Продукція > TK3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(LBS2PQM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(Q,M)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A(STA4,QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A,LS2PQ(J

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06J3A,S5Q(J

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.41 грн
10+	60.29 грн
100+	36.50 грн
250+	35.62 грн
500+	29.38 грн
1000+	26.25 грн
5000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.63 грн
50+	47.48 грн
100+	42.19 грн
500+	30.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.06 грн
15+	60.43 грн
100+	50.73 грн
500+	40.02 грн
1000+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30A06N1S4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

MOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.80 грн
10+	56.89 грн
500+	37.46 грн
1000+	32.10 грн
5000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
50+	63.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	118.27 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	122.12 грн
16+	58.54 грн
100+	58.45 грн
500+	44.27 грн
1000+	34.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D,S1F(O

TK30J25D,S1F(O

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK30J25D,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30J25DS1F(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.08 грн
10+	96.65 грн
100+	55.87 грн
500+	45.86 грн
1000+	40.10 грн
2000+	34.02 грн
4000+	33.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31

Extech

Digital Multimeters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3140

Description: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3148

Description: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3160

Description: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3168

Description: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3170

Description: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3173

Description: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3178

Description: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	619.08 грн
50+	325.92 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	664.89 грн
10+	351.63 грн
100+	286.55 грн
500+	267.34 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	711.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	388.83 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK31A60WS4VX(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31A60WS4VX(M-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	805.90 грн
10+	488.78 грн
100+	386.61 грн
500+	366.60 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	464.62 грн
43+	296.72 грн
53+	239.70 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	379.30 грн
53+	241.60 грн
100+	195.98 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 43 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	378.20 грн
3+	328.33 грн
10+	279.15 грн
50+	251.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	511.61 грн
39+	326.35 грн
50+	264.96 грн
100+	238.88 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	298.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	317.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.17 грн
3+	263.47 грн
10+	232.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60W,S1VX(S

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.32 грн
10+	333.13 грн
100+	309.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60WS1VX(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	547.22 грн
50+	284.54 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.57 грн
10+	313.89 грн
100+	272.15 грн
500+	226.52 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.83 грн
10+	307.99 грн
100+	307.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31E60X,S1X(S)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31E60XS1X(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W,S1VQ(O

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ(O

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	947.84 грн
10+	754.80 грн
120+	413.82 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1013.75 грн
10+	819.80 грн
100+	664.46 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	754.54 грн
10+	425.27 грн
120+	322.57 грн
510+	315.37 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	689.22 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	806.33 грн
10+	475.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60W5S1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60WS1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60WS1VF(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	568.00 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	610.73 грн
10+	329.54 грн
120+	254.54 грн
510+	239.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F
Код товару: 169333

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	655.48 грн
10+	359.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK31N60XS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	320.42 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	791.39 грн
10+	524.03 грн
100+	389.68 грн
500+	338.07 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	354.80 грн
56+	226.40 грн
100+	183.31 грн
500+	165.36 грн
1000+	135.76 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	287.33 грн
10+	214.60 грн
100+	177.79 грн
500+	161.75 грн
1000+	146.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	430.83 грн
47+	274.55 грн
57+	222.81 грн
100+	200.59 грн
500+	164.99 грн
1000+	147.53 грн
2000+	143.91 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	177.79 грн
500+	161.75 грн
1000+	146.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	159.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.47 грн
10+	266.56 грн
100+	190.44 грн
500+	148.24 грн
1000+	143.98 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

на замовлення 4852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.83 грн
10+	274.31 грн
100+	204.11 грн
500+	203.31 грн
1000+	192.10 грн
2500+	172.09 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	388.59 грн
38+	341.07 грн
50+	271.38 грн
200+	248.45 грн
500+	205.53 грн
1000+	192.79 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	220.89 грн
500+	193.44 грн
1000+	152.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	293.98 грн
50+	265.25 грн
200+	219.64 грн
500+	202.83 грн
1000+	170.59 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	385.21 грн
10+	272.97 грн
100+	220.89 грн
500+	193.44 грн
1000+	152.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 16584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	489.20 грн
10+	315.42 грн
100+	227.56 грн
500+	178.44 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

