Продукція > NTH

MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM

на замовлення 1357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1126.55 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1057.77 грн
30+	996.73 грн
120+	958.49 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1864.56 грн
10+	1460.80 грн
120+	1341.29 грн
510+	1267.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1678.49 грн
10+	1417.20 грн
120+	1310.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1080.64 грн
5+	1063.48 грн
10+	1046.31 грн
50+	953.24 грн
100+	862.99 грн
250+	846.07 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F-F155

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH027N65S3F_F155

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH030C-2.4576

Diodes Inc

Oscillator XO 2.4576MHz ±100ppm 50pF HCMOS/TTL 60% 5V 4-Pin Metal DIP Thru-Hole Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH03NA-2.048000MHZT

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH03NA-2.0480MHZ(T)

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH03NA-2.0480T

на замовлення 615 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH03NA20480T

на замовлення 132 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0505M

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC

Isolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC-R

Isolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC-R

Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0505MC-R

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC

Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC

Isolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC-R

Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC-R

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0509MC-R

Isolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0512MC

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0512MC

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0512MC

Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0512MC-R

Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0512MC-R

Isolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC

Isolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC

Module DC-DC 5VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC-R

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH0515MC-R

Isolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH069AA

SARONIX

0052+

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH069AA

SARONIX

0052+

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH080AA44.7360MHZ

на замовлення 958 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH08312J803JTR

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH089AA362208

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH08HC

CITIZEN

1000/REEL

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH08HC-55.0000MHZ

на замовлення 806 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH08NB-25.0000(T)

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH11D5R0LA/C130

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH1205M

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1162.06 грн
5+	1114.24 грн
10+	1106.27 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC-R

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1205MC-R

Isolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC

Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1253.30 грн
5+	1230.12 грн
10+	1062.02 грн
25+	1049.01 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC-R

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1209MC-R

Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC

Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC-R

Isolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1212MC-R

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215M

Isolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC

Isolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC

Murata

DC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = -15; Uвих2, В = 15; Pвих, Вт = 1; Pвих2, Вт = 1; Uвх (max), В = 13,2; Uвх (min), В = 10,8; Iвих1, А = 0,067; Iвих2, А = 0,067; Uізол., В = 1 000; ККД, % = 84; Рів. пульс., мВ = 150; Тексп, °С = -40...+85

на замовлення 47 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC-R

Isolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1253.30 грн
5+	1230.12 грн
10+	1062.02 грн
25+	1049.01 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC-R

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH1215MC-R

Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH205MC

Murata

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH209MC

Murata

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH212MC

Murata

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH215MC

Murata

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH215MC-R

Omron Automation and Safety

Murata

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH2410BL

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH25CST141B

Omron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH25ST121B

Omron Automation and Safety

Omron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH294AA

Pulse Electronics

Pulse

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH294AA

FCI

0009

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH295AA

Pulse Electronics

Pulse

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH407AQ

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH407AQNL

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH407CK

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH411AR

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH413AE

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH437AA

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH437ABT

PULSE

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH437AGT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH437AW

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH439AN

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH439BB

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441BK

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441CT

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH441DC

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DCT

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DD

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DDT

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DE

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DET

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH441DF

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH456AA

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH456AANL

Description: FIXED IND

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH456AAT

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH456AAT

Description: IC CHIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH465BB

на замовлення 470 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH48HC3-33.3333

на замовлення 229 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4G1S33B103FD01

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4G39A103E02

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4G39A103F02

DIP

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4G40B203F01

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2297.64 грн
10+	1797.93 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET ? EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2692.28 грн
10+	2408.33 грн
30+	1779.72 грн
120+	1775.13 грн
270+	1680.25 грн
510+	1582.32 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 505A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

Description: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2747.52 грн
5+	2583.58 грн
10+	2419.64 грн
50+	2128.05 грн
100+	1854.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L013N120M3S

Discrete SiC M3S 1200V 13mohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L014N120M3P

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L014N120M3P

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	1543.42 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTH4L014N120M3P

Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V

на замовлення 2070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2139.55 грн
10+	1509.40 грн
450+	1290.57 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L014N120M3P

MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2384.31 грн
10+	2088.04 грн
25+	1694.03 грн
50+	1642.00 грн
100+	1589.20 грн
250+	1482.85 грн
450+	1362.72 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L014N120M3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V

на замовлення 7224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1612.32 грн
30+	1269.42 грн
120+	1220.96 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3373.41 грн
10+	2697.69 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1821.93 грн
10+	1763.35 грн
30+	1316.81 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	3148.52 грн
10+	2517.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2776.43 грн
10+	2422.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L015N065SC1

Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1808.51 грн
5+	1697.78 грн
10+	1587.06 грн
50+	1370.88 грн
100+	1240.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L016N065M3S

NTH4L016N065M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L018N075SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1823.72 грн
10+	1597.04 грн
30+	1296.15 грн
60+	1255.60 грн
120+	1214.28 грн
270+	1133.94 грн
510+	1042.12 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N090SC1

