Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTM-120BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
17+21.18 грн
100+12.30 грн
1000+7.02 грн
2500+6.34 грн
10000+5.51 грн
25000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-120BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.120in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-120Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.120" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.120" (3.05mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-130BivarPanel Mount LED Holder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-130Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.130" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.130" (3.30mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-130BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-140BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-140BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.140in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-140Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.140" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.140" (3.56mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-150Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.150" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.150" (3.81mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-150BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-160Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL BLACK
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.160" (4.06mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-160BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.160in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-160BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
17+20.66 грн
100+12.00 грн
1000+11.63 грн
2500+9.36 грн
10000+8.08 грн
25000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-170BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.170in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-170BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-170BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 4.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 4.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-170Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.170" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.170" (4.32mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-180Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.180" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.180" (4.57mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-180BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.180in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-180BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-190BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.190in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-190BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-190Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.190" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.190" (4.83mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-200Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL BLACK
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.200" (5.08mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-200BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.200in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-200BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
17+20.66 грн
100+17.74 грн
1000+16.68 грн
2500+14.95 грн
10000+12.76 грн
25000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-210Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.210" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-210BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 5.3mm; natural
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Application: LED
Body material: polyamide 6.6
Type of LED accessories: spacer sleeve
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 5.3mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-210BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-220BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-220Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.220" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-230Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.230" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-230BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-240BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-240BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.240in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-240Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL BLACK
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.240" (6.10mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-250Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL NATURAL
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-250BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-260Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.260" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-260BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
17+20.66 грн
100+12.83 грн
2500+10.95 грн
10000+9.51 грн
25000+8.83 грн
50000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-270BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-270BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.270in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-270Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.270" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-280Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.280" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-280BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-290BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-290Bivar Inc.Description: LED MOUNT .290"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-300Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.300" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-300BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
17+20.66 грн
100+13.81 грн
1000+13.21 грн
2500+11.02 грн
10000+9.51 грн
25000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-310Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL BLACK
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.310" (7.87mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-310BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
17+20.66 грн
100+12.30 грн
10000+10.57 грн
25000+9.89 грн
50000+9.06 грн
100000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-310BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.310in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-320BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.23 грн
15+23.27 грн
100+13.44 грн
500+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-320Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.320" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-330Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.330" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-330BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-340BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-340Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.340" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-350Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.350" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-350BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-360BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm LED Black
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.67 грн
13+28.65 грн
100+14.19 грн
2500+12.76 грн
10000+11.02 грн
25000+10.27 грн
50000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-360Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.360" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-370Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.370" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-370BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.20 грн
