Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 12V 15A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17735.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100015TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 15 A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16475.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 7.5 A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16475.78 грн
10+14918.38 грн
25+14049.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 24V 7.5A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17261.46 грн
10+16438.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060N/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060-12
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMarkingKEC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GONSEMINVMD4N03R2G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.40 грн
10+79.55 грн
100+61.88 грн
500+49.22 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMD6N03R2G - NVMD6N03R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 1188
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME SSD 256GB TRANSCEND TS256GMTE452TADLINK TechnologySolid State Drives - SSD M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-1TMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 1 TB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15767.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-256GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 256 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5981.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3019.42 грн
10+2750.38 грн
50+2593.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-512GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 512 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11818.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2856.16 грн
5+2612.82 грн
10+2481.55 грн
25+2212.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD010N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.71 грн
3000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.26 грн
10+144.92 грн
100+86.78 грн
500+72.67 грн
1000+62.18 грн
1500+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.68 грн
10+133.79 грн
100+92.42 грн
500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.25 грн
10+126.55 грн
100+87.18 грн
500+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.57 грн
3000+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.96 грн
10+124.96 грн
100+73.95 грн
500+62.03 грн
1000+54.63 грн
1500+50.56 грн
4500+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
на замовлення 25413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+144.05 грн
100+86.02 грн
500+72.06 грн
1000+63.76 грн
1500+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.66 грн
10+135.44 грн
100+93.57 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.81 грн
500+50.15 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.64 грн
10+94.01 грн
100+63.55 грн
500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.65 грн
10+95.46 грн
100+61.42 грн
500+49.50 грн
1000+42.03 грн
1500+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.21 грн
10+98.20 грн
100+67.81 грн
500+50.15 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.29 грн
3000+55.93 грн
4500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs Power, Dual N-Channel, DUAL SO-8FL 60 V, 29.7 mohm, 19 A SO-8FL Dual (Pb-Free)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.53 грн
10+132.77 грн
100+79.23 грн
500+63.84 грн
1000+56.22 грн
1500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.17 грн
10+123.33 грн
100+84.58 грн
500+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.75 грн
10+91.02 грн
100+61.56 грн
500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+99.80 грн
100+60.52 грн
500+51.24 грн
1000+42.86 грн
1500+39.54 грн
4500+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 493-502 дні (днів)
2+193.68 грн
10+170.96 грн
100+119.98 грн
500+98.85 грн
1000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
2+203.37 грн
10+180.50 грн
100+126.02 грн
500+103.38 грн
1000+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT1GONSEMINVMFD5877NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.98 грн
10+231.94 грн
100+195.54 грн
500+172.14 грн
1000+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONSEMINVMFD5C446NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.54 грн
500+172.14 грн
1000+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.37 грн
10+225.63 грн
100+152.43 грн
500+144.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.26 грн
10+252.56 грн
100+180.44 грн
500+140.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.60 грн
10+277.69 грн
25+230.91 грн
100+187.14 грн
500+185.63 грн
1000+157.71 грн
1500+156.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMINVMFD5C446NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.89 грн
10+280.70 грн
100+201.79 грн
500+157.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.92 грн
10+247.92 грн
100+176.95 грн
500+137.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.23 грн
10+253.11 грн
100+204.86 грн
500+181.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.14 грн
10+216.08 грн
100+150.17 грн
500+145.64 грн
1000+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONSEMINVMFD5C446NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.86 грн
500+181.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GONSEMINVMFD5C446NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.41 грн
10+155.34 грн
100+106.40 грн
250+105.64 грн
500+86.78 грн
1500+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GONSEMINVMFD5C462NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GONSEMINVMFD5C462NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.43 грн
10+164.88 грн
100+118.47 грн
500+107.91 грн
1000+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.53 грн
10+174.66 грн
100+122.17 грн
500+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 508500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.45 грн
10+150.13 грн
100+94.33 грн
500+88.29 грн
1000+75.39 грн
1500+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 509400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.23 грн