Description: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3167.25 грн
5+	3061.68 грн
10+	2953.52 грн
50+	2664.45 грн
100+	2323.39 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N090SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2264.70 грн
10+	1983.33 грн
25+	1609.10 грн
50+	1559.36 грн
100+	1508.86 грн
250+	1481.32 грн
450+	1293.86 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N090SC1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V

на замовлення 3503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2007.12 грн
30+	1251.94 грн
120+	1197.97 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2223.08 грн
5+	2045.41 грн
10+	1926.10 грн
50+	1676.94 грн
100+	1517.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2246.84 грн
10+	1884.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3222.00 грн
10+	2799.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V

на замовлення 18260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2106.44 грн
30+	1682.65 грн
120+	1678.45 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L020N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1874.02 грн
10+	1587.64 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1191.37 грн
5+	1047.17 грн
10+	902.11 грн
50+	836.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

на замовлення 2189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1159.57 грн
10+	884.31 грн
120+	743.72 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2200.82 грн
10+	1665.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2358.02 грн
10+	1784.91 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L022N120M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V

на замовлення 64665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1350.77 грн
10+	1035.73 грн
30+	958.21 грн
120+	834.34 грн
270+	806.56 грн
510+	788.80 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L023N065M3S

NTH4L023N065M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	908.73 грн
10+	826.24 грн
30+	609.05 грн
120+	556.26 грн
270+	523.36 грн
510+	439.96 грн
1020+	439.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L023N065M3S

SiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L023N065M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 11038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	816.92 грн
10+	577.92 грн
450+	460.71 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

SiC MOS TO247-4L 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1456.71 грн
10+	1041.15 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

Description: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1533.84 грн
5+	1347.58 грн
10+	1160.47 грн
50+	1076.78 грн
100+	974.09 грн
250+	954.22 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1957.95 грн
10+	1790.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L025N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1535.39 грн
10+	1126.29 грн
120+	890.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

NTH4L027N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

650 V, N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1820.15 грн
10+	1298.75 грн
120+	1058.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

650 V, N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L027N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1676.05 грн
10+	1167.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3138.62 грн
10+	2299.22 грн
30+	1998.55 грн
1020+	1955.71 грн
2520+	1954.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V

на замовлення 8360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2693.27 грн
10+	1926.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

NTH4L028N170M1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3071.98 грн
5+	2850.52 грн
10+	2628.22 грн
50+	2399.84 грн
100+	2176.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L028N170M1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	3009.64 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTH4L030N120M3S

NTH4L030N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L030N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1089.05 грн
30+	645.86 грн
120+	485.87 грн
510+	477.45 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	967.56 грн
30+	565.09 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L032N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	742.70 грн
10+	554.35 грн
120+	401.70 грн
510+	358.09 грн
1020+	335.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L032N065M3S

Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	763.06 грн
5+	645.47 грн
10+	527.02 грн
50+	446.33 грн
100+	336.22 грн
250+	325.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L032N065M3S

SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L032N065M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V

на замовлення 10700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	708.49 грн
10+	473.67 грн
450+	386.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V

на замовлення 64964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1075.98 грн
30+	634.99 грн
120+	589.58 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120M3S

NTH4L040N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1161.36 грн
10+	682.81 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

Description: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1660.88 грн
5+	1605.08 грн
10+	1548.43 грн
50+	1072.79 грн
100+	974.82 грн
250+	959.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1605.91 грн
10+	1113.09 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2192.42 грн
10+	1733.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V

на замовлення 3732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1575.07 грн
30+	961.45 грн
120+	881.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

на замовлення 156 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

MOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1118.51 грн
10+	858.80 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

650 V, 65 A, 40 m Ohm N Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V

на замовлення 3910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1075.15 грн
30+	730.07 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1429.64 грн
3+	1303.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1191.37 грн
3+	1045.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L040N65S3F

на замовлення 4471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1216.69 грн
30+	765.44 грн
120+	730.07 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1268.12 грн
10+	1007.53 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1183.58 грн
13+	940.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V

на замовлення 89683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	653.04 грн
30+	525.34 грн
120+	509.99 грн
510+	465.83 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	993.34 грн
10+	871.34 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	688.38 грн
5+	677.22 грн
10+	665.21 грн
50+	557.92 грн
100+	512.79 грн
250+	509.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	742.70 грн
10+	593.06 грн
120+	484.34 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	593.62 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V

на замовлення 3199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	778.02 грн
30+	473.11 грн
120+	428.83 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	866.15 грн
10+	822.55 грн
25+	814.33 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	712.42 грн
5+	588.82 грн
10+	465.22 грн
50+	423.22 грн
100+	382.57 грн
250+	374.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	740.91 грн
10+	471.63 грн
120+	397.87 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	528.12 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	795.81 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	565.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	981.63 грн
30+	637.17 грн
120+	599.61 грн
510+	551.28 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	742.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	972.49 грн
5+	944.17 грн
10+	914.98 грн
50+	703.77 грн
100+	630.51 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L060N090SC1

SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

на замовлення 586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	706.10 грн
10+	668.73 грн
30+	524.89 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L067N65S3H

Description: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L067N65S3H

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 4lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L067N65S3H

