Продукція > NTH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTHWellerChisel Tip 0.8mm NTH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1646.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTHWellerSoldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH-FA3R3KTR
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH.WELLERDescription: WELLER - NTH. - Lötspitze, meißelförmig, 0.8mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 0.8mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.47 грн
5+972.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1788.49 грн
10+1510.07 грн
120+1396.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ON Semiconductor
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1650.36 грн
30+1017.14 грн
120+951.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.12 грн
5+1007.85 грн
10+991.58 грн
50+903.38 грн
100+817.86 грн
250+801.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1986.76 грн
10+1556.54 грн
120+1429.19 грн
510+1350.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155onsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1935.18 грн
10+1549.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F_F155ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH03NA-2.048000MHZT
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH03NA-2.0480MHZ(T)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH03NA-2.0480T
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH03NA20480T
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505M
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0505MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0509MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0509MCMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0509MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0509MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0512MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0512MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0512MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0512MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0515MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0515MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0515MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0515MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH0515MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH069AASARONIX0052+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH080AA44.7360MHZ
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH08312J803JTR
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH089AA362208
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH08HCCITIZEN1000/REEL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH08HC-55.0000MHZ
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH08NB-25.0000(T)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH11D5R0LA/C130MURATA
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205M
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.28 грн
5+1055.96 грн
10+1048.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1142.07 грн
5+1120.95 грн
10+967.76 грн
25+955.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MCMurataDC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = -15, Uвих2, В = 15, Pвих, Вт = 1, Pвих2, Вт = 1, Uвх (max), В = 13,2, Uвх (min), В = 10,8, Iвих1, А = 0,067, Iвих2, А = 0,067, Uізол., В = 1 000, ККД, % = 84, Рів. пульс., мВ = 150, Тексп, °С = -40...+85
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
25+1031.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1142.07 грн
5+1120.95 грн
10+967.76 грн
25+955.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH205MCMurata ElectronicsMurata
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH209MCMurata ElectronicsMurata
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH212MCMurata ElectronicsMurata
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH215MCMurata ElectronicsMurata
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH215MC-RMurata ElectronicsMurata
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH2410BL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH25CST141BOmron Automation and SafetyOmron
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH25ST121BOmron Automation and SafetyOmron
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH294AAPulse ElectronicsPulse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH294AAFCI0009
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH295AAPulse ElectronicsPulse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH407AQPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH407AQNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH407CKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH411ARPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH413AE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH437AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH437ABTPULSE0
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH437AGT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH437AWPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH439ANPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH439BBPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441BKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441CT
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DCPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DCTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DDPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DDTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DEPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DETPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH441DFPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH456AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH456AANLPulse Electronics NetworkDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH456AAT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH456AATPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH465BB
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH48HC3-33.3333
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4G1S33B103FD01MURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4G39A103E02
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4G39A103F02MURATADIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4G40B203F01
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L012N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1396.68 грн
10+1132.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2603.83 грн
5+2448.46 грн
10+2293.09 грн
50+2016.75 грн
100+1757.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3SonsemiDescription: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2190.02 грн
10+1713.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3SonsemiSiC MOSFETs DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2236.96 грн
10+1940.41 грн
120+1519.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 9085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1976.66 грн
10+1394.81 грн
450+1322.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3PonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1935.99 грн
10+1484.97 грн
120+1272.45 грн
510+1262.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3PONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 407A
Power dissipation: 343W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 322nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3PONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2101.12 грн
5+1835.94 грн
10+1569.94 грн
50+1428.34 грн
100+1291.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3354.86 грн
10+2682.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2958.38 грн
10+2581.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1On SemiconductorN-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1816.65 грн
30+1224.68 грн
120+1128.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1726.94 грн
10+1256.45 грн
120+1086.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3594.49 грн
10+2874.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L018N075SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1661.86 грн
10+1455.30 грн
30+1181.12 грн
60+1144.16 грн
120+1106.51 грн
270+1033.30 грн
510+949.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1ONN
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1868.42 грн
30+1165.49 грн
120+1115.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3001.60 грн
5+2901.54 грн
10+2799.05 грн
50+2525.10 грн
100+2201.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1779.00 грн
10+1260.46 грн
120+1090.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2106.81 грн
5+1938.43 грн
10+1825.36 грн
50+1589.23 грн
100+1437.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1915.65 грн
10+1717.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3433.16 грн
10+2983.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2456.71 грн
30+1566.52 грн
120+1562.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1996.84 грн
10+1691.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.51 грн
10+794.60 грн
120+677.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2345.04 грн
10+1775.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.51 грн
30+779.39 грн
120+696.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2512.55 грн
10+1901.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.53 грн
5+1029.00 грн
10+900.48 грн
50+820.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 46329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.35 грн
10+512.12 грн
450+355.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.19 грн
10+554.06 грн
100+400.91 грн
450+400.21 грн
900+382.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L023N065M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2086.26 грн
