Продукція > IKW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKW03N120HInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 226
IKW03N120H2Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2INF07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IKW03N120H2INFTO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 219
IKW08N120Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.71 грн
10+ 400.72 грн
25+ 329.64 грн
100+ 285.51 грн
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.75 грн
10+ 363.25 грн
IKW08N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.76 грн
10+ 247.49 грн
100+ 157.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120INFINEONMODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120
Код товару: 113720		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.25 грн
10+ 200.74 грн
25+ 164.82 грн
100+ 141.46 грн
240+ 119.4 грн
1200+ 107.72 грн
2640+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.55 грн
10+ 249.18 грн
25+ 240.28 грн
50+ 210.89 грн
100+ 179.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.05 грн
10+ 143.4 грн
100+ 120.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.01 грн
10+ 201.48 грн
25+ 129.13 грн
100+ 114.21 грн
240+ 113.56 грн
480+ 107.72 грн
1200+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+134.41 грн
90+ 128.64 грн
93+ 123.74 грн
100+ 115.27 грн
Мінімальне замовлення: 86
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+241.09 грн
3+ 205.52 грн
6+ 171.96 грн
16+ 162.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.91 грн
3+ 164.93 грн
6+ 143.3 грн
16+ 135.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.32 грн
10+ 176.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.36 грн
10+ 216.41 грн
25+ 153.79 грн
100+ 132.37 грн
240+ 131.73 грн
480+ 99.93 грн
1200+ 94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.48 грн
10+ 360.43 грн
25+ 271.89 грн
100+ 238.14 грн
240+ 231.66 грн
480+ 177.15 грн
1200+ 167.41 грн
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.21 грн
30+ 281.82 грн
IKW15N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.18 грн
10+ 347.22 грн
100+ 248.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3Infineon TechnologiesDescription: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A
товар відсутній
IKW15N120H3
Код товару: 100561		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+387.53 грн
31+ 370.87 грн
50+ 356.75 грн
100+ 332.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW15N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.33 грн
10+ 319.39 грн
25+ 262.15 грн
100+ 224.52 грн
240+ 211.54 грн
480+ 199.21 грн
1200+ 170.01 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+235.33 грн
52+ 225.23 грн
54+ 216.64 грн
100+ 201.82 грн
250+ 181.2 грн
500+ 169.22 грн
1000+ 165.08 грн
Мінімальне замовлення: 49
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+591.15 грн
22+ 527.64 грн
50+ 456.31 грн
100+ 416.46 грн
200+ 369.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.19 грн
10+ 283.72 грн
25+ 210.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+406.86 грн
34+ 344.79 грн
49+ 237.19 грн
100+ 226.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.58 грн
10+ 318.64 грн
25+ 261.5 грн
100+ 223.87 грн
240+ 211.54 грн
480+ 199.21 грн
1200+ 170.01 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+342.89 грн
10+ 327.15 грн
25+ 214.25 грн
100+ 204.58 грн
240+ 187.48 грн
480+ 167.68 грн
1200+ 159.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.47 грн
30+ 270.46 грн
120+ 231.82 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.66 грн
10+ 408.19 грн
25+ 231.01 грн
100+ 200.51 грн
240+ 176.5 грн
480+ 164.17 грн
1200+ 154.44 грн
IKW15N120T2
Код товару: 126256		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120T2InfineonIGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+306.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+232.36 грн
51+ 225.77 грн
52+ 215.49 грн
100+ 195.7 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+484.8 грн
3+ 420.31 грн
4+ 311.47 грн
9+ 294.44 грн
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+369.04 грн
34+ 338.68 грн
50+ 314.99 грн
100+ 259.42 грн
480+ 219.73 грн
720+ 203.61 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.02 грн
10+ 332.69 грн
25+ 331.32 грн
50+ 308.15 грн
100+ 253.78 грн
480+ 214.95 грн
720+ 199.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404 грн
3+ 337.29 грн
4+ 259.56 грн
IKW15N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.54 грн
10+ 288.99 грн
100+ 219.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.76 грн
10+ 211.71 грн
