Продукція > TK3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
50+43.64 грн
100+38.78 грн
500+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.28 грн
10+55.42 грн
100+33.55 грн
250+32.74 грн
500+27.00 грн
1000+24.13 грн
5000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.46 грн
340+35.95 грн
500+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.41 грн
20+42.58 грн
100+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.46 грн
340+35.95 грн
500+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+54.91 грн
100+36.64 грн
250+35.83 грн
500+28.77 грн
1000+24.50 грн
5000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
50+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.68 грн
17+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 53W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.62 грн
10+88.83 грн
25+63.86 грн
100+52.45 грн
250+46.79 грн
500+41.49 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31ExtechDigital Multimeters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.30 грн
10+631.99 грн
25+466.42 грн
50+314.87 грн
100+290.59 грн
500+271.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+374.39 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.71 грн
10+598.15 грн
50+331.06 грн
100+309.72 грн
250+307.52 грн
500+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+492.62 грн
39+314.23 грн
50+255.12 грн
100+230.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.55 грн
10+346.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBATK31E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+447.37 грн
43+285.71 грн
53+230.80 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.10 грн
10+335.88 грн
50+276.62 грн
100+233.95 грн
250+226.59 грн
500+210.40 грн
1000+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.72 грн
50+301.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.32 грн
10+243.46 грн
100+223.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaTK31J60W,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaTK31J60W5,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.09 грн
10+544.85 грн
30+442.14 грн
60+400.21 грн
120+394.33 грн
270+393.59 грн
1020+392.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.02 грн
10+458.03 грн
100+453.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.43 грн
30+337.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.42 грн
10+620.99 грн
30+318.55 грн
120+272.20 грн
510+257.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.19 грн
10+363.95 грн
100+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+410.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.14 грн
30+296.11 грн
120+215.55 грн
510+194.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F
Код товару: 169333
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.10 грн
10+296.28 грн
100+247.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.37 грн
10+481.64 грн
100+358.16 грн
500+310.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+308.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+224.48 грн
100+195.59 грн
500+171.66 грн
1000+152.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+414.83 грн
47+264.36 грн
57+214.53 грн
100+193.15 грн
500+158.87 грн
1000+142.05 грн
2000+138.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.26 грн
10+224.48 грн
100+195.59 грн
500+171.66 грн
1000+152.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+146.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.10 грн
10+261.42 грн
100+163.32 грн
500+140.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.78 грн
10+245.00 грн
100+175.03 грн
500+136.25 грн
1000+132.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.05 грн
10+250.89 грн
100+203.02 грн
500+177.79 грн
1000+140.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.02 грн
500+177.79 грн
1000+140.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+374.16 грн
38+328.41 грн
50+261.30 грн
200+239.23 грн
500+197.90 грн
1000+185.63 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBATK31V60W5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.39 грн
10+313.03 грн
25+249.40 грн
50+228.80 грн
100+196.43 грн
250+185.39 грн
500+169.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.63 грн
10+289.90 грн
100+209.15 грн
500+164.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.95 грн
500+193.88 грн
1000+175.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+447.37 грн
33+379.25 грн
50+288.76 грн
200+261.78 грн
500+213.34 грн
1000+199.57 грн
2500+191.73 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.11 грн
10+313.61 грн
100+226.95 грн
500+193.88 грн
1000+175.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.19 грн
10+860.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+926.10 грн
10+781.74 грн
25+646.66 грн
50+607.67 грн
100+559.12 грн
250+544.40 грн
500+499.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.97 грн
10+585.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+191.15 грн
67+183.02 грн
68+179.96 грн
120+172.56 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32ExtechClamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+472.93 грн
100+325.17 грн
200+314.87 грн
500+304.57 грн
1000+284.71 грн
2000+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.17 грн
10+520.31 грн
100+357.54 грн
200+345.77 грн
500+334.74 грн
1000+312.66 грн
2000+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2404-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.17 грн
10+520.31 грн
100+357.54 грн
200+345.77 грн
500+334.74 грн
1000+312.66 грн
2000+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.43 грн
10+418.79 грн
100+287.65 грн
200+278.82 грн
500+269.26 грн
1000+251.60 грн
2000+247.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-753-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
10+427.25 грн
100+293.54 грн
200+284.71 грн
500+275.14 грн
1000+257.49 грн
2000+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.58 грн
10+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
50+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+76.40 грн
100+57.90 грн
500+44.07 грн
1000+36.86 грн
2500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
50+81.38 грн
100+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
50+78.17 грн
100+60.91 грн
250+54.81 грн
500+45.39 грн
1000+39.95 грн
2500+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.92 грн
13+67.51 грн
100+61.15 грн
