Продукція > TK3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.61 грн
10+57.63 грн
100+34.89 грн
250+34.05 грн
500+28.08 грн
1000+25.10 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.98 грн
50+45.38 грн
100+40.33 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.19 грн
340+35.69 грн
500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.19 грн
340+35.69 грн
500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.42 грн
15+57.77 грн
100+48.50 грн
500+38.26 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.30 грн
10+57.11 грн
100+38.10 грн
250+37.26 грн
500+29.92 грн
1000+25.48 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.94 грн
50+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBATK30E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.73 грн
16+55.96 грн
100+55.88 грн
500+42.32 грн
1000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.29 грн
10+92.39 грн
100+53.41 грн
500+43.84 грн
1000+38.33 грн
2000+32.52 грн
4000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31ExtechDigital Multimeters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.58 грн
10+336.13 грн
100+273.92 грн
500+255.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+371.69 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.37 грн
10+467.23 грн
100+369.56 грн
500+350.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+489.06 грн
39+311.96 грн
50+253.28 грн
100+228.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.28 грн
10+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+390.37 грн
3+338.69 грн
5+249.63 грн
13+236.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.31 грн
3+271.79 грн
5+208.02 грн
13+196.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+444.14 грн
43+283.64 грн
53+229.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.84 грн
10+349.33 грн
50+287.69 грн
100+243.32 грн
250+235.66 грн
500+218.83 грн
1000+188.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.53 грн
50+313.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.48 грн
10+253.21 грн
100+232.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaTK31J60W,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaTK31J60W5,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.45 грн
10+566.66 грн
30+459.85 грн
60+416.24 грн
120+410.12 грн
270+409.35 грн
1020+408.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.48 грн
10+964.77 грн
100+681.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.55 грн
30+351.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.79 грн
10+645.86 грн
30+331.31 грн
120+283.10 грн
510+267.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.74 грн
10+378.52 грн
100+325.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+407.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F
Код товару: 169333
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.20 грн
30+307.97 грн
120+224.19 грн
510+202.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.73 грн
10+415.43 грн
100+301.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+306.29 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.50 грн
10+500.93 грн
100+372.51 грн
500+323.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.90 грн
500+188.10 грн
1000+169.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+411.84 грн
47+262.44 грн
57+212.98 грн
100+191.75 грн
500+157.72 грн
1000+141.03 грн
2000+137.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.13 грн
10+284.11 грн
100+236.90 грн
500+188.10 грн
1000+169.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 8452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.88 грн
10+277.17 грн
100+182.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.11 грн
10+254.81 грн
100+182.04 грн
500+141.70 грн
1000+137.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+152.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.22 грн
10+260.93 грн
100+211.15 грн
500+184.91 грн
1000+145.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBATK31V60W5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.15 грн
500+184.91 грн
1000+145.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+371.46 грн
38+326.04 грн
50+259.42 грн
200+237.50 грн
500+196.47 грн
1000+184.29 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+188.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.30 грн
10+325.57 грн
25+259.38 грн
50+237.96 грн
100+204.29 грн
250+192.82 грн
500+176.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.64 грн
10+301.51 грн
100+217.52 грн
500+170.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.04 грн
500+201.65 грн
1000+182.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+444.14 грн
33+376.51 грн
50+286.67 грн
200+259.88 грн
500+211.79 грн
1000+198.13 грн
2500+190.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.82 грн
10+326.17 грн
100+236.04 грн
500+201.65 грн
1000+182.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.19 грн
10+813.04 грн
25+672.56 грн
50+632.01 грн
100+581.51 грн
250+566.21 грн
500+519.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.80 грн
10+894.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.05 грн
10+609.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+189.77 грн
67+181.69 грн
68+178.66 грн
120+171.31 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32ExtechClamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.12 грн
5+524.43 грн
10+423.89 грн
25+384.10 грн
50+371.09 грн
100+315.24 грн
500+285.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.17 грн
5+578.98 грн
10+468.27 грн
25+424.65 грн
50+410.12 грн
100+348.14 грн
500+315.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.84 грн
5+623.86 грн
10+503.46 грн
25+457.56 грн
50+441.49 грн
100+374.15 грн
500+343.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2404-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.84 грн
5+623.86 грн
10+503.46 грн
25+457.56 грн
50+441.49 грн
100+374.15 грн
500+343.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-753-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.76 грн
5+520.03 грн
10+420.06 грн
25+381.81 грн
50+368.80 грн
100+312.94 грн
500+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1003-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 100C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1383-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 138C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-743-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.06 грн