25+ 209.64 грн
50+ 200.1 грн
100+ 181.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120
Код товару: 119901		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності 38 шт:
22 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15T120Infineon TechnologiesDescription: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
товар відсутній
IKW15T120 E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+313.46 грн
3000+ 310.23 грн
6000+ 307.1 грн
9000+ 293.02 грн
Мінімальне замовлення: 37
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+290.63 грн
3000+ 287.64 грн
6000+ 284.73 грн
9000+ 271.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+400.61 грн
46+ 255.02 грн
56+ 207.15 грн
100+ 186.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.96 грн
3+ 214.95 грн
5+ 164.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+182.73 грн
73+ 157.98 грн
78+ 149.16 грн
100+ 125.92 грн
Мінімальне замовлення: 63
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 186-195 дні (днів)
2+195.32 грн
10+ 172.38 грн
25+ 131.73 грн
100+ 113.56 грн
240+ 107.72 грн
480+ 86.3 грн
1200+ 81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+168.54 грн
10+ 145.7 грн
25+ 137.57 грн
100+ 116.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+308.35 грн
3+ 267.86 грн
5+ 197.1 грн
14+ 186.56 грн
IKW20N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.61 грн
10+ 209.69 грн
25+ 171.96 грн
100+ 147.95 грн
240+ 138.86 грн
480+ 131.08 грн
1200+ 111.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60T
Код товару: 187316		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60T E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 132
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.04 грн
30+ 177.84 грн
120+ 152.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+156.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.4 грн
10+ 239.25 грн
25+ 232.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+192.21 грн
10+ 174.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+279.72 грн
49+ 235.5 грн
52+ 222.7 грн
100+ 180.68 грн
240+ 165.11 грн
480+ 125.46 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.45 грн
10+ 212.55 грн
100+ 160.87 грн
500+ 139.24 грн
1000+ 118.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+301.75 грн
43+ 270.14 грн
50+ 242.36 грн
100+ 213.38 грн
200+ 196.72 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.74 грн
10+ 218.68 грн
25+ 206.8 грн
100+ 167.78 грн
240+ 153.32 грн
480+ 116.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.61 грн
10+ 220.88 грн
25+ 175.85 грн
100+ 151.19 грн
480+ 111.61 грн
1200+ 105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005348286
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.41 грн
10+ 188.53 грн
100+ 120.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.37 грн
10+ 211.18 грн
25+ 172.61 грн
100+ 148.6 грн
240+ 139.51 грн
480+ 112.26 грн
1200+ 105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.72 грн
30+ 173.17 грн
120+ 148.45 грн
510+ 123.83 грн
1020+ 106.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.02 грн
10+ 346.92 грн
25+ 319.99 грн
50+ 307.52 грн
100+ 253.78 грн
480+ 230.97 грн
720+ 199.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.1 грн
30+ 419.8 грн
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+323.51 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419560
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.78 грн
5+ 400.36 грн
10+ 331.21 грн
50+ 286.59 грн
100+ 245.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.76 грн
10+ 363.41 грн
25+ 287.46 грн
100+ 263.45 грн
240+ 247.88 грн
480+ 232.95 грн
1200+ 209.59 грн
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+389.55 грн
34+ 344.73 грн
37+ 317.97 грн
50+ 305.57 грн
100+ 252.17 грн
480+ 229.51 грн
720+ 198.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW25N120H3
Код товару: 113551		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+375.7 грн
32+ 359.55 грн
50+ 345.86 грн
100+ 322.19 грн
250+ 289.27 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW25N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.79 грн
10+ 366.4 грн
25+ 288.76 грн
100+ 265.4 грн
240+ 249.18 грн
480+ 233.6 грн
1200+ 210.24 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+424.7 грн
10+ 393.26 грн
25+ 290.06 грн
100+ 262.8 грн
240+ 256.31 грн
480+ 210.24 грн
1200+ 200.51 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+503.88 грн
26+ 455.98 грн
50+ 399.47 грн
100+ 366.72 грн
200+ 326.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.99 грн
3+ 353.51 грн
7+ 333.91 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.89 грн