500+46.21 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBATK32E12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONTK32SCR.05130S150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.05200S150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONTK32SCR.08130S150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: rhodium plated
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.25 грн
5+225.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: rhodium plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.70 грн
5+280.76 грн
12+255.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.70 грн
5+280.76 грн
12+255.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.68 грн
5+274.08 грн
12+250.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.90 грн
5+219.94 грн
12+208.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.1,50.C.150.ATEKONTK32SCR.10150C150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.73 грн
4+246.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+381.28 грн
4+307.50 грн
11+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONTK32SCR.13130S150A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.7 -ASTEKOTK33.7 Multipurpose Enclosures
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1384.92 грн
3+1308.59 грн
30+1293.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.9TEKOTK33.9 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1935.76 грн
2+1830.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312TASKERTAS-TK3312 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK333TASKERTAS-TK333 Audio - Video Cables
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1743.00 грн
2+1070.42 грн
3+1011.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Cable length: 3m
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1159.52 грн
3+1018.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Cable length: 3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.43 грн
3+1269.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Cable length: 3m
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1159.52 грн
3+1018.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Cable length: 3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.43 грн
3+1269.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Cable length: 3m
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1159.52 грн
3+1018.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Cable length: 3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.43 грн
3+1269.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Cable length: 3m
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1159.52 грн
3+1018.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Cable length: 3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.43 грн
3+1269.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
Cable length: 3m
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1159.52 грн
3+1018.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
Cable length: 3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.43 грн
3+1269.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK336TASKERTAS-TK336 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK339TASKERTAS-TK339 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-ATASKERTAS-TK339PSF-A Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-BTASKERTAS-TK339PSF-B Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-GTASKERTAS-TK339PSF-G Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-TBTASKERTAS-TK339PSF-TB Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-VTASKERTAS-TK339PSF-V Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.7TEKOTK33S.7 Desktop Enclosures
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2211.64 грн
2+2091.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+114.21 грн
25+95.64 грн
100+71.29 грн
500+58.12 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+120.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 16.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.63 грн
5+122.24 грн
12+94.72 грн
32+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 16.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.19 грн
5+98.09 грн
12+78.93 грн
32+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
10+83.76 грн
100+56.37 грн
500+41.88 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+81.98 грн
100+56.57 грн
500+47.08 грн
1000+40.76 грн
2000+38.92 грн
4000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaTK33S10N1L,LXHQ(O
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.53 грн
134+91.25 грн
250+87.59 грн
500+81.42 грн
1000+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.77 грн
10+98.14 грн
100+62.83 грн
250+59.30 грн
500+52.90 грн
1000+48.33 грн
2000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.12 грн
215+56.89 грн
216+56.52 грн
250+54.15 грн
500+49.81 грн
1000+47.51 грн
3000+47.20 грн
6000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
10+103.15 грн
100+70.17 грн
500+52.60 грн
1000+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.53 грн
4000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.68 грн
12+53.04 грн
25+52.83 грн
100+50.61 грн
250+46.56 грн
500+44.41 грн
1000+44.12 грн
3000+43.83 грн
6000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.12 грн
10+96.56 грн
100+64.95 грн
500+55.48 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.71 грн
138+88.97 грн
169+72.39 грн
200+65.30 грн
1000+53.56 грн
2000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.12 грн
10+96.56 грн
100+64.95 грн
500+55.48 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+88.74 грн
100+59.86 грн
500+44.58 грн
1000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+83.59 грн
25+68.79 грн
100+51.06 грн
500+41.42 грн
1000+38.33 грн
2000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.7 -ASTEKOTK33SP.7 Desktop Enclosures
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1700.34 грн
2+1607.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.9 -ASTEKOTK33SP.9 Desktop Enclosures
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1579.88 грн
2+1494.35 грн
50+1475.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3412TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Enclosure material: metal
Insulation colour: black
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3412TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Enclosure material: metal
Insulation colour: black