NTH4L067N65S3H

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L067N65S3H

NTH4L067N65S3H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	715.92 грн
10+	524.43 грн
120+	338.19 грн
510+	337.43 грн
1020+	308.35 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	480.25 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTH4L070N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L070N120M3S

NTH4L070N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V

на замовлення 530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	732.50 грн
10+	483.55 грн
450+	346.27 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	867.10 грн
10+	745.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	552.77 грн
5+	515.86 грн
10+	478.95 грн
50+	410.47 грн
100+	364.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V

на замовлення 869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	755.67 грн
30+	433.95 грн
120+	368.96 грн
510+	328.51 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	702.53 грн
10+	454.92 грн
120+	375.69 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L075N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	418.66 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	783.66 грн
5+	755.33 грн
10+	726.15 грн
50+	485.39 грн
100+	441.43 грн
250+	434.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V

на замовлення 41300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	795.40 грн
30+	464.96 грн
120+	440.40 грн
510+	393.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1222.01 грн
10+	1121.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	812.33 грн
10+	741.77 грн
30+	465.97 грн
120+	452.20 грн
270+	451.43 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	500.79 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1431.70 грн
2+	1031.99 грн
3+	975.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L095N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	681.10 грн
10+	575.46 грн
30+	453.73 грн
120+	417.00 грн
270+	392.52 грн
510+	367.27 грн
1020+	330.54 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	530.02 грн
10+	479.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 224mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	494.69 грн
28+	447.29 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.41 грн
10+	348.45 грн
120+	302.23 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	696.08 грн
30+	385.15 грн
120+	339.80 грн
510+	290.59 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	565.06 грн
10+	518.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4L160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

MOSFETs SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2115.62 грн
10+	2049.32 грн
30+	1563.95 грн
60+	1508.10 грн
120+	1471.37 грн
270+	1299.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

Description: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2047.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1810.13 грн
30+	1473.96 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN019N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN040N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 62A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN040N65S3H

MOSFETs SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	877.49 грн
10+	627.38 грн
120+	522.59 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN040N65S3H

Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	758.77 грн
5+	655.77 грн
10+	551.91 грн
50+	491.76 грн
100+	445.11 грн
250+	435.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN040N65S3H

Description: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	872.37 грн
10+	661.93 грн
30+	609.83 грн
120+	528.67 грн
270+	526.83 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN041N60S5H

Description: MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6213 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	717.60 грн
30+	446.04 грн
120+	372.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.45 грн
10+	326.09 грн
100+	311.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	765.02 грн
10+	591.30 грн
120+	324.42 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	740.74 грн
5+	660.92 грн
10+	580.23 грн
50+	495.75 грн
100+	392.87 грн
250+	327.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	311.22 грн
40+	304.35 грн
100+	290.46 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN095N65S3H

Description: ONSEMI - NTH4LN095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	530.45 грн
5+	464.36 грн
10+	398.27 грн
50+	308.45 грн
100+	265.59 грн
250+	245.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN095N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 30A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN095N65S3H

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTH4LN095N65S3H

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247 narrow 4lead

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	783.76 грн
30+	483.07 грн
120+	362.68 грн
510+	315.24 грн

В кошику од. на суму грн.

NTH502AANL

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH518AAT

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH557AJT

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH570ABT

PULSE

99/00

на замовлення 2856 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH582AA

на замовлення 809 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH582AAT

на замовлення 988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5D103KA

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5D223KA

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P33B103F08TH

на замовлення 55768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P33B103J08TH

0402TEM

на замовлення 37616 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P33B103J08TH

на замовлення 18808 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P35A221J08TH

0402T

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P39B332K08TH

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P39B682J08TH

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P42B104J08TH

0402T

на замовлення 18200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G10P42B104J08TH

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P30B102J07TH0603-1K

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P33B103E07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P33B103F07T

на замовлення 23497 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P33B103F07TH

на замовлення 186921 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P33B103J07T

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P33B103J07TH

01+

на замовлення 80043 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P35A331K07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B102J077H

0603-1K

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B102J07TH

0603-1K

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B102J07TH 0603

на замовлення 116000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B102J07TH0603-1K

на замовлення 356000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B102K07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B471K07TH

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P36B681J07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39A563K07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B152J07TH

на замовлення 2594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B153J07TH

muRata

2005+

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B222J07TH

0603TEM

на замовлення 7960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B223J07T

на замовлення 23973 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B223J07TH

0603TEM

на замовлення 10926 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B223J07TH

на замовлення 23973 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B332J07TH

05+

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B472J07TH

на замовлення 13693 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B682J07T1

на замовлення 6782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B682J07TH

0603-6.8K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B682J07TH 0603-6

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P39B682J07TH0603-6.8K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B333J07T

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B333J07TH

на замовлення 36886 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473FJ07TH

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473J04TH

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473J07T

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473J07TH

09+

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473J07TH

06+

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473J0TTH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473K07T

на замовлення 600000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P40B473K07TH

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P41B683J07TE

0603TEM

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P41B683J07TH

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P42A104F18TH

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P42B104J07TH

02+

на замовлення 60010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224E07T

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224E07TH

0603L

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224E07TH

01+

на замовлення 16010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224E07TH

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224J07TH

muRata

2005+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224K07TH

0603TEM

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A224K07TH

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G16P45A474J07TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M29A221J04TH