10+158.00 грн
100+109.87 грн
500+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GONSEMINVMFD5C462NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GONSEMINVMFD5C462NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.01 грн
10+78.36 грн
100+45.20 грн
500+37.05 грн
1000+32.45 грн
1500+29.81 грн
3000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 34595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.71 грн
10+121.49 грн
100+89.04 грн
250+86.78 грн
500+75.46 грн
1500+64.14 грн
3000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.82 грн
3000+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON Semiconductor
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.89 грн
10+127.73 грн
100+87.79 грн
500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GONSEMINVMFD5C466NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.70 грн
10+84.35 грн
100+48.90 грн
500+40.07 грн
1000+35.09 грн
1500+32.22 грн
4500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.29 грн
10+155.34 грн
100+119.98 грн
250+114.70 грн
500+101.87 грн
1000+100.36 грн
1500+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 151500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 152895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.68 грн
10+159.80 грн
100+111.21 грн
500+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMINVMFD5C466NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 68731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.72 грн
10+121.92 грн
100+83.56 грн
500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GONSEMINVMFD5C466NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.54 грн
10+116.28 грн
100+72.44 грн
500+59.01 грн
1000+58.93 грн
1500+56.67 грн
3000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.48 грн
3000+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.60 грн
10+131.27 грн
100+90.38 грн
500+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.51 грн
10+124.96 грн
100+78.48 грн
500+64.07 грн
1000+63.92 грн
1500+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.86 грн
3000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GONSEMINVMFD5C466NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+64.48 грн
100+37.20 грн
500+29.35 грн
1000+26.49 грн
1500+24.30 грн
4500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GONSEMINVMFD5C470NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 948-957 дні (днів)
3+135.58 грн
10+109.34 грн
100+79.23 грн
250+75.46 грн
500+66.10 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.85 грн
10+113.27 грн
100+77.31 грн
500+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.57 грн
3000+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.81 грн
10+69.86 грн
100+40.30 грн
500+31.77 грн
1000+28.67 грн
1500+26.26 грн
4500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GONSEMINVMFD5C470NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+115.42 грн
100+71.99 грн
500+59.16 грн
1000+58.63 грн
1500+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GONSEMINVMFD5C470NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.51 грн
10+119.76 грн
100+75.08 грн
250+73.72 грн
500+59.84 грн
1000+58.03 грн
1500+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.77 грн
10+110.83 грн
100+75.81 грн
500+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 232480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.48 грн
10+114.13 грн
100+77.96 грн
500+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GONSEMINVMFD5C478NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.02 грн
10+105.00 грн
100+69.35 грн
250+67.91 грн
500+57.43 грн
1000+54.33 грн
1500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.53 грн
10+105.87 грн
100+70.86 грн
250+67.61 грн
500+56.29 грн
1000+52.60 грн
1500+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.77 грн
10+110.36 грн
100+75.27 грн
500+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GONSEMINVMFD5C478NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.98 грн
3000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.36 грн
500+52.35 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
10+100.73 грн
100+77.71 грн
500+56.44 грн
1000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.93 грн
10+115.47 грн
100+78.93 грн
500+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMINVMFD5C478NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.84 грн
3000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.87 грн
3000+52.03 грн
7500+50.07 грн
10500+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GONSEMINVMFD5C478NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+95.90 грн
100+76.29 грн
500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.81 грн
10+136.24 грн
100+85.27 грн
500+70.71 грн
1000+61.12 грн
1500+58.03 грн
4500+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GONSEMINVMFD5C650NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.83 грн
10+271.66 грн
100+194.97 грн
500+152.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.53 грн
10+281.80 грн
100+202.67 грн
500+158.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+173.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.17 грн
10+286.12 грн
100+213.32 грн
500+169.00 грн
1000+153.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMINVMFD5C650NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GONSEMINVMFD5C668NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.17 грн
10+202.41 грн
100+142.75 грн
500+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.72 грн
10+205.67 грн
25+173.56 грн
100+129.79 грн
250+129.04 грн
500+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+116.99 грн
10+102.18 грн
25+99.87 грн
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.17 грн
25+63.56 грн
100+58.66 грн
250+53.06 грн
500+50.66 грн
1000+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GONSEMINVMFD5C668NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.68 грн
10+119.36 грн
100+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMINVMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+126.87 грн
100+90.94 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.69 грн