10+35.25 грн
100+9.44 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-380Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.380" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-380BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.08 грн
10+35.94 грн
100+9.66 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-390BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-390BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.390in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-390Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.390" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-400Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.400" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.400" (10.16mm)
LED: T1, T1 3/4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
13+24.53 грн
100+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-400BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
17+21.62 грн
100+13.06 грн
1000+8.30 грн
2500+7.40 грн
10000+6.34 грн
25000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-410BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.08 грн
10+35.94 грн
100+9.66 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-410Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.410" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-420Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.420" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-420BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.420in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-420BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.91 грн
16+22.31 грн
100+12.91 грн
500+10.12 грн
1000+9.51 грн
2500+7.70 грн
5000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-430Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.430" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-430BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
17+21.62 грн
100+12.53 грн
1000+9.74 грн
2500+8.61 грн
10000+7.47 грн
25000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-440BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-440BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.440in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-440Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.440" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-450Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.450" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-450BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-460BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.460in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-460BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-460Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.460" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-480Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.480" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-480BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.480in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-480BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.11 грн
15+23.70 грн
100+13.74 грн
500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-490Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.490" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-490BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-500BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-500Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.500" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-500BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 12.7mm; natural
Application: LED
Type of LED accessories: spacer sleeve
Body material: polyamide 6.6
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Flammability rating: UL94V-2
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 12.7mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-520BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.520in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-520Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.520" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-520BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 13.2mm; natural
Application: LED
Type of LED accessories: spacer sleeve
Body material: polyamide 6.6
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Flammability rating: UL94V-2
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 13.2mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-520BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-530BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 13.5mm; natural
Application: LED
Type of LED accessories: spacer sleeve
Body material: polyamide 6.6
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Flammability rating: UL94V-2
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 13.5mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-530BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-530Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.530" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-550Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.550" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.550" (13.97mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-550BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 14mm; natural
Application: LED
Type of LED accessories: spacer sleeve
Body material: polyamide 6.6
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Flammability rating: UL94V-2
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 14mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-550BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.88 грн
16+23.09 грн
100+14.42 грн
2500+13.81 грн
10000+12.68 грн
25000+11.85 грн
50000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-570Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.570" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-570BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 14.5mm; natural
Application: LED
Type of LED accessories: spacer sleeve
Body material: polyamide 6.6
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Flammability rating: UL94V-2
Mounting holes pitch: 2.5mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Outside diameter: 5.1mm
Spacer length: 14.5mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-570BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.55 грн
10+37.50 грн
100+10.12 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-600BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-600Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL BLACK
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.600" (15.24mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-620Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.620" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-620BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-650BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.76 грн
18+19.88 грн
100+13.51 грн
1000+11.70 грн
2500+10.64 грн
10000+9.06 грн
25000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-650Bivar Inc.Description: LED HOLDER T1T1 3/4 NYL NATURAL
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.650" (16.51mm)
LED: T1, T1 3/4
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
11+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-670Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.670" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.670" (17.02mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-670BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.76 грн
18+19.88 грн
100+13.51 грн
1000+13.29 грн
2500+8.15 грн
10000+6.87 грн
25000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-700Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.700" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-700BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-700BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.700in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-720BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-720Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.720" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-750Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.750" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.750" (19.05mm)