на замовлення 4931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.81 грн
10+	348.87 грн
100+	251.33 грн
500+	250.53 грн
1000+	227.32 грн
2500+	213.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	197.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	599.81 грн
10+	418.43 грн
100+	372.64 грн
500+	337.68 грн
1000+	300.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	330.30 грн
50+	289.75 грн
200+	230.62 грн
500+	210.98 грн
1000+	174.99 грн
2500+	163.64 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	418.43 грн
100+	372.64 грн
500+	337.68 грн
1000+	300.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	980.52 грн
10+	701.42 грн
100+	445.04 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1076.25 грн
10+	935.83 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1051.46 грн
10+	763.23 грн
100+	553.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	198.52 грн
67+	190.07 грн
68+	186.90 грн
120+	179.21 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32

Extech

Clamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1803-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2003-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1C-2203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-403-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T01-MG01-B1P-903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	660.22 грн
5+	548.61 грн
10+	443.44 грн
25+	401.82 грн
50+	388.21 грн
100+	329.78 грн
500+	298.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.71 грн
5+	590.96 грн
10+	477.06 грн
25+	433.03 грн
50+	417.82 грн
100+	354.59 грн
500+	325.77 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.71 грн
5+	590.96 грн
10+	477.06 грн
25+	433.03 грн
50+	417.82 грн
100+	354.59 грн
500+	325.77 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1C-2404-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.71 грн
5+	590.96 грн
10+	477.06 грн
25+	433.03 грн
50+	417.82 грн
100+	354.59 грн
500+	325.77 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-1503-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-753-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.98 грн
5+	492.46 грн
10+	397.81 грн
25+	361.79 грн
50+	348.99 грн
100+	296.16 грн
500+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-803-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T02-MG01-B1P-953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-1003-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 100C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-1383-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 138C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32-T06-MG02-B1P-743-MIC

Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3200

Description: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3202

Description: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3206

Description: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3207

Description: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.95 грн
10+	97.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	168.09 грн
10+	151.88 грн
50+	84.04 грн
100+	67.72 грн
250+	61.63 грн
500+	51.79 грн
1000+	49.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.77 грн
50+	84.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X

MOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.18 грн
13+	73.45 грн
100+	66.54 грн
500+	50.28 грн
1000+	40.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.08.2,00.S.150.R

TK32SCR.08200S150R Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	387.90 грн
7+	180.10 грн
19+	170.09 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.09.1,30.C.150.A

TK32SCR.09130C150A Contact Probes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	387.90 грн
5+	292.16 грн
12+	276.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.09.2,00.S.150.A

TK32SCR.09200S150A Contact Probes

на замовлення 40 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	390.06 грн
5+	288.15 грн
12+	272.15 грн

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.92 грн
5+	240.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK32SCR.10.2,00.S.150.A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
5+	299.24 грн
25+	270.14 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33.7 -AS

TK33.7 Multipurpose Enclosures

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2088.20 грн
2+	954.51 грн
4+	901.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33.9

TK33.9 Multipurpose Enclosures

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1333.71 грн
3+	1260.68 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3306

Description: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK333

TAS-TK333 Audio - Video Cables

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1449.24 грн
2+	1156.62 грн
3+	1093.59 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1287.61 грн
5+	1062.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-A

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1545.14 грн
5+	1323.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1287.61 грн
5+	1062.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-B

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1545.14 грн
5+	1323.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1287.61 грн
5+	1062.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-G

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1545.14 грн
5+	1323.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1287.61 грн
5+	1062.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-TB

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1545.14 грн
5+	1323.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1287.61 грн
5+	1062.24 грн

В кошику од. на суму грн.

