Продукція > TK3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
50+44.77 грн
100+39.79 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.80 грн
10+56.86 грн
100+34.42 грн
250+33.59 грн
500+27.70 грн
1000+24.76 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.08 грн
15+56.99 грн
100+47.85 грн
500+37.74 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.21 грн
10+53.65 грн
500+35.33 грн
1000+30.27 грн
5000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
50+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.17 грн
16+55.21 грн
100+55.13 грн
500+41.76 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.32 грн
10+91.15 грн
100+52.69 грн
500+43.26 грн
1000+37.82 грн
2000+32.08 грн
4000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31ExtechDigital Multimeters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.07 грн
10+331.63 грн
100+270.25 грн
500+252.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+379.80 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+760.06 грн
10+460.98 грн
100+364.62 грн
500+345.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+309.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.95 грн
3+268.15 грн
5+205.24 грн
13+194.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+453.84 грн
43+289.84 грн
53+234.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+370.50 грн
53+236.00 грн
100+191.44 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+385.14 грн
3+334.15 грн
5+246.28 грн
13+233.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+499.74 грн
39+318.78 грн
50+258.81 грн
100+233.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+812.12 грн
10+500.48 грн
100+455.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+291.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.12 грн
10+296.03 грн
100+256.66 грн
500+213.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.03 грн
50+308.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.72 грн
10+290.47 грн
100+289.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaTK31J60W,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaTK31J60W5,S1VQ(O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.92 грн
10+711.87 грн
120+390.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.08 грн
10+773.16 грн
100+626.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.16 грн
30+346.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.62 грн
10+413.23 грн
120+304.22 грн
510+297.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+416.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.46 грн
10+448.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.44 грн
10+332.49 грн
120+240.06 грн
510+225.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F
Код товару: 169333
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.47 грн
10+357.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.37 грн
10+494.22 грн
100+367.52 грн
500+318.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+312.98 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+346.57 грн
56+221.14 грн
100+179.06 грн
500+161.53 грн
1000+132.62 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.99 грн
10+202.39 грн
100+167.67 грн
500+152.55 грн
1000+137.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+420.83 грн
47+268.18 грн
57+217.64 грн
100+195.94 грн
500+161.16 грн
1000+144.11 грн
2000+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.67 грн
500+152.55 грн
1000+137.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+150.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.60 грн
10+258.70 грн
100+192.50 грн
500+191.74 грн
1000+181.18 грн
2500+162.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.78 грн
10+251.40 грн
100+179.60 грн
500+139.81 грн
1000+135.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+287.16 грн
50+259.10 грн
200+214.54 грн
500+198.13 грн
1000+166.63 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.29 грн
10+257.44 грн
100+208.32 грн
500+182.43 грн
1000+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+379.57 грн
38+333.16 грн
50+265.08 грн
200+242.69 грн
500+200.76 грн
1000+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.32 грн
500+182.43 грн
1000+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.96 грн
10+329.02 грн
100+237.04 грн
500+236.28 грн
1000+214.39 грн
2500+201.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.38 грн
10+297.48 грн
100+214.61 грн
500+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.69 грн
10+394.63 грн
100+351.44 грн
500+318.47 грн
1000+283.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+322.64 грн
50+283.03 грн
200+225.27 грн
500+206.08 грн
1000+170.93 грн
2500+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+394.63 грн
100+351.44 грн
500+318.47 грн
1000+283.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.03 грн
10+882.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaMOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.75 грн
10+661.52 грн
100+419.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.15 грн
10+601.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+193.91 грн
67+185.66 грн
68+182.57 грн
120+175.05 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
TK32ExtechClamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.66 грн
5+517.41 грн
10+418.21 грн
25+378.96 грн
50+366.12 грн
100+311.02 грн
500+281.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.34 грн
5+557.34 грн
10+449.92 грн
25+408.40 грн
50+394.06 грн
100+334.42 грн
500+307.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.34 грн
5+557.34 грн
10+449.92 грн
25+408.40 грн
50+394.06 грн
100+334.42 грн
500+307.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2404-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.34 грн
5+557.34 грн
10+449.92 грн
25+408.40 грн
50+394.06 грн
100+334.42 грн
500+307.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-753-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.25 грн
5+464.45 грн
10+375.18 грн
25+341.21 грн
50+329.13 грн
100+279.31 грн
