100+	25.88 грн
500+	21.58 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.37 грн
6000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA921EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

на замовлення 6916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.22 грн
10+	45.47 грн
100+	26.56 грн
500+	20.45 грн
1000+	17.96 грн
3000+	15.17 грн
6000+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 21563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.20 грн
10+	41.66 грн
100+	27.06 грн
500+	19.50 грн
1000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.81 грн
6000+	14.89 грн
9000+	14.23 грн
15000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA923AEDJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 35755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.59 грн
500+	21.46 грн
1000+	17.92 грн
5000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.28 грн
10+	44.65 грн
100+	29.16 грн
500+	21.10 грн
1000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 25342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.84 грн
10+	51.29 грн
25+	44.52 грн
100+	28.98 грн
500+	22.34 грн
1000+	20.30 грн
3000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T1-GE3

на замовлення 35755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.13 грн
18+	49.52 грн
100+	32.59 грн
500+	21.46 грн
1000+	17.92 грн
5000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.59 грн
10+	43.82 грн
100+	25.88 грн
500+	21.58 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.30 грн
6000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

на замовлення 16232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.69 грн
15+	23.69 грн
100+	16.75 грн
500+	15.17 грн
1000+	12.15 грн
3000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.57 грн
16+	20.59 грн
100+	16.78 грн
500+	14.44 грн
1000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA928DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 17787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.56 грн
18+	47.07 грн
100+	31.49 грн
500+	24.21 грн
1000+	20.24 грн
5000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.85 грн
10+	42.53 грн
100+	29.04 грн
500+	22.24 грн
1000+	20.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

на замовлення 17787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.49 грн
500+	24.21 грн
1000+	20.24 грн
5000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 12154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.01 грн
10+	42.17 грн
100+	25.05 грн
500+	20.90 грн
1000+	17.81 грн
3000+	17.20 грн
6000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA929DJ-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 261096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.70 грн
11+	32.20 грн
100+	21.43 грн
500+	17.28 грн
1000+	13.51 грн
3000+	12.30 грн
6000+	11.70 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 261665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.16 грн
500+	17.61 грн
1000+	12.55 грн
5000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 28837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.92 грн
12+	26.49 грн
100+	20.33 грн
500+	15.58 грн
1000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.73 грн
25+	35.05 грн
100+	26.16 грн
500+	17.61 грн
1000+	12.55 грн
5000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.10 грн
6000+	11.34 грн
9000+	11.17 грн
15000+	10.13 грн
21000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.93 грн
10+	40.01 грн
100+	26.04 грн
500+	18.78 грн
1000+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 20V

на замовлення 2630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.80 грн
10+	41.31 грн
100+	24.52 грн
500+	18.94 грн
1000+	17.13 грн
3000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.44 грн
6000+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.61 грн
6000+	15.31 грн
9000+	15.08 грн
15000+	13.43 грн
21000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 17970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.92 грн
10+	41.57 грн
100+	25.88 грн
500+	21.58 грн
1000+	18.41 грн
3000+	16.15 грн
6000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 39599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	43.47 грн
100+	28.34 грн
500+	20.51 грн
1000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 7210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.98 грн
10+	31.68 грн
100+	21.64 грн
500+	15.99 грн
1000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.87 грн
500+	17.45 грн
1000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 20113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.53 грн
10+	39.75 грн
100+	24.98 грн
500+	19.17 грн
1000+	16.15 грн
3000+	13.58 грн
9000+	12.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.41 грн
24+	35.72 грн
100+	24.38 грн
500+	19.73 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.61 грн
10+	37.14 грн
100+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

на замовлення 5363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.51 грн
10+	47.16 грн
100+	36.15 грн
500+	26.82 грн
1000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIAA40DJ-T1-GE3