TK333PSF-V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1545.14 грн
5+	1323.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK338M

N/A

05+ DIP8

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK33S.7

TK33S.7 Desktop Enclosures

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2286.22 грн
2+	2161.16 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33S.9

Teko

Description: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Features: PCB Supports
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Material: Plastic, ABS
Thickness: 0.055" (1.40mm)
Height: 2.984" (75.79mm)
Design: Cover Included
Container Type: Box
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2736.08 грн
10+	2371.44 грн
100+	2107.84 грн

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.88 грн
10+	124.27 грн
25+	104.06 грн
100+	77.56 грн
500+	63.23 грн
1000+	60.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.40 грн
10+	130.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ(O

TK33S10N1L SMD N channel transistors

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	160.55 грн
12+	103.06 грн
32+	97.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LQ(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

на замовлення 3536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.06 грн
10+	91.13 грн
100+	61.33 грн
500+	45.56 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	123.27 грн
10+	84.69 грн
100+	54.83 грн
500+	43.38 грн
1000+	40.10 грн
2000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1L,LXHQ(O

MOSFETs Silicon N-channel MOS

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	110.61 грн
120+	105.66 грн
250+	101.43 грн
500+	94.27 грн
1000+	84.45 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1LLQ(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 4393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	72.79 грн
11+	66.18 грн
25+	65.79 грн
100+	62.49 грн
250+	56.98 грн
500+	53.86 грн
1000+	53.02 грн
3000+	52.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.89 грн
4000+	49.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 4393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	62.82 грн
219+	58.09 грн
250+	55.19 грн
500+	50.98 грн
1000+	48.82 грн
3000+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.96 грн
10+	112.23 грн
100+	76.35 грн
500+	57.23 грн
1000+	52.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ

MOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

на замовлення 3171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.87 грн
10+	87.91 грн
100+	59.23 грн
500+	50.91 грн
1000+	47.63 грн
2000+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.28 грн
10+	95.18 грн
100+	74.17 грн
500+	59.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	101.48 грн
138+	92.40 грн
169+	75.18 грн
200+	67.81 грн
1000+	55.63 грн
2000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.28 грн
10+	95.18 грн
100+	74.17 грн
500+	59.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	171.49 грн
152+	83.88 грн
200+	76.45 грн
1000+	59.95 грн
2000+	51.97 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 3964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.58 грн
10+	96.55 грн
100+	65.13 грн
500+	48.50 грн
1000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 26598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.66 грн
10+	90.94 грн
25+	74.84 грн
100+	55.55 грн
500+	45.06 грн
1000+	41.70 грн
2000+	40.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1Z,LXHQ(O

TK33S10N1Z,LXHQ(O

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	107.44 грн
124+	102.63 грн
250+	98.52 грн
500+	91.57 грн
1000+	82.02 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

TK33S10N1ZLQ(O

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK33SP.7 -AS

TK33SP.7 Desktop Enclosures

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1830.98 грн
2+	1730.93 грн

В кошику од. на суму грн.

TK343

TAS-TK343 Audio - Video Cables

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1322.71 грн
3+	1250.67 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3434

3M (TC)

Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.98 грн
10+	125.19 грн
100+	84.04 грн
500+	63.23 грн
1000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

MOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.30 грн
10+	93.89 грн
100+	77.08 грн
500+	56.27 грн
1000+	50.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 660 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.00 грн
10+	69.04 грн
50+	64.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.67 грн
12+	80.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1,S1X(S

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	78.12 грн
7+	64.20 грн
10+	57.53 грн
50+	53.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK34E10N1S1X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3501B-EQ

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3511-EG

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.45 грн
10+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	67.75 грн
100+	56.59 грн
500+	46.42 грн
1000+	34.74 грн
5000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.18 грн
10+	325.85 грн
100+	254.54 грн
500+	232.92 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	441.78 грн
5+	359.17 грн
10+	275.66 грн
50+	250.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W,S5X(M