0603TEM

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M29A221J04TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M31B102J

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M31B102K04TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M33B103F04TH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M33B103J04TH

0603-10K

на замовлення 18664 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M33B103J04TH 0603-

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M33B103J04TH 0603-10

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M33B103J04TH0603-10K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A472J

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A472J04TH

0603-4.7K

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A472J04TH 0603-

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A472J04TH(0603-4.7K

на замовлення 416000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A472J04TH0603-4.7K

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35A47J04TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35AA472J04T

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35AA472J04TH

0603-4.7K

на замовлення 352000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M35AA472J04TH 0603

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M36B682K04TH

0603TEM

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M36B682K04TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M39B153J04TH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M39B153K04TH

0603TEM

на замовлення 7600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M39B223J04TH

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M39B223K04TH

на замовлення 3496 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B222J07TE

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B333J04TH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B333K04TH

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B333K04TH

0603TEM

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B473J

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B473J04TH

0603TEM

на замовлення 30022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M40B473J04TH

на замовлення 805011 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B101J04TH

02+

на замовлення 18010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B104J04TH

0603-100K

на замовлення 585048 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B104J04TH

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B104J04TH 0603-

на замовлення 11386 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B104J04TH0603-100K

на замовлення 11386 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B104K04TH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B204J04TH

0603-200K

на замовлення 164000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B204J04TH 0603-

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B204J04TH 0603-20

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B204J04TH0603-200K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G1M42B204K04TH

0603TEM

на замовлення 64000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P35A221J07TE

0805T

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P35A221J07TE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P35A221K07TE

на замовлення 5345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P36B102J07TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P36B471J07TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39A103J07T

на замовлення 148000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39A103J07TE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39A103K07TE

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39B153J07TE

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39B222J07TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39B223J07TE

на замовлення 7600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P39B472J07TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B330J07TE

0805T

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B330J07TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B333J07TE

на замовлення 3195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B473J07T

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B473J07TE

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P40B473K07TE

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P42B103J07TE

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P42B103k07TE

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P42B104F15TE

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P42B104J07T

на замовлення 10470 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G20P42B104J07TE

на замовлення 120580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A221J01TE

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A221J01TE

0805T

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A221K01TE

0805T

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A221K01TE

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A331J01TE

06+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A331J01TE

06+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G29A331J01TE

09+

на замовлення 8018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M29B471J04TE

0805T

на замовлення 6742 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M29B471J04TE

на замовлення 3371 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M29B471K04TE

на замовлення 6078 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M31A681J04TE

0805T

на замовлення 320000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M31B102J

на замовлення 15736 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M31B102J04TE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M35A472J

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M35A472J04TE

на замовлення 2718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M35A472J04TE-1

на замовлення 916 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M35A472K04TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M36B103E12TE

0805T

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M36B103E12TE

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M36B103J04TE(10K)

на замовлення 18200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M36B103K04TE

на замовлення 7745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M36B103K04TE

0805T

на замовлення 15490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39A103Q04TE

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39A103Q04TE

0805T

на замовлення 5800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B104J04TE

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B222K04TE

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B332J04TE

на замовлення 89000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B332K04TE

0805-3.3K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B332K04TE 0805-

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B332K04TE0805-3.3K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B332K07TE

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M39B333K04TE

на замовлення 7997 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M40B333K04TE

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M40B473J04TE

0805T

на замовлення 37000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M40B473J04TE

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M41B683J04TE

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M41B683J04TE

0805T

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M42B104J04TE

на замовлення 119600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M42B104JTE

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2M69B471K04TE

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2MB104K04TE

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G2MP39B222J04TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G31B102J01TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G31B102J01TE

0805T

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G31B102K

0805T

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G31B102K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G32M31B102J04TE

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G35A472J04TH

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G35A472J04TH

05+ 603

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G35A502K0111

на замовлення 44000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G35A502K01TE

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G36B103J

на замовлення 1961 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G36B103J01TE

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G36B103K01TE

MARATA

2006

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G36B103K0TE

на замовлення 44000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G36B682K01TE

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B152J

0805T

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B152J

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B152K01TE

98+

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B153J01TE

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B153J01TE

0805T

на замовлення 7600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B153K

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B153K01TE

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B222K01TE

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B223E01TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B223E01TE

0805T

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B223J01TE

на замовлення 2366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B223K01TE

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B332K

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B332K01TE

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G39B332K01TE1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G40B303J01E

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G40B473K01TE

на замовлення 28900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G41B683J01TE

0805T

на замовлення 50060 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G41B683J01TE

на замовлення 25030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G42B104K01TE

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5G42B104K01TF

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5GM39B681K04TE

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTH5GZM35A472K04TE

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T)

на замовлення 328 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHA3HB2048T

на замовлення 933 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHA6HC-E13.5000MHZ(T)

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHA6HC166700T

на замовлення 824 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHA8HB-33.3300T

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHBBA6A10150U

Automotive Connectors NTHBBA6A10150U

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHBR11A1000SR

Modular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination.

