Продукція > TK3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(LBS2PQM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(Q,M)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(STA4,QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A,LS2PQ(J

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A,S5Q(J

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.50 грн
10+	58.48 грн
100+	35.40 грн
250+	34.55 грн
500+	28.49 грн
1000+	25.46 грн
5000+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.45 грн
50+	46.05 грн
100+	40.92 грн
500+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.89 грн
15+	58.61 грн
100+	49.20 грн
500+	38.82 грн
1000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1S4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

MOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.31 грн
10+	55.17 грн
500+	36.33 грн
1000+	31.13 грн
5000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.49 грн
50+	61.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.44 грн
16+	56.78 грн
100+	56.69 грн
500+	42.94 грн
1000+	33.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	116.07 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D,S1F(O

TK30J25D,S1F(O

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30J25DS1F(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.44 грн
10+	93.74 грн
100+	54.19 грн
500+	44.48 грн
1000+	38.89 грн
2000+	32.99 грн
4000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31

Extech

Digital Multimeters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3140

Description: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3148

Description: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3160

Description: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3168

Description: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3170

Description: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3173

Description: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3178

Description: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	644.87 грн
10+	341.04 грн
100+	277.93 грн
500+	259.29 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	600.44 грн
50+	316.11 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	381.61 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	689.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60WS4VX(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60WS4VX(M-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	781.63 грн
10+	474.07 грн
100+	374.97 грн
500+	355.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	502.12 грн
39+	320.29 грн
50+	260.04 грн
100+	234.44 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	835.18 грн
10+	514.69 грн
100+	468.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	293.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	311.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.68 грн
3+	255.54 грн
10+	225.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	366.82 грн
3+	318.44 грн
10+	270.74 грн
50+	243.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	455.99 грн
43+	291.21 грн
53+	235.25 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	372.26 грн
53+	237.12 грн
100+	192.35 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

TK31E60WS1VX(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.39 грн
10+	304.44 грн
100+	263.95 грн
500+	219.70 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	530.74 грн
50+	275.97 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	530.37 грн
10+	298.71 грн
100+	297.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60XS1X(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ(O

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ(O

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	919.30 грн
10+	732.08 грн
120+	401.36 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	983.23 грн
10+	795.12 грн
100+	644.45 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	731.82 грн
10+	400.86 грн
120+	312.86 грн
510+	305.87 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	681.06 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	782.05 грн
10+	461.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	418.69 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5S1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60WS1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60WS1VF(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.90 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.34 грн
10+	319.61 грн
120+	246.87 грн
510+	232.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F
Код товару: 169333

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	600.04 грн
10+	367.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31N60XS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	314.47 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	767.56 грн
10+	508.25 грн
100+	377.95 грн
500+	327.90 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	422.83 грн
47+	269.45 грн
57+	218.67 грн
100+	196.87 грн
500+	161.93 грн
1000+	144.79 грн
2000+	141.24 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	172.43 грн
500+	156.88 грн
1000+	141.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	348.21 грн
56+	222.19 грн
100+	179.91 грн
500+	162.29 грн
1000+	133.24 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	278.68 грн
10+	208.14 грн
100+	172.43 грн
500+	156.88 грн
1000+	141.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	154.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.93 грн
10+	258.53 грн
100+	184.70 грн
500+	143.77 грн
1000+	139.65 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.01 грн
10+	266.05 грн
100+	197.96 грн
500+	197.19 грн
1000+	186.32 грн
2500+	166.91 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	373.61 грн
10+	264.75 грн
100+	214.24 грн
500+	187.61 грн
1000+	147.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	381.38 грн
38+	334.74 грн
50+	266.34 грн
200+	243.84 грн
500+	201.72 грн
1000+	189.21 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	214.24 грн
500+	187.61 грн
1000+	147.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	288.52 грн
50+	260.33 грн
200+	215.56 грн
500+	199.07 грн
1000+	167.42 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	191.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 16584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	474.48 грн
10+	305.92 грн
100+	220.70 грн
500+	173.07 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