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK343TASKERTAS-TK343 Audio - Video Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1223.99 грн
3+1157.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK346TASKERTAS-TK346 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK349TASKERTAS-TK349 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.44 грн
10+96.45 грн
50+77.25 грн
1000+55.03 грн
2500+52.31 грн
5000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.22 грн
10+155.67 грн
50+73.42 грн
100+63.86 грн
500+47.67 грн
1000+42.30 грн
2500+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.12 грн
10+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBATK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.04 грн
17+66.21 грн
45+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.19 грн
10+61.76 грн
100+43.41 грн
500+36.78 грн
1000+27.66 грн
2500+27.59 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 263-272 дні (днів)
1+607.67 грн
50+342.64 грн
100+278.82 грн
250+272.94 грн
500+256.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MToshibaTK35A65W,S5X(M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.78 грн
5+506.72 грн
10+426.67 грн
50+321.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.50 грн
10+571.92 грн
25+435.52 грн
50+281.77 грн
100+251.60 грн
500+228.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.32 грн
5+417.59 грн
10+354.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.40 грн
10+69.21 грн
100+47.67 грн
500+38.62 грн
1000+30.38 грн
5000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.41 грн
15+55.87 грн
100+54.72 грн
500+36.25 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBATK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.12 грн
22+50.49 грн
59+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.02.1,30.S.170.RTEKONTK35N.02130S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.03.2,00.S.170.RTEKONTK35N.03200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONTK35N.04200S170R Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.18 грн
5+215.19 грн
14+203.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.05.1,30.S.170.ATEKONTK35N.05130S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.05.2,00.S.170.ATEKONTK35N.05200S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONTK35N.07130S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.87 грн
5+240.02 грн
13+226.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.2,00.S.170.RTEKONTK35N.07200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.08.2,00.S.170.RTEKONTK35N.08200S170R Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONTK35N.12080S170R Contact Probes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.87 грн
5+240.02 грн
13+226.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.13.1,30.S.170.RTEKONTK35N.13130S170R Contact Probes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.87 грн
5+240.02 грн
13+226.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 201-210 дні (днів)
1+672.90 грн
10+651.45 грн
30+347.24 грн
60+344.30 грн
120+297.22 грн
510+286.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.35 грн
5+532.31 грн
10+400.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.17 грн
30+414.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.04 грн
10+596.45 грн
30+377.40 грн
60+363.43 грн
120+330.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.90 грн
5+533.96 грн
10+425.02 грн
50+380.10 грн
100+309.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.04 грн
10+88.21 грн
100+59.51 грн
500+44.31 грн
1000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.02.2,50.S.170.ATEKONTK36L.02250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.02.4,00.S.170.ATEKONTK36L.02400S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.86 грн
5+259.75 грн
10+249.21 грн
13+236.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.22 грн
5+208.44 грн
10+207.68 грн
13+196.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.28 грн
5+239.70 грн
6+217.03 грн
14+205.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONTK36L.08250S170A Contact Probes
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+298.09 грн
5+221.62 грн
14+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.2,50.S.170.ATEKONTK36L.09250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.23 грн
5+233.97 грн
14+213.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.86 грн
5+187.75 грн
14+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+235.88 грн
14+215.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.16 грн
5+189.28 грн
14+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONTK36L.10250S170A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+298.09 грн
5+221.62 грн
14+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.11.1,80.S.170.ATEKONTK36L.11180S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.29 грн
5+231.10 грн
14+210.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.90 грн
5+185.45 грн
14+175.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.02.2,50.S.170.ATEKONTK36N.02250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.05.2,50.S.170.ATEKONTK36N.05250S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.79 грн
5+203.08 грн
13+191.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.95 грн
5+253.07 грн
13+229.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.3,00.S.170.ATEKONTK36N.07300S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.2,50.C.170.ATEKONTK36N.08250C170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONTK36N.08300S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.10 грн
5+232.06 грн
6+210.59 грн
15+198.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.02 грн
5+246.38 грн
13+224.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Current rating: 5A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.02 грн
5+247.34 грн
13+225.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Current rating: 5A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.19 грн
5+198.48 грн
13+187.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.2,50.S.170.ATEKONTK36N.10250S170A Contact Probes
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.09 грн
8+140.70 грн
22+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36N
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.19 грн
5+196.95 грн
13+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
Related items: TK36N
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.02 грн
5+245.43 грн