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.81 грн
10+	180.38 грн
100+	144.61 грн
500+	120.13 грн
1000+	103.29 грн
2500+	96.41 грн
5000+	91.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHC08-3HJ103JTR

на замовлення 3209 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC08-3HJ103JTR

0805T

на замовлення 6418 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC083RJ803JTR

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1

Description: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1

1206-8

на замовлення 18954 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

09+

на замовлення 33018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

NTHC5513T1G Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

07+ SOT23-6

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	97.95 грн
125+	97.03 грн
162+	75.16 грн
250+	71.75 грн
500+	54.54 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

SOT23-8

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHC5513T1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA11A1001F0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA11A1001F0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA12A1001H2

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA12A1001H2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA13210001F

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13210001F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA13A1001B0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13A1001B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA13B1001B0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13B1001B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA22210001S

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22210001S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA2231U001S

Description: NTHCAA2231U001S
Packaging: Bag

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA22A10001N

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X2 PLUG TO 1x1 4 PLUG L=3000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA22A1001B0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA22A1001G0

Description: NTHCAA22A1001G0
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA22A1001G0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001G0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1001F0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3 PLUG TO 1X2 PLUG L =1000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1001H2

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001H2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1001R0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001R0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1004L0

NTH 2X3plug unsealed TO 1X2 & 1X1plug unsealed L=5000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1601M4

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TO 2X2plug unsealed L=1000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1601Q0

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1601Q0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAA23A1602M4

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TOinline UNSEALED L=1000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAB1131001B0

Automotive Connectors NTHCAB1131001B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAC22A1601F0

Automotive Connectors NTHCAC22A1601F0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAC22A1602F0

Automotive Connectors NTHCAC22A1602F0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCALA401004D0

Amphenol NTHCALA401004D0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAP23A1601Q1

Automotive Connectors NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =1000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAP23A1602Q1

Automotive Connectors NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =2000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCAP23B1001A6

NETBRIDGE+ ASSY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCBB1111001B0

Amphenol NTHCBB1111001B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCBB11A1002F0

Automotive Connectors NTHCBB11A1002F0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCBBA6A10150S

Ethernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCBBA6A10150S

Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Color: Black, Individual
Length: 4.92' (1.50m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Cable Termination: Crimp

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2070.85 грн
10+	1694.71 грн
25+	1588.63 грн
50+	1419.72 грн
100+	1352.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHCBBA6A10150S

Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCBBA6A10150S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 4.9ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabellänge - Metrisch: 1.5m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2351.83 грн
5+	2174.16 грн
10+	1996.48 грн
25+	1739.11 грн
50+	1529.55 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A104600

Automotive Connectors NTHCCB12A104600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A104810

Automotive Connectors NTHCCB12A104810

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A114000

Automotive Connectors NTHCCB12A114000

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A1301T0

Automotive Connectors NTHCCB12A1301T0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A1302T0

Automotive Connectors NTHCCB12A1302T0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB12A130950

Automotive Connectors NTHCCB12A130950

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15A1008T0

Automotive Connectors NTHCCB15A1008T0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15A104970

Automotive Connectors NTHCCB15A104970

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15A125000

Amphenol NTHCCB15A125000

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15A1502B0

Automotive Connectors NTHCCB15A1502B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15A1U003B

Automotive Connectors NTHCCB15A1U003B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15B126000

NTHCCB15B126000

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15B1502B0

Automotive Connectors NTHCCB15B1502B0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15B156000

Description: NTHCCB15B156000
Packaging: Bag

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCCB15B156000

Automotive Connectors NTHCCB15B156000

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCDB22A10006C

Automotive Connectors NTHCDB22A10006C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCDB22Z10007C

Automotive Connectors NTHCDB22Z10007C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCFR050P

Automotive Connectors NTHCFR050P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCK11A100015S

Automotive Connectors NTHCK11A100015S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCK11A100015W

Automotive Connectors NTHCK11A100015W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCP23A100300U

NETBRIDGE+ ASSY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPHS11011AP

Automotive Connectors NTHCPHS11011AP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A10042S

Automotive Connectors NTHCPK11A10042S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A1U010S

Automotive Connectors NTHCPK11A1U010S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A1U021S

Automotive Connectors NTHCPK11A1U021S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A1U023S

Automotive Connectors NTHCPK11A1U023S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A1U036S

Automotive Connectors NTHCPK11A1U036S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPK11A1U040S

Automotive Connectors NTHCPK11A1U040S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP11A10114S

Automotive Connectors NTHCPP11A10114S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP11A10150S

Automotive Connectors NTHCPP11A10150S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP11A10360S

Amphenol

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP11A1U005S

Automotive Connectors NTHCPP11A1U005S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP22A10010S

Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP22A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 3.3ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 1m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2156.13 грн
5+	2113.22 грн
10+	2070.30 грн
25+	1900.90 грн
50+	1753.94 грн
100+	1753.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP22A10150S

Automotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=15000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP22A10400S

Automotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=40000MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP23A10005S

Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP23A10005S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 19.7"
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabellänge - Metrisch: 500mm
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2661.69 грн
5+	2608.48 грн
10+	2555.26 грн
25+	2345.64 грн
50+	2164.47 грн
100+	2163.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHCPP23A10150S

NETbridge+ Cable Ass'y, 1X1 TO 1X1, Seal, STP Cable, 15000mm, Bag

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCPR11A10010S

Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPR11A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 3.3ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 1m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	936.44 грн
10+	917.56 грн
25+	898.68 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHCRHS11011AP

Automotive Connectors NTHCRHS11011AP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHCRHS11011BP

Automotive Connectors NTHCRHS11011BP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1

Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

MOSFET -8V -4.6A P-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

09+

на замовлення 2210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

06+NOP

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2102PT1G

SOT23-8

на замовлення 13810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD2110TT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD2110TT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

NTHD2110TT1G

Description: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1

MOSFETs Complementary ChipFET Power MOSFET 20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1

1206-8

на замовлення 2351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.73 грн
50+	75.79 грн
100+	52.53 грн
500+	39.13 грн
1500+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

MOSFETs 20V +3.9A/-4.4A Complementary

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.62 грн
10+	72.68 грн
100+	42.62 грн
500+	34.05 грн
1000+	31.06 грн
3000+	27.16 грн
6000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

на замовлення 10424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.19 грн
10+	72.53 грн
100+	48.37 грн
500+	35.66 грн
1000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G Multi channel transistors

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	110.62 грн
25+	46.48 грн
67+	43.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

на замовлення 1806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.53 грн
500+	39.13 грн
1500+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.58 грн
6000+	28.28 грн
9000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT1G

Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT3

на замовлення 79986 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT3G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3100CT3G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101F

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1

0432+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.27 грн
25+	28.75 грн
100+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

NTHD3101FT1G SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

SOT-8

на замовлення 4102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

ONS

08+

на замовлення 21500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

SOT23-8

на замовлення 41422 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky

на замовлення 7019 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT1G

ONROHS

на замовлення 25888 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3101FT3G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102C

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	48.32 грн
17+	40.92 грн
25+	40.24 грн
100+	28.67 грн
250+	25.66 грн
500+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary

на замовлення 50740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.71 грн
10+	68.19 грн
100+	46.14 грн
500+	39.18 грн
1000+	31.91 грн
3000+	29.99 грн
6000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3102CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3103FT1G

на замовлення 10090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT1G

0748NO

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V

на замовлення 52717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT1G

Description: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 52717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD3133PFT3G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1

MOSFET -20V -4.1A Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.64 грн
50+	60.68 грн
100+	50.64 грн
500+	32.52 грн
1500+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G
Код товару: 109267

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

на замовлення 13180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.91 грн
10+	67.51 грн
100+	45.04 грн
500+	33.20 грн
1000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

MOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel

на замовлення 7828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.21 грн
10+	66.43 грн
100+	44.99 грн
500+	38.10 грн
1000+	31.06 грн
3000+	29.15 грн
6000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

SOT-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.41 грн
6000+	26.33 грн
9000+	25.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT1G

на замовлення 8445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.64 грн
500+	32.52 грн
1500+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT3G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT3G

MOSFET PFET 20V 4.8A 80M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4102PT3G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 2219

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1

Description: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1G

Description: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1173045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1G

09+

на замовлення 675018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1G

на замовлення 1173045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT1G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

09+

на замовлення 9918 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

на замовлення 95300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

Description: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 95300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

0611NO

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4401PT3G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502N

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1

Description: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 124515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

на замовлення 231000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

на замовлення 31450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	33.54 грн
23+	31.15 грн
25+	31.02 грн
100+	25.79 грн
250+	23.41 грн
500+	20.77 грн
1000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

NTHD4502NT1G Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.62 грн
10+	105.59 грн
100+	72.00 грн
500+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4502NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4504N

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	59.16 грн
100+	49.91 грн
500+	44.29 грн
1000+	36.63 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G
Код товару: 133952

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel

на замовлення 16499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.98 грн
100+	91.51 грн
500+	67.18 грн
1000+	54.71 грн
3000+	35.96 грн
6000+	34.13 грн
9000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	55.21 грн
261+	46.58 грн
500+	41.33 грн
1000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

на замовлення 17635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

594+	38.59 грн

Мінімальне замовлення: 594

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NT1G

Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.87 грн
11+	84.46 грн
100+	61.11 грн
500+	48.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

NTHD4508NTIG

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4902FTIG

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02F

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1

Onsemi

SSOP-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1

Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1

Description: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1

1206-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1

Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1268+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 1268

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1G

на замовлення 238219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 1480

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1G

Description: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 238219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4N02FT1G

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P01FT1-D

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P01FT1G

MSOP8 08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P01FT1G

08+ MSOP8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02F

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1

Description: MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Bulk

на замовлення 20955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2664+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 2664

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1

Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

SOT23-8

на замовлення 9678 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.51 грн
6000+	16.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

09+

на замовлення 1788 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.68 грн
6000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 2872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.74 грн
10+	88.07 грн
100+	62.34 грн
500+	47.73 грн
1000+	44.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	44.63 грн
17+	42.39 грн
100+	38.98 грн
500+	34.75 грн
1000+	30.59 грн
3000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

05NOPB

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.11 грн
10+	106.47 грн
100+	71.85 грн
500+	61.36 грн
1000+	49.96 грн
3000+	46.29 грн
6000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02FT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD4P02PMOSS689

SAGEM

N/A

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5902T1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5902T1

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1G

на замовлення 341 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1G

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1G

Description: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5903T1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1G

07+ VSOP1206-8

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V

на замовлення 3663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	18.45 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1G

Description: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1G

0539+ VSOP1206-8

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT1G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904NT3G

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904T1

Description: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904T1

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904T1

07+ TSOP1206-8

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904T1

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1402+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 1402

В кошику од. на суму грн.