LED: T1, T1 3/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-750BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.88 грн
17+20.84 грн
100+16.53 грн
500+13.51 грн
1000+12.46 грн
2500+11.63 грн
5000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-770BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-770Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.770" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-800Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.800" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.800" (20.32mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-800BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-820Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.820" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-820BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-850BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-850Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-870Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.870" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-870BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-900BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.17 грн
10+45.84 грн
100+12.30 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-900BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.900in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM-900Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:1 RATIO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4633.43 грн
10+4272.94 грн
50+3637.85 грн
100+3548.77 грн
250+3507.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM105K100FNIC ComponentsCap Film 1uF 100V PET 10%( 10 X 19mm) Axial 85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM105K250FNIC ComponentsCap Film 1uF 250V PET 10% (11.5 X 27mm) Axial 85°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+54.16 грн
2400+49.49 грн
3600+46.05 грн
4800+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
NTM10N02ZMOT
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM10N02ZMOT09+ SO-8
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM11210-SC900
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1210-SC900TOKO0402X2
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+110.51 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1603HDBivar Inc.Description: LED CBI 3MM RED THROUGH HOLE
Packaging: Tray
Current: 30mA
Color: Red
Voltage Rating: 2V
Mounting Type: Through Hole
Millicandela Rating: 30mcd
Configuration: Single
Viewing Angle: 45°
Lens Type: Diffused
Wavelength - Peak: 635nm
Part Status: Active
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3mm, T-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1603HDBivarVertical LED Assembly,2 Lead Single Color, Green, Diffused Lens, Black PVC Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
LED diameter: 3mm
Colour: natural
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1N05EMOT09+ SO-8
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM1N05EMOT
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2003GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2073D
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2222AHITACHI01+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2222A-T1B
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2222AT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2369NEC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2369-T1B
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2369-T2B
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2369-TBTOSHIBA02+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2603GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2907NEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2907A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2907A-T1B
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM2907A/Y15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3003HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3003YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3003YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3414AM
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3703GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3703GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3703YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3703YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3904
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3904/B25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3906
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3906-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM3906/Y25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4NeutrikAudio Transformer 1:4 PC Pin Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:4 RATIO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4403GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4403GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4403YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4403YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4558DJRC
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM4816NR2G
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203HDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM HER 635NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM5203YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM78L09UAT2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM8050(M)-T1BNEC05+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM8050(M)-T1B-MFNEC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H055T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H055T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors TPMS 4X4 900kPa X axis
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.86 грн
5+579.70 грн
10+511.99 грн
25+389.82 грн
50+344.51 грн
100+335.43 грн
500+276.43 грн
1000+258.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.86 грн
5+579.70 грн
10+511.99 грн
25+389.82 грн
50+344.51 грн
100+335.43 грн
500+276.43 грн
1000+258.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H065T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H065T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.38 грн
5+671.07 грн
10+515.59 грн
25+418.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135ST1NXP SemiconductorsTPMS 4X4 900kPa XZ axis
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.83 грн
5+682.35 грн
10+376.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+248.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+256.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.83 грн
5+681.48 грн
10+523.14 грн
25+425.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J127T1NXP SemiconductorsNTM88J127T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J135ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145T1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88K135ST1NXP USA Inc.Description: TPMS 4X4 1500KPA XZ AXIS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 24-FQFN Exposed Pad
Output Type: SPI
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Pressure: 13.05PSI ~ 220.17PSI (90kPa ~ 1518kPa)
Pressure Type: Differential
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Applications: Industrial Automation
Supplier Device Package: 24-HQFN (4x4)
Port Style: No Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88K155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.71 грн
14+61.31 грн
100+41.16 грн
500+31.69 грн
1000+26.57 грн
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.23 грн
10+60.71 грн
25+57.69 грн
100+41.57 грн
250+36.74 грн
500+34.80 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8
на замовлення 56832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.32 грн
10+60.25 грн
100+39.48 грн
500+35.86 грн
1000+31.33 грн
2500+27.25 грн
5000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.28 грн