13+223.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.14.1,80.S.170.ATEKONTK36N.14180S170A Contact Probes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: 4-point; corona; head 02
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.40 грн
3+326.46 грн
8+308.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: 4-point; corona; head 02
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.88 грн
3+406.82 грн
8+370.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.43 грн
3+350.98 грн
8+331.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.72 грн
3+437.38 грн
8+398.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+395.31 грн
3+306.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05; round
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.37 грн
3+381.99 грн
9+348.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 07; serrated
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.43 грн
3+350.98 грн
8+331.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 07; serrated
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.72 грн
3+437.38 грн
8+398.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.70 грн
10+121.28 грн
26+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+399.44 грн
3+315.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.32 грн
3+393.45 грн
8+357.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+400.26 грн
3+314.96 грн
8+298.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.32 грн
3+392.49 грн
8+357.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.48 грн
10+150.20 грн
100+116.37 грн
500+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUS06+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUSO728
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFN/A0443
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGTEKNOVUS 10+ BGA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+232.06 грн
14+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.16 грн
5+186.22 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.16 грн
5+186.22 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+232.06 грн
14+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.16 грн
5+186.22 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+232.06 грн
14+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.02 грн
5+245.43 грн
13+223.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 07; serrated
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.19 грн
5+196.95 грн
13+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.27 грн
5+174.72 грн
6+164.76 грн
16+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.53 грн
5+217.73 грн
6+197.71 грн
16+186.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.31 грн
4+242.16 грн
11+229.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+372.37 грн
4+301.77 грн
11+274.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.16 грн
5+186.22 грн
14+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+232.06 грн
14+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.13 грн
5+186.22 грн
6+175.49 грн
15+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.35 грн
5+232.06 грн
6+210.59 грн
15+199.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.27 грн
5+174.72 грн
6+164.00 грн
15+154.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.53 грн
5+217.73 грн
6+196.79 грн
15+185.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XTOSHIBATK380A60Y THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.09 грн
10+124.37 грн
100+86.07 грн
500+72.02 грн
1000+62.17 грн
2500+59.00 грн
5000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.36 грн
500+75.03 грн
1000+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.06 грн
10+103.16 грн
100+94.08 грн
500+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+78.36 грн
500+75.03 грн
1000+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60YS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.22 грн
10+111.68 грн
50+96.37 грн
100+77.25 грн
250+76.51 грн
500+53.19 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
10+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+105.74 грн
500+101.58 грн
1000+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+105.74 грн
500+101.58 грн
1000+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.44 грн
10+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+101.00 грн
100+68.61 грн
500+51.38 грн
1000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.48 грн
10+95.60 грн
100+58.71 грн
250+58.63 грн
500+47.97 грн
1000+44.36 грн
2000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.65 грн
159+77.04 грн
250+73.95 грн
500+68.73 грн
1000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.35 грн
10+91.61 грн
100+64.70 грн
500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.35 грн
10+91.61 грн
100+64.70 грн
500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.84 грн
120+101.68 грн
147+83.28 грн
200+75.10 грн
1000+61.55 грн
2000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.65 грн
10+111.81 грн
100+76.36 грн
500+57.44 грн
1000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.18 грн
10+98.14 грн
100+69.08 грн
250+66.21 грн
500+62.90 грн
1000+53.93 грн
2000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.91 грн
500+55.56 грн
1000+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.82 грн
10+93.26 грн
100+60.91 грн
500+55.56 грн
1000+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.03 грн
50+521.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.19 грн
10+738.59 грн
50+382.55 грн
100+364.16 грн
500+354.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+470.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+312.14 грн
43+286.72 грн
50+246.05 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.99 грн
5+755.13 грн
10+740.28 грн
50+408.46 грн
100+359.35 грн
250+352.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.55 грн
10+741.97 грн
25+614.29 грн
100+533.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1057.42 грн
14+894.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.15 грн
25+649.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.82 грн
10+906.10 грн
25+500.26 грн
100+442.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+535.83 грн
29+435.17 грн
30+418.90 грн
50+385.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.24 грн
30+277.50 грн
120+201.58 грн
510+179.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.30 грн