500+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1003-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 100C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1383-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 138C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-743-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.37 грн
10+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.53 грн
10+143.24 грн
50+79.26 грн
100+63.86 грн
250+58.13 грн
500+48.84 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.77 грн
50+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.26 грн
13+69.27 грн
100+62.75 грн
500+47.42 грн
1000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05; round
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONTK32SCR.08200S150R Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.50 грн
7+167.96 грн
19+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.54 грн
5+282.22 грн
12+257.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.09200S150A Contact Probes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.87 грн
5+270.82 грн
12+256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.10200S150A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.25 грн
4+280.26 грн
11+265.16 грн
25+264.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.7 -ASTEKOTK33.7 Multipurpose Enclosures
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1181.85 грн
2+899.27 грн
4+850.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.9TEKOTK33.9 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1257.85 грн
3+1188.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK333TASKERTAS-TK333 Audio - Video Cables
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1365.78 грн
2+1089.88 грн
3+1030.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.42 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.71 грн
3+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.42 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.71 грн
3+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.42 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.71 грн
3+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.71 грн
3+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.42 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.42 грн
3+1041.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.71 грн
3+1298.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK339PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.7TEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1934.18 грн
2+1697.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.7TEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2321.02 грн
2+2115.63 грн
30+1958.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.96 грн
10+117.20 грн
25+98.14 грн
100+73.15 грн
500+59.64 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
10+123.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBATK33S10N1L SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.41 грн
12+96.25 грн
32+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.64 грн
10+85.95 грн
100+57.84 грн
500+42.97 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.25 грн
10+79.87 грн
100+51.71 грн
500+40.92 грн
1000+37.82 грн
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+108.05 грн
120+103.21 грн
250+99.08 грн
500+92.09 грн
1000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+82.91 грн
100+55.86 грн
500+48.01 грн
1000+44.92 грн
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.67 грн
10+105.84 грн
100+72.01 грн
500+53.98 грн
1000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+61.36 грн
219+56.75 грн
250+53.91 грн
500+49.80 грн
1000+47.68 грн
3000+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
4000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.10 грн
11+64.65 грн
25+64.27 грн
100+61.04 грн
250+55.66 грн
500+52.61 грн
1000+51.79 грн
3000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.41 грн
10+89.76 грн
100+69.95 грн
500+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+99.13 грн
138+90.26 грн
169+73.44 грн
200+66.24 грн
1000+54.34 грн
2000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.41 грн
10+89.76 грн
100+69.95 грн
500+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+167.51 грн
152+81.94 грн
200+74.68 грн
1000+58.56 грн
2000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.62 грн
10+91.06 грн
100+61.42 грн
500+45.74 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.97 грн
10+85.77 грн
25+70.58 грн
100+52.39 грн
500+42.50 грн
1000+39.33 грн
2000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ(OToshibaTK33S10N1Z,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+104.94 грн
124+100.25 грн
250+96.23 грн
500+89.44 грн
1000+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.7 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1689.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.7 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1408.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1438.78 грн
2+1263.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Manufacturer series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1726.54 грн
2+1574.72 грн
50+1457.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK343TASKERTAS-TK343 Audio - Video Cables
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1246.52 грн
3+1178.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.92 грн
10+118.07 грн
100+79.26 грн
500+59.64 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.02 грн
10+171.89 грн
50+101.16 грн
100+80.02 грн
500+58.28 грн
1000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.49 грн
12+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBATK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.28 грн
17+66.05 грн
47+62.28 грн
50+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+63.89 грн
100+53.37 грн
500+43.78 грн
1000+32.76 грн
5000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MToshibaTK35A65W,S5X(M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+416.64 грн
5+338.74 грн
10+259.98 грн
50+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.19 грн