10+1907.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1338.92 грн
10+983.83 грн
120+838.08 грн
510+811.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.62 грн
5+1277.10 грн
10+1099.77 грн
50+1020.46 грн
100+923.14 грн
250+904.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.36 грн
10+1022.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1583.68 грн
10+1103.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3FonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1661.86 грн
10+1185.09 грн
120+964.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2873.07 грн
5+2503.77 грн
10+2134.47 грн
50+1981.25 грн
100+1792.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2586.74 грн
10+1893.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3206.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1On SemiconductorSIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2498.28 грн
10+1787.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.83 грн
10+533.21 грн
120+457.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 344888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.48 грн
30+525.66 грн
120+450.86 грн
510+408.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3S-B7ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.67 грн
30+375.23 грн
120+318.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3SONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.15 грн
5+611.71 грн
10+499.45 грн
50+422.99 грн
100+318.64 грн
250+308.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.66 грн
10+396.90 грн
120+305.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3SONN
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1037.95 грн
10+622.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.87 грн
30+645.01 грн
120+555.88 грн
510+481.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.82 грн
5+1263.27 грн
10+1059.91 грн
50+978.92 грн
100+899.43 грн
250+894.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1600.16 грн
30+976.63 грн
120+853.36 грн
510+784.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2336.09 грн
10+1846.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1511.37 грн
10+1036.75 грн
120+882.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1355.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.18 грн
30+676.81 грн
120+645.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1265.71 грн
10+818.66 грн
120+680.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1598.86 грн
5+1336.95 грн
30+1181.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.51 грн
30+732.07 грн
120+645.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+822.39 грн
10+625.42 грн
120+485.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.43 грн
10+928.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1351.23 грн
10+1073.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.15 грн
5+824.02 грн
10+682.48 грн
50+568.01 грн
100+483.88 грн
250+451.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1261.15 грн
13+1001.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 89683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.88 грн
30+497.87 грн
120+483.32 грн
510+441.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 152A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.06 грн
5+425.43 грн
10+362.79 грн
50+335.37 грн
100+308.18 грн
250+306.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.98 грн
30+494.72 грн
120+422.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.00 грн
10+525.19 грн
120+398.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.91 грн
10+876.45 грн
25+867.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.93 грн
30+543.84 грн
120+513.57 грн
510+476.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.60 грн
10+559.67 грн
120+442.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+791.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+562.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ONN
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.52 грн
5+536.06 грн
10+458.78 грн
50+417.70 грн
100+377.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 64213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.08 грн
10+415.21 грн
450+272.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+648.31 грн
10+410.53 грн
120+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.26 грн
10+401.71 грн
120+312.36 грн
510+311.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.90 грн
5+390.45 грн
10+327.00 грн
50+297.60 грн
100+269.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.93 грн
10+794.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.29 грн
30+434.95 грн
120+369.93 грн
510+302.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.52 грн
5+576.73 грн
10+431.12 грн
50+394.29 грн
100+358.38 грн
250+352.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.80 грн
30+440.64 грн
120+417.36 грн
510+372.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.05 грн
10+503.54 грн
100+409.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.09 грн
10+1195.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.50 грн
10+474.68 грн
120+343.74 грн
510+281.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+527.11 грн
28+476.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.83 грн
30+393.00 грн
120+333.08 грн
510+271.39 грн
1020+266.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 224mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.09 грн
10+552.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.50 грн
10+387.28 грн
120+302.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.76 грн
10+510.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1605.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1851.39 грн
10+1333.43 грн
120+1005.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1779.00 грн
30+1252.07 грн
120+1086.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.32 грн
10+682.35 грн
120+513.17 грн
510+504.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.11 грн
10+720.89 грн
30+664.55 грн
120+576.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.54 грн
5+592.19 грн
10+497.83 грн
50+459.25 грн
100+421.83 грн
250+419.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN041N60S5HonsemiDescription: MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6213 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HONN
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+331.61 грн
40+324.30 грн
100+309.50 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.63 грн
30+388.75 грн
120+330.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+702.00 грн
5+626.35 грн
10+549.89 грн
50+469.82 грн
100+372.32 грн
250+310.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.07 грн
10+339.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.30 грн
10+347.46 грн
100+331.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.63 грн
30+364.20 грн
120+308.57 грн
510+263.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+655.63 грн
5+545.82 грн
10+436.00 грн
50+372.38 грн
100+328.40 грн
250+312.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+648.31 грн
10+376.05 грн
120+285.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH502AANL
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH518AAT
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH557AJT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH570ABTPULSE99/00
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH582AA
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH582AAT
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5D103KA
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5D223KA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P33B103F08TH
на замовлення 55768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P33B103J08TH0402TEM
на замовлення 37616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P35A221J08TH0402T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P39B332K08TH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P39B682J08TH
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P42B104J08TH0402T
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P30B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103E07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103F07T
на замовлення 23497 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103F07TH
на замовлення 186921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103J07T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103J07THMURATA01+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P35A331K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B102J077HMURATA0603-1K
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B102J07THMURATA0603-1K
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B102J07TH 0603MURATA
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 356000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B102K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B471K07TH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P36B681J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39A563K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B152J07TH
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B153J07THmuRata2005+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B222J07TH0603TEM
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B223J07T
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B223J07TH
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B332J07THMURATA05+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B472J07TH
на замовлення 13693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B682J07T1
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B682J07THMURATA0603-6.8K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B682J07TH 0603-6MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P39B682J07TH0603-6.8KMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B333J07T