5000+27.37 грн
7500+26.47 грн
12500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.16 грн
500+31.69 грн
1000+26.57 грн
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300RMOT01+
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ON05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 802
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2N05ZMOT
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2ON05+
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P02MOT95+ SOP
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P10MOT95+ SOP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N03MOT
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N03MOT95+ SOP
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LONSO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LON07+ SO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 114190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1374
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03ONSO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03ON07+ SO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GonsemiMOSFETs 30V 3.05A P-Channel
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.65 грн
10+58.43 грн
100+37.67 грн
500+33.67 грн
1000+31.63 грн
2500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFG
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.45 грн
18+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
на замовлення 22502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2G
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.18 грн
10+62.07 грн
100+41.67 грн
500+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.57 грн
10+51.31 грн
100+34.20 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GON08+ SOP-8
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 262234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1156
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2G
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 45537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N01MOT09+ SO-8
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N01MOT
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03DR2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2ONSOP-8
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2ON05+
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+54.97 грн
100+36.11 грн
500+26.29 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.45 грн
5000+20.84 грн
7500+19.95 грн
12500+17.79 грн
17500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiMOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 20444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+48.70 грн
100+28.91 грн
500+23.25 грн
1000+20.53 грн
2500+18.65 грн
5000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9A/5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFETs NFETDPAK40V100A3.7M OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.79 грн
500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2G
Код товару: 204296
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.68 грн
14+64.95 грн
100+49.79 грн
500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6601NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
на замовлення 60595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02ONSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02MOT
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02MOT09+ SO-8
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02D2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2MOTSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+53.47 грн
100+37.01 грн
500+29.02 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiMOSFETs NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
6+69.66 грн
10+59.38 грн
100+35.78 грн
500+29.89 грн
1000+25.52 грн
2500+22.57 грн
5000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.34 грн
5000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03MOT95+ SOP
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03MOT
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N0382
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2ON04+
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 1401
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiMOSFETs 30V 6A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 52300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+21.49 грн
10000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2G
Код товару: 94669
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON Semiconductor
на замовлення 52570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 798
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+40.94 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 756
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON09+
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+40.94 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 756
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+40.94 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 756
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2G
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02DR2G
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiMOSFETs 20V 6A P-Channel
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.27 грн
10+73.62 грн
100+44.31 грн
500+36.84 грн
1000+36.54 грн
2500+35.71 грн
10000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.39 грн
10+77.53 грн
100+50.43 грн
500+38.20 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 704
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMED2P01R2G
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF1N05MOT09+ SO-8
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF1N05MOT
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF4708NT1G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF4N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMF4N02MOT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.91 грн
10+157.82 грн
100+110.18 грн
500+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.76 грн
10+184.91 грн
100+112.48 грн
500+91.34 грн
1000+85.30 грн
3000+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiMOSFETs Power Mosfet 30V POWERTRENCH Power Clip Power Mosfet 30V POWERTRENCH? Power Clip
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.34 грн
10+137.16 грн
100+94.36 грн
250+87.57 грн
500+79.26 грн
1000+78.51 грн
3000+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.70 грн
10+125.66 грн
100+86.48 грн
500+68.28 грн
1000+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.40 грн
3000+36.52 грн
4500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+85.08 грн
100+50.35 грн
500+45.07 грн
1000+41.44 грн
1500+38.12 грн
3000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.77 грн
10+77.38 грн
100+52.67 грн
500+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+89.42 грн
100+52.24 грн
500+44.31 грн
1000+39.41 грн
1500+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+82.02 грн
100+55.03 грн
500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.54 грн
10+58.11 грн
100+38.49 грн
500+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.96 грн
3000+23.90 грн
4500+22.85 грн
7500+20.34 грн
10500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorPower MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.16 грн
10+67.89 грн
100+43.48 грн
500+35.48 грн
1000+33.14 грн
1500+27.33 грн
3000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.57 грн
11+64.90 грн
100+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.36 грн
10+62.12 грн
100+45.80 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.89 грн
3000+27.21 грн
4500+26.72 грн
7500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 377603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.51 грн
10+158.29 грн
100+110.66 грн
500+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XON SemiconductorMOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.83 грн
10+143.27 грн
100+113.99 грн
500+90.51 грн
1000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1722000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.00 грн