TK35A65W,S5X(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	584.58 грн
10+	310.21 грн
100+	248.13 грн
500+	225.72 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35A65W5,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	571.08 грн
5+	504.63 грн
10+	437.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	86.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	92.92 грн
10+	75.30 грн
100+	51.87 грн
500+	42.02 грн
1000+	33.06 грн
5000+	32.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.79 грн
12+	79.20 грн
100+	75.16 грн
500+	52.19 грн
1000+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	56.16 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35E08N1,S1X(S

TK35E08N1 THT N channel transistors

на замовлення 47 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	98.05 грн
22+	55.83 грн
59+	52.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N.04.2,00.S.170.R

TK35N.04200S170R Contact Probes

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	314.63 грн
6+	232.12 грн
15+	219.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N.07.1,30.S.170.R

TK35N.07130S170R Contact Probes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
6+	238.13 грн
14+	225.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N.12.0,80.S.170.R

TK35N.12080S170R Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	193.95 грн
9+	143.08 грн
23+	135.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N.13.1,30.S.170.R

TK35N.13130S170R Contact Probes

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
5+	258.14 грн
13+	244.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	833.91 грн
10+	574.39 грн
120+	352.99 грн
510+	350.59 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	809.92 грн
5+	708.46 грн
10+	606.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	787.22 грн
10+	505.35 грн
120+	405.02 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	849.40 грн
30+	490.37 грн

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	737.19 грн
5+	717.44 грн
10+	697.68 грн
50+	458.58 грн
100+	414.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK35N65W5S1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65WS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35N65WS1F(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.72 грн
10+	95.97 грн
100+	64.74 грн
500+	48.21 грн
1000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3640448(P3640448)

PROFEC

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK36L.05.2,50.S.170.A

TK36L.05250S170A Contact Probes

на замовлення 57 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	310.32 грн
6+	229.12 грн
15+	217.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.07.2,50.S.170.N

TK36L.07250S170N Contact Probes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	320.02 грн
6+	236.13 грн
14+	223.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36L.08.2,50.S.170.A

TK36L.08250S170A Contact Probes

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	324.33 грн
6+	223.12 грн
15+	211.11 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36L.09.4,00.S.170.A

TK36L.09400S170A Contact Probes

на замовлення 104 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	325.40 грн
5+	244.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36L.10.2,50.S.170.A

TK36L.10250S170A Contact Probes

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	324.33 грн
5+	239.13 грн
14+	226.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36L.13.1,80.S.170.A

TK36L.13180S170A Contact Probes

на замовлення 74 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	292.00 грн
6+	224.12 грн
15+	212.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.07.2,50.S.170.A

TK36N.07250S170A Contact Probes

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	358.81 грн
5+	244.13 грн
14+	231.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.07.3,00.S.170.A

TK36N.07300S170A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.08.3,00.S.170.A

TK36N.08300S170A Contact Probes

на замовлення 15 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.09.2,50.S.170.A

TK36N.09250S170A Contact Probes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	323.25 грн
6+	211.11 грн
16+	200.11 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.09.4,00.S.170.A

TK36N.09400S170A Contact Probes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
6+	238.13 грн
14+	225.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.10.1,80.S.170.A

TK36N.10180S170A Contact Probes

на замовлення 39 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
5+	258.14 грн
13+	244.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36N.10.2,50.S.170.A

TK36N.10250S170A Contact Probes

на замовлення 77 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	213.34 грн
8+	151.08 грн
22+	143.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK36N.11.1,80.S.170.N

TK36N.11180S170N Contact Probes

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	349.11 грн
5+	258.14 грн
13+	244.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

TK36SCR.02300S300A Contact Probes

на замовлення 15 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	601.24 грн
3+	427.23 грн
8+	403.22 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.05.2,30.C.300.A

TK36SCR.05230C300A Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	620.64 грн
3+	458.25 грн
8+	433.23 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.05.3,00.C.300.A