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B333J07TH
на замовлення 36886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473FJ07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473J04TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473J07T
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473J07THMURATA09+
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473J0TTH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473K07T
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P40B473K07TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P41B683J07TE0603TEM
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P41B683J07TH
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P42A104F18TH
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P42B104J07THMURATA02+
на замовлення 60010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P45A224E07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P45A224E07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P45A224J07THmuRata2005+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P45A224K07TH0603TEM
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P45A474J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M29A221J04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M31B102JMURATA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M31B102K04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M33B103F04THMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M33B103J04THMURATA0603-10K
на замовлення 18664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M33B103J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M33B103J04TH 0603-10MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M33B103J04TH0603-10K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A472J
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A472J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A472J04TH(0603-4.7K
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A472J04TH0603-4.7KMURATA
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35A47J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35AA472J04T
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35AA472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 352000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M35AA472J04TH 0603MURATA
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M36B682K04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M39B153J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M39B153K04TH0603TEM
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M39B223J04TH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M39B223K04TH
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M40B222J07TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M40B333J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M40B333K04TH0603TEM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M40B473JMURATA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M40B473J04TH
на замовлення 805011 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B101J04THMURATA02+
на замовлення 18010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B104J04THMURATA0603-100K
на замовлення 585048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B104J04TH 0603-MURATA
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B104J04TH0603-100K
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B104K04TH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B204J04THMURATA0603-200K
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B204J04TH 0603-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B204J04TH 0603-20MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B204J04TH0603-200K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G1M42B204K04TH0603TEM
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P35A221J07TE0805T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P35A221K07TE
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P36B102J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P36B471J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39A103J07T
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39A103J07TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39A103K07TE
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39B153J07TE
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39B222J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39B223J07TE
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P39B472J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P40B330J07TE0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P40B333J07TE
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P40B473J07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P40B473J07TEMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P40B473K07TE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P42B103J07TE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P42B103k07TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P42B104F15TE
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P42B104J07T
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G20P42B104J07TE
на замовлення 120580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G29A221J01TE0805T
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G29A221K01TE0805T
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G29A331J01TEMURATA09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M29B471J04TE0805T
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M29B471K04TE
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M31A681J04TE0805T
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M31B102JMURATA
на замовлення 15736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M31B102J04TE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M35A472J
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M35A472J04TE
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M35A472J04TE-1
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M35A472K04TEMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M36B103E12TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M36B103J04TE(10K)
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M36B103K04TE0805T
на замовлення 15490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39A103Q04TE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B104J04TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B222K04TE
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B332J04TE
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B332K04TEMURATA0805-3.3K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B332K04TE 0805-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B332K04TE0805-3.3KMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B332K07TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M39B333K04TE
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M40B333K04TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M40B473J04TE0805T
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M41B683J04TE0805T
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M42B104J04TE
на замовлення 119600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M42B104JTE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2M69B471K04TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2MB104K04TE
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G2MP39B222J04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G31B102J01TE0805T
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G31B102K0805T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G32M31B102J04TE
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G35A472J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G35A502K0111
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G35A502K01TE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G36B103JMURATA
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G36B103J01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G36B103K01TEMARATA2006
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G36B103K0TE
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G36B682K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B152J0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B152K01TEMURATA98+
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B153J01TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B153KMURATA
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B153K01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B222K01TE
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B223E01TE0805T
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B223J01TE
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B223K01TE
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B332KMURATA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B332K01TEMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G39B332K01TE1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G40B303J01E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G40B473K01TE
на замовлення 28900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G41B683J01TE0805T
на замовлення 50060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G42B104K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G42B104K01TF
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5GM39B681K04TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5GZM35A472K04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHA3HB2048T
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHA6HC-E13.5000MHZ(T)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHA6HC166700T
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHA8HB-33.3300T
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHBBA6A10150UAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHBBA6A10150U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHBR11A1000SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination.