10+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.68 грн
10+145.19 грн
50+80.34 грн
100+64.73 грн
250+58.92 грн
500+49.50 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.02 грн
50+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.04 грн
13+70.21 грн
100+63.60 грн
500+48.06 грн
1000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBATK32E12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.05200S150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONTK32SCR.08200S150R Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.80 грн
5+276.41 грн
12+261.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.26 грн
5+286.05 грн
12+261.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Mounting: screw-in
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Related items: TK32SCR
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.27 грн
5+229.54 грн
12+216.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Mounting: screw-in
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Related items: TK32SCR
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+354.32 грн
5+286.05 грн
12+260.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.1,50.C.150.ATEKONTK32SCR.10150C150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.10200S150A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+417.15 грн
4+310.84 грн
10+294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.7 -ASTEKOTK33.7 Multipurpose Enclosures
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1440.38 грн
3+1361.00 грн
30+1344.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.9TEKOTK33.9 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2013.28 грн
2+1903.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312TASKERTAS-TK3312 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK333TASKERTAS-TK333 Audio - Video Cables
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1812.80 грн
2+1113.28 грн
3+1052.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.03 грн
3+1316.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.52 грн
3+1056.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.03 грн
3+1316.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.52 грн
3+1056.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.03 грн
3+1316.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.52 грн
3+1056.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.52 грн
3+1056.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.03 грн
3+1316.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.03 грн
3+1316.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.52 грн
3+1056.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK336TASKERTAS-TK336 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-ATASKERTAS-TK336PSF-A Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-BTASKERTAS-TK336PSF-B Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-GTASKERTAS-TK336PSF-G Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-TBTASKERTAS-TK336PSF-TB Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-VTASKERTAS-TK336PSF-V Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK339TASKERTAS-TK339 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-ATASKERTAS-TK339PSF-A Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-BTASKERTAS-TK339PSF-B Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-GTASKERTAS-TK339PSF-G Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-TBTASKERTAS-TK339PSF-TB Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-VTASKERTAS-TK339PSF-V Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.7TEKOTK33S.7 Desktop Enclosures
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2300.21 грн
2+2174.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.13 грн
10+124.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.97 грн
10+118.79 грн
25+99.47 грн
100+74.14 грн
500+60.45 грн
1000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBATK33S10N1L SMD N channel transistors
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.47 грн
12+96.60 грн
32+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.53 грн
10+87.11 грн
100+58.63 грн
500+43.55 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.65 грн
10+85.26 грн
100+58.84 грн
500+48.97 грн
1000+42.39 грн
2000+40.48 грн
4000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaTK33S10N1L,LXHQ(O
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+94.84 грн
134+90.59 грн
250+86.95 грн
500+80.83 грн
1000+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.51 грн
4000+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+56.70 грн
215+56.48 грн
216+56.11 грн
250+53.76 грн
500+49.45 грн
1000+47.17 грн
3000+46.86 грн
6000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.98 грн
10+107.28 грн
100+72.98 грн
500+54.71 грн
1000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.65 грн
10+102.07 грн
100+65.34 грн
250+61.67 грн
500+55.01 грн
1000+50.27 грн
2000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.92 грн
12+60.75 грн
25+60.51 грн
100+57.98 грн
250+53.33 грн
500+50.87 грн
1000+50.54 грн
3000+50.21 грн
6000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+95.28 грн
100+75.88 грн
500+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.01 грн
138+88.33 грн
169+71.87 грн
200+64.83 грн
1000+53.17 грн
2000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+95.28 грн
100+75.88 грн
500+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.48 грн
10+86.94 грн
25+71.54 грн
100+53.10 грн
500+43.08 грн
1000+39.86 грн
2000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.64 грн
10+92.30 грн
100+62.26 грн
500+46.36 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.7 -ASTEKOTK33SP.7 Desktop Enclosures
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1768.44 грн
2+1671.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.9 -ASTEKOTK33SP.9 Desktop Enclosures
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1643.14 грн
2+1554.20 грн
50+1534.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3412TASKERTAS-TK3412 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK343TASKERTAS-TK343 Audio - Video Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1273.01 грн
3+1204.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK346TASKERTAS-TK346 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK349TASKERTAS-TK349 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.19 грн