6000+47.27 грн
9000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.18 грн
10+102.44 грн
100+70.88 грн
250+65.15 грн
500+59.11 грн
1000+50.65 грн
3000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1724994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+90.51 грн
100+72.01 грн
500+57.18 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.97 грн
10+89.42 грн
100+60.17 грн
500+50.96 грн
1000+41.59 грн
3000+39.03 грн
6000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.64 грн
6000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.37 грн
10+83.67 грн
100+56.44 грн
500+42.01 грн
1000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT1G
Код товару: 91879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.86 грн
10+140.64 грн
100+114.74 грн
250+110.97 грн
500+107.20 грн
1000+102.67 грн
1500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+170.17 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.04 грн
10+323.81 грн
25+265.72 грн
100+227.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+191.33 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+232.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 795000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+191.33 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+264.21 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+171.97 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+134.08 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+215.10 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.4A/18.7A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5875NLT1GON SemiconductorNFET SO8FL 60V 22A 33MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.71 грн
10+127.62 грн
100+76.24 грн
500+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.81 грн
10+148.07 грн
100+102.43 грн
500+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.49 грн
3000+21.69 грн
4500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+55.67 грн
100+36.79 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.59 грн
10+92.47 грн
100+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.03 грн
10+174.02 грн
100+138.55 грн
500+110.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+103.30 грн
3000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.03 грн
10+192.73 грн
100+133.62 грн
250+123.80 грн
500+111.72 грн
1000+95.12 грн
1500+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.78 грн
10+74.40 грн
100+42.88 грн
500+33.89 грн
1000+30.50 грн
1500+26.19 грн
3000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.10 грн
10+138.03 грн
100+95.12 грн
250+88.32 грн
500+72.32 грн
1500+65.15 грн
3000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.14 грн
500+26.66 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.30 грн
17+52.17 грн
100+35.14 грн
500+26.66 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.17 грн
10+76.35 грн
100+59.38 грн
500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+52.14 грн
100+34.40 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.25 грн
500+39.24 грн
1000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.63 грн
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.46 грн
12+71.22 грн
100+52.25 грн
500+39.24 грн
1000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.31 грн
10+51.39 грн
100+32.31 грн
500+26.50 грн
1000+21.59 грн
1500+19.33 грн
3000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 35767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.69 грн
100+29.92 грн
500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL SO8FL DUAL
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+44.01 грн
100+27.63 грн
500+22.57 грн
1000+16.91 грн
1500+16.15 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.66 грн
14+61.40 грн
100+45.90 грн
500+30.90 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.94 грн
3000+16.99 грн
4500+16.72 грн
7500+15.39 грн
10500+14.86 грн
15000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.90 грн
500+30.90 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.46 грн
10+106.78 грн
100+73.75 грн
500+61.98 грн
1000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+87.60 грн
100+61.14 грн
500+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
4+117.13 грн
10+95.49 грн
100+63.94 грн
500+54.20 грн
1000+51.18 грн
1500+42.35 грн
3000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFRS4707NT1G
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.38 грн
10+200.70 грн
100+162.59 грн
500+141.54 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+171.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.80 грн
10+210.96 грн
100+110.97 грн
500+109.46 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.59 грн
500+141.54 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 175A; Idm: 1536A; 94W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 175A
Pulsed drain current: 1536A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.83 грн
10+189.20 грн
100+130.33 грн
500+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.87 грн
10+152.43 грн
100+143.12 грн
500+125.03 грн
1000+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 2MO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.66 грн
10+177.10 грн
100+117.01 грн
500+98.14 грн
1000+84.55 грн
1500+79.26 грн
3000+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.12 грн
500+125.03 грн
1000+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.49 грн
10+134.56 грн
100+83.79 грн
500+70.13 грн
1000+59.64 грн
1500+56.69 грн
3000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.77 грн
10+114.89 грн
100+84.63 грн
500+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.15 грн
10+106.00 грн
25+105.44 грн
100+85.37 грн
250+78.26 грн
500+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.00 грн
10+135.49 грн
100+99.93 грн
500+81.78 грн
1000+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+95.36 грн
500+91.30 грн
1000+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+116.81 грн
126+98.41 грн
150+79.68 грн
250+73.04 грн
500+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.26 грн
10+125.88 грн
100+82.28 грн
250+81.53 грн
500+67.64 грн
1500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.93 грн
500+81.78 грн
1000+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.05 грн
10+98.37 грн
100+66.62 грн
500+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiMOSFETs PT8P PORTFOLIO EXPANSION
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.27 грн
10+92.02 грн
100+56.54 грн
500+46.05 грн
1500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GON SemiconductorPower, Single P-Channel, SO8-FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiMOSFETs PFET SO8FL -30V 5MO
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.01 грн
10+101.57 грн
25+82.28 грн
100+66.66 грн
500+53.07 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -164A; Idm: -597A; 104W; DFN5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -164A
Pulsed drain current: -597A
Power dissipation: 104W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.64 грн
10+89.33 грн
100+62.93 грн
500+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.58 грн
10+94.85 грн
100+63.68 грн
500+50.72 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.89 грн
45000+48.34 грн
90000+44.97 грн
135000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON Semiconductor
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.55 грн
10+122.51 грн
100+86.00 грн
500+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MConsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80V, 32A, 6.0mohm
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.21 грн
10+138.90 грн
100+85.30 грн
500+74.73 грн
1000+67.64 грн
3000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.31 грн
10+161.75 грн
100+130.41 грн
500+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package
на замовлення 24078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.60 грн
10+144.98 грн
100+117.76 грн
500+108.71 грн
1000+98.89 грн
1500+92.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.41 грн
500+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.51 грн
10+96.54 грн