на замовлення 4931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.01 грн
10+	338.36 грн
100+	243.77 грн
500+	242.99 грн
1000+	220.48 грн
2500+	207.28 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	405.83 грн
100+	361.42 грн
500+	327.51 грн
1000+	291.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	581.75 грн
10+	405.83 грн
100+	361.42 грн
500+	327.51 грн
1000+	291.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	324.17 грн
50+	284.37 грн
200+	226.34 грн
500+	207.06 грн
1000+	171.74 грн
2500+	160.60 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	951.00 грн
10+	680.30 грн
100+	431.64 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1043.85 грн
10+	907.66 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	977.13 грн
10+	618.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	194.83 грн
67+	186.54 грн
68+	183.43 грн
120+	175.88 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

TK32

Extech

Clamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1803-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2003-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-403-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.34 грн
5+	532.10 грн
10+	430.09 грн
25+	389.72 грн
50+	376.52 грн
100+	319.85 грн
500+	289.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	688.35 грн
5+	573.16 грн
10+	462.69 грн
25+	419.99 грн
50+	405.24 грн
100+	343.91 грн
500+	315.97 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	688.35 грн
5+	573.16 грн
10+	462.69 грн
25+	419.99 грн
50+	405.24 грн
100+	343.91 грн
500+	315.97 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2404-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	688.35 грн
5+	573.16 грн
10+	462.69 грн
25+	419.99 грн
50+	405.24 грн
100+	343.91 грн
500+	315.97 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1503-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-753-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.13 грн
5+	477.64 грн
10+	385.84 грн
25+	350.90 грн
50+	338.48 грн
100+	287.24 грн
500+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-803-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-1003-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 100C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-1383-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 138C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-743-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3200

Description: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3202

Description: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3206

Description: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3207

Description: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	108.89 грн
10+	95.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.03 грн
10+	147.31 грн
50+	81.51 грн
100+	65.68 грн
250+	59.78 грн
500+	50.23 грн
1000+	48.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.48 грн
50+	82.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

MOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.99 грн
13+	71.24 грн
100+	64.53 грн
500+	48.76 грн
1000+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.08.2,00.S.150.R

TK32SCR.08200S150R Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	225.73 грн
7+	172.73 грн
19+	163.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.09.1,30.C.150.A

TK32SCR.09130C150A Contact Probes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	376.22 грн
5+	280.45 грн
12+	265.89 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.09.2,00.S.150.A

TK32SCR.09200S150A Contact Probes

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	378.31 грн
5+	278.51 грн
12+	263.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.10.2,00.S.150.A

TK32SCR.10200S150A Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	338.60 грн
4+	288.21 грн
11+	272.69 грн
25+	272.09 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.3mm
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33.7 -AS

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Version: PCB is fastened in guides
Manufacturer series: TEKMAR
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1215.40 грн
10+	1080.29 грн
30+	914.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33.7 -AS

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1012.84 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33.9

TK33.9 Multipurpose Enclosures

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1293.56 грн
3+	1222.72 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3306

Description: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK333

TAS-TK333 Audio - Video Cables

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1404.56 грн
2+	1120.83 грн
3+	1059.69 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1498.61 грн
5+	1283.85 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-A

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1248.85 грн
5+	1030.25 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1498.61 грн
5+	1283.85 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-B

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1248.85 грн
5+	1030.25 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1498.61 грн
5+	1283.85 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-G

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1248.85 грн
5+	1030.25 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1498.61 грн
5+	1283.85 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-TB

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1248.85 грн
5+	1030.25 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1498.61 грн
5+	1283.85 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1248.85 грн
5+	1030.25 грн

В кошику од. на суму грн.