NTHD5904T1

04+ TSOP1206-8

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5905

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5905T1

Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHD5905T1

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHD5905T1

Description: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

NTHD5905T1

Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1902+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 1902

В кошику од. на суму грн.

NTHD6N03

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHDC0111P

Automotive Connectors NTHDC0111P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHDC0211P

Automotive Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHG1M35A472J04TH

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHGAV11A2001L0

Amphenol NTHGAV11A2001L0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

NTHL015N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	1967.32 грн
25+	1927.95 грн
100+	1849.22 грн
500+	1707.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2029.96 грн
5+	1725.25 грн
10+	1671.18 грн
50+	1134.16 грн
100+	1046.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

на замовлення 708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2031.71 грн
10+	1998.29 грн
30+	1245.65 грн
120+	1230.35 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

NTHL015N065SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	1420.66 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V

на замовлення 1496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2132.10 грн
30+	1347.18 грн
120+	1289.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	1325.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	1967.32 грн
25+	1927.95 грн
100+	1849.22 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

NTHL015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL017N60S5H

Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1184.41 грн
10+	814.80 грн
450+	623.03 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL017N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL017N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL017N60S5H

MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1268.48 грн
10+	888.71 грн
120+	655.73 грн
510+	646.55 грн
1020+	641.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL017N60S5H

NTHL017N60S5H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N60S5F

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 75 A, 19 mohm, TO-247

на замовлення 322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1311.33 грн
10+	989.02 грн
120+	739.89 грн
510+	703.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1231.59 грн
10+	944.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N60S5F

Power MOSFET, N-Channel

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	1512.08 грн
25+	1481.80 грн
100+	1421.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1389.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1432.71 грн
30+	1195.96 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL019N65S3H

Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1300.38 грн
5+	1105.53 грн
10+	1098.67 грн
50+	1013.81 грн
100+	929.94 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	1973.38 грн
25+	1934.01 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2292.61 грн
5+	2177.59 грн
10+	2138.11 грн
50+	1323.86 грн
100+	1197.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

SiC MOSFETs 20MOHM 900V

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2101.34 грн
30+	1497.61 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

NTHL020N090SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2016.22 грн
30+	1258.18 грн
120+	1204.87 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2167.29 грн
5+	2147.55 грн
10+	2126.95 грн
50+	1810.04 грн
100+	1637.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2297.39 грн
10+	2273.98 грн
30+	1845.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

SiC MOSFETs 20MW 1200V

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2147.76 грн
10+	1875.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2461.49 грн
10+	2436.40 грн
30+	1976.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V

на замовлення 4713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2351.43 грн
30+	1757.89 грн
120+	1752.44 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL020N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1342.49 грн
10+	955.31 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 11250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	876.60 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1140.94 грн
10+	967.38 грн
30+	947.65 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	1221.08 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1289.90 грн
10+	982.86 грн
30+	827.12 грн
270+	772.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1064.88 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	890.88 грн
10+	752.33 грн
120+	545.55 грн
270+	513.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL023N065M3S

NTHL023N065M3S THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL023N065M3S

Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3LD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	624.90 грн
10+	432.94 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL023N065M3S

SiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	1310.20 грн
25+	1283.96 грн
100+	1231.47 грн
500+	1136.87 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1419.34 грн
10+	1077.90 грн
120+	922.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	949.64 грн
270+	914.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1404.57 грн
10+	1032.38 грн
450+	887.67 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	1310.20 грн
25+	1283.96 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1386.21 грн
5+	1236.86 грн
10+	1087.51 грн
50+	1009.03 грн
100+	913.02 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL025N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1161.96 грн
10+	1017.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

Description: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	823.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm

на замовлення 1288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1538.06 грн
10+	1037.42 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

NTHL027N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V

на замовлення 12353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1440.99 грн
30+	930.90 грн
120+	895.21 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL027N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	914.09 грн
10+	869.36 грн
30+	513.41 грн
120+	446.08 грн
510+	443.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	948.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

NTHL030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	912.93 грн
30+	530.68 грн
120+	454.20 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1015.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL032N065M3S

Description: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	690.28 грн
10+	457.25 грн
450+	373.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL032N065M3S

Description: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	580.23 грн
5+	527.02 грн
10+	478.95 грн
50+	422.42 грн
100+	370.06 грн
250+	359.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL032N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	731.09 грн
10+	535.87 грн
120+	387.93 грн
510+	345.84 грн
1020+	322.89 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