3000+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.18 грн
10+139.48 грн
25+138.61 грн
100+115.12 грн
250+105.53 грн
500+90.09 грн
1000+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.52 грн
10+159.67 грн
100+111.68 грн
500+94.33 грн
1000+86.02 грн
1500+72.67 грн
3000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.82 грн
10+144.87 грн
100+100.24 грн
500+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+142.04 грн
94+130.18 грн
95+129.37 грн
110+107.45 грн
250+98.49 грн
500+84.08 грн
1000+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GONSEMINVMFD5C672NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.30 грн
3000+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.58 грн
10+98.06 грн
100+74.55 грн
500+65.95 грн
1000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.52 грн
10+128.60 грн
100+88.41 грн
500+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.65 грн
10+110.21 грн
100+77.72 грн
500+63.46 грн
1000+63.39 грн
1500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.97 грн
10+130.01 грн
100+89.42 грн
500+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GONSEMINVMFD5C674NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.10 грн
3000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.05 грн
10+68.38 грн
100+39.47 грн
500+31.17 грн
1000+28.07 грн
1500+25.73 грн
4500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.61 грн
500+56.83 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 629-638 дні (днів)
3+135.58 грн
10+111.08 грн
100+76.97 грн
250+70.86 грн
500+64.67 грн
1000+55.46 грн
1500+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.46 грн
10+101.32 грн
100+71.51 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMINVMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.99 грн
10+104.12 грн
100+76.61 грн
500+56.83 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.68 грн
3000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.59 грн
10+76.17 грн
100+62.79 грн
500+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 1106-1115 дні (днів)
3+131.18 грн
10+107.61 грн
100+74.40 грн
250+68.90 грн
500+62.56 грн
1000+53.58 грн
1500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.84 грн
3000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GONSEMINVMFD5C680NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GONSEMINVMFD6H840NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.98 грн
10+183.10 грн
100+112.44 грн
250+111.68 грн
500+97.34 грн
1000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.39 грн
10+163.58 грн
100+113.95 грн
500+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 877-886 дні (днів)
2+229.78 грн
10+203.93 грн
100+142.62 грн
500+116.96 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GONSEMINVMFD6H840NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.39 грн
10+163.58 грн
100+113.95 грн
500+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.25 грн
3000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GONSEMINVMFD6H846NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.75 грн
10+124.09 грн
100+77.72 грн
500+63.54 грн
1000+62.93 грн
1500+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.97 грн
10+130.25 грн
100+89.62 грн
500+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.64 грн
10+93.85 грн
100+63.61 грн
500+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 481-490 дні (днів)
3+124.13 грн
10+100.66 грн
100+68.14 грн
500+57.73 грн
1000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.05 грн
3000+41.17 грн
4500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.42 грн
10+80.26 грн
100+53.78 грн
500+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+71.94 грн
100+50.78 грн
500+43.69 грн
1000+42.11 грн
1500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.59 грн
11+79.32 грн
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMINVMFD6H852NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMINVMFD6H852NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.99 грн
500+39.30 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+89.61 грн
100+60.42 грн
500+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.68 грн
10+80.44 грн
100+52.90 грн
500+46.79 грн
1000+38.71 грн
1500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.21 грн
100+57.99 грн
500+39.30 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.45 грн
3000+38.79 грн
4500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS002N10MCLON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL HE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFET Power MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.8 mohm, -234 A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.53 грн
10+184.84 грн
100+129.79 грн
500+106.40 грн
1000+88.29 грн
1500+81.50 грн
4500+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.58 грн
10+144.08 грн
100+114.67 грн
500+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.07 грн
3000+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel100 V, 5.1 mohm, 108A DFN5 (Pb-Free)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.71 грн
10+128.43 грн
100+81.50 грн
500+64.97 грн
1500+57.27 грн
3000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorMOSFET Power, Single, N Channel 100 V, 5.1 m, 108A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GONSEMINVMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+120.82 грн
100+82.87 грн
500+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.12 грн
10+67.84 грн
100+46.63 грн
500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm a. -10V, -52.1 A
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+69.42 грн
100+44.30 грн
500+35.39 грн
1000+27.84 грн
1500+26.79 грн
3000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GONSEMINVMFS014P04M8LT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.26 грн
3000+29.21 грн
4500+28.09 грн
7500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.33 грн
500+40.48 грн
1000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.95 грн
10+67.13 грн
100+49.92 грн
500+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.20 грн
12+75.17 грн
100+53.33 грн
500+40.48 грн
1000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.88 грн