100+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+137.18 грн
500+123.77 грн
1000+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 79A; Idm: 352A; 40W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 40W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.00 грн
10+115.46 грн
100+83.79 грн
500+78.51 грн
1000+66.88 грн
1500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.83 грн
10+143.12 грн
100+113.90 грн
500+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
на замовлення 14865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.03 грн
10+168.12 грн
100+117.66 грн
500+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 1247A; 75W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 1247A
Power dissipation: 75W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiMOSFETs 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 83A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 11MOHM PQFN56
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.05 грн
10+682.35 грн
100+581.27 грн
1000+532.20 грн
3000+493.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+565.69 грн
50+472.60 грн
100+434.79 грн
250+434.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 38579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.21 грн
10+517.18 грн
100+515.09 грн
500+475.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.08 грн
5+619.89 грн
10+565.69 грн
50+472.60 грн
100+434.79 грн
250+434.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+525.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.92 грн
12+60.42 грн
25+58.90 грн
100+51.38 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.71 грн
500+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.04 грн
10+87.05 грн
100+58.79 грн
500+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 54A, 12.2mohm
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.58 грн
10+96.36 грн
100+56.54 грн
500+44.92 грн
1000+43.93 грн
1500+37.07 грн
3000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.34 грн
10+104.16 грн
100+70.71 грн
500+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 34655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+159.87 грн
500+153.69 грн
1000+144.40 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+159.87 грн
500+153.69 грн
1000+144.40 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.38 грн
6000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.48 грн
10+131.96 грн
100+108.71 грн
1000+106.44 грн
3000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+159.87 грн
500+153.69 грн
1000+144.40 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.80 грн
500+120.31 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+159.87 грн
500+153.69 грн
1000+144.40 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+138.63 грн
91+136.48 грн
93+134.34 грн
100+127.47 грн
250+116.11 грн
500+109.63 грн
1000+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON Semiconductor
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 11383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.42 грн
10+198.55 грн
100+140.14 грн
500+108.12 грн
1000+101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+148.53 грн
10+146.23 грн
25+143.93 грн
100+136.57 грн
250+124.41 грн
500+117.46 грн
1000+115.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.64 грн
10+218.48 грн
100+156.67 грн
500+119.53 грн
1000+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.65 грн
3000+13.74 грн
4500+13.07 грн
7500+11.55 грн
10500+11.12 грн
15000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 17690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+51.51 грн
100+33.88 грн
500+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 22472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+41.13 грн
100+27.96 грн
500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, SINGLE SO8FL, 60 V, 19.6 mohm, 28 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.37 грн
10+44.97 грн
100+26.57 грн
500+21.67 грн
1000+18.80 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.90 грн
3000+14.77 грн
4500+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 22MOHM PQFN56
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.64 грн
10+141.51 грн
100+89.08 грн
500+84.55 грн
1000+77.00 грн
3000+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.77 грн
10+143.12 грн
100+103.31 грн
500+79.42 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 18229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
10+127.15 грн
100+91.65 грн
500+71.28 грн
1000+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.39 грн
500+85.71 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1GON SemiconductorT6 60V SG HIGHER RDS-ON P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 49372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+33.58 грн
100+21.67 грн
500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.60 грн
3000+12.81 грн
4500+12.17 грн
7500+10.74 грн
10500+10.34 грн
15000+9.95 грн
37500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.82 грн
10+67.45 грн
100+58.50 грн
500+58.35 грн
1000+58.28 грн
3000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.73 грн
13+67.41 грн
100+64.70 грн
500+57.56 грн
1000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.99 грн
10+117.24 грн
100+93.30 грн
500+74.09 грн
1000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+86.64 грн
500+82.95 грн
1000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.70 грн
500+57.56 грн
1000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.16 грн
18+39.35 грн
25+37.32 грн
100+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+305.71 грн
500+278.37 грн
1000+251.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 62948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.33 грн
10+516.87 грн
100+430.76 грн
500+356.69 грн
1000+321.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.13 грн
10+429.41 грн
25+422.69 грн
100+401.11 грн
250+365.32 грн
500+344.95 грн
1000+339.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.62 грн
10+310.79 грн
100+305.71 грн
500+278.37 грн
1000+251.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+369.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+332.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003ConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.00 грн
10+440.14 грн
25+380.47 грн
100+326.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.98 грн
500+128.18 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.58 грн
10+232.03 грн
100+165.98 грн
500+128.18 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.15 грн
10+346.07 грн
100+283.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.16 грн
10+367.22 грн
100+270.25 грн
500+262.70 грн
1000+240.06 грн
3000+232.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; Idm: 823A; 138W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 138W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Pulsed drain current: 823A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.47 грн
5+493.71 грн
10+403.94 грн
50+344.42 грн
100+288.89 грн
250+283.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+403.94 грн
50+344.42 грн
100+288.89 грн
250+283.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMonsemi 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.90 грн
10+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorNTMFS0D4N04XMT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.52 грн
10+138.87 грн
100+96.80 грн
500+77.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+98.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFETs WIDE SOA
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.03 грн
10+172.76 грн
100+116.25 грн
500+99.65 грн
1000+79.26 грн
1500+75.34 грн
3000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2084850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+112.43 грн
500+107.27 грн
1000+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorMOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.67 грн
10+140.58 грн
100+117.71 грн
500+97.51 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.53 грн
10+132.82 грн
100+89.83 грн