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.48 грн
10+164.37 грн
100+131.78 грн
500+109.47 грн
1000+94.13 грн
2500+87.85 грн
5000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHBR23A1110SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+, 2x3, R/A, Seal, DIP Type, A code
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHBR23A1111SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+, 2x3, R/A, Unseal, DIP Type, A code
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC08-3HJ103JTR0805T
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC083RJ803JTR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1ON1206-8
на замовлення 18954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GON09+
на замовлення 33018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+104.37 грн
125+103.39 грн
162+80.09 грн
250+76.45 грн
500+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA11A1001F0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA11A1001F0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA12A1001H2Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA12A1001H2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA13210001FAmphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13210001F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA13A1001B0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13A1001B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA13B1001B0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13B1001B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA22210001SAmphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22210001S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA2231U001SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCAA2231U001S
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA22A10001NAmphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X2 PLUG TO 1x1 4 PLUG L=3000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA22A1001B0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA22A1001G0Amphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCAA22A1001G0
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA22A1001G0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001G0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1001F0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3 PLUG TO 1X2 PLUG L =1000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1001H2Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001H2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1001R0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001R0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1004L0Amphenol Commercial Products NTH 2X3plug unsealed TO 1X2 & 1X1plug unsealed L=5000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1601M4Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TO 2X2plug unsealed L=1000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1601Q0Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1601Q0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAA23A1602M4Amphenol Commercial ProductsNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TOinline UNSEALED L=1000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAB1131001B0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCAB1131001B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAC22A1601F0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCAC22A1601F0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAC22A1602F0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCAC22A1602F0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCALA401004D0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCALA401004D0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAP23A1601Q1Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =1000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAP23A1602Q1Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =2000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAP23B1001A6Amphenol Commercial Products NETBRIDGE+ ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCAV23A1001L0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCAV23A1001L0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCBB1111001B0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCBB1111001B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCBB11A1002F0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCBB11A1002F0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCBBA6A10150SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Color: Black, Individual
Length: 4.92' (1.50m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Cable Termination: Crimp
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4235.70 грн
10+3467.00 грн
25+3250.04 грн
50+2904.59 грн
100+2766.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCBBA6A10150SAmphenol Commercial ProductsEthernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCBBA6A10150SAMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONSDescription: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCBBA6A10150S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 4.9ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabellänge - Metrisch: 1.5m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.42 грн
5+1927.86 грн
10+1796.08 грн
25+1415.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCA15A1U001FAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCA15A1U001F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCA15A1U002FAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCA15A1U002F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A104600Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A104600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A104810Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A104810
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A114000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A114000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A1301T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A1301T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A1302T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A1302T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB12A130950Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB12A130950
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A10001CAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A10001C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1003C0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1003C0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1003T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1003T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1004C0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1004C0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1004T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1004T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1008T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1008T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1011T0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1011T0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A104165Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A104165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A104970Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A104970
