Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVM100015TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 15 A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13814.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 12V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 7.5 A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14068.58 грн
10+12738.56 грн
25+11996.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 24V 7.5A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14526.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060N/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVM3060-12
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMarkingKEC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+74.85 грн
100+58.23 грн
500+46.32 грн
1000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD4N03R2GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.13 грн
10+75.61 грн
100+46.36 грн
500+37.96 грн
1000+35.16 грн
2500+31.27 грн
5000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMD6N03R2G - NVMD6N03R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 1188
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
NVMe IP OptionDesign Gateway
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME SSD 256GB TRANSCEND TS256GMTE452TADLINK TechnologySolid State Drives - SSD M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMe SSD 256GB, Transcend TS256GMTE452TADLINK Technology M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-1TMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 1 TB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13632.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-256GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 256 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5411.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2841.21 грн
10+2588.05 грн
50+2440.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-512GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 512 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10224.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2687.59 грн
5+2458.61 грн
10+2335.09 грн
25+2081.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD010N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.10 грн
10+132.69 грн
100+79.88 грн
500+66.36 грн
1000+61.04 грн
1500+57.01 грн
4500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.01 грн
10+125.89 грн
100+86.97 грн
500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.71 грн
10+131.12 грн
100+78.52 грн
500+65.75 грн
1000+56.26 грн
1500+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.66 грн
3000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.72 грн
100+79.07 грн
500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.56 грн
3000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.37 грн
10+101.63 грн
100+69.56 грн
500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.65 грн
10+109.92 грн
100+65.75 грн
500+52.57 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.07 грн
3000+45.82 грн
4500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.63 грн
3000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 25406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.12 грн
10+130.34 грн
100+77.83 грн
500+65.20 грн
1000+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.79 грн
10+120.05 грн
100+82.92 грн
500+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.72 грн
10+85.23 грн
100+60.14 грн
500+40.90 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.92 грн
10+83.23 грн
100+51.00 грн
500+40.56 грн
1000+39.80 грн
1500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.64 грн
10+88.46 грн
100+59.80 грн
500+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.14 грн
500+40.90 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs Power, Dual N-Channel, DUAL SO-8FL 60 V, 29.7 mohm, 19 A SO-8FL Dual (Pb-Free)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.82 грн
10+114.64 грн
100+68.96 грн
500+55.17 грн
1000+51.55 грн
1500+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.88 грн
3000+49.28 грн
4500+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
10+108.66 грн
100+74.52 грн
500+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.95 грн
10+83.73 грн
100+56.64 грн
500+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+89.51 грн
100+52.57 грн
500+41.78 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 493-502 дні (днів)
2+175.24 грн
10+154.68 грн
100+108.56 грн
500+89.44 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
2+184.00 грн
10+163.32 грн
100+114.02 грн
500+93.54 грн
1000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5877NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.18 грн
10+222.19 грн
100+158.77 грн
500+142.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.00 грн
500+161.98 грн
1000+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.20 грн
10+204.14 грн
100+137.92 грн
500+131.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.74 грн
10+218.26 грн
100+184.00 грн
500+161.98 грн
1000+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLT1GONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.76 грн
10+215.92 грн
100+163.18 грн
500+160.45 грн
1000+136.55 грн
1500+135.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.17 грн
10+264.13 грн
100+189.88 грн
500+148.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.79 грн
10+245.34 грн
100+212.68 грн
500+193.79 грн
1000+152.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GONN
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+212.68 грн
500+193.79 грн
1000+152.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.14 грн
10+238.17 грн
100+192.77 грн
500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.10 грн
10+192.37 грн
100+134.50 грн
500+131.09 грн
1000+116.75 грн
1500+116.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.08 грн
10+233.29 грн
100+166.50 грн
500+129.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.77 грн
500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+138.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.15 грн
10+200.45 грн
100+142.38 грн