10+100.31 грн
50+80.34 грн
1000+57.23 грн
2500+54.40 грн
5000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.43 грн
10+174.22 грн
50+102.53 грн
100+81.11 грн
500+59.07 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.63 грн
10+144.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBATK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.97 грн
17+68.86 грн
45+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.60 грн
10+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.32 грн
10+64.23 грн
100+45.14 грн
500+38.26 грн
1000+28.77 грн
2500+28.69 грн
5000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.00 грн
10+310.61 грн
100+251.73 грн
500+224.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MToshibaTK35A65W,S5X(M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.01 грн
5+401.70 грн
10+282.39 грн
50+256.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.03 грн
10+308.85 грн
100+237.19 грн
500+215.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.55 грн
5+434.32 грн
10+369.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.82 грн
10+71.98 грн
100+49.58 грн
500+40.17 грн
1000+31.60 грн
5000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.88 грн
15+58.11 грн
100+56.91 грн
500+37.70 грн
1000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBATK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.73 грн
22+52.51 грн
59+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.02.1,30.S.170.RTEKONTK35N.02130S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.03.2,00.S.170.RTEKONTK35N.03200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONTK35N.04200S170R Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.76 грн
5+223.80 грн
14+211.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.05.1,30.S.170.ATEKONTK35N.05130S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.05.2,00.S.170.ATEKONTK35N.05200S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONTK35N.07130S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.72 грн
5+249.63 грн
13+235.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.2,00.S.170.RTEKONTK35N.07200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.08.2,00.S.170.RTEKONTK35N.08200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Type of test accessories: test needle
Blade tip shape: head 12; needle
Contact plating: rhodium plated
Related items: TK35N
Tip diameter: 0.8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.78 грн
5+121.15 грн
9+113.97 грн
23+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Type of test accessories: test needle
Blade tip shape: head 12; needle
Contact plating: rhodium plated
Related items: TK35N
Tip diameter: 0.8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.13 грн
5+150.97 грн
9+136.77 грн
23+129.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.13.1,30.S.170.RTEKONTK35N.13130S170R Contact Probes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.72 грн
5+249.63 грн
13+235.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+773.05 грн
10+610.66 грн
120+337.43 грн
510+335.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.96 грн
5+553.62 грн
10+416.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.47 грн
10+515.63 грн
120+387.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.33 грн
30+430.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.69 грн
5+685.81 грн
10+666.92 грн
50+438.36 грн
100+396.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.81 грн
10+91.74 грн
100+61.89 грн
500+46.08 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.02.2,50.S.170.ATEKONTK36L.02250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.02.4,00.S.170.ATEKONTK36L.02400S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.22 грн
5+241.35 грн
6+219.02 грн
10+218.07 грн
15+206.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
5+193.68 грн
6+182.52 грн
10+181.72 грн
15+172.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONTK36L.07250S170N Contact Probes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.91 грн
5+228.59 грн
14+216.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONTK36L.08250S170A Contact Probes
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.03 грн
5+230.50 грн
14+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.2,50.S.170.ATEKONTK36L.09250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.61 грн
5+239.36 грн
14+217.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.34 грн
5+192.08 грн
14+180.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.78 грн
5+193.68 грн
14+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.73 грн
5+241.35 грн
14+219.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONTK36L.10250S170A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.03 грн
5+230.50 грн
14+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.11.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36L
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.11.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36L
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONTK36L.13180S170A Contact Probes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+304.88 грн
5+233.37 грн
14+220.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.02.2,50.S.170.ATEKONTK36N.02250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.05.2,50.S.170.ATEKONTK36N.05250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONTK36N.07250S170A Contact Probes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.99 грн
5+256.32 грн
13+241.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.3,00.S.170.ATEKONTK36N.07300S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.2,50.C.170.ATEKONTK36N.08250C170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONTK36N.08300S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Related items: TK36N
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Related items: TK36N
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.00 грн
5+203.61 грн
16+191.29 грн
25+183.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+266.77 грн
5+228.44 грн
14+214.24 грн
30+206.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONTK36N.10180S170A Contact Probes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.72 грн
5+249.63 грн
13+235.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.2,50.S.170.ATEKONTK36N.10250S170A Contact Probes
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.94 грн