TK338M

N/A

05+ DIP8

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK33S.7

TK33S.7 Desktop Enclosures

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2216.42 грн
2+	2095.12 грн
30+	2092.06 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33S.9

Teko

Description: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Features: PCB Supports
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Material: Plastic, ABS
Thickness: 0.055" (1.40mm)
Height: 2.984" (75.79mm)
Design: Cover Included
Container Type: Box
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2653.70 грн
10+	2300.04 грн
100+	2044.37 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.16 грн
10+	120.53 грн
25+	100.92 грн
100+	75.23 грн
500+	61.33 грн
1000+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	126.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ(O

TK33S10N1L SMD N channel transistors

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	155.71 грн
12+	98.98 грн
32+	93.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	82.14 грн
100+	53.18 грн
500+	42.08 грн
1000+	38.89 грн
2000+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 3536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.60 грн
10+	88.39 грн
100+	59.49 грн
500+	44.19 грн
1000+	40.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ(O

MOSFETs Silicon N-channel MOS

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	108.56 грн
120+	103.70 грн
250+	99.55 грн
500+	92.52 грн
1000+	82.88 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1LLQ(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	52.26 грн
4000+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 4393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	71.44 грн
11+	64.95 грн
25+	64.57 грн
100+	61.33 грн
250+	55.92 грн
500+	52.86 грн
1000+	52.03 грн
3000+	51.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

MOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

на замовлення 3171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.99 грн
10+	85.26 грн
100+	57.45 грн
500+	49.37 грн
1000+	46.19 грн
2000+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 4393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	61.65 грн
219+	57.02 грн
250+	54.16 грн
500+	50.03 грн
1000+	47.91 грн
3000+	47.79 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.51 грн
10+	108.85 грн
100+	74.05 грн
500+	55.51 грн
1000+	51.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	168.30 грн
152+	82.33 грн
200+	75.03 грн
1000+	58.84 грн
2000+	51.00 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.12 грн
10+	92.31 грн
100+	71.93 грн
500+	57.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	99.60 грн
138+	90.68 грн
169+	73.79 грн
200+	66.56 грн
1000+	54.59 грн
2000+	48.86 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.12 грн
10+	92.31 грн
100+	71.93 грн
500+	57.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 26598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	88.21 грн
25+	72.59 грн
100+	53.88 грн
500+	43.71 грн
1000+	40.45 грн
2000+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 3964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.84 грн
10+	93.64 грн
100+	63.17 грн
500+	47.04 грн
1000+	43.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ(O

TK33S10N1Z,LXHQ(O

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	105.44 грн
124+	100.72 грн
250+	96.69 грн
500+	89.87 грн
1000+	80.49 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1ZLQ(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33SP.7 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1737.93 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33SP.7 -AS

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1448.28 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33SP.9 -AS

TK33SP.9 Desktop Enclosures

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1649.70 грн
2+	1559.45 грн
50+	1556.95 грн

В кошику од. на суму грн.

TK343

TAS-TK343 Audio - Video Cables

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1281.91 грн
3+	1212.04 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3434

3M (TC)

Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.60 грн
10+	121.42 грн
100+	81.51 грн
500+	61.33 грн
1000+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

MOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.05 грн
10+	176.77 грн
50+	104.03 грн
100+	82.29 грн
500+	59.93 грн
1000+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.34 грн
12+	78.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

TK34E10N1 THT N channel transistors

на замовлення 671 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	82.56 грн
17+	67.93 грн
47+	64.05 грн
50+	63.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1S1X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3501B-EQ

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3511-EG

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	72.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.42 грн
10+	65.71 грн
100+	54.89 грн
500+	45.03 грн
1000+	33.69 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X(M

TK35A65W,S5X(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	428.47 грн
5+	348.35 грн
10+	267.36 грн
50+	243.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.24 грн
10+	300.87 грн
100+	240.66 грн
500+	218.92 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	553.88 грн
5+	489.44 грн
10+	424.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.41 грн
10+	83.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.12 грн
10+	73.03 грн
100+	50.31 грн
500+	40.76 грн
1000+	32.06 грн
5000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	55.12 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