500+125.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.38 грн
10+140.55 грн
100+96.27 грн
250+95.59 грн
500+78.52 грн
1500+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GONN
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.26 грн
10+153.70 грн
100+107.49 грн
500+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GONN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.20 грн
10+149.18 грн
100+107.19 грн
500+97.63 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.20 грн
3000+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 509400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.34 грн
10+148.67 грн
100+103.38 грн
500+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.17 грн
10+132.69 грн
100+83.30 грн
500+76.47 грн
1000+65.20 грн
1500+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 508500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GONN
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.11 грн
10+70.90 грн
100+40.62 грн
500+31.95 грн
1000+29.15 грн
1500+26.97 грн
3000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.50 грн
10+112.43 грн
100+77.26 грн
500+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.03 грн
3000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON Semiconductor
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 34595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+109.92 грн
100+80.57 грн
250+78.52 грн
500+68.28 грн
1500+58.03 грн
3000+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.69 грн
10+74.28 грн
100+43.29 грн
500+34.21 грн
1000+31.27 грн
1500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.17 грн
10+140.55 грн
100+108.56 грн
250+103.78 грн
500+92.17 грн
1000+90.81 грн
1500+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.29 грн
10+140.61 грн
100+97.86 грн
500+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+73.44 грн
3000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.21 грн
10+105.21 грн
100+65.54 грн
500+53.39 грн
1000+53.32 грн
1500+51.28 грн
3000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.13 грн
10+91.94 грн
100+66.41 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.75 грн
10+113.06 грн
100+71.01 грн
500+57.97 грн
1000+57.83 грн
1500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.17 грн
10+123.52 грн
100+85.05 грн
500+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.91 грн
3000+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+58.34 грн
100+33.66 грн
500+26.56 грн
1000+23.96 грн
1500+21.98 грн
4500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.28 грн
3000+43.73 грн
4500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+70.90 грн
100+51.14 грн
500+46.36 грн
1000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.68 грн
10+79.81 грн
100+61.55 грн
500+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.50 грн
100+36.12 грн
500+28.33 грн
1000+24.51 грн
1500+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.21 грн
10+116.99 грн
100+71.01 грн
500+57.15 грн
1000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.21 грн
10+104.29 грн
100+71.33 грн
500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.70 грн
10+106.78 грн
100+64.59 грн
500+51.82 грн
1000+50.80 грн
1500+45.54 грн
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.84 грн
10+100.45 грн
100+68.60 грн
500+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.02 грн
10+95.01 грн
100+62.75 грн
250+61.45 грн
500+51.96 грн
1000+49.16 грн
1500+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+95.79 грн
100+64.11 грн
250+61.18 грн
500+50.93 грн
1000+47.59 грн
1500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.73 грн
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.21 грн
10+103.85 грн
100+70.83 грн
500+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.96 грн
10+100.37 грн
100+82.84 грн
500+56.88 грн
1000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.40 грн
3000+44.73 грн
4500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.84 грн
500+56.88 грн
1000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.74 грн
10+81.73 грн
100+68.05 грн
500+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.76 грн
3000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.11 грн
10+88.17 грн
100+64.75 грн
500+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.97 грн
10+122.49 грн
100+73.74 грн
500+59.88 грн
1000+55.30 грн
1500+52.09 грн
4500+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.53 грн
10+239.06 грн
100+171.56 грн
500+156.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.59 грн
10+248.01 грн
100+178.33 грн
500+164.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.14 грн
10+269.23 грн
100+200.73 грн
500+159.03 грн
1000+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+148.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.90 грн
10+186.09 грн
25+157.03 грн
100+117.43 грн
250+116.75 грн
500+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 424094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.33 грн
10+190.46 грн
100+134.32 грн
500+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.74 грн
10+108.07 грн
25+105.63 грн
100+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.88 грн
25+67.23 грн
100+62.05 грн
250+56.12 грн
500+53.58 грн
1000+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C668NLWFT1GONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.14 грн
10+112.31 грн
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.48 грн
10+125.30 грн
100+86.70 грн
500+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.96 грн
10+147.53 грн
25+146.60 грн
100+121.76 грн
250+111.61 грн
500+95.29 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.67 грн
10+144.47 грн
100+101.05 грн
500+85.34 грн
1000+77.83 грн
1500+65.75 грн
3000+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.71 грн
10+125.15 грн
100+86.61 грн
500+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+150.23 грн
94+137.69 грн
95+136.83 грн
110+113.65 грн
250+104.17 грн
500+88.93 грн
1000+88.14 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.67 грн
10+88.72 грн
100+67.46 грн
500+59.67 грн
1000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.04 грн