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A106000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A106000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A111300Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A111300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A118000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A118000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A122000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A122000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A125000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A125000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A136000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A136000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1501B0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1501B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1502B0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1502B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1U003BAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1U003B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15A1U004BAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15A1U004B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15B126000Amphenol Commercial Products NTHCCB15B126000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15B1502B0Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15B1502B0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15B156000Amphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCCB15B156000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCCB15B156000Amphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCCB15B156000
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCDB22A10006CAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCDB22A10006C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCDB22Z10007CAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCDB22Z10007C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCFR050PAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCFR050P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCK11A100015SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCK11A100015S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCK11A100015WAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCK11A100015W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22A100010UAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22A100010U
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22A100015UAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22A100015U
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22A100100SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22A100100S
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22A100100UAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22A100100U
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22A100200UAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22A100200U
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP22B100100SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP22B100100S
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP23A100015UAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTHCP23A100015U
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCP23A100300UAmphenol Commercial Products NETBRIDGE+ ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPHS11011APAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPHS11011AP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A10042SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A10042S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A1U010SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A1U010S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A1U021SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A1U021S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A1U023SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A1U023S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A1U036SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A1U036S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPK11A1U040SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPK11A1U040S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP11A10114SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPP11A10114S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP11A10150SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPP11A10150S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP11A10360SAmphenol Commercial ProductsAmphenol
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP11A14080SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPP11A14080S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP11A1U005SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCPP11A1U005S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP22A10010SAMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONSDescription: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP22A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 3.3ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 1m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2043.36 грн
5+2002.69 грн
10+1962.02 грн
25+1801.48 грн
50+1662.21 грн
100+1661.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP22A10150SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=15000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP22A10400SAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=40000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP23A10005SAMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONSDescription: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP23A10005S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 19.7"
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabellänge - Metrisch: 500mm
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2522.48 грн
5+2472.05 грн
10+2421.61 грн
25+2222.96 грн
50+2051.27 грн
100+2050.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPP23A10150SAmphenol Commercial Products NETbridge+ Cable Ass'y, 1X1 TO 1X1, Seal, STP Cable, 15000mm, Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCPR11A10010SAMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONSDescription: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPR11A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 3.3ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 1m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.46 грн
10+869.57 грн
25+851.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCRHS11011APAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCRHS11011AP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHCRHS11011BPAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHCRHS11011BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2102PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2102PT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2102PT1GonsemiMOSFET -8V -4.6A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2102PT1GONSOT23-8
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2110TT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1onsemiMOSFETs Complementary ChipFET Power MOSFET 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1ON07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.63 грн
50+71.83 грн
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.58 грн
6000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GonsemiMOSFETs 20V +3.9A/-4.4A Complementary
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.00 грн
10+66.23 грн
100+38.84 грн
500+31.03 грн
1000+28.31 грн
3000+24.75 грн
6000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+67.75 грн
100+45.19 грн
500+33.31 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT3
на замовлення 79986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT3onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT3G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT3GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1ON0432+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 460250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 634
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.65 грн
25+30.63 грн
100+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT1GONSOT23-8
на замовлення 41422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT3ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1G
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
на замовлення 50740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.20 грн
10+62.14 грн
100+42.04 грн
500+35.70 грн
1000+29.07 грн
3000+27.33 грн
6000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.49 грн
17+43.61 грн
25+42.88 грн
100+30.55 грн