10+292.56 грн
100+234.02 грн
500+212.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.59 грн
5+475.92 грн
10+412.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.72 грн
10+81.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.63 грн
10+71.01 грн
100+48.92 грн
500+39.63 грн
1000+31.18 грн
5000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.18 грн
12+74.69 грн
100+70.88 грн
500+49.23 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBATK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.47 грн
22+52.18 грн
59+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONTK35N.04200S170R Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.73 грн
6+218.92 грн
14+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONTK35N.07130S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.20 грн
5+224.58 грн
14+212.31 грн
25+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONTK35N.12080S170R Contact Probes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.92 грн
9+134.94 грн
23+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.13.1,30.S.170.RTEKONTK35N.13130S170R Contact Probes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.25 грн
5+242.51 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.48 грн
10+579.91 грн
120+332.91 грн
510+330.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+738.44 грн
5+665.62 грн
10+591.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.18 грн
30+425.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.83 грн
10+508.72 грн
120+381.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+695.25 грн
5+676.62 грн
10+657.99 грн
50+432.49 грн
100+391.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.80 грн
10+90.51 грн
100+61.06 грн
500+45.47 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.5mm
Blade tip shape: head 05; round
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.20 грн
5+225.38 грн
10+203.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.5mm
Blade tip shape: head 05; round
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.33 грн
5+180.86 грн
10+169.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONTK36L.07250S170N Contact Probes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+301.81 грн
5+222.69 грн
14+210.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONTK36L.08250S170A Contact Probes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.91 грн
6+208.54 грн
15+197.22 грн
30+196.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
5+195.80 грн
30+178.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.41 грн
5+244.00 грн
30+214.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36L
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.88 грн
5+192.66 грн
25+180.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36L
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.46 грн
5+240.08 грн
25+216.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONTK36L.10250S170A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.88 грн
5+225.53 грн
14+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Current rating: 3A
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+206.63 грн
5+175.36 грн
25+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Current rating: 3A
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.95 грн
5+218.52 грн
25+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONTK36N.07250S170A Contact Probes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.33 грн
5+230.24 грн
14+217.98 грн
25+217.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.3,00.S.170.ATEKONTK36N.07300S170A Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.96 грн
5+229.30 грн
14+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36N
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.43 грн
5+191.08 грн
14+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36N
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.72 грн
5+238.12 грн
14+217.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Related items: TK36N
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
5+200.88 грн
16+188.72 грн
25+181.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Related items: TK36N
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.20 грн
5+225.38 грн
30+203.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONTK36N.10180S170A Contact Probes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.25 грн
5+242.51 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.2,50.S.170.ATEKONTK36N.10250S170A Contact Probes
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.21 грн
8+142.49 грн
22+134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Related items: TK36N
Blade tip shape: head 11
Contact plating: nickel plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.99 грн
5+251.84 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Contact material: steel
Related items: TK36N
Blade tip shape: head 11
Contact plating: nickel plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.83 грн
5+202.09 грн
13+191.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONTK36SCR.02300S300A Contact Probes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+567.04 грн
3+401.98 грн
8+380.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.22 грн
3+360.15 грн
8+340.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.87 грн
3+448.80 грн
8+408.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Mounting: screw-in
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Related items: TK36SCR
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+405.64 грн
3+314.54 грн
9+297.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Mounting: screw-in
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Related items: TK36SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+486.76 грн
3+391.97 грн
9+356.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.07230C300A Contact Probes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.34 грн
3+432.18 грн
8+408.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.08230C300A Contact Probes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.83 грн