3000+34.48 грн
4500+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 47.1A, 12.2mohm
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+72.81 грн
100+47.09 грн
500+40.82 грн
1000+32.60 грн
1500+32.45 грн
3000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 226A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+79.71 грн
100+58.55 грн
500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6 mohm SO8FL(Pb-Free)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+87.65 грн
100+55.01 грн
500+43.69 грн
1000+38.86 грн
1500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.90 грн
3000+36.52 грн
4500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 14 mohm, 46A
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+68.90 грн
100+46.11 грн
250+46.03 грн
500+36.37 грн
1000+35.69 грн
1500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS016N10MCLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.24 грн
10+62.18 грн
100+47.79 грн
500+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GONSEMINVMFS016N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.81 грн
3000+37.33 грн
4500+35.84 грн
7500+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs Power, Single, N-Channel, SO-8FL, 60 V, 19.6 mohm, 28 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.40 грн
10+86.07 грн
100+58.08 грн
500+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.14 грн
10+58.64 грн
100+38.71 грн
500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 31 A, 23 mohm
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.57 грн
10+58.66 грн
100+34.11 грн
500+27.01 грн
1000+19.39 грн
1500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GONSEMINVMFS021N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.07 грн
10+79.86 грн
100+54.72 грн
500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.97 грн
10+82.87 грн
100+50.33 грн
500+39.99 грн
1000+37.58 грн
1500+32.67 грн
3000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.28 грн
10+61.78 грн
100+42.80 грн
500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+63.44 грн
100+38.26 грн
500+31.92 грн
1000+27.24 грн
1500+24.15 грн
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GONSEMINVMFS025P04M8LT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.14 грн
3000+30.34 грн
4500+29.05 грн
7500+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.84 грн
10+65.52 грн
25+56.90 грн
100+41.81 грн
500+35.92 грн
1000+29.66 грн
1500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GONSEMINVMFS027N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 163050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+72.39 грн
100+48.24 грн
500+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.49 грн
17+52.48 грн
100+34.45 грн
500+25.31 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS040N10MCLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.85 грн
10+46.25 грн
100+27.54 грн
500+22.56 грн
1000+20.60 грн
1500+18.26 грн
3000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMINVMFS040N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+41.90 грн
100+28.59 грн
500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.45 грн
500+25.31 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.43 грн
10+193.00 грн
100+134.60 грн
500+102.97 грн
1000+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
2+264.11 грн
10+218.68 грн
25+179.60 грн
100+153.94 грн
250+145.64 грн
500+136.58 грн
1000+116.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GONSEMINVMFS2D3P04M8LT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+119.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.15 грн
10+207.12 грн
100+160.84 грн
500+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 0.00255 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.70 грн
10+162.53 грн
100+118.51 грн
500+99.83 грн
1000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.82 грн
10+173.24 грн
100+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.06 грн
10+208.27 грн
100+146.39 грн
500+119.98 грн
1500+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GONSEMINVMFS3D0P04M8LT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.64 грн
10+197.86 грн
100+125.26 грн
500+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.43 грн
10+202.32 грн
100+150.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.04 грн
10+201.78 грн
100+142.59 грн
500+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMINVMFS3D6N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.89 грн
10+273.36 грн
25+236.95 грн
100+177.33 грн
250+176.58 грн
500+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+187.82 грн
3000+170.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMINVMFS4C01NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+281.04 грн
10+187.08 грн
100+174.38 грн
500+149.35 грн
1000+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.24 грн
10+293.75 грн
100+237.63 грн
500+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.30 грн
500+143.06 грн
1000+131.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.65 грн
10+249.06 грн
100+164.50 грн
500+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.23 грн
10+269.06 грн
100+217.66 грн
500+181.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GONSEMINVMFS4C01NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+172.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.99 грн
10+126.16 грн
100+86.98 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMINVMFS4C03NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.90 грн
10+147.53 грн
100+89.80 грн
500+72.44 грн
1500+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.09 грн
10+146.45 грн
100+101.58 грн
500+70.19 грн
1000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.58 грн
500+70.19 грн
1000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.93 грн
10+69.60 грн
100+40.07 грн
500+31.69 грн
1000+28.52 грн
1500+26.18 грн
4500+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.83 грн
10+111.30 грн
100+84.43 грн
500+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GONSEMINVMFS4C03NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.51 грн
10+135.38 грн
100+94.33 грн
500+79.99 грн