NTHL033N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	857.85 грн
10+	844.72 грн
30+	592.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V

на замовлення 4452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1104.95 грн
30+	859.30 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL033N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

на замовлення 901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	845.36 грн
10+	497.15 грн
120+	406.29 грн
510+	397.11 грн
1020+	394.05 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

NTHL040N120M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V

на замовлення 204912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	776.36 грн
30+	446.28 грн
120+	398.60 грн
510+	370.25 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	614.93 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	739.23 грн
10+	658.85 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1489.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1590.49 грн
5+	1563.88 грн
10+	1537.28 грн
50+	1010.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1552.35 грн
10+	1098.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1596.29 грн
10+	1519.29 грн
30+	1114.38 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V

на замовлення 10366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1545.28 грн
30+	942.51 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

NTHL040N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1289.01 грн
10+	769.92 грн
120+	642.72 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1270.49 грн
30+	765.52 грн
120+	689.87 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	871.55 грн
10+	737.88 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Description: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	911.55 грн
5+	859.19 грн
10+	805.98 грн
50+	673.49 грн
100+	609.17 грн
250+	596.66 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

NTHL040N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	1081.07 грн
100+	1036.65 грн
500+	993.25 грн
1000+	904.24 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

MOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1132.79 грн
10+	791.92 грн
120+	673.33 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL040N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	1081.07 грн
100+	1036.65 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	604.60 грн
10+	528.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	661.78 грн
2+	573.06 грн
5+	532.41 грн
10+	520.46 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	756.09 грн
10+	570.18 грн
30+	459.85 грн
120+	406.29 грн
270+	404.76 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	588.48 грн
100+	564.25 грн
500+	541.04 грн
1000+	492.52 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Description: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	742.43 грн
10+	557.76 грн
30+	511.64 грн
120+	441.49 грн
270+	424.95 грн
510+	414.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Description: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	687.52 грн
5+	600.83 грн
10+	514.14 грн
50+	461.48 грн
100+	411.26 грн
250+	396.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H
Код товару: 205327

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	794.13 грн
2+	714.12 грн
5+	638.89 грн
10+	624.55 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL041N60S5H

Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	588.48 грн
100+	564.25 грн
500+	541.04 грн
1000+	492.52 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

на замовлення 1844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1060.49 грн
10+	781.36 грн
120+	586.10 грн
510+	555.49 грн
1020+	519.53 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V

на замовлення 1666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	911.27 грн
10+	793.28 грн
450+	602.31 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	959.62 грн
5+	931.29 грн
10+	902.11 грн
50+	710.95 грн
100+	641.54 грн
250+	626.09 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	646.82 грн
30+	640.36 грн
60+	633.90 грн
120+	610.64 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 191A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 145W
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL045N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	833.97 грн
10+	693.03 грн
30+	686.10 грн
60+	654.93 грн
120+	605.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

на замовлення 225 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

MOSFETs SF3 650V 50MOHM

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	932.84 грн
10+	630.02 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

NTHL050N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL050N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	850.85 грн
30+	560.04 грн
120+	546.54 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	654.32 грн
10+	613.30 грн
30+	376.45 грн
120+	374.92 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	454.23 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 143A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V

на замовлення 7026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	618.28 грн
30+	410.95 грн
120+	410.18 грн
510+	377.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	601.60 грн
100+	577.38 грн
500+	552.14 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Description: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	669.50 грн
5+	631.73 грн
10+	593.97 грн
50+	517.27 грн
100+	445.11 грн
250+	412.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 40800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	423.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	566.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	528.60 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Description: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	872.07 грн
5+	847.18 грн
10+	822.28 грн
50+	558.71 грн
100+	503.23 грн
250+	489.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	741.91 грн
100+	711.63 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

SiC MOSFETs 60MOHM 900V

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	802.51 грн
10+	753.21 грн
30+	516.47 грн
120+	499.64 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

NTHL060N090SC1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL060N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V

на замовлення 49963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	883.13 грн
30+	557.07 грн
120+	477.92 грн
510+	433.72 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL061N60S5H

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V

на замовлення 82018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	823.54 грн
30+	491.87 грн
120+	444.50 грн
510+	398.83 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	889.10 грн
10+	543.79 грн
120+	426.95 грн
510+	424.65 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

NTHL065N65S3F THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 46A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

на замовлення 369 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

NTHL065N65S3HF THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V

на замовлення 43448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	797.05 грн
30+	603.64 грн
120+	447.61 грн
510+	414.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

Description: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	618.00 грн
5+	601.69 грн
10+	585.38 грн
50+	529.22 грн
100+	474.54 грн
250+	460.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL065N65S3HF

MOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.84 грн
30+	374.87 грн
120+	360.16 грн
510+	301.75 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	357.81 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.41 грн
5+	472.94 грн
10+	444.62 грн
50+	404.89 грн
100+	365.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.76 грн
10+	409.16 грн

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	519.84 грн
100+	498.64 грн
500+	477.45 грн
1000+	435.09 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

NTHL067N65S3H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTHL067N65S3H

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	383.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NTHL070N120M3S