8+146.33 грн
22+137.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Related items: TK36N
Blade tip shape: head 11
Contact plating: nickel plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.37 грн
5+204.84 грн
13+193.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Related items: TK36N
Blade tip shape: head 11
Contact plating: nickel plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.24 грн
5+255.26 грн
13+232.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.14.1,80.S.170.ATEKONTK36N.14180S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONTK36SCR.02300S300A Contact Probes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+574.74 грн
3+412.22 грн
8+390.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.51 грн
3+365.04 грн
8+345.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.41 грн
3+454.89 грн
8+414.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.37 грн
3+397.29 грн
9+361.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.14 грн
3+318.81 грн
9+301.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 07; serrated
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.51 грн
3+365.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 07; serrated
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.41 грн
3+454.89 грн
8+414.13 грн
25+413.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36SCR
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+314.15 грн
5+247.31 грн
13+224.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36SCR
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.79 грн
5+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONTK36SCR.10140S300A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+526.33 грн
3+393.09 грн
8+371.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.77 грн
10+190.55 грн
100+130.47 грн
500+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUS06+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUSO728
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFN/A0443
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGTEKNOVUS 10+ BGA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.78 грн
5+193.68 грн
14+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.73 грн
5+241.35 грн
14+219.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.73 грн
5+241.35 грн
14+219.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK37N
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.78 грн
5+193.68 грн
14+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONTK37N.06400M300A Contact Probes
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.18 грн
5+235.28 грн
14+221.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONTK37N.07400M300A Contact Probes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.72 грн
5+249.63 грн
13+235.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONTK37N.08230M300A Contact Probes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.10 грн
6+207.54 грн
15+196.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.2,30.M.300.ATEKONTK37N.09230M300A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.64 грн
5+254.26 грн
13+241.98 грн
25+231.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.20 грн
5+204.04 грн
13+201.65 грн
25+192.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Related items: TK37N
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.96 грн
5+145.06 грн
7+136.29 грн
19+129.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONTK37N.10230M300A Contact Probes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.18 грн
5+235.28 грн
14+221.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONTK37N.10400M300A Contact Probes
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.64 грн
6+220.94 грн
14+209.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONTK37N.10650M300A Contact Probes
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.10 грн
6+207.54 грн
15+196.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.10 грн
10+129.35 грн
100+89.52 грн
500+74.91 грн
1000+64.65 грн
2500+61.36 грн
5000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XTOSHIBATK380A60Y THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+77.80 грн
500+74.49 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.78 грн
10+127.03 грн
100+100.42 грн
500+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+77.80 грн
500+74.49 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60YS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.47 грн
10+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.58 грн
10+182.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+104.98 грн
500+100.84 грн
1000+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+104.98 грн
500+100.84 грн
1000+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.18 грн
10+99.43 грн
100+61.06 грн
250+60.98 грн
500+49.89 грн
1000+46.14 грн
2000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.50 грн
10+105.05 грн
100+71.36 грн
500+53.44 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.07 грн
159+76.48 грн
250+73.41 грн
500+68.24 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.77 грн
10+95.28 грн
100+67.29 грн
500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.77 грн
10+95.28 грн
100+67.29 грн
500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.03 грн
120+100.94 грн
147+82.67 грн
200+74.56 грн
1000+61.10 грн
2000+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.88 грн
10+116.29 грн
100+79.42 грн
500+59.74 грн
1000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.47 грн
10+102.07 грн
100+71.85 грн
250+68.86 грн
500+65.42 грн
1000+56.08 грн
2000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.34 грн
500+57.78 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.34 грн
10+96.99 грн
100+63.34 грн
500+57.78 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.43 грн
10+768.17 грн
50+397.87 грн
100+378.75 грн
500+368.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.18 грн
50+541.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+814.56 грн
5+813.70 грн
10+812.84 грн
50+514.08 грн
100+365.65 грн
250+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+467.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+309.89 грн
43+284.65 грн
50+244.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.89 грн
10+771.68 грн
25+638.89 грн
100+554.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBATK39J60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1049.78 грн