1000+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 34.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.35 грн
3000+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.02 грн
3000+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.79 грн
10+102.85 грн
25+101.38 грн
100+88.21 грн
250+80.86 грн
500+70.00 грн
1000+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GONSEMINVMFS4C05NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+118.02 грн
100+82.25 грн
500+69.57 грн
1000+67.08 грн
1500+58.93 грн
3000+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+100.61 грн
128+95.99 грн
130+94.62 грн
144+82.33 грн
250+75.47 грн
500+65.33 грн
1000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.91 грн
10+121.68 грн
100+83.40 грн
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.65 грн
3000+72.04 грн
7500+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GONSEMINVMFS4C05NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+109.34 грн
100+67.54 грн
250+67.46 грн
500+55.31 грн
1000+55.24 грн
1500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 20991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.45 грн
10+155.34 грн
100+97.34 грн
500+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GONSEMINVMFS4C302NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NWFET1GonsemiMOSFETs 30 V, 2.3 mOhm, N-Channel SO-8FL Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+62.65 грн
100+35.99 грн
500+29.58 грн
1000+25.58 грн
1500+23.39 грн
4500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+62.65 грн
100+35.99 грн
500+29.58 грн
1000+25.58 грн
1500+23.39 грн
4500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.93 грн
10+68.90 грн
100+39.69 грн
500+31.32 грн
1000+28.30 грн
1500+25.88 грн
4500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C306NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 30V NCH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.00 грн
10+117.15 грн
25+88.29 грн
100+69.50 грн
250+64.75 грн
500+56.29 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT1GON Semiconductor
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.60 грн
10+154.62 грн
100+108.90 грн
500+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GONSEMINVMFS5113PLT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiMOSFETs SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 12025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.61 грн
10+177.90 грн
100+126.77 грн
500+107.15 грн
1500+87.53 грн
3000+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.37 грн
10+169.63 грн
100+118.80 грн
500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.64 грн
10+190.05 грн
100+116.96 грн
500+96.59 грн
1500+92.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GONSEMINVMFS5113PLWFT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.37 грн
10000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 86A, 7.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLonsemionsemi NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
на замовлення 24165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLonsemionsemi NFET SO8FL 60V 61A 12MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GonsemiMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.99 грн
25+41.31 грн
50+39.18 грн
100+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZonsemiMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GONSEMINVMFS5A160PLZT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
на замовлення 44799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.49 грн
10+341.04 грн
25+295.81 грн
100+252.79 грн
1000+215.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GONSEMINVMFS5C404NAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NET1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.7mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+272.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.06 грн
10+236.04 грн
100+154.69 грн
500+153.18 грн
1000+129.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.51 грн
10+218.76 грн
100+161.18 грн
500+134.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GONSEMINVMFS5C404NLAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 0.67 MOHMS LL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.85 грн
10+161.64 грн
25+159.54 грн
100+151.71 грн
250+138.58 грн
500+131.14 грн
1000+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.01 грн
10+466.87 грн
100+319.95 грн
500+306.37 грн
1000+289.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.19 грн
10+398.76 грн
100+304.03 грн
500+280.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.69 грн
10+502.83 грн
50+441.03 грн
200+351.36 грн
500+298.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - T6 40V HEFET/ REEL 31AC1109
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+341.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+310.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+502.83 грн
50+441.03 грн
200+351.36 грн
500+298.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+336.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+281.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT3GON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 067 MOHMS LL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET3GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFHT3GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 373A 750MO
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.97 грн
10+371.42 грн
100+251.28 грн
1000+244.49 грн
1500+199.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+213.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+285.38 грн
500+271.11 грн
1000+255.82 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GONSEMINVMFS5C404NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 381813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.44 грн
10+293.27 грн
100+220.08 грн
500+192.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+148.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiMOSFETs T6-40V N 07 MOHMS SL
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.17 грн
10+347.99 грн
100+227.89 грн
500+219.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.54 грн
10+318.58 грн
100+240.09 грн