10+113.17 грн
100+77.80 грн
500+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.69 грн
10+87.43 грн
100+70.87 грн
500+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.56 грн
3000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.70 грн
10+95.79 грн
100+68.96 грн
500+59.33 грн
1000+55.58 грн
1500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.57 грн
10+61.48 грн
100+35.44 грн
500+27.79 грн
1000+25.40 грн
1500+23.28 грн
4500+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+78.36 грн
100+52.85 грн
500+49.70 грн
1000+47.93 грн
1500+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.33 грн
10+80.45 грн
100+62.29 грн
500+50.07 грн
1000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.84 грн
10+101.11 грн
100+69.11 грн
500+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.29 грн
500+50.07 грн
1000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.00 грн
10+98.60 грн
100+67.25 грн
500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.87 грн
10+104.43 грн
100+62.27 грн
500+49.50 грн
1000+43.56 грн
1500+42.60 грн
3000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.17 грн
3000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.85 грн
10+165.67 грн
100+101.73 грн
250+101.05 грн
500+88.08 грн
1000+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.89 грн
10+143.94 грн
100+100.27 грн
500+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.89 грн
10+143.94 грн
100+100.27 грн
500+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 877-886 дні (днів)
2+207.90 грн
10+184.52 грн
100+129.04 грн
500+105.83 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.34 грн
3000+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.16 грн
10+112.28 грн
100+70.32 грн
500+57.49 грн
1000+56.94 грн
1500+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.63 грн
10+122.56 грн
100+84.33 грн
500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 481-490 дні (днів)
3+112.31 грн
10+91.08 грн
100+61.65 грн
500+52.23 грн
1000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.33 грн
10+86.91 грн
100+58.93 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.68 грн
3000+38.17 грн
4500+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.03 грн
10+65.09 грн
100+45.95 грн
500+39.53 грн
1000+38.10 грн
1500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.71 грн
10+61.47 грн
100+45.14 грн
500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.30 грн
11+74.64 грн
100+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.56 грн
500+36.98 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.04 грн
10+72.79 грн
100+47.86 грн
500+42.33 грн
1000+35.03 грн
1500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.49 грн
10+84.32 грн
100+56.86 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD6H852NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.30 грн
100+54.56 грн
500+36.98 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.89 грн
3000+36.50 грн
4500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFET Power MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.8 mohm, -234 A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.58 грн
10+167.24 грн
100+117.43 грн
500+96.27 грн
1000+79.88 грн
1500+73.74 грн
4500+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.98 грн
10+135.58 грн
100+107.90 грн
500+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 695A; 65W; DFN5
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 695A
Case: DFN5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.22 грн
3000+48.70 грн
4500+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+107.18 грн
100+73.57 грн
500+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.85 грн
10+63.83 грн
100+43.88 грн
500+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm a. -10V, -52.1 A
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+62.81 грн
100+40.08 грн
500+32.02 грн
1000+25.19 грн
1500+24.24 грн
3000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.35 грн
3000+27.49 грн
4500+26.43 грн
7500+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+74.11 грн
100+49.82 грн
500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.79 грн
12+68.98 грн
100+52.81 грн
500+42.75 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.1 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.81 грн
500+42.75 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 47.1A, 12.2mohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.43 грн
10+82.44 грн
100+47.86 грн
500+38.64 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6 mohm SO8FL(Pb-Free)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.14 грн
10+79.30 грн
100+49.77 грн
500+39.53 грн
1000+35.16 грн
1500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.69 грн
10+75.00 грн
100+55.10 грн
500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.49 грн
3000+34.36 грн
4500+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 14 mohm, 46A
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.21 грн
10+60.77 грн
100+40.62 грн
500+32.02 грн
1000+26.63 грн
1500+24.78 грн
9000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.30 грн
10+66.13 грн
100+44.17 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06ConsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.92 грн
3000+33.86 грн
4500+32.50 грн
7500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.74 грн
10+78.03 грн
100+52.68 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+50.22 грн
100+33.37 грн
500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.69 грн
3000+18.13 грн
4500+18.03 грн
7500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS021N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 31 A, 23 mohm
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.78 грн
10+53.08 грн
100+30.86 грн
500+24.44 грн
1000+23.15 грн
1500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.26 грн
100+48.59 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+78.36 грн
100+45.74 грн
500+36.19 грн
1000+31.54 грн
1500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.78 грн
3000+31.00 грн
4500+29.74 грн