TK35E08N1 THT N channel transistors

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	95.10 грн
22+	53.66 грн
59+	50.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.76 грн
12+	76.81 грн
100+	72.89 грн
500+	50.62 грн
1000+	39.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N.04.2,00.S.170.R

TK35N.04200S170R Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	305.16 грн
6+	225.14 грн
14+	212.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N.07.1,30.S.170.R

TK35N.07130S170R Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.67 грн
5+	230.96 грн
14+	218.34 грн
25+	217.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N.12.0,80.S.170.R

TK35N.12080S170R Contact Probes

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	188.11 грн
9+	138.77 грн
23+	131.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N.13.1,30.S.170.R

TK35N.13130S170R Contact Probes

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	338.60 грн
5+	249.40 грн
13+	235.81 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	808.81 грн
10+	557.09 грн
120+	342.36 грн
510+	340.03 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	687.78 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	785.54 грн
5+	687.13 грн
10+	588.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	768.40 грн
30+	437.22 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	806.09 грн
10+	523.17 грн
120+	392.82 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	714.99 грн
5+	695.84 грн
10+	676.68 грн
50+	444.77 грн
100+	402.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5S1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65WS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65WS1F(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	93.08 грн
100+	62.79 грн
500+	46.76 грн
1000+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3640448(P3640448)

PROFEC

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK36L.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.5mm
Blade tip shape: head 05; round
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.56 грн
5+	186.00 грн
10+	174.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.05.2,50.S.170.A

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.67 грн
5+	231.78 грн
10+	209.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.07.2,50.S.170.N

TK36L.07250S170N Contact Probes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	310.38 грн
5+	229.02 грн
14+	216.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.08.2,50.S.170.A

TK36L.08250S170A Contact Probes

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	251.86 грн
6+	214.46 грн
15+	202.82 грн
30+	202.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Related items: TK36L
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	284.26 грн
5+	250.93 грн
30+	220.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.09.4,00.S.170.A

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.88 грн
5+	201.36 грн
30+	183.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36L
Tip diameter: 1.4mm
Operational spring compression: 5mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.49 грн
5+	198.13 грн
25+	185.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.10.1,40.S.170.A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	287.39 грн
5+	246.90 грн
25+	222.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.10.2,50.S.170.A

TK36L.10250S170A Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	314.56 грн
5+	231.93 грн
14+	219.31 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36L.11.1,80.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Blade tip shape: head 11

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK36L.13.1,80.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Blade tip shape: cone; head 13; sharp

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	212.50 грн
5+	180.33 грн
25+	169.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK36L.13.1,80.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	254.99 грн
5+	224.72 грн
25+	203.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.07.2,50.S.170.A

TK36N.07250S170A Contact Probes

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	279.03 грн
5+	236.78 грн
14+	224.17 грн
25+	223.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.07.3,00.S.170.A

TK36N.07300S170A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	319.79 грн
5+	235.81 грн
14+	223.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.08.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36N

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.49 грн
5+	198.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.08.3,00.S.170.A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	287.39 грн
5+	246.90 грн
20+	223.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.09.2,50.S.170.A

TK36N.09250S170A Contact Probes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	313.52 грн
6+	204.76 грн
16+	194.08 грн
25+	193.49 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.09.4,00.S.170.A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.67 грн
5+	231.78 грн
30+	209.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.10.1,80.S.170.A

TK36N.10180S170A Contact Probes

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	338.60 грн
5+	249.40 грн
13+	235.81 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.10.2,50.S.170.A

TK36N.10250S170A Contact Probes

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	206.92 грн
8+	146.53 грн
22+	138.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.11.1,80.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 1.8mm
Blade tip shape: head 11
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36N

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.30 грн
5+	209.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.11.1,80.S.170.N

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	305.16 грн
5+	261.00 грн
25+	235.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

