Продукція > TK3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+51.43 грн
100+31.13 грн
250+30.38 грн
500+25.06 грн
1000+22.39 грн
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.71 грн
50+42.12 грн
100+37.43 грн
500+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.20 грн
15+53.61 грн
100+45.01 грн
500+35.50 грн
1000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
50+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.77 грн
10+48.52 грн
500+31.95 грн
1000+27.38 грн
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.33 грн
16+51.94 грн
100+51.86 грн
500+39.28 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31ExtechDigital Multimeters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.14 грн
10+299.94 грн
100+244.43 грн
500+228.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.19 грн
50+289.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+396.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.42 грн
10+416.93 грн
100+329.77 грн
500+312.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+474.32 грн
43+302.92 грн
53+244.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+387.22 грн
53+246.65 грн
100+200.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+522.30 грн
39+333.16 грн
50+270.49 грн
100+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+304.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBATK31E60W THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+423.77 грн
5+257.40 грн
13+243.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+323.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.08 грн
10+295.52 грн
100+274.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.69 грн
10+267.74 грн
100+232.14 грн
500+193.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.44 грн
50+252.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.10 грн
10+273.22 грн
100+272.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.50 грн
10+643.84 грн
120+352.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.31 грн
10+727.25 грн
100+589.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.61 грн
10+362.75 грн
120+275.15 грн
510+269.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.30 грн
10+422.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F
Код товару: 169333
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.94 грн
10+281.09 грн
120+217.12 грн
510+204.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.48 грн
10+318.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.05 грн
10+464.87 грн
100+345.69 грн
500+299.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+327.11 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+362.21 грн
56+231.12 грн
100+187.14 грн
500+168.81 грн
1000+138.60 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.90 грн
10+190.38 грн
100+157.72 грн
500+143.49 грн
1000+129.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+439.82 грн
47+280.28 грн
57+227.46 грн
100+204.78 грн
500+168.44 грн
1000+150.61 грн
2000+146.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.72 грн
500+143.49 грн
1000+129.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.46 грн
10+236.47 грн
100+168.94 грн
500+131.50 грн
1000+127.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.23 грн
10+233.98 грн
100+174.10 грн
500+173.42 грн
1000+163.86 грн
2500+146.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+396.70 грн
38+348.19 грн
50+277.05 грн
200+253.64 грн
500+209.82 грн
1000+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.95 грн
500+171.60 грн
1000+135.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+300.12 грн
50+270.79 грн
200+224.22 грн
500+207.07 грн
1000+174.15 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.72 грн
10+242.15 грн
100+195.95 грн
500+171.60 грн
1000+135.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+175.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.98 грн
10+279.81 грн
100+201.87 грн
500+158.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.66 грн
10+297.58 грн
100+214.39 грн
500+213.70 грн
1000+193.90 грн
2500+182.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.37 грн
10+356.06 грн
100+331.37 грн
500+238.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+337.20 грн
50+295.80 грн
200+235.44 грн
500+215.38 грн
1000+178.64 грн
2500+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+356.06 грн
100+331.37 грн
500+238.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshibaMOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.38 грн
10+598.30 грн
100+379.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.75 грн
10+830.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.29 грн
10+609.36 грн
100+441.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+202.66 грн
67+194.04 грн
68+190.81 грн
120+182.95 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
TK32ExtechClamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 180C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T01-MG01-B1P-903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.16 грн
5+467.96 грн
10+378.25 грн
25+342.74 грн
50+331.14 грн
100+281.30 грн
500+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.38 грн
5+504.08 грн
10+406.92 грн
25+369.37 грн
50+356.40 грн
100+302.46 грн
500+277.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.38 грн
5+504.08 грн
10+406.92 грн
25+369.37 грн
50+356.40 грн
100+302.46 грн
500+277.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1C-2404-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.38 грн
5+504.08 грн
10+406.92 грн
25+369.37 грн
50+356.40 грн
100+302.46 грн
500+277.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-1503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-753-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.81 грн
5+420.07 грн
10+339.33 грн
25+308.61 грн
50+297.68 грн
100+252.62 грн
500+232.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-803-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T02-MG01-B1P-953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1003-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 100C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-1383-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 138C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32-T06-MG02-B1P-743-MICMicrotherm SentronicThermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+129.55 грн
50+71.69 грн
100+57.76 грн
250+52.57 грн
500+44.17 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.26 грн
10+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.92 грн
50+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.47 грн
13+65.16 грн
100+59.02 грн
500+44.60 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONTK32SCR.08200S150R Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.41 грн
7+176.53 грн
19+166.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONTK32SCR.09130C150A Contact Probes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.34 грн
5+286.99 грн
12+271.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.09200S150A Contact Probes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+384.47 грн
5+283.04 грн