7500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8Lonsemi MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+39.37 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+58.14 грн
100+40.27 грн
500+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 9.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 23 mohm, -34.6 A
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.07 грн
10+55.59 грн
100+32.50 грн
500+25.40 грн
1000+24.99 грн
1500+18.64 грн
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.20 грн
3000+23.82 грн
4500+23.62 грн
7500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+50.17 грн
100+32.70 грн
500+28.13 грн
1000+25.40 грн
1500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 161486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.35 грн
10+51.78 грн
100+37.99 грн
500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 94A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.42 грн
500+23.82 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.42 грн
10+47.27 грн
100+27.38 грн
500+20.76 грн
1000+20.48 грн
1500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.10 грн
17+49.39 грн
100+32.42 грн
500+23.82 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.54 грн
10+190.38 грн
100+149.75 грн
500+116.13 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.75 грн
500+116.13 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
2+238.97 грн
10+197.86 грн
25+162.50 грн
100+139.28 грн
250+131.77 грн
500+123.58 грн
1000+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.14 грн
10+194.90 грн
100+151.35 грн
500+123.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 0.00255 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.21 грн
10+152.94 грн
100+111.52 грн
500+93.94 грн
1000+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.78 грн
10+163.02 грн
100+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.68 грн
10+188.44 грн
100+132.46 грн
500+108.56 грн
1500+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONN
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.07 грн
10+179.02 грн
100+113.34 грн
500+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.75 грн
10+189.87 грн
100+134.17 грн
500+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.00 грн
10+190.38 грн
100+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1436 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.31 грн
500+134.62 грн
1000+123.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+176.73 грн
3000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.58 грн
10+247.33 грн
25+214.39 грн
100+160.45 грн
250+159.77 грн
500+150.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.46 грн
10+176.04 грн
100+164.09 грн
500+140.53 грн
1000+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.81 грн
10+276.41 грн
100+223.61 грн
500+186.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.88 грн
10+197.08 грн
100+148.84 грн
500+146.11 грн
1000+125.63 грн
1500+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.62 грн
10+253.18 грн
100+204.82 грн
500+170.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+161.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.59 грн
500+66.05 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.19 грн
10+118.71 грн
100+81.85 грн
500+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.68 грн
10+109.92 грн
100+75.79 грн
500+63.43 грн
1000+54.69 грн
1500+54.42 грн
3000+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.10 грн
10+137.80 грн
100+95.59 грн
500+66.05 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.26 грн
100+35.91 грн
500+28.20 грн
1000+24.37 грн
1500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.87 грн
10+104.74 грн
100+79.45 грн
500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.75 грн
10+122.49 грн
100+85.34 грн
500+72.37 грн
1000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+97.33 грн
3000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+68.23 грн
100+53.19 грн
500+51.89 грн
1000+48.61 грн
1500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.01 грн
10+108.78 грн
25+107.23 грн
100+93.30 грн
250+85.53 грн
500+74.04 грн
1000+71.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.73 грн
3000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+106.41 грн
128+101.53 грн
130+100.08 грн
144+87.08 грн
250+79.83 грн
500+69.10 грн
1000+66.46 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.02 грн
3000+76.19 грн
7500+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.50 грн
100+78.48 грн
500+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.19 грн
10+95.79 грн
100+58.65 грн
500+50.93 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.78 грн
10+152.32 грн
100+92.17 грн
500+79.88 грн
1000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 20651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.78 грн
10+135.05 грн
100+85.34 грн
500+78.52 грн
1000+71.01 грн
1500+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.77 грн
10+91.87 грн
100+54.01 грн
500+43.01 грн
1000+39.46 грн
1500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+61.87 грн
100+35.71 грн
500+27.92 грн
1000+25.60 грн
1500+23.49 грн
4500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.19 грн
100+35.91 грн
500+28.20 грн
1000+25.67 грн
1500+23.49 грн
3000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+56.69 грн
100+32.57 грн
500+26.76 грн
1000+23.15 грн
1500+21.17 грн
4500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+56.69 грн
100+32.57 грн
500+26.76 грн
1000+23.15 грн
1500+21.17 грн
4500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.34 грн
100+35.91 грн
500+28.33 грн
1000+25.60 грн
1500+23.42 грн
4500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.34 грн
100+35.91 грн
500+28.33 грн
1000+25.60 грн
1500+23.42 грн
4500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C306NET1GonsemiMOSFETs TRENCH 30V NCH
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+53.78 грн
100+30.93 грн
500+25.40 грн
1000+21.98 грн
1500+20.07 грн
3000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C306NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 30V NCH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.48 грн