500+75.34 грн
1000+62.13 грн
1500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.84 грн
10+138.63 грн
25+136.51 грн
100+129.50 грн
250+117.93 грн
500+111.40 грн
1000+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.78 грн
10+139.11 грн
100+103.58 грн
500+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.58 грн
500+115.59 грн
1000+99.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+131.45 грн
96+129.39 грн
98+127.40 грн
100+120.87 грн
250+110.07 грн
500+103.97 грн
1000+102.20 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFETs 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.43 грн
10+217.03 грн
100+141.92 грн
500+127.58 грн
1500+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 455A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9444 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9444 pF @ 20 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.28 грн
10+239.60 грн
100+170.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.92 грн
10+144.81 грн
100+116.02 грн
500+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.56 грн
10+134.78 грн
25+118.13 грн
100+105.18 грн
250+90.53 грн
500+80.40 грн
1000+79.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.38 грн
10+135.43 грн
100+92.85 грн
500+80.77 грн
1000+80.02 грн
1500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+152.65 грн
99+125.80 грн
113+110.26 грн
122+98.16 грн
250+84.49 грн
500+75.04 грн
1000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.02 грн
500+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.38 грн
10+150.51 грн
100+106.02 грн
500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.40 грн
500+87.28 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.58 грн
10+134.39 грн
100+92.58 грн
500+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.31 грн
10+125.88 грн
100+88.32 грн
500+81.53 грн
1000+74.66 грн
1500+68.85 грн
9000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.62 грн
10+136.34 грн
100+108.40 грн
500+87.28 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.13 грн
10+141.86 грн
100+97.97 грн
500+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+240.64 грн
10+167.44 грн
25+133.09 грн
100+110.92 грн
250+92.76 грн
500+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.21 грн
10+149.32 грн
100+92.85 грн
500+74.43 грн
1000+73.75 грн
1500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+224.60 грн
80+156.28 грн
100+124.22 грн
116+103.53 грн
250+86.58 грн
500+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFETs WIDE SOA
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.99 грн
10+188.38 грн
100+129.84 грн
500+110.21 грн
1500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Ta), 409A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 15 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.27 грн
10+130.53 грн
100+118.03 грн
500+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Ta), 409A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.24 грн
10+244.81 грн
25+200.80 грн
100+163.06 грн
250+157.02 грн
500+135.13 грн
1500+134.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.02 грн
10+152.43 грн
100+113.48 грн
500+104.58 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+177.33 грн
72+173.28 грн
74+169.24 грн
100+159.22 грн
250+143.81 грн
500+134.60 грн
1000+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.48 грн
500+104.58 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.09 грн
10+228.04 грн
100+170.82 грн
500+132.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.99 грн
10+185.66 грн
25+181.33 грн
100+170.59 грн
250+154.09 грн
500+144.21 грн
1000+140.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.18A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 323 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.44 грн
10+106.70 грн
100+84.35 грн
500+62.75 грн
1000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.30 грн
10+135.14 грн
25+105.43 грн
100+91.02 грн
250+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 323A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, N-Channel, 40V, 0.7m ohms, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
3+129.46 грн
10+105.91 грн
100+73.00 грн
250+67.87 грн
500+61.60 грн
1000+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 323 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.35 грн
500+62.75 грн
1000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.18A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 25 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.65 грн
10+114.34 грн
100+77.46 грн
500+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+126.13 грн
126+98.40 грн
141+88.09 грн
250+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.46 грн
10+181.95 грн
25+178.41 грн
100+146.55 грн
250+134.35 грн
500+126.48 грн
1000+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.74 грн
10+188.88 грн
100+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.01 грн
10+213.56 грн
25+184.95 грн
100+141.17 грн
250+139.66 грн
500+123.80 грн
1000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+203.90 грн
73+169.82 грн
75+166.52 грн
100+136.78 грн
250+125.39 грн
500+118.05 грн
1000+115.78 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+72.48 грн
500+69.40 грн
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.17 грн
10+88.07 грн
100+68.51 грн
500+61.89 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 15 V
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.52 грн
10+99.79 грн
100+79.67 грн
500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 15 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.94 грн
3000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.51 грн
500+61.89 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GonsemiMOSFETs LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.11 грн
10+98.97 грн
100+66.51 грн
500+58.13 грн
1000+47.26 грн
1500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+93.60 грн
500+89.61 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.21 грн
10+167.55 грн
100+115.50 грн
250+110.21 грн
500+97.38 грн
1000+89.83 грн
1500+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 135151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+93.60 грн
500+89.61 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 15 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.93 грн
10+143.82 грн
100+102.54 грн
500+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+93.60 грн
500+89.61 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.66 грн
10+178.68 грн
100+143.12 грн
500+127.39 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.31 грн
10+138.36 грн
25+132.26 грн
100+126.43 грн
250+116.04 грн
500+110.34 грн
1000+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.12 грн
500+127.39 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+148.69 грн
96+129.14 грн
101+123.44 грн
102+118.00 грн
250+108.30 грн
500+102.98 грн
1000+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.48 грн
10+187.39 грн
100+139.03 грн
500+109.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.9mohm, 278A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.9mohm, 278A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.71 грн
10+201.41 грн
25+156.26 грн
100+135.13 грн
250+123.80 грн
500+117.01 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.24 грн
500+84.93 грн
1000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.47 грн
10+131.46 грн
25+125.98 грн
100+111.47 грн
250+98.93 грн
500+89.00 грн
1000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
3+130.35 грн
10+105.91 грн
100+71.64 грн
500+60.69 грн
1000+49.52 грн
1500+46.58 грн
3000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+148.84 грн
101+122.69 грн
106+117.59 грн
115+104.04 грн
250+92.34 грн
500+83.06 грн
1000+79.50 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.72 грн
10+153.28 грн
100+109.24 грн
500+84.93 грн
1000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.35 грн
10+161.99 грн
100+113.45 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 22146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.79 грн
10+368.41 грн
100+314.09 грн