TK36SCR.02300S300A Contact Probes

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	583.14 грн
3+	413.40 грн
8+	391.08 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.05.2,30.C.300.A

TK36SCR.05230C300A Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	601.95 грн
3+	444.45 грн
8+	420.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.05.3,00.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 10A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 3mm
Blade tip shape: head 05; round
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	474.46 грн
5+	406.12 грн
30+	366.82 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.05.3,00.C.300.A

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	395.38 грн
5+	325.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.07.2,30.C.300.A

TK36SCR.07230C300A Contact Probes

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	601.95 грн
3+	444.45 грн
8+	420.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.08.2,30.C.300.A

TK36SCR.08230C300A Contact Probes

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	118.09 грн
26+	114.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.09.2,30.C.300.A

TK36SCR.09230C300A Contact Probes

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	318.74 грн
5+	242.60 грн
13+	229.02 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36SCR
Tip diameter: 1.4mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.36 грн
5+	219.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	320.83 грн
5+	274.10 грн
25+	248.43 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3701X-EBG

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3701Y-EBG-LF

2005

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK370A60F,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK370A60F,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.14 грн
10+	131.50 грн
100+	108.86 грн
500+	81.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3711-EBG-LF

TEKNOVUSOO

BGA

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3711-EBG-LF

06+

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3711X-EBG-LE

0037+

на замовлення 290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3713A-EEQ-LF

TEKNDVUS

08+ SOT23

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-EEQ-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-EEQ-LFG-KO

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-ETG-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LF6

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

O728

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

04+ QFP

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

Description: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3721-EBG-LF

0548+ BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3721-EBG-LF

N/A

0443

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

Description: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

TEKNOVUS 10+ BGA

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-PBG

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723C-HG-LFG

Description: IC EPON OLT ASIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK372G

Description: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK37N.05.2,30.M.300.A

TK37N.05230M300A Contact Probes

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	319.79 грн
5+	235.81 грн
14+	223.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.06.2,30.M.300.A

TK37N.06230M300A Contact Probes

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	319.79 грн
5+	235.81 грн
14+	223.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.06.4,00.M.300.A

TK37N.06400M300A Contact Probes

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	319.79 грн
5+	235.81 грн
14+	223.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.07.4,00.M.300.A

TK37N.07400M300A Contact Probes

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	338.60 грн
5+	249.40 грн
13+	235.81 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.08.2,30.M.300.A

TK37N.08230M300A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	282.17 грн
6+	207.67 грн
16+	196.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.09.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	300.98 грн
5+	257.98 грн
25+	236.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.09.4,00.M.300.A

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.81 грн
5+	207.02 грн
25+	197.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.2,30.M.170.A

TK37N.10230M170A Contact Probes

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	225.73 грн
7+	166.91 грн
19+	157.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.2,30.M.300.A

TK37N.10230M300A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	319.79 грн
5+	235.81 грн
14+	223.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Related items: TK37N
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.67 грн
5+	231.78 грн
25+	209.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.4,00.M.300.A

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.56 грн
5+	186.00 грн
25+	174.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.6,50.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 6.5mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	194.38 грн
5+	167.28 грн
30+	151.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.6,50.M.300.A