TK36SCR.05300C300A Contact Probes

на замовлення 56 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	543.06 грн
3+	401.21 грн
9+	379.20 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.07.2,30.C.300.A

TK36SCR.07230C300A Contact Probes

на замовлення 7 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	620.64 грн
3+	458.25 грн
8+	433.23 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.09.2,30.C.300.A

TK36SCR.09230C300A Contact Probes

на замовлення 5 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	548.45 грн
5+	252.14 грн
13+	238.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

TK36SCR.10140S300A Contact Probes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	550.60 грн
5+	252.14 грн
13+	238.13 грн

В кошику од. на суму грн.

TK3701X-EBG

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3701Y-EBG-LF

2005

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK370A60F,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK370A60F,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	214.60 грн
10+	135.59 грн
100+	112.24 грн
500+	84.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3711-EBG-LF

TEKNOVUSOO

BGA

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3711-EBG-LF

06+

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3711X-EBG-LE

0037+

на замовлення 290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3713A-EEQ-LF

TEKNDVUS

08+ SOT23

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-EEQ-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-EEQ-LFG-KO

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3714A-ETG-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LF6

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

O728

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

04+ QFP

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3715A-EEQ-LFG

Description: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3721-EBG-LF

0548+ BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3721-EBG-LF

N/A

0443

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

Description: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

TEKNOVUS 10+ BGA

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-LFG

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723B-HG-PBG

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3723C-HG-LFG

Description: IC EPON OLT ASIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK372G

Description: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK37N.05.2,30.M.300.A

TK37N.05230M300A Contact Probes

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.06.2,30.M.300.A

TK37N.06230M300A Contact Probes

на замовлення 21 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.06.4,00.M.300.A

TK37N.06400M300A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.07.4,00.M.300.A

TK37N.07400M300A Contact Probes

на замовлення 19 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	368.50 грн
5+	272.15 грн
13+	257.14 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.08.2,30.M.300.A

TK37N.08230M300A Contact Probes

на замовлення 19 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	290.92 грн
6+	214.11 грн
16+	203.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.09.4,00.M.300.A

TK37N.09400M300A Contact Probes

на замовлення 82 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	387.90 грн
5+	271.15 грн
13+	256.14 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.2,30.M.170.A

TK37N.10230M170A Contact Probes

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	232.74 грн
7+	172.09 грн
20+	162.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.2,30.M.300.A

TK37N.10230M300A Contact Probes

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	329.72 грн
5+	243.13 грн
14+	230.12 грн

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.4,00.M.300.A

TK37N.10400M300A Contact Probes

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	310.32 грн
6+	229.12 грн
15+	217.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK37N.10.6,50.M.300.A

TK37N.10650M300A Contact Probes

на замовлення 105 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	223.04 грн
8+	168.09 грн
20+	158.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.50 грн
10+	135.31 грн
100+	93.65 грн
500+	78.36 грн
1000+	67.64 грн
2500+	64.19 грн
5000+	62.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	105.56 грн
500+	95.00 грн
1000+	87.63 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	105.56 грн
500+	95.00 грн
1000+	87.63 грн
10000+	75.33 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.73 грн
10+	117.63 грн
100+	105.95 грн
500+	83.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380A60YS4X(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.33 грн
50+	104.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	142.55 грн
500+	127.77 грн
1000+	118.27 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.36 грн
10+	124.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK380A65Y,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	142.55 грн
500+	127.77 грн
1000+	118.27 грн
10000+	101.60 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.61 грн
10+	99.41 грн
100+	63.87 грн
500+	63.79 грн
1000+	58.99 грн
2000+	54.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.36 грн
10+	109.89 грн
100+	74.65 грн
500+	55.90 грн
1000+	51.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	116.15 грн
120+	105.60 грн
147+	86.49 грн
200+	78.00 грн
1000+	63.92 грн
2000+	57.30 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.24 грн
10+	107.75 грн
100+	79.74 грн
500+	71.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	83.76 грн
159+	80.01 грн
250+	76.80 грн
500+	71.38 грн
1000+	63.94 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	125.87 грн
151+	84.05 грн
163+	78.14 грн
200+	63.46 грн
1000+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