250+27.34 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3103FT1G
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GON0748NO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 52717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1onsemiMOSFET -20V -4.1A Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSOT-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.99 грн
500+30.82 грн
1500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.56 грн
6000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.95 грн
50+57.51 грн
100+47.99 грн
500+30.82 грн
1500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GOn SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.9A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 20413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+67.75 грн
100+45.17 грн
500+33.30 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiMOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.92 грн
10+60.54 грн
100+41.00 грн
500+34.72 грн
1000+28.31 грн
3000+26.56 грн
6000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G
Код товару: 109267
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT3GonsemiMOSFET PFET 20V 4.8A 80M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1173045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 1173045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GON09+
на замовлення 675018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GON09+
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502N
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 124515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiMOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.00 грн
10+96.22 грн
100+65.61 грн
500+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.73 грн
23+33.19 грн
25+33.05 грн
100+27.48 грн
250+24.95 грн
500+22.13 грн
1000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4504N
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.12 грн
11+80.04 грн
100+57.92 грн
500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.83 грн
261+49.63 грн
500+44.04 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G
Код товару: 133952
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiMOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.11 грн
100+83.39 грн
500+61.22 грн
1000+49.85 грн
3000+32.77 грн
6000+31.10 грн
9000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.04 грн
100+53.18 грн
500+47.19 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 590mW
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NTIG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4902FTIG
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02F
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1ON1206-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GON Semiconductor
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P01FT1-D
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P01FT1GON08+ MSOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1onsemiDescription: MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Bulk
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.39 грн
10+97.02 грн
100+65.47 грн
500+55.92 грн
1000+45.53 грн
3000+42.18 грн
6000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.84 грн
6000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.55 грн
17+45.17 грн
100+41.53 грн
500+37.03 грн
1000+32.60 грн
3000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GONSOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.68 грн
10+90.57 грн
100+61.51 грн
500+46.05 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02PMOSS689SAGEMN/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5902T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5902T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 699
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1G
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1211
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT1GON0539+ VSOP1206-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904T1ON04+ TSOP1206-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904T1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5904T1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5905
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5905T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5905T1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5905T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5905T1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD6N03
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHDC0111PAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHDC0111P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHDC0211PAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHG1M35A472J04TH
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHGAV11A2001L0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHGAV11A2001L0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL012N065M3Sonsemi SIC MOS TO247-3L 12MOHM 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1513.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1881.49 грн
10+1853.81 грн
30+1107.91 грн
120+1100.93 грн
270+1093.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1412.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1923.79 грн
5+1635.02 грн
10+1583.77 грн
50+1074.85 грн
100+991.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+2096.25 грн
25+2054.30 грн
100+1970.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1880.97 грн
30+1173.87 грн
120+1123.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+2096.25 грн
25+2054.30 грн
100+1970.41 грн
500+1819.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HonsemiDescription: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.99 грн
10+754.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HonsemiMOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1160.78 грн
10+810.64 грн
100+688.87 грн
450+610.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 19MOHM
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1207.15 грн
10+845.12 грн
100+683.29 грн
450+640.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FAptina ImagingPower MOSFET, N-Channel
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+1611.17 грн
25+1578.91 грн
100+1514.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.86 грн
10+781.17 грн
450+596.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
на замовлення 25140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1182.08 грн
30+1052.19 грн
120+1020.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HON Semiconductor
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 650V TO247
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1889.62 грн
10+1201.13 грн
100+1032.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1970.97 грн
5+1686.26 грн
10+1400.75 грн
50+1275.01 грн
100+1152.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+2102.70 грн
25+2060.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1686.26 грн
10+1386.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1812.35 грн
5+1722.05 грн
10+1343.80 грн
50+1222.89 грн
100+1105.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1877.04 грн
30+1171.28 грн
120+1121.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2149.93 грн
10+1709.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2617.65 грн
5+2578.61 грн
10+2540.38 грн
50+2322.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2447.30 грн
30+1559.95 грн
120+1555.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2447.95 грн
10+2423.00 грн
30+1966.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1On SemiconductorTO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2622.81 грн
10+2596.07 грн
30+2106.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.28 грн
10+905.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.71 грн
10+1030.78 грн
30+1009.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1301.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1134.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1175.42 грн