26+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.09230C300A Contact Probes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.94 грн
5+235.91 грн
13+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONTK36SCR.10140S300A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+311.98 грн
5+235.91 грн
13+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.39 грн
10+127.87 грн
100+105.85 грн
500+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUS06+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUSO728
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFN/A0443
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGTEKNOVUS 10+ BGA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.72 грн
5+238.12 грн
14+217.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.43 грн
5+191.08 грн
14+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONTK37N.06230M300A Contact Probes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.96 грн
5+229.30 грн
14+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONTK37N.06400M300A Contact Probes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.96 грн
5+229.30 грн
14+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONTK37N.07400M300A Contact Probes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.25 грн
5+242.51 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONTK37N.08230M300A Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.38 грн
6+201.93 грн
16+191.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.89 грн
5+201.31 грн
25+191.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Contact plating: gold-plated
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.67 грн
5+250.86 грн
25+230.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.170.ATEKONTK37N.10230M170A Contact Probes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.50 грн
7+162.30 грн
19+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONTK37N.10230M300A Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.96 грн
5+229.30 грн
14+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Related items: TK37N
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.20 грн
5+225.38 грн
25+203.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Related items: TK37N
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.33 грн
5+180.86 грн
25+169.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 6.5mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK37N
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.83 грн
5+137.61 грн
8+130.53 грн
20+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 6.5mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.19 грн
5+171.48 грн
8+156.64 грн
20+148.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.67 грн
10+127.62 грн
100+88.32 грн
500+73.90 грн
1000+63.79 грн
2500+60.54 грн
5000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+103.11 грн
500+92.80 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+103.11 грн
500+92.80 грн
1000+85.59 грн
10000+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.58 грн
10+110.94 грн
100+99.93 грн
500+78.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60YS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.44 грн
10+129.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.02 грн
10+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+139.25 грн
500+124.81 грн
1000+115.52 грн
10000+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+139.25 грн
500+124.81 грн
1000+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.22 грн
10+103.64 грн
100+70.40 грн
500+52.72 грн
1000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.27 грн
10+93.76 грн
100+60.24 грн
500+60.17 грн
1000+55.64 грн
2000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+81.81 грн
159+78.15 грн
250+75.02 грн
500+69.73 грн
1000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+122.95 грн
151+82.10 грн
163+76.33 грн
200+61.98 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.35 грн
10+101.62 грн
100+75.20 грн
500+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+113.46 грн
120+103.14 грн
147+84.48 грн
200+76.19 грн
1000+62.44 грн
2000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.35 грн
10+101.62 грн
100+75.20 грн
500+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.63 грн
10+100.70 грн
100+70.88 грн
250+67.94 грн
500+64.54 грн
1000+55.33 грн
2000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.37 грн
10+114.73 грн
100+78.35 грн
500+58.94 грн
1000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.42 грн
10+95.69 грн
100+62.50 грн
500+57.01 грн
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.50 грн
500+57.01 грн
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.57 грн
10+757.88 грн
50+392.55 грн
100+373.67 грн
500+363.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.74 грн
50+534.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+477.56 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+379.57 грн
50+321.81 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+821.43 грн
5+680.01 грн
10+537.74 грн
50+445.86 грн
100+361.48 грн
250+354.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+316.66 грн
43+290.87 грн
50+249.61 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+232.70 грн
57+220.32 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.29 грн
10+761.35 грн
25+630.34 грн
100+547.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1072.71 грн
14+907.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.22 грн
25+666.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.05 грн
10+929.77 грн
25+513.33 грн
100+453.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+579.26 грн
30+422.48 грн
31+400.20 грн
50+361.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+543.57 грн
29+441.46 грн
30+424.96 грн
50+390.88 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.19 грн
10+308.19 грн
120+224.96 грн
510+208.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+558.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+551.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.45 грн