30+343.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.57 грн
10+278.12 грн
100+231.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5
Код товару: 183831
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.13 грн
30+381.69 грн
120+317.96 грн
510+257.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+561.33 грн
10+544.00 грн
30+283.97 грн
120+237.63 грн
510+211.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.95 грн
10+314.43 грн
100+263.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+580.56 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.13 грн
10+601.53 грн
30+316.34 грн
60+315.61 грн
120+270.00 грн
510+261.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+540.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.29 грн
3+423.05 грн
8+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.74 грн
3+339.49 грн
8+321.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+167.37 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.33 грн
10+358.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.00 грн
5+421.72 грн
10+370.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+96.45 грн
50+57.75 грн
100+43.77 грн
250+43.41 грн
500+35.90 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.34 грн
14+61.90 грн
100+46.13 грн
500+35.56 грн
1000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DTOSHIBATK3A65D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.67 грн
11+104.83 грн
29+99.32 грн
50+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+137.06 грн
50+75.04 грн
100+65.03 грн
250+57.24 грн
500+47.16 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
746+40.90 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 746
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.34 грн
50+67.26 грн
100+52.23 грн
250+49.36 грн
500+38.70 грн
1000+34.06 грн
5000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.65 грн
13+66.02 грн
100+55.71 грн
500+40.62 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3J10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10Z
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-3.5TraktronixDescription: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-5.08TraktronixDescription: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RDVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQTOSHIBATK3P50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.74 грн
10+76.79 грн
100+51.41 грн
500+38.04 грн
1000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.19 грн
500+36.86 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+72.51 грн
100+49.07 грн
500+41.57 грн
1000+33.84 грн
2000+31.78 грн
4000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.34 грн
12+70.23 грн
100+49.19 грн
500+36.86 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.01 грн
147+83.37 грн
209+58.47 грн
210+56.18 грн
500+42.12 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RTRIDQ(SToshibaTK 3P50D,RTRIDQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+67.44 грн
100+47.32 грн
500+37.35 грн
1000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.56 грн
10+72.76 грн
25+60.11 грн
100+44.36 грн
250+44.29 грн
500+35.75 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+63.55 грн
226+54.09 грн
264+46.36 грн
278+42.35 грн
500+36.68 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.78 грн
13+64.37 грн
100+47.45 грн
500+32.11 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.45 грн
500+32.11 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.01 грн
10+87.14 грн
50+48.33 грн
100+41.27 грн
250+40.83 грн
500+38.26 грн
1000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+160.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.10 грн
50+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.41 грн
16+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.95 грн
135+91.00 грн
165+74.13 грн
200+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
3+149.34 грн
10+102.37 грн
100+70.63 грн
500+59.30 грн
1000+50.76 грн
2500+48.26 грн
5000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+160.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.71 грн
10+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+57.75 грн
219+55.82 грн
237+51.55 грн
244+48.24 грн
800+44.58 грн
1600+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.33 грн
12+72.54 грн
100+62.39 грн
500+46.29 грн
1000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+84.43 грн
100+48.85 грн
500+38.48 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.94 грн
10+76.25 грн
100+51.05 грн
500+37.77 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
11+81.04 грн
100+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.16 грн
10+172.59 грн
100+119.18 грн
250+97.11 грн
500+88.28 грн
1000+82.40 грн
2500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.60 грн
10+179.36 грн
25+142.72 грн
50+133.16 грн
100+110.35 грн
250+101.52 грн
500+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.13 грн
10+122.97 грн
100+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+338.09 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs TO220 N-CH 100V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.40 грн
10+139.60 грн
100+96.37 грн
500+80.92 грн
1000+69.60 грн
2500+66.14 грн
5000+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.85 грн
11+78.73 грн
100+75.93 грн
500+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.83 грн
50+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.64 грн
10+143.83 грн
50+86.07 грн
100+66.21 грн
250+65.92 грн
500+54.29 грн
1000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.91 грн
10+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaTK3R3A06PL,S4X(S
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.61 грн
10+219.12 грн
50+102.26 грн
100+84.60 грн
250+79.45 грн
500+72.02 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+140.46 грн
94+130.32 грн
110+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
50+124.71 грн
100+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.01 грн
10+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.03 грн
50+118.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
2+243.76 грн
25+239.43 грн
50+103.73 грн
100+93.43 грн
250+89.02 грн
500+75.78 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTK3R9E10PL,S1X(S
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.83 грн
10+105.64 грн
100+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLS1X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.