10+895.63 грн
30+753.71 грн
270+704.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+934.05 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.17 грн
10+470.67 грн
100+375.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3LD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1463.67 грн
10+1011.25 грн
450+749.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+1396.06 грн
25+1368.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1238.11 грн
10+1084.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+1396.06 грн
25+1368.10 грн
100+1312.17 грн
500+1211.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.71 грн
5+1172.17 грн
10+1030.63 грн
50+956.26 грн
100+865.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1491.04 грн
10+920.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1011.88 грн
270+974.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1578.89 грн
10+987.84 грн
120+822.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1504.46 грн
30+920.00 грн
120+846.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.27 грн
10+522.79 грн
120+425.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1010.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.28 грн
30+494.07 грн
120+422.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.20 грн
10+424.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.77 грн
10+449.82 грн
120+366.75 грн
510+294.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.89 грн
5+499.45 грн
10+453.90 грн
50+400.33 грн
100+350.71 грн
250+340.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.20 грн
10+558.07 грн
100+459.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.16 грн
30+814.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+655.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SOn SemiconductorN-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 172737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.16 грн
30+456.95 грн
120+389.15 грн
510+318.61 грн
1020+318.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.67 грн
10+702.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.49 грн
10+485.10 грн
120+358.38 грн
510+357.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1587.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1700.91 грн
10+1618.86 грн
30+1187.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1319.40 грн
10+957.37 грн
120+791.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1574.82 грн
5+1352.75 грн
10+1129.87 грн
50+1028.02 грн
100+929.41 грн
250+910.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1582.11 грн
30+965.05 грн
120+842.93 грн
510+774.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1256.77 грн
10+776.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1212.67 грн
30+727.21 грн
120+640.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+1151.91 грн
100+1104.59 грн
500+1058.34 грн
1000+963.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.87 грн
5+814.25 грн
10+763.82 грн
50+638.26 грн
100+577.31 грн
250+565.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+1151.91 грн
100+1104.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1255.95 грн
10+881.20 грн
120+674.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.88 грн
10+830.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H
Код товару: 205327
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+627.05 грн
100+601.23 грн
500+576.49 грн
1000+524.79 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.98 грн
10+519.58 грн
30+419.04 грн
120+370.23 грн
270+368.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+593.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.98 грн
10+483.72 грн
30+443.71 грн
120+382.89 грн
270+368.54 грн
510+359.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+627.05 грн
100+601.23 грн
500+576.49 грн
1000+524.79 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.57 грн
5+569.41 грн
10+487.25 грн
50+437.34 грн
100+389.75 грн
250+375.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.22 грн
10+563.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.54 грн
10+611.75 грн
450+441.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.37 грн
5+939.52 грн
10+803.68 грн
50+712.28 грн
100+626.12 грн
250+594.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.62 грн
10+738.44 грн
30+731.07 грн
60+697.85 грн
120+645.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.17 грн
10+627.02 грн
100+430.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+689.21 грн
30+682.33 грн
60+675.45 грн
120+650.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V 50MOHM
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1111.97 грн
10+675.93 грн
120+576.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.71 грн
30+628.62 грн
120+542.74 грн
510+507.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.44 грн
10+505.15 грн
120+375.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+641.03 грн
100+615.21 грн
500+588.33 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.98 грн
30+469.39 грн
120+400.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+451.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+484.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 143A
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.48 грн
5+598.69 грн
10+562.90 грн
50+490.21 грн
100+421.83 грн
250+391.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+790.53 грн
100+758.26 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.46 грн
5+802.87 грн
10+779.28 грн
50+529.49 грн
100+476.91 грн
250+464.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM 900V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.28 грн
10+686.36 грн
30+470.63 грн
120+455.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+563.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 23413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.61 грн
30+504.26 грн
120+452.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 44190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.73 грн
30+486.79 грн
120+416.64 грн
510+373.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+879.33 грн
10+523.59 грн
120+426.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.68 грн
5+570.22 грн
10+554.77 грн
50+501.54 грн
100+449.72 грн
250+436.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.04 грн
30+501.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.88 грн
10+552.45 грн
120+413.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+381.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.63 грн
30+388.75 грн
120+330.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+553.91 грн
100+531.32 грн
500+508.74 грн
1000+463.60 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.34 грн
10+417.75 грн
120+324.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.24 грн
5+448.21 грн
10+421.36 грн
50+383.71 грн
100+346.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+471.78 грн
30+471.00 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.23 грн
10+312.71 грн
120+253.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.79 грн
10+505.48 грн
30+504.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.17 грн
30+322.30 грн
120+271.73 грн
510+226.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.82 грн
10+524.56 грн
30+433.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.93 грн
30+408.56 грн
120+346.73 грн
510+282.90 грн
1020+279.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+543.15 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.99 грн
10+371.24 грн
120+290.75 грн
510+289.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+568.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+770.09 грн
100+738.90 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+770.09 грн
100+738.90 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.61 грн
5+729.66 грн
10+550.70 грн
50+470.58 грн
100+414.16 грн
250+405.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.11 грн
30+478.46 грн
120+466.81 грн
510+420.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.27 грн
10+577.31 грн
