Продукція > TK3

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+52.00 грн
100+31.48 грн
250+30.72 грн
500+25.34 грн
1000+22.64 грн
5000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
50+42.58 грн
100+37.84 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
12+73.05 грн
100+49.13 грн
500+33.50 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+49.06 грн
500+32.31 грн
1000+27.68 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
50+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 53W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.17 грн
15+55.41 грн
100+49.77 грн
500+36.50 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31ExtechDigital Multimeters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.29 грн
50+292.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.44 грн
10+303.27 грн
100+247.14 грн
500+230.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.47 грн
10+312.49 грн
100+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+434.96 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.06 грн
10+421.56 грн
100+333.43 грн
500+316.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+519.75 грн
43+331.93 грн
53+268.14 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.30 грн
53+270.27 грн
100+219.24 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.51 грн
10+298.80 грн
100+277.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+572.32 грн
39+365.07 грн
50+296.40 грн
100+267.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+334.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+331.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.83 грн
50+255.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1XToshibaMOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.10 грн
10+270.72 грн
100+234.72 грн
500+195.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.40 грн
10+289.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60WVBSEMIMOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.48 грн
10+650.99 грн
120+356.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.16 грн
10+533.98 грн
100+521.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.76 грн
10+366.78 грн
120+278.21 грн
510+271.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.25 грн
10+426.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]