14+888.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.97 грн
10+942.39 грн
25+520.30 грн
100+459.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.99 грн
25+675.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+531.95 грн
29+432.02 грн
30+415.87 грн
50+382.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.47 грн
30+333.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.39 грн
10+312.37 грн
120+228.01 грн
510+211.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+539.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.34 грн
10+487.53 грн
100+390.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5
Код товару: 183831
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.81 грн
10+335.25 грн
120+268.57 грн
510+234.13 грн
2520+228.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.37 грн
30+370.16 грн
120+308.34 грн
510+244.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.01 грн
10+327.02 грн
100+273.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+576.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.42 грн
10+418.84 грн
120+312.94 грн
510+307.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.28 грн
3+355.47 грн
8+336.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+174.07 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+608.73 грн
3+442.97 грн
8+403.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.29 грн
10+372.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.53 грн
5+554.48 грн
10+462.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.76 грн
10+100.31 грн
50+60.06 грн
100+45.53 грн
250+45.14 грн
500+37.34 грн
1000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.60 грн
10+90.12 грн
100+57.16 грн
500+39.05 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DTOSHIBATK3A65D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.14 грн
11+109.03 грн
29+103.29 грн
50+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.89 грн
10+142.55 грн
50+78.04 грн
100+67.64 грн
250+59.53 грн
500+49.05 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
746+40.60 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 746
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.08 грн
50+69.95 грн
100+54.33 грн
250+51.34 грн
500+40.25 грн
1000+35.43 грн
5000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.94 грн
10+120.17 грн
100+76.22 грн
500+50.77 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3J10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10Z
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-3.5TraktronixDescription: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-5.08TraktronixDescription: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RDVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQTOSHIBATK3P50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.62 грн
10+90.63 грн
100+56.70 грн
500+45.07 грн
1000+41.55 грн
2000+36.96 грн
4000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.16 грн
500+38.34 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.77 грн
10+79.86 грн
100+53.46 грн
500+39.57 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.43 грн
12+73.04 грн
100+51.16 грн
500+38.34 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.13 грн
147+82.77 грн
209+58.04 грн
210+55.77 грн
500+41.82 грн
1000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RTRIDQ(SToshibaTK 3P50D,RTRIDQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+65.20 грн
100+45.80 грн
500+42.75 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.55 грн
10+75.67 грн
25+62.51 грн
100+46.14 грн
250+46.06 грн
500+37.19 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.35 грн
500+33.40 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+63.09 грн
226+53.70 грн
264+46.03 грн
278+42.05 грн
500+36.41 грн
1000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.42 грн
13+66.95 грн
100+49.35 грн
500+33.40 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.22 грн
10+70.57 грн
100+46.29 грн
500+43.08 грн
1000+40.17 грн
2500+39.56 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+148.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.21 грн
10+115.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.23 грн
135+90.35 грн
165+73.59 грн
200+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.47 грн
10+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.18 грн
10+95.03 грн
100+66.49 грн
500+49.81 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+148.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+57.33 грн
219+55.42 грн
237+51.18 грн
244+47.89 грн
800+44.25 грн
1600+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.22 грн
12+76.65 грн
100+58.37 грн
500+47.74 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.91 грн
10+77.23 грн
100+50.96 грн
500+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.76 грн
10+87.82 грн
100+50.81 грн
500+40.02 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.32 грн
10+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.65 грн
50+179.50 грн
100+123.95 грн
250+106.35 грн
500+88.76 грн
1000+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+127.89 грн
100+115.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+335.65 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs TO220 100V 120A
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.92 грн
10+87.82 грн
100+73.68 грн
1000+65.57 грн
2500+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.89 грн
10+96.13 грн
100+90.12 грн
500+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaTK3R3A06PL,S4X(S
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.28 грн
10+151.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.19 грн
50+129.71 грн
100+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.16 грн
10+227.90 грн
50+106.35 грн
100+87.99 грн
250+82.64 грн
500+74.91 грн
1000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+139.44 грн
94+129.38 грн
110+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.82 грн
10+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.16 грн
50+117.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.02 грн
10+131.11 грн
100+110.95 грн
500+85.70 грн
1000+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTK3R9E10PL,S1X(S
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.75 грн
10+109.87 грн
100+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLS1X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.