120+501.31 грн
510+473.42 грн
1020+441.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+447.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.86 грн
10+507.96 грн
450+351.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.15 грн
10+599.76 грн
120+393.94 грн
1020+375.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F
Код товару: 209479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.17 грн
5+663.77 грн
10+529.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+532.40 грн
100+505.51 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HF
Код товару: 182440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.52 грн
5+619.03 грн
10+467.73 грн
50+411.66 грн
100+358.38 грн
250+351.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.93 грн
30+386.43 грн
120+328.11 грн
510+283.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-247
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.24 грн
10+414.54 грн
120+294.93 грн
510+292.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.09 грн
5+366.86 грн
10+328.63 грн
50+296.85 грн
100+265.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 47914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.02 грн
30+327.77 грн
120+276.70 грн
510+231.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.07 грн
10+347.99 грн
120+255.19 грн
510+253.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.65 грн
30+357.40 грн
120+302.61 грн
510+257.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.93 грн
10+450.62 грн
120+289.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.11 грн
5+554.77 грн
10+473.42 грн
50+404.11 грн
100+313.06 грн
250+252.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFONS/FAIN-Channel 650V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.24 грн
10+331.88 грн
100+305.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5onsemiDescription: NTHL099N60S5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.39 грн
10+297.38 грн
30+270.94 грн
120+232.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5onsemiMOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.51 грн
10+290.26 грн
120+217.54 грн
510+216.84 грн
1020+211.96 грн
2520+210.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.50 грн
10+225.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.32 грн
10+276.63 грн
25+227.30 грн
100+194.53 грн
250+184.07 грн
450+172.22 грн
900+147.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.59 грн
30+328.80 грн
120+277.44 грн
510+232.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.25 грн
5+402.65 грн
10+318.06 грн
50+271.92 грн
100+235.67 грн
250+220.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.38 грн
10+453.83 грн
120+259.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.69 грн
10+311.35 грн
100+226.86 грн
500+179.13 грн
1000+178.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5ZonsemiMOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.89 грн
10+334.36 грн
120+211.96 грн
1020+203.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.99 грн
10+307.90 грн
120+221.02 грн
510+214.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.36 грн
10+249.73 грн
100+227.76 грн
500+190.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.43 грн
10+508.80 грн
25+440.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Kind of package: tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.07 грн
30+385.73 грн
120+326.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.05 грн
10+414.54 грн
120+304.69 грн
1020+296.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+486.66 грн
28+474.96 грн
32+410.77 грн
100+385.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5HonsemiMOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.77 грн
10+230.12 грн
120+149.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.61 грн
10+418.11 грн
100+289.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.165Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.62 грн
30+267.24 грн
120+223.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.96 грн
10+287.85 грн
120+208.47 грн
1020+205.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.89 грн
10+1087.27 грн
30+920.35 грн
60+868.06 грн
120+817.16 грн
270+792.06 грн
510+740.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.82 грн
5+1035.51 грн
10+979.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10010WAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1, FEM
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Contact Finish: Tin
Color: Black, Individual
Length: 3.28' (1.00m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 2
Number of Rows: 1
Cable Termination: Crimp
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.42 грн
10+907.99 грн
25+873.08 грн
50+786.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10010WAmphenol Commercial ProductsEthernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10010WAMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONSDescription: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHLPP11A10010W - Ethernet-Kabel, A-kodiert, nicht abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker, 1 m
tariffCode: 85444210
LAN-Kategorie: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kabellänge - Imperial: 3.3ft
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Kabelaufbau: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 1m
usEccn: EAR99
Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker
Produktpalette: NETBridge+ Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.72 грн
10+1324.28 грн
25+1085.13 грн
100+936.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10010WAmphenolNTHLPP11A10010W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10010WAmphenolNTHLPP11A10010W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLPP11A10020SAmphenol Commercial ProductsAmphenol NTH 1X1 PLUG SEALED TO 1X1 PLUG SEALED L=2000MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHNApex Tool GroupDescription: NTH SOLDERING TIP CHISEL 0 8MM
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1005N02 9.2K 10% R580402TEM
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1005N029.2K10%R58
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1204N01
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206J02-8K5R58
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206N01-50K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206N01/50K
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206N0150K5%R58VISHAY
на замовлення 24010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206N0150K5R58
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS-1206N17104KR58
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JE
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100Kohms 5%
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.76 грн
5+307.10 грн
10+257.98 грн
25+244.03 грн
50+237.76 грн
100+232.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 15199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.43 грн
5+329.33 грн
10+315.50 грн
25+280.48 грн
50+269.86 грн
100+260.11 грн
500+236.56 грн
1000+229.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+250.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3974K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JPVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N1003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N4702JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 47KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3974K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 47k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N6802JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.58 грн
10+59.07 грн
25+47.25 грн
100+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N6802JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N01N6802JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N02 10K 5%TRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS0402N02N1002JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.88 грн
2000+267.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.