5+ 411.28 грн
10+ 339.94 грн
50+ 294.71 грн
100+ 252.07 грн
250+ 213.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+593.99 грн
3+ 440.53 грн
7+ 400.69 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.7 грн
30+ 306.51 грн
120+ 274.26 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.26 грн
10+ 349.98 грн
25+ 277.73 грн
100+ 257.61 грн
240+ 243.34 грн
480+ 229.06 грн
1200+ 210.24 грн
IKW25N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+438.33 грн
10+ 417.89 грн
25+ 297.19 грн
100+ 273.18 грн
240+ 272.54 грн
480+ 216.73 грн
1200+ 207 грн
IKW25N120T2
Код товару: 39789		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+324.25 грн
42+ 276.5 грн
120+ 271.21 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+608.3 грн
21+ 549.86 грн
50+ 482.81 грн
100+ 443.39 грн
200+ 395.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.09 грн
30+ 256.75 грн
120+ 251.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.63 грн
30+ 315.77 грн
120+ 282.53 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+260.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+300.51 грн
40+ 287.6 грн
50+ 276.64 грн
100+ 257.71 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.22 грн
3+ 353.51 грн
7+ 333.91 грн
100+ 320.39 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.89 грн
5+ 433.84 грн
10+ 377.07 грн
50+ 304.17 грн
100+ 238.34 грн
250+ 233.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+663.87 грн
3+ 440.53 грн
7+ 400.69 грн
100+ 384.47 грн
IKW25N120T2XKInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IKW25T120
Код товару: 175269		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.8 грн
10+ 390.28 грн
25+ 307.58 грн
100+ 282.27 грн
240+ 265.4 грн
480+ 248.53 грн
1200+ 235.55 грн
IKW25T120Infineon TechnologiesDescription: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.84 грн
10+ 349.98 грн
25+ 246.58 грн
100+ 228.41 грн
240+ 213.49 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+299.95 грн
42+ 279.95 грн
43+ 273.05 грн
50+ 260.64 грн
100+ 213.14 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+546.82 грн
3+ 377.36 грн
8+ 343.91 грн
120+ 339.05 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+243.4 грн
50+ 224.62 грн
52+ 192.1 грн
100+ 185.54 грн
250+ 179.95 грн
Мінімальне замовлення: 48
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.67 грн
30+ 326.45 грн
120+ 292.09 грн
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.68 грн
3+ 302.82 грн
8+ 286.59 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+370.51 грн
5+ 325.38 грн
10+ 279.52 грн
50+ 241.31 грн
100+ 205.28 грн
250+ 200.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.53 грн
10+ 259.95 грн
25+ 253.55 грн
50+ 242.02 грн
100+ 197.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+746.51 грн
18+ 666.39 грн
50+ 576.49 грн
100+ 526.7 грн
200+ 467.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW25T120FKSA1Infineon1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+233.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.39 грн
10+ 286.74 грн
25+ 276.46 грн
50+ 263.91 грн
100+ 206.38 грн
480+ 196.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+170.33 грн
25+ 147.75 грн
100+ 109.66 грн
240+ 109.01 грн
480+ 83.06 грн
1200+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+156.34 грн
85+ 135.82 грн
100+ 128.98 грн
Мінімальне замовлення: 74
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.38 грн
30+ 132.48 грн
120+ 113.56 грн
510+ 94.73 грн
1020+ 81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+154.08 грн
86+ 134.98 грн
105+ 109.51 грн
107+ 104.54 грн
240+ 95.83 грн
480+ 78.42 грн
Мінімальне замовлення: 75
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.22 грн
10+ 135.09 грн
25+ 109.6 грн
100+ 104.63 грн
240+ 95.91 грн
480+ 78.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3
Код товару: 94542		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.41 грн
10+ 192.53 грн
25+ 158.33 грн
100+ 134.97 грн
240+ 127.18 грн
480+ 119.4 грн
1200+ 102.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.68 грн
10+ 174.7 грн
100+ 157.96 грн
500+ 131.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
30+ 163.01 грн
120+ 139.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+213.13 грн
58+ 201.45 грн
68+ 171.36 грн
100+ 149.28 грн
240+ 133.31 грн
480+ 105.37 грн
Мінімальне замовлення: 54
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+282.6 грн
47+ 248.11 грн
59+ 197.34 грн
100+ 189.37 грн
200+ 166.79 грн
480+ 151.08 грн
Мінімальне замовлення: 41
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.41 грн