10+106.00 грн
25+79.88 грн
100+62.88 грн
250+58.58 грн
500+50.93 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT1GON Semiconductor
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C310NWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.56 грн
10+145.79 грн
100+102.24 грн
500+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLT1GonsemiMOSFETs SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 12025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.32 грн
10+160.96 грн
100+114.70 грн
500+96.95 грн
1500+79.20 грн
3000+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.47 грн
10+159.62 грн
100+111.79 грн
500+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5113PLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.15 грн
10+158.60 грн
100+98.32 грн
500+90.12 грн
1000+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5832NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.75 грн
10000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 86A, 7.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLonsemionsemi NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
на замовлення 24165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1G-UMonsemiDescription: POWER MOSFET 40V, 75A, 9.3 MOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT1G-UMonsemiDescription: POWER MOSFET 40V, 75A, 9.3 MOHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLonsemionsemi NFET SO8FL 60V 61A 12MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLT3GonsemiMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.41 грн
25+43.70 грн
50+41.44 грн
100+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZonsemiMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A140PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
на замовлення 44799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5A160PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GONN
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.88 грн
10+308.57 грн
25+267.64 грн
100+228.72 грн
1000+194.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NET1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.7mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.88 грн
10+213.57 грн
100+139.97 грн
500+138.60 грн
1000+117.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.24 грн
10+205.85 грн
100+151.67 грн
500+126.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+287.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT1GONN
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.24 грн
10+160.14 грн
100+112.30 грн
500+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 0.67 MOHMS LL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+85.14 грн
3000+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.31 грн
10+170.97 грн
25+168.74 грн
100+160.46 грн
250+146.58 грн
500+138.71 грн
1000+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+292.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+473.15 грн
50+415.00 грн
200+330.63 грн
500+281.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.55 грн
10+422.42 грн
100+289.49 грн
500+277.20 грн
1000+262.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+355.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.27 грн
10+473.15 грн
50+415.00 грн
200+330.63 грн
500+281.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.89 грн
10+375.23 грн
100+286.09 грн
500+264.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - T6 40V HEFET/ REEL 31AC1109
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+321.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.70 грн
10+266.20 грн
100+192.35 грн
500+180.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 067 MOHMS LL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFET3GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFHT3GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.57 грн
10+291.65 грн
100+215.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 373A 750MO
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.70 грн
10+336.05 грн
100+227.36 грн
1000+221.21 грн
1500+180.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+156.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+301.84 грн
500+286.75 грн
1000+270.58 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.90 грн
5+374.38 грн
10+309.86 грн
50+264.80 грн
100+195.27 грн
250+191.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiMOSFETs T6-40V N 07 MOHMS SL
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.64 грн
10+314.85 грн
100+206.19 грн
500+198.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+309.86 грн
50+264.80 грн
100+195.27 грн
250+191.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.89 грн
10+299.78 грн
100+225.92 грн
500+200.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GONN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.53 грн
10+275.60 грн
100+200.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 0.7 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFHT1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFHT1GonsemiMOSFETs T6-40V N 0.7 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFHT1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.26 грн
10+153.63 грн
100+107.49 грн
500+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NWFT3G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.08 грн
10+242.62 грн
25+207.56 грн
100+161.13 грн
250+157.72 грн
500+145.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NLWFT1GonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.10 грн
10+286.17 грн
100+231.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1GonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.79 грн
10+251.26 грн
25+209.61 грн
100+170.69 грн
250+167.28 грн
500+145.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410Nonsemionsemi T6-40V N 0.92 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.44 грн
10+243.20 грн
100+173.99 грн
500+135.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.74 грн
10+241.05 грн
100+149.52 грн
500+144.74 грн
1000+122.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GONN
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.86 грн