10+379.38 грн
100+330.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5
Код товару: 183831
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.17 грн
30+292.58 грн
120+269.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.33 грн
10+330.76 грн
120+264.97 грн
510+231.00 грн
2520+225.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+588.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.18 грн
10+380.23 грн
100+372.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+741.83 грн
10+447.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.87 грн
3+482.12 грн
10+410.48 грн
30+383.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.22 грн
3+386.88 грн
10+342.06 грн
30+319.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+171.74 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.27 грн
5+396.32 грн
10+327.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.30 грн
10+60.42 грн
100+42.27 грн
500+35.78 грн
1000+30.72 грн
2500+30.65 грн
5000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.17 грн
13+68.26 грн
100+48.52 грн
500+35.70 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.77 грн
10+140.64 грн
50+77.00 грн
100+66.73 грн
250+58.73 грн
500+48.39 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+50.59 грн
1000+46.66 грн
10000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 612
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.08 грн
50+69.02 грн
100+53.60 грн
250+50.65 грн
500+39.71 грн
1000+34.95 грн
5000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.59 грн
11+81.80 грн
100+75.71 грн
500+51.98 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3J10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10Z
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-3.5TraktronixDescription: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-5.08TraktronixDescription: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RDVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.01 грн
12+72.07 грн
100+50.47 грн
500+37.82 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.02 грн
10+78.79 грн
100+52.75 грн
500+39.04 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.02 грн
10+89.42 грн
100+55.94 грн
500+44.46 грн
1000+40.99 грн
2000+36.46 грн
4000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.47 грн
500+37.82 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.77 грн
147+84.58 грн
209+59.31 грн
210+56.99 грн
500+42.73 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+127.90 грн
200+98.19 грн
500+70.96 грн
1000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RTRIDQ(SToshibaTK 3P50D,RTRIDQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.85 грн
10+76.14 грн
100+44.61 грн
500+42.20 грн
1000+40.31 грн
2000+36.76 грн
4000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.16 грн
10+70.14 грн
100+47.27 грн
500+42.74 грн
1000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.44 грн
500+39.55 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+70.39 грн
236+52.65 грн
277+44.81 грн
500+37.00 грн
1000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+64.47 грн
226+54.87 грн
264+47.03 грн
278+42.97 грн
500+37.21 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.00 грн
13+69.02 грн
100+48.44 грн
500+39.55 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.89 грн
10+62.24 грн
100+54.05 грн
500+53.07 грн
1000+44.31 грн
2500+39.03 грн
5000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
50+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+101.40 грн
135+92.32 грн
165+75.20 грн
200+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.29 грн
10+97.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.86 грн
10+93.76 грн
100+65.60 грн
500+49.14 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+102.66 грн
10+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.13 грн
10+91.46 грн
100+74.01 грн
500+47.42 грн
1000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+55.86 грн
260+47.78 грн
268+46.21 грн
1600+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+86.64 грн
100+50.13 грн
500+39.48 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+76.20 грн
100+50.28 грн
500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.03 грн
10+91.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.57 грн
10+168.42 грн
100+94.36 грн
500+79.26 грн
1000+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.53 грн
10+158.00 грн
100+124.56 грн
500+104.93 грн
1000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.89 грн
50+142.82 грн
100+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+267.35 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+342.98 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.03 грн
10+126.18 грн
100+114.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs TO220 100V 120A
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.01 грн
10+89.42 грн
100+74.66 грн
500+72.70 грн
1000+64.69 грн
2500+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.49 грн
10+94.00 грн
100+90.61 грн
500+79.42 грн
1000+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.70 грн
50+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.49 грн
10+98.97 грн
100+80.77 грн
500+67.49 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.48 грн
10+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaTK3R3A06PL,S4X(S
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+142.49 грн
94+132.21 грн
110+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.95 грн
50+127.97 грн
100+105.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+224.85 грн
50+104.93 грн
100+86.81 грн
250+81.53 грн
500+73.90 грн
1000+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.43 грн
10+130.22 грн
100+109.46 грн
500+84.55 грн
1000+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.37 грн
10+143.12 грн
100+137.19 грн
500+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTK3R9E10PL,S1X(S
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLS1X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.