12+267.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONTK32SCR.10200S150A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.11 грн
4+291.92 грн
11+276.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.7 -ASTEKOTK33.7 Multipurpose Enclosures
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1235.19 грн
2+937.88 грн
4+887.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33.9TEKOTK33.9 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1311.66 грн
3+1239.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK333TASKERTAS-TK333 Audio - Video Cables
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1428.48 грн
2+1137.10 грн
3+1074.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERTAS-TK333PSF-A Audio - Video Cables
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1379.70 грн
3+1304.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERTAS-TK333PSF-B Audio - Video Cables
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1379.70 грн
3+1304.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERTAS-TK333PSF-G Audio - Video Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1379.70 грн
3+1304.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERTAS-TK333PSF-TB Audio - Video Cables
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1379.70 грн
3+1304.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERTAS-TK333PSF-V Audio - Video Cables
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1379.70 грн
3+1304.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.7TEKOTK33S.7 Desktop Enclosures
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2248.55 грн
2+2125.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.9TekoDescription: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Packaging: Bulk
Features: PCB Supports
Color: Black
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Material: Plastic, ABS
Thickness: 0.055" (1.40mm)
Height: 2.984" (75.79mm)
Design: Cover Included
Container Type: Box
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2427.21 грн
10+2103.73 грн
100+1869.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+106.00 грн
25+88.76 грн
100+66.16 грн
500+53.94 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.65 грн
10+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBATK33S10N1L SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.25 грн
12+100.59 грн
32+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.35 грн
10+80.84 грн
100+54.41 грн
500+40.42 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.14 грн
10+72.24 грн
100+46.77 грн
500+37.01 грн
1000+34.21 грн
2000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+112.92 грн
120+107.87 грн
250+103.55 грн
500+96.24 грн
1000+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.31 грн
11+67.56 грн
25+67.17 грн
100+63.80 грн
250+58.17 грн
500+54.98 грн
1000+54.13 грн
3000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.53 грн
10+99.56 грн
100+67.73 грн
500+50.77 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.92 грн
10+74.98 грн
100+50.52 грн
500+43.42 грн
1000+40.62 грн
2000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+64.13 грн
219+59.31 грн
250+56.34 грн
500+52.04 грн
1000+49.84 грн
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.80 грн
4000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.67 грн
10+84.43 грн
100+65.80 грн
500+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+103.60 грн
138+94.33 грн
169+76.75 грн
200+69.23 грн
1000+56.79 грн
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.67 грн
10+84.43 грн
100+65.80 грн
500+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+175.07 грн
152+85.64 грн
200+78.05 грн
1000+61.21 грн
2000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.65 грн
100+57.77 грн
500+43.02 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+77.58 грн
25+63.84 грн
100+47.38 грн
500+38.44 грн
1000+35.57 грн
2000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ(OToshibaTK33S10N1Z,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+109.68 грн
124+104.77 грн
250+100.57 грн
500+93.48 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33SP.7 -ASTEKOTK33SP.7 Desktop Enclosures
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1800.81 грн
2+1702.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK343TASKERTAS-TK343 Audio - Video Cables
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1300.81 грн
3+1229.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.82 грн
10+106.78 грн
100+71.69 грн
500+53.94 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.89 грн
10+80.09 грн
100+65.75 грн
500+48.00 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBATK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.90 грн
17+69.03 грн
47+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.45 грн
12+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.70 грн
10+57.79 грн
100+48.27 грн
500+39.60 грн
1000+29.63 грн
5000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.42 грн
10+277.95 грн
100+217.12 грн
500+198.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.90 грн
5+318.62 грн
10+244.54 грн
50+222.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.64 грн
10+264.60 грн
100+211.66 грн
500+192.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.61 грн
5+447.66 грн
10+387.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+76.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.26 грн
10+64.23 грн
100+44.24 грн
500+35.84 грн
1000+28.20 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.69 грн
12+70.26 грн
100+66.67 грн
500+46.30 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONTK35N.04200S170R Contact Probes
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+310.12 грн
6+227.81 грн
15+215.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONTK35N.07130S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+275.08 грн
5+233.73 грн
14+220.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONTK35N.12080S170R Contact Probes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.17 грн
9+141.03 грн
23+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.13.1,30.S.170.RTEKONTK35N.13130S170R Contact Probes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.11 грн
5+253.46 грн
13+239.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.32 грн
10+489.95 грн
120+329.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.49 грн
5+628.48 грн
10+538.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.51 грн
30+435.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.49 грн
10+431.06 грн
120+345.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.97 грн
5+636.44 грн
10+618.92 грн
50+406.81 грн
100+368.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+85.13 грн
100+57.43 грн
500+42.77 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONTK36L.05250S170A Contact Probes
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+305.88 грн
6+224.86 грн
15+213.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONTK36L.07250S170N Contact Probes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+315.43 грн
6+231.76 грн
