Продукція > SiA

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIA-1573
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1574
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1575
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-1663S-1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U010S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U015S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U025S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U040S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U050S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U075S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-200U090S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U010S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U015S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U025S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U040S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U050S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U075S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-400U090S-1PTTI08+;
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-4040AI5S-1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-812S-1
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-LT1121C5S-1
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA-MA001S-1
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0051XSOP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0241A01-10
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0291X01-A0
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426C01-SO
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426C02-SOSAMSUNG09+ SOP28
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0426CO1-SO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0427B01-D0
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0427B01-DOSAMSUNG2
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0501X01-SO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA05D-500----DIP-реле, SIL 1xA 5V 500R, 19,8x5,08x7,8 Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0686X01-AO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0900A01-A0
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0902X01-AO
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0902X01-AOBO
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-007
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-EORO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA0903X01-QO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA1000T.09+ .
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.56 грн
10+52.52 грн
100+31.56 грн
500+24.58 грн
1000+22.28 грн
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.81 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.61 грн
6000+21.05 грн
9000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+55.90 грн
100+36.89 грн
500+26.94 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
10+58.40 грн
100+44.78 грн
500+33.22 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.20 грн
50+66.23 грн
100+44.81 грн
500+29.96 грн
1500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.65 грн
6000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.50 грн
10+63.20 грн
100+42.11 грн
500+33.31 грн
1000+26.67 грн
3000+24.09 грн
6000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.81 грн
500+29.96 грн
1500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 12144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.95 грн
500+46.75 грн
1500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+64.83 грн
100+43.02 грн
500+31.59 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.30 грн
10+57.90 грн
100+38.54 грн
500+30.31 грн
1000+27.58 грн
3000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 12144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.53 грн
50+95.31 грн
100+63.95 грн
500+46.75 грн
1500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.56 грн
500+22.85 грн
1000+18.85 грн
5000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.91 грн
17+49.78 грн
100+33.56 грн
500+22.85 грн
1000+18.85 грн
5000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.28 грн
10+50.51 грн
100+28.77 грн
500+22.28 грн
1000+20.18 грн
3000+17.39 грн
6000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA1514-C
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-D0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-D0B0
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01-DO
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2206D01HON/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2220X01-IO
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2221A01-10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2221A02-10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2268
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2284A01-10
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2297B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA2297B01SAMSUNG02+
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA3223-1R0M
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 149957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.99 грн
10+39.94 грн
100+25.89 грн
500+18.63 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.27 грн
10+34.77 грн
100+21.44 грн
500+16.48 грн
1000+14.80 грн
3000+11.24 грн
6000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.48 грн
817+17.37 грн
976+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.03 грн
6000+14.19 грн
9000+13.55 грн
15000+12.05 грн
21000+11.65 грн
30000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.59 грн
21+39.67 грн
100+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.34 грн
31+24.45 грн
32+24.24 грн
100+20.00 грн
250+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA402A
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]