10+226.48 грн
100+161.40 грн
500+125.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.47 грн
10+219.85 грн
100+138.60 грн
500+131.77 грн
1000+124.26 грн
1500+111.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+133.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+141.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GONN
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.55 грн
10+207.84 грн
100+153.72 грн
500+127.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.01 грн
10+238.69 грн
100+148.84 грн
500+142.70 грн
1000+124.94 грн
1500+120.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFET3GonsemiMOSFETs T6 40V SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFHT1GonsemiMOSFETs T6 40V SO8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.32 грн
10+128.77 грн
100+81.93 грн
500+68.96 грн
1000+59.33 грн
1500+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.02 грн
10+260.36 грн
100+187.01 грн
500+146.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.14 грн
10+258.32 грн
100+161.13 грн
500+157.03 грн
1000+133.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1GONN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GONN
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 300A, 0.92mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+131.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.79 грн
10+225.52 грн
100+161.38 грн
500+145.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFHT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.32 грн
10+128.77 грн
100+81.93 грн
500+68.96 грн
1000+59.33 грн
1500+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C410NWFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NET1GonsemiMOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.78 грн
10+120.13 грн
100+74.42 грн
500+62.81 грн
1000+53.46 грн
1500+50.80 грн
3000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONN
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.75 грн
10+161.70 грн
100+129.84 грн
500+85.80 грн
1000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL
на замовлення 8799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.74 грн
10+189.23 грн
100+116.07 грн
500+105.83 грн
1000+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+114.75 грн
3000+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.23 грн
500+93.20 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+148.44 грн
10+134.26 грн
25+124.82 грн
50+119.16 грн
100+97.28 грн
250+92.47 грн
500+77.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.98 грн
10+179.44 грн
100+145.19 грн
500+121.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.23 грн
10+201.70 грн
100+142.74 грн
500+110.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.84 грн
10+123.47 грн
100+116.30 грн
500+102.07 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONN
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+102.07 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
на замовлення 10243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.54 грн
10+156.25 грн
100+111.29 грн
500+107.19 грн
1000+103.10 грн
1500+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiMOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.69 грн
10+177.45 грн
25+151.57 грн
100+112.66 грн
500+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.02 грн
10+127.45 грн
100+116.30 грн
500+97.63 грн
1000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.30 грн
10+174.77 грн
25+173.13 грн
50+165.35 грн
100+129.97 грн
250+123.55 грн
500+122.32 грн
1000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.30 грн
500+97.63 грн
1000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V SG
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.19 грн
10+119.35 грн
100+71.69 грн
500+57.35 грн
1000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.41 грн
10+129.14 грн
25+122.86 грн
50+117.29 грн
100+96.81 грн
250+92.00 грн
500+91.08 грн
1000+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.23 грн
10+201.70 грн
100+142.74 грн
500+110.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.90 грн
10+178.23 грн
100+113.34 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.17 грн
3000+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.46 грн
10+130.99 грн
100+90.45 грн
500+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.90 грн
10+120.13 грн
100+74.42 грн
500+61.58 грн
1500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 2 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.61 грн
10+67.46 грн
100+45.14 грн
500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 2 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.11 грн
3000+28.58 грн
4500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.70 грн
10+72.24 грн
100+41.85 грн
500+32.98 грн
1000+30.45 грн
1500+27.99 грн
4500+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorMOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.51 грн
10+113.06 грн
100+72.37 грн
500+58.65 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.63 грн
10+122.26 грн
100+84.10 грн
500+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFHT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.08 грн
10+75.61 грн
100+44.17 грн
500+34.89 грн
1000+32.64 грн
1500+29.97 грн
4500+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NonsemiMOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GONSEMINVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+373.85 грн
8+163.71 грн
20+154.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.76 грн
10+215.07 грн
100+140.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.62 грн
10+198.52 грн
100+140.36 грн
500+108.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
2+242.95 грн
10+201.00 грн
25+165.23 грн
100+140.65 грн
250+133.14 грн
500+125.63 грн
1000+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G-YEonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.90 грн
10+101.29 грн
100+61.04 грн
500+51.96 грн
1000+43.42 грн
1500+40.08 грн
4500+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NET1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.41 грн
10+84.80 грн