14+219.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONTK36L.08250S170A Contact Probes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.96 грн
6+218.94 грн
15+207.10 грн
30+206.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONTK36L.09400S170A Contact Probes
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+320.74 грн
5+239.65 грн
14+225.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONTK36L.10250S170A Contact Probes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.68 грн
5+235.70 грн
14+221.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Current rating: 3A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+215.95 грн
5+183.27 грн
25+172.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.14 грн
5+228.38 грн
25+207.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONTK36N.07250S170A Contact Probes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+282.51 грн
5+240.63 грн
14+226.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.07.3,00.S.170.ATEKONTK36N.07300S170A Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+239.65 грн
14+226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONTK36N.08300S170A Contact Probes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+239.65 грн
14+226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONTK36N.09250S170A Contact Probes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+318.62 грн
6+208.09 грн
16+196.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONTK36N.09400S170A Contact Probes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+275.08 грн
5+233.73 грн
14+220.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONTK36N.10180S170A Contact Probes
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.11 грн
5+253.46 грн
13+239.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.2,50.S.170.ATEKONTK36N.10250S170A Contact Probes
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.29 грн
8+148.92 грн
22+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONTK36N.11180S170N Contact Probes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+344.11 грн
5+253.46 грн
13+239.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONTK36SCR.02300S300A Contact Probes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+592.63 грн
3+420.12 грн
8+396.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.05230C300A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+611.75 грн
3+450.70 грн
8+426.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONTK36SCR.05300C300A Contact Probes
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+535.28 грн
3+394.48 грн
9+372.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.07230C300A Contact Probes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+611.75 грн
3+450.70 грн
8+426.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.09230C300A Contact Probes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.93 грн
5+247.54 грн
13+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONTK36SCR.10140S300A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+247.54 грн
13+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.38 грн
10+120.28 грн
100+99.57 грн
500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUS06+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUSO728
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFN/A0443
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGTEKNOVUS 10+ BGA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONTK37N.05230M300A Contact Probes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+239.65 грн
14+226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONTK37N.06230M300A Contact Probes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+239.65 грн
14+226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONTK37N.07400M300A Contact Probes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+363.23 грн
5+267.26 грн
13+253.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONTK37N.08230M300A Contact Probes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+286.76 грн
6+211.05 грн
16+199.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONTK37N.09400M300A Contact Probes
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+305.88 грн
5+265.29 грн
13+251.48 грн
25+250.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.170.ATEKONTK37N.10230M170A Contact Probes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.41 грн
7+168.64 грн
20+159.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONTK37N.10230M300A Contact Probes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.99 грн
5+239.65 грн
14+226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONTK37N.10650M300A Contact Probes
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+219.85 грн
8+164.70 грн
20+155.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.50 грн
10+115.42 грн
100+79.88 грн
500+66.84 грн
1000+57.69 грн
2500+54.76 грн
5000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+107.77 грн
500+96.99 грн
1000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+107.77 грн
500+96.99 грн
1000+89.46 грн
10000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.58 грн
10+104.35 грн
100+93.99 грн
500+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60YS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.79 грн
50+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+145.53 грн
500+130.44 грн
1000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.90 грн
10+110.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+145.53 грн
500+130.44 грн
1000+120.74 грн
10000+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.23 грн
10+97.49 грн
100+66.22 грн
500+49.59 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+84.80 грн
100+54.48 грн
500+54.42 грн
1000+50.32 грн
2000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+118.58 грн
120+107.80 грн
147+88.29 грн
200+79.63 грн
1000+65.26 грн
2000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.60 грн
10+95.59 грн
100+70.73 грн
500+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+85.51 грн
159+81.68 грн
250+78.40 грн
500+72.87 грн
1000+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+128.50 грн
151+85.81 грн
163+79.77 грн
200+64.78 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.60 грн
10+95.59 грн
100+70.73 грн
500+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.36 грн
10+107.92 грн
100+73.70 грн
500+55.44 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.67 грн
10+91.08 грн
100+64.11 грн
250+61.45 грн
500+58.38 грн
1000+50.05 грн
2000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.02 грн
10+90.01 грн
100+58.79 грн
500+53.62 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.79 грн
500+53.62 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.07 грн
10+685.46 грн
50+355.03 грн
100+337.97 грн
500+329.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.42 грн
50+502.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+499.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+396.70 грн
50+336.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+772.66 грн
5+639.63 грн
10+505.81 грн
50+419.38 грн
100+340.01 грн