500+270.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2Consemi / FairchildMOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.41 грн
10+402.81 грн
100+320.08 грн
500+309.51 грн
1000+282.33 грн
3000+271.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+298.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+264.21 грн
250+259.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.37 грн
5+413.26 грн
10+363.29 грн
50+310.61 грн
100+264.21 грн
250+259.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.54 грн
10+196.47 грн
100+143.96 грн
500+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 27598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.11 грн
10+207.83 грн
100+149.47 грн
500+115.32 грн
1000+107.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.96 грн
500+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.57 грн
10+216.16 грн
25+177.40 грн
100+152.49 грн
250+150.98 грн
500+132.11 грн
1000+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiMOSFETs WIDE SOA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.52 грн
10+122.75 грн
100+97.69 грн
500+77.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+115.01 грн
109+113.67 грн
110+108.95 грн
250+100.26 грн
500+95.65 грн
1000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.61 грн
10+118.56 грн
100+80.28 грн
500+74.15 грн
1000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.42 грн
100+101.36 грн
500+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.23 грн
10+122.51 грн
25+121.78 грн
100+116.73 грн
250+107.43 грн
500+102.48 грн
1000+101.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.28 грн
500+74.15 грн
1000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.59 грн
10+143.24 грн
100+94.36 грн
500+79.26 грн
1000+75.41 грн
1500+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.82 грн
10+115.17 грн
100+79.18 грн
500+62.36 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2459 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.18 грн
500+62.36 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
4+96.00 грн
10+72.32 грн
100+45.52 грн
500+35.86 грн
1000+33.44 грн
1500+30.20 грн
3000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2459 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.97 грн
10+87.68 грн
100+58.13 грн
500+46.12 грн
1000+42.20 грн
1500+39.71 грн
3000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1450 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.31 грн
13+70.54 грн
100+54.96 грн
500+41.13 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1450 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.96 грн
500+41.13 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.54 грн
10+65.19 грн
100+49.72 грн
500+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D7N04XMT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.99 грн
10+82.91 грн
100+48.31 грн
500+39.56 грн
1000+34.57 грн
1500+31.78 грн
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS23D9N06HLT1GON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 23.9 mW, 23 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.86 грн
10+131.24 грн
100+90.77 грн
500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.43 грн
10+160.90 грн
100+110.94 грн
500+86.50 грн
1000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 252µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4470 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.94 грн
500+86.50 грн
1000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.87 грн
10+147.58 грн
100+89.08 грн
500+74.66 грн
1000+63.49 грн
1500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.44 грн
500+49.07 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.03 грн
11+80.03 грн
100+53.44 грн
500+49.07 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.50 грн
10+109.30 грн
100+78.06 грн
500+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.19 грн
10+123.27 грн
100+77.00 грн
500+62.88 грн
1500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.85 грн
10+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.88 грн
10+113.73 грн
100+80.02 грн
250+69.60 грн
500+64.24 грн
1000+63.56 грн
1500+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.30 грн
10+111.78 грн
100+90.61 грн
500+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
на замовлення 63979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.24 грн
10+97.74 грн
100+74.77 грн
500+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.91 грн
3000+49.63 грн
4500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.31 грн
14+62.50 грн
100+42.43 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.43 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D1N04XMT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5
Case: DFN5
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.6nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 506A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.62 грн
10+131.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.2mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.5mohm
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.53 грн
10+210.96 грн
25+173.63 грн
100+148.71 грн
250+140.41 грн
500+132.11 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.29 грн
10+202.33 грн
100+142.65 грн
500+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+105.91 грн
100+71.72 грн
500+61.00 грн
1000+49.60 грн
1500+46.73 грн
3000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.76 грн
3000+40.94 грн
4500+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.81 грн
10+106.70 грн
100+74.95 грн
500+56.07 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.95 грн
500+56.07 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.82 грн
10+188.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+87.60 грн
100+63.05 грн
500+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.98 грн
10+122.75 грн
100+98.02 грн
500+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.79 грн
10+153.28 грн
100+112.63 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 131A, 3.6mohm
на замовлення 22982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.62 грн
10+133.69 грн
100+94.36 грн
500+89.83 грн
1000+76.24 грн
1500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.63 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT1GON06+
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 15066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 14636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GON06+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GON0737+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT1GON2005
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NON09+
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT1GON2005
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
на замовлення 131261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT1GON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
на замовлення 728470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4121NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
на замовлення 7228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NON07+ SO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NONSO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NT1GON
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
на замовлення 46126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GON0814+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GON08+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GON2005
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708N
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT1GON0732+
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT1GON2005 QFN
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 64433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT1GON09+
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4709NT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4709NT3G
на замовлення 13516 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4741N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4744NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.