100+51.62 грн
500+43.76 грн
1000+36.53 грн
1500+33.73 грн
4500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+213.27 грн
67+194.13 грн
69+187.92 грн
100+141.62 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.01 грн
500+105.03 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.17 грн
10+203.04 грн
100+164.29 грн
500+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.51 грн
10+207.99 грн
25+201.34 грн
100+151.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.83 грн
10+192.77 грн
100+137.01 грн
500+105.03 грн
1000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLT1GONN
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.89 грн
10+177.81 грн
100+124.91 грн
500+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.68 грн
10+175.88 грн
25+144.74 грн
100+123.58 грн
250+116.75 грн
500+109.92 грн
1000+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+176.78 грн
100+124.17 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.59 грн
10+158.60 грн
100+101.05 грн
500+97.63 грн
1000+81.93 грн
1500+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.65 грн
10+109.14 грн
100+64.59 грн
500+54.21 грн
1000+47.66 грн
1500+44.17 грн
4500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.69 грн
10+165.98 грн
100+116.64 грн
500+98.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFHT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.07 грн
10+106.00 грн
100+62.81 грн
500+52.37 грн
1000+46.09 грн
1500+42.67 грн
4500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 568843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.52 грн
10+143.72 грн
100+101.84 грн
500+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 568500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.61 грн
3000+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.56 грн
10+143.69 грн
100+87.39 грн
500+75.10 грн
1000+65.75 грн
1500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1GONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1G-YEonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.99 грн
10+87.94 грн
100+51.21 грн
500+41.99 грн
1000+36.73 грн
1500+33.80 грн
4500+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.10 грн
10+172.85 грн
100+119.48 грн
500+96.16 грн
1000+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.83 грн
10+152.32 грн
100+92.17 грн
500+79.88 грн
1000+73.06 грн
1500+68.14 грн
3000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.89 грн
10+143.86 грн
100+100.25 грн
500+81.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.48 грн
500+96.16 грн
1000+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 1.4 MOHMS LL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.43 грн
10+83.23 грн
100+48.48 грн
500+38.44 грн
1000+36.73 грн
1500+33.59 грн
4500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+77.59 грн
100+52.31 грн
500+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+72.54 грн
203+63.96 грн
250+63.64 грн
500+59.78 грн
1500+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.21 грн
10+138.46 грн
100+96.25 грн
500+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.55 грн
10+87.15 грн
100+69.64 грн
1500+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.51 грн
10+77.72 грн
100+68.53 грн
250+65.75 грн
500+59.30 грн
1500+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.16 грн
3000+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.58 грн
10+89.51 грн
100+52.91 грн
500+42.13 грн
1000+39.19 грн
1500+36.12 грн
4500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.68 грн
10+138.02 грн
100+95.96 грн
500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 1.4 MOHMS LL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.96 грн
3000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFHT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+89.51 грн
100+52.64 грн
500+41.92 грн
1000+38.92 грн
1500+35.91 грн
4500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.66 грн
100+72.44 грн
500+65.84 грн
1000+57.48 грн
1500+53.25 грн
3000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+72.48 грн
192+67.61 грн
500+63.73 грн
1000+57.94 грн
1500+51.77 грн
3000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GONN
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.43 грн
10+148.74 грн
100+106.17 грн
500+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.64 грн
10+146.83 грн
100+90.81 грн
500+81.25 грн
1000+77.83 грн
1500+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1GONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT1G-TKonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+91.08 грн
100+55.30 грн
500+46.84 грн
1000+39.19 грн
1500+36.12 грн
4500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.68 грн
10+138.02 грн
100+95.96 грн
500+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 1.7 MOHMS SL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFHT1GonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.18 грн
10+91.08 грн
100+54.96 грн
500+46.63 грн
1000+38.92 грн
1500+35.91 грн
4500+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C430NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.79 грн
3000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.27 грн
10+102.44 грн
100+81.54 грн
500+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+104.43 грн
100+64.45 грн
250+64.38 грн
500+52.91 грн
1000+52.85 грн
1500+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT1G-YEonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.98 грн
10+58.73 грн
100+34.82 грн
500+29.15 грн
1000+24.78 грн
1500+22.39 грн
3000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NAFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+96.97 грн
100+77.19 грн
500+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
3+129.84 грн
10+104.43 грн
100+75.79 грн
250+72.37 грн
500+62.81 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.09 грн
10+113.91 грн
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C442NLAFT1G-YEonsemiMOSFETs T6 40V S08FL
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.72 грн
10+69.57 грн
100+40.35 грн
500+33.05 грн
1000+29.97 грн
1500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.