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.98 грн
5+	134.24 грн
30+	126.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.77 грн
10+	131.24 грн
100+	90.83 грн
500+	76.00 грн
1000+	65.60 грн
2500+	62.26 грн
5000+	60.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	103.60 грн
500+	93.24 грн
1000+	86.00 грн
10000+	73.93 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.89 грн
10+	114.09 грн
100+	102.76 грн
500+	80.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	103.60 грн
500+	93.24 грн
1000+	86.00 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A60YS4X(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.78 грн
50+	101.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	139.91 грн
500+	125.40 грн
1000+	116.07 грн
10000+	99.72 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	139.91 грн
500+	125.40 грн
1000+	116.07 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.30 грн
10+	121.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	96.42 грн
100+	61.95 грн
500+	61.87 грн
1000+	57.22 грн
2000+	52.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.99 грн
10+	106.58 грн
100+	72.40 грн
500+	54.22 грн
1000+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	123.53 грн
151+	82.49 грн
163+	76.69 грн
200+	62.28 грн
1000+	54.48 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.53 грн
10+	104.51 грн
100+	77.33 грн
500+	69.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	114.00 грн
120+	103.64 грн
147+	84.88 грн
200+	76.55 грн
1000+	62.74 грн
2000+	56.23 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.53 грн
10+	104.51 грн
100+	77.33 грн
500+	69.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	82.20 грн
159+	78.52 грн
250+	75.37 грн
500+	70.06 грн
1000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	57.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.48 грн
10+	103.56 грн
100+	72.90 грн
250+	69.87 грн
500+	66.38 грн
1000+	56.90 грн
2000+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	40.84 грн

Мінімальне замовлення: 214

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.63 грн
10+	117.99 грн
100+	80.58 грн
500+	60.61 грн
1000+	55.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.27 грн
500+	58.63 грн
1000+	53.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.44 грн
10+	98.41 грн
100+	64.27 грн
500+	58.63 грн
1000+	53.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	715.49 грн
50+	549.84 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	823.30 грн
10+	779.40 грн
50+	403.69 грн
100+	384.28 грн
500+	374.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	318.16 грн
43+	292.25 грн
50+	250.80 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	479.83 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	381.38 грн
50+	323.34 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	844.76 грн
5+	699.32 грн
10+	553.01 грн
50+	458.52 грн
100+	371.74 грн
250+	364.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S5VX(J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	233.80 грн
57+	221.36 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S5VX(J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	900.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	878.55 грн
10+	782.97 грн
25+	648.24 грн
100+	562.84 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ(O

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1077.80 грн
14+	911.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	979.08 грн
10+	956.17 грн
25+	527.90 грн
100+	466.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	891.85 грн
25+	685.47 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	582.01 грн
30+	424.49 грн
31+	402.10 грн
50+	362.96 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	546.16 грн
29+	443.56 грн
30+	426.98 грн
50+	392.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.24 грн
10+	316.94 грн
120+	231.35 грн
510+	214.27 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	513.94 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	553.83 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	577.40 грн
10+	390.16 грн
100+	339.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	561.29 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5
Код товару: 183831

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 3387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.98 грн
10+	340.15 грн
120+	272.49 грн
510+	237.56 грн
2520+	232.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	534.94 грн
30+	300.88 грн
120+	277.20 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	527.75 грн
10+	391.03 грн
100+	383.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	591.76 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5S1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60WS1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	672.66 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.37 грн
3+	397.87 грн
10+	351.77 грн
30+	330.75 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	176.61 грн

Мінімальне замовлення: 270

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	571.65 грн
3+	495.81 грн
10+	422.13 грн
30+	396.90 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	762.89 грн
10+	460.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60XS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60XS1F(S-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.30 грн
5+	407.57 грн
10+	337.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1FS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.80 грн
10+	62.14 грн
100+	43.47 грн
500+	36.80 грн
1000+	31.60 грн
2500+	31.52 грн
5000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	123.67 грн
15+	61.14 грн
100+	49.20 грн
500+	35.58 грн
1000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.22 грн
10+	144.63 грн
50+	79.19 грн
100+	68.63 грн
250+	60.40 грн
500+	49.76 грн
1000+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	50.83 грн
1000+	46.88 грн
10000+	41.79 грн

Мінімальне замовлення: 612

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.25 грн
50+	70.98 грн
100+	55.12 грн
250+	52.09 грн
500+	40.83 грн
1000+	35.94 грн
5000+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	167.21 грн
11+	84.13 грн
100+	77.86 грн
500+	53.45 грн
1000+	41.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; Idm: 7.5A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 4.6Ω
Pulsed drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 900V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90ES4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3J10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3L10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3L10Z