250+333.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+330.95 грн
43+304.00 грн
50+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+243.20 грн
57+230.26 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.66 грн
10+688.60 грн
25+570.10 грн
100+495.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1121.12 грн
14+948.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.73 грн
25+626.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.07 грн
10+840.92 грн
25+464.28 грн
100+410.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+605.40 грн
30+441.55 грн
31+418.26 грн
50+377.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+568.11 грн
29+461.38 грн
30+444.14 грн
50+408.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.49 грн
10+278.74 грн
120+199.37 грн
510+188.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.93 грн
30+257.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+576.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.11 грн
10+356.86 грн
100+310.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+273.48 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+583.84 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5
Код товару: 183831
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.64 грн
10+299.15 грн
120+239.65 грн
510+208.92 грн
2520+204.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.89 грн
30+275.72 грн
120+231.79 грн
510+195.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+615.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.71 грн
10+357.65 грн
100+350.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshibaMOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.68 грн
10+373.74 грн
120+279.25 грн
510+274.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+580.95 грн
3+503.88 грн
10+429.00 грн
30+405.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.13 грн
3+404.34 грн
10+357.50 грн
30+337.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.78 грн
10+421.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60XS1F(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.84 грн
5+372.79 грн
10+308.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39Z60X,S1FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.11 грн
15+55.92 грн
100+45.01 грн
500+32.54 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.52 грн
10+54.65 грн
100+38.23 грн
500+32.36 грн
1000+27.79 грн
2500+27.72 грн
5000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+127.20 грн
50+69.64 грн
100+60.36 грн
250+53.12 грн
500+43.76 грн
1000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+52.87 грн
1000+48.77 грн
10000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 612
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.02 грн
50+62.42 грн
100+48.48 грн
250+45.81 грн
500+35.91 грн
1000+31.61 грн
5000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.94 грн
11+76.95 грн
100+71.21 грн
500+48.89 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3J10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3L10Z
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-3.5TraktronixDescription: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P-5.08TraktronixDescription: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+133.67 грн
200+102.63 грн
500+74.17 грн
1000+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+74.11 грн
100+49.62 грн
500+36.72 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.77 грн
12+67.79 грн
100+47.47 грн
500+35.58 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+80.87 грн
100+50.59 грн
500+40.21 грн
1000+37.07 грн
2000+32.98 грн
4000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.47 грн
500+35.58 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.36 грн
147+88.40 грн
209+61.99 грн
210+59.56 грн
500+44.66 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.16 грн
10+68.86 грн
100+40.35 грн
500+38.17 грн
1000+36.46 грн
2000+33.25 грн
4000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.35 грн
10+80.47 грн
100+54.34 грн
500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.42 грн
13+64.92 грн
100+45.56 грн
500+37.20 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.56 грн
500+37.20 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+73.56 грн
236+55.02 грн
277+46.83 грн
500+38.67 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+67.38 грн
226+57.35 грн
264+49.16 грн
278+44.91 грн
500+38.88 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.19 грн
50+62.97 грн
100+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.99 грн
10+67.21 грн
100+52.23 грн
500+48.00 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.53 грн
10+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+105.97 грн
135+96.49 грн
165+78.59 грн
200+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.53 грн
10+74.28 грн
100+59.33 грн
500+44.93 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.29 грн
10+91.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.33 грн
10+86.03 грн
100+69.62 грн
500+44.60 грн
1000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+58.38 грн
260+49.93 грн
268+48.29 грн
1600+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.11 грн
10+78.36 грн
100+45.34 грн
500+35.71 грн
1000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.93 грн
10+71.67 грн
100+47.29 грн
500+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.48 грн
10+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.58 грн
10+152.32 грн
100+85.34 грн
500+71.69 грн
1000+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.57 грн
10+142.90 грн
100+112.66 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.68 грн
50+134.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+358.46 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.26 грн
10+118.69 грн
100+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+279.42 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs TO220 100V 120A
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.56 грн
10+95.01 грн
100+81.25 грн
500+68.14 грн
1000+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.87 грн
10+88.42 грн
100+85.23 грн
500+74.71 грн
1000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.72 грн
50+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.54 грн
10+96.58 грн
100+71.01 грн
500+61.04 грн
1000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.51 грн
10+101.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaTK3R3A06PL,S4X(S
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.44 грн
10+203.36 грн
50+94.90 грн
100+78.52 грн
250+73.74 грн
500+66.84 грн
1000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+148.92 грн
94+138.17 грн
110+118.17 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.16 грн
50+120.37 грн
100+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.76 грн
10+119.35 грн
100+103.10 грн
500+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.13 грн
10+133.82 грн
100+129.04 грн
500+92.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTK3R9E10PL,S1X(S
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PLS1X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.