TK380P60Y,RQ(S

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.24 грн
10+	107.75 грн
100+	79.74 грн
500+	71.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	59.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	41.62 грн

Мінімальне замовлення: 214

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.55 грн
10+	121.65 грн
100+	83.08 грн
500+	62.49 грн
1000+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.81 грн
10+	106.78 грн
100+	75.16 грн
250+	72.04 грн
500+	68.44 грн
1000+	58.67 грн
2000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.95 грн
10+	101.46 грн
100+	66.27 грн
500+	60.45 грн
1000+	54.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK380P65Y,RQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.27 грн
500+	60.45 грн
1000+	54.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	848.85 грн
10+	803.59 грн
50+	416.22 грн
100+	396.21 грн
500+	385.81 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	737.70 грн
50+	566.90 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	488.90 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	388.59 грн
50+	329.46 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	870.98 грн
5+	721.03 грн
10+	570.18 грн
50+	472.75 грн
100+	383.28 грн
250+	375.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	324.18 грн
43+	297.78 грн
50+	255.54 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S5VX(J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39A60W,S5VX(J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	238.22 грн
57+	225.55 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	928.19 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	905.82 грн
10+	807.27 грн
25+	668.36 грн
100+	580.31 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1098.19 грн
14+	929.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1009.47 грн
10+	985.85 грн
25+	544.29 грн
100+	481.06 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	919.53 грн
25+	706.75 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	593.02 грн
30+	432.52 грн
31+	409.71 грн
50+	369.82 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	556.49 грн
29+	451.95 грн
30+	435.05 грн
50+	400.17 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.90 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.17 грн
10+	326.77 грн
120+	238.53 грн
510+	220.92 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	595.32 грн
10+	402.27 грн
100+	350.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	571.90 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	564.30 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5
Код товару: 183831

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 3387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	584.58 грн
10+	350.71 грн
120+	280.95 грн
510+	244.93 грн
2520+	239.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	551.55 грн
30+	310.22 грн
120+	285.81 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	602.95 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.14 грн
10+	403.16 грн
100+	395.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60W5S1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60WS1VF(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	693.54 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	786.58 грн
10+	475.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	182.10 грн

Мінімальне замовлення: 270

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

TK39N60X THT N channel transistors

на замовлення 30 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	670.20 грн
3+	453.24 грн
8+	428.23 грн

В кошику од. на суму грн.

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK39N60XS1F(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39N60XS1F(S-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	561.20 грн
5+	420.22 грн
10+	347.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1F(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK39Z60X,S1FS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	127.50 грн
15+	63.03 грн
100+	50.73 грн
500+	36.69 грн
1000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.74 грн
10+	64.07 грн
100+	44.82 грн
500+	37.94 грн
1000+	32.58 грн
2500+	32.50 грн
5000+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.22 грн
10+	149.12 грн
50+	81.64 грн
100+	70.76 грн
250+	62.27 грн
500+	51.31 грн
1000+	46.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	51.79 грн
1000+	47.77 грн
10000+	42.58 грн

Мінімальне замовлення: 612

В кошику од. на суму грн.

TK3A65DA(STA4,QM)

Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.95 грн
50+	73.18 грн
100+	56.83 грн
250+	53.71 грн
500+	42.10 грн
1000+	37.06 грн
5000+	35.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	172.40 грн
11+	86.74 грн
100+	80.27 грн
500+	55.11 грн
1000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3A90ES4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3J10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3L10