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3P-3.5

Traktronix

Description: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3P-5.08

Traktronix

Description: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D

Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RDVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	91.96 грн
100+	57.53 грн
500+	45.73 грн
1000+	42.15 грн
2000+	37.50 грн
4000+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.90 грн
500+	38.90 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.36 грн
147+	84.98 грн
209+	59.59 грн
210+	57.26 грн
500+	42.93 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	128.51 грн
200+	98.66 грн
500+	71.30 грн
1000+	68.43 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	107.99 грн
12+	74.11 грн
100+	51.90 грн
500+	38.90 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.69 грн
10+	81.03 грн
100+	54.25 грн
500+	40.15 грн
1000+	36.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RTRIDQ(S

TK 3P50D,RTRIDQ(S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.60 грн
10+	87.98 грн
100+	59.41 грн
500+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

на замовлення 3632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.03 грн
10+	78.30 грн
100+	45.88 грн
500+	43.40 грн
1000+	41.46 грн
2000+	37.81 грн
4000+	35.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	64.78 грн
226+	55.13 грн
264+	47.26 грн
278+	43.17 грн
500+	37.38 грн
1000+	33.76 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	96.67 грн
13+	70.98 грн
100+	49.81 грн
500+	40.68 грн
1000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	70.72 грн
236+	52.90 грн
277+	45.02 грн
500+	37.18 грн
1000+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 176

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

на замовлення 1701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.81 грн
500+	40.68 грн
1000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.31 грн
10+	69.55 грн
100+	57.29 грн
500+	54.58 грн
1000+	40.14 грн
5000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	152.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.48 грн
50+	69.43 грн
100+	62.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	101.88 грн
135+	92.76 грн
165+	75.55 грн
200+	68.06 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.95 грн
10+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	109.44 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	103.15 грн
10+	87.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	152.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.71 грн
10+	96.42 грн
100+	67.46 грн
500+	50.54 грн
1000+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	169.82 грн
10+	94.06 грн
100+	76.12 грн
500+	48.76 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	56.13 грн
260+	48.00 грн
268+	46.43 грн
1600+	41.33 грн

Мінімальне замовлення: 222

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

на замовлення 7575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.61 грн
10+	89.10 грн
100+	51.55 грн
500+	40.60 грн
1000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 4257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	78.36 грн
100+	51.71 грн
500+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
10+	94.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.00 грн
10+	173.20 грн
100+	97.04 грн
500+	81.51 грн
1000+	75.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.44 грн
10+	162.49 грн
100+	128.09 грн
500+	126.54 грн
1000+	108.69 грн
2500+	103.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.64 грн
50+	147.97 грн
100+	134.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	344.61 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.62 грн
10+	129.76 грн
100+	117.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	268.62 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

MOSFETs TO220 100V 120A

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.09 грн
10+	95.53 грн
100+	79.19 грн
500+	77.48 грн
1000+	66.53 грн
2500+	61.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.01 грн
10+	96.67 грн
100+	93.18 грн
500+	81.68 грн
1000+	71.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.09 грн
10+	105.35 грн
100+	83.07 грн
500+	69.40 грн
1000+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.11 грн
50+	99.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

TK3R3A06PL,S4X(S

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.69 грн
10+	111.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.79 грн
10+	231.23 грн
50+	107.91 грн
100+	89.28 грн
250+	83.84 грн
500+	76.00 грн
1000+	72.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.64 грн
50+	131.60 грн
100+	108.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	143.17 грн
94+	132.84 грн
110+	113.60 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

MOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.04 грн
10+	134.81 грн
100+	116.45 грн
500+	86.95 грн
1000+	82.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

TK3R9E10PL,S1X(S

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	270.84 грн
10+	147.18 грн
100+	141.08 грн
500+	101.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PLS1X(S