Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVM100015TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 15 A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14096.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 12V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Voltage - Output 1: 24V
Efficiency: 90%
Approval Agency: CE
Applications: Medical
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Type: Open Frame
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Power (Watts): 180W
Packaging: Bulk
Current - Output 1: 7.5 A
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Number of Outputs: 1
Part Status: Active
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14356.35 грн
10+12999.13 грн
25+12242.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 24V 7.5A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060N/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060-12
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMarkingKEC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+76.38 грн
100+59.42 грн
500+47.26 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMD6N03R2G - NVMD6N03R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMe IP OptionDesign Gateway
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME SSD 256GB TRANSCEND TS256GMTE452TADLINK TechnologySolid State Drives - SSD M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMe SSD 256GB, Transcend TS256GMTE452TADLINK Technology M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-1TMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 1 TB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-256GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 256 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2899.33 грн
10+2640.99 грн
50+2490.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-512GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 512 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.57 грн
5+2508.90 грн
10+2382.85 грн
25+2124.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD010N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.58 грн
3000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD010N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD010N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.01 грн
100+99.77 грн
500+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+142.20 грн
100+98.46 грн
500+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+117.07 грн
100+80.69 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.76 грн
3000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.71 грн
100+70.99 грн
500+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.11 грн
3000+46.76 грн
4500+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 25404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+136.16 грн
100+94.02 грн
500+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.20 грн
50+71.19 грн
100+59.84 грн
500+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.80 грн
3000+50.11 грн
4500+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.50 грн
100+75.77 грн
500+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.89 грн
100+58.09 грн
500+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 493-502 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GOn SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]