2004

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3L10Z

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3P-3.5

Traktronix

Description: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3P-5.08

Traktronix

Description: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D

Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RDVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	130.94 грн
200+	100.53 грн
500+	72.65 грн
1000+	69.73 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	111.34 грн
12+	76.41 грн
100+	53.52 грн
500+	40.10 грн
1000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.13 грн
10+	94.81 грн
100+	59.31 грн
500+	47.15 грн
1000+	43.46 грн
2000+	38.66 грн
4000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.80 грн
10+	83.54 грн
100+	55.93 грн
500+	41.39 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.52 грн
500+	40.10 грн
1000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.71 грн
147+	86.59 грн
209+	60.72 грн
210+	58.34 грн
500+	43.75 грн
1000+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3P50D,RTRIDQ(S

TK 3P50D,RTRIDQ(S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

на замовлення 3632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.60 грн
10+	80.73 грн
100+	47.31 грн
500+	44.74 грн
1000+	42.74 грн
2000+	38.98 грн
4000+	36.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.06 грн
10+	90.72 грн
100+	61.25 грн
500+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	99.67 грн
13+	73.18 грн
100+	51.36 грн
500+	41.94 грн
1000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

на замовлення 1701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.36 грн
500+	41.94 грн
1000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	72.06 грн
236+	53.90 грн
277+	45.87 грн
500+	37.88 грн
1000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 176

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	66.00 грн
226+	56.18 грн
264+	48.15 грн
278+	43.99 грн
500+	38.09 грн
1000+	34.39 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

TK3P80E,RQ(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	161.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.52 грн
50+	70.30 грн
100+	62.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.29 грн
10+	71.71 грн
100+	59.07 грн
500+	56.27 грн
1000+	41.38 грн
5000+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	111.51 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	174.20 грн
10+	103.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3R1A04PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	103.80 грн
135+	94.51 грн
165+	76.98 грн
200+	69.35 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	161.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	167.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	181.16 грн
10+	99.41 грн
100+	69.56 грн
500+	52.11 грн
1000+	46.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.10 грн
10+	89.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	175.09 грн
10+	96.98 грн
100+	78.48 грн
500+	50.28 грн
1000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

222+	57.19 грн
260+	48.91 грн
268+	47.31 грн
1600+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 222

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 4257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.02 грн
10+	80.79 грн
100+	53.31 грн
500+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

на замовлення 7575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.60 грн
10+	91.87 грн
100+	53.15 грн
500+	41.86 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R1P04PL,RQ(S2

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.69 грн
10+	96.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X

MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.35 грн
10+	178.58 грн
100+	100.05 грн
500+	84.04 грн
1000+	77.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.91 грн
50+	149.81 грн
100+	136.00 грн
500+	104.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 2721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.44 грн
10+	167.53 грн
100+	132.07 грн
500+	130.47 грн
1000+	112.06 грн
2500+	106.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.03 грн
10+	133.79 грн
100+	121.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	273.70 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2A10PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	351.12 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X

MOSFETs TO220 100V 120A

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.92 грн
10+	98.49 грн
100+	81.64 грн
500+	79.88 грн
1000+	68.60 грн
2500+	63.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.34 грн
10+	99.67 грн
100+	96.08 грн
500+	84.21 грн
1000+	73.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R2E06PL,S1X(S

Silicon N-channel MOS

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.92 грн
10+	108.62 грн
100+	85.65 грн
500+	71.56 грн
1000+	64.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.27 грн
50+	100.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.66 грн
10+	114.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R3A06PL,S4X(S

TK3R3A06PL,S4X(S

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.90 грн
50+	135.69 грн
100+	111.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.61 грн
10+	238.41 грн
50+	111.26 грн
100+	92.05 грн
250+	86.45 грн
500+	78.36 грн
1000+	75.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	145.87 грн
94+	135.35 грн
110+	115.75 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R3E08QM,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

MOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.08 грн
10+	138.99 грн
100+	120.06 грн
500+	89.65 грн
1000+	84.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	277.46 грн
10+	150.85 грн
100+	145.46 грн
500+	104.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PL,S1X(S

TK3R9E10PL,S1X(S

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK3R9E10PLS1X(S