500+213.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+345.38 грн
50+296.34 грн
100+206.79 грн
250+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GONSEMINVMFS5C404NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.28 грн
5+417.33 грн
10+345.38 грн
50+296.34 грн
100+206.79 грн
250+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GONSEMINVMFS5C404NWFAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1731000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.93 грн
10+337.45 грн
100+272.96 грн
500+227.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1731000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+215.75 грн
3000+195.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 07 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFHT1GonsemiMOSFETs T6-40V N 0.7 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GONSEMINVMFS5C406NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.12 грн
10+268.15 грн
25+229.40 грн
100+178.09 грн
250+174.31 грн
500+160.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLWFT1GonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLWFT1GONSEMINVMFS5C406NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorT6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.30 грн
10+304.12 грн
100+246.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.07 грн
10+277.69 грн
25+231.66 грн
100+188.65 грн
250+184.88 грн
500+160.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GONSEMINVMFS5C406NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GONSEMINVMFS5C406NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410Nonsemionsemi T6-40V N 0.92 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.23 грн
10+252.53 грн
100+162.24 грн
500+149.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GONSEMINVMFS5C410NAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.24 грн
10+258.45 грн
100+184.90 грн
500+144.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GONSEMINVMFS5C410NLAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.66 грн
10+229.10 грн
100+147.15 грн
500+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.12 грн
10+240.69 грн
100+171.52 грн
500+133.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+142.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.96 грн
10+220.88 грн
100+163.36 грн
500+135.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.71 грн
10+249.93 грн
25+216.57 грн
100+160.73 грн
500+147.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 330A, 0.82mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.36 грн
10+276.69 грн
100+198.74 грн
500+155.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GONSEMINVMFS5C410NWFAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.65 грн
10+270.75 грн
100+175.07 грн
500+162.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorT6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 092 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GONSEMINVMFS5C410NWFET1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.52 грн
500+99.04 грн
1000+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.90 грн
10+190.69 грн
100+154.29 грн
500+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+121.95 грн
3000+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.09 грн
10+171.84 грн
100+137.98 грн
500+91.18 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL
на замовлення 10377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+183.10 грн
100+127.53 грн
500+122.25 грн
1000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.34 грн
10+126.93 грн
25+118.01 грн
50+112.66 грн
100+91.98 грн
250+87.42 грн
500+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONSEMINVMFS5C420NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+108.47 грн
1000+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.12 грн
10+214.35 грн
100+151.69 грн
500+117.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
на замовлення 10243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.65 грн
10+207.40 грн
100+132.81 грн
500+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONSEMINVMFS5C420NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.98 грн
10+131.21 грн
100+123.59 грн
500+108.47 грн
1000+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiMOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.60 грн
10+196.12 грн
25+167.52 грн
100+124.51 грн
500+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.31 грн
10+135.44 грн
100+123.59 грн
500+103.76 грн
1000+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GONSEMINVMFS5C420NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.59 грн
500+103.76 грн
1000+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.60 грн
10+165.24 грн
25+163.69 грн
50+156.33 грн
100+122.88 грн
250+116.81 грн
500+115.65 грн
1000+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.65 грн
10+131.90 грн
100+81.50 грн
500+68.82 грн
1000+59.09 грн
1500+56.14 грн
4500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.03 грн
10+228.23 грн
25+195.44 грн
100+160.73 грн
500+143.37 грн
1500+124.51 грн
3000+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.81 грн
10+122.09 грн
25+116.16 грн
50+110.89 грн
100+91.53 грн
250+86.98 грн
500+86.11 грн
1000+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.12 грн
10+214.35 грн
100+151.69 грн
500+117.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GONSEMINVMFS5C420NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.38 грн
3000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.84 грн
10+132.77 грн
100+82.25 грн
500+68.07 грн
1500+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.66 грн
10+139.21 грн
100+96.12 грн
500+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GONSEMINVMFS5C423NLAFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.70 грн
10+84.35 грн
100+49.12 грн
500+40.30 грн
1000+35.24 грн
2500+32.37 грн
5000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorMOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.12 грн
10+124.09 грн
100+76.97 грн
500+63.01 грн
1500+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.97 грн
10+129.93 грн
100+89.37 грн
500+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.