10+ 207.45 грн
25+ 149.25 грн
100+ 130.43 грн
240+ 129.78 грн
480+ 115.5 грн
1200+ 97.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+160.55 грн
74+ 156.57 грн
80+ 144.38 грн
100+ 131.91 грн
Мінімальне замовлення: 72
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+311.84 грн
5+ 208.05 грн
13+ 189.8 грн
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+195.91 грн
10+ 185.17 грн
25+ 157.51 грн
100+ 137.21 грн
240+ 122.54 грн
480+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.87 грн
5+ 166.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+149.08 грн
10+ 145.38 грн
25+ 134.07 грн
100+ 122.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60T
Код товару: 99658		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+345.05 грн
35+ 330.22 грн
50+ 317.64 грн
100+ 295.9 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.63 грн
10+ 256.7 грн
25+ 210.89 грн
100+ 180.39 грн
240+ 169.36 грн
480+ 159.63 грн
1200+ 136.92 грн
IKW30N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+206.37 грн
6+ 95.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.63 грн
10+ 278.34 грн
25+ 207 грн
100+ 178.45 грн
240+ 174.55 грн
480+ 136.92 грн
1200+ 129.13 грн
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+363.96 грн
10+ 221.29 грн
100+ 168.88 грн
500+ 152.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+284.98 грн
30+ 217.42 грн
120+ 186.37 грн
510+ 155.46 грн
1020+ 133.12 грн
2010+ 125.34 грн
IKW30N60TFKSA1Infineon45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+230.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.49 грн
10+ 248.22 грн
100+ 158.69 грн
500+ 144.65 грн
1000+ 131.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.97 грн
30+ 242.79 грн
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+491.48 грн
28+ 416.25 грн
50+ 316.58 грн
200+ 286.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.97 грн
10+ 286.55 грн
25+ 234.9 грн
100+ 175.85 грн
240+ 146 грн
1200+ 144.05 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.19 грн
10+ 239.54 грн
25+ 195.97 грн
100+ 168.06 грн
240+ 158.98 грн
480+ 149.89 грн
1200+ 133.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.73 грн
30+ 203.41 грн
120+ 174.36 грн
510+ 145.45 грн
1020+ 124.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.06 грн
10+ 194.13 грн
25+ 187.73 грн
100+ 165.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+195.25 грн
65+ 179.34 грн
67+ 173.84 грн
100+ 154.27 грн
240+ 138.13 грн
480+ 119.94 грн
1200+ 115.53 грн
Мінімальне замовлення: 59
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+197.33 грн
10+ 181.24 грн
25+ 175.69 грн
100+ 155.91 грн
240+ 139.6 грн
480+ 121.22 грн
1200+ 116.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+414.92 грн
3+ 359.67 грн
4+ 252.26 грн
11+ 238.47 грн
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+229.45 грн
55+ 209.06 грн
57+ 202.17 грн
100+ 178.24 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.76 грн
3+ 288.62 грн
4+ 210.21 грн
11+ 198.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.8 грн
10+ 313.01 грн
25+ 255.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+384.98 грн
36+ 326.35 грн
50+ 248.19 грн
100+ 238.38 грн
200+ 208.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.29 грн
10+ 255.21 грн
25+ 190.13 грн
100+ 165.47 грн
240+ 164.82 грн
480+ 127.83 грн
1200+ 120.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.28 грн
10+ 221.29 грн
100+ 149.95 грн
500+ 134.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW30N65ET7
товар відсутній
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.7 грн
10+ 241.03 грн
25+ 197.26 грн
100+ 168.71 грн
240+ 159.63 грн
480+ 131.08 грн
1200+ 122.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.14 грн
30+ 204.56 грн
120+ 175.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+405.5 грн
32+ 361.53 грн
50+ 330.26 грн
100+ 289.26 грн
200+ 266.08 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW30N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.63 грн
30+ 201.86 грн
120+ 173.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+413.32 грн
32+ 362.5 грн
50+ 327.34 грн
100+ 284.55 грн
200+ 260.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.92 грн
10+ 263.42 грн
25+ 195.32 грн
100+ 168.06 грн
240+ 160.28 грн
480+ 126.53 грн
1200+ 120.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.19 грн
10+ 226.38 грн
100+ 149.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5Infineon TechnologiesDescription: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+212.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.18 грн
10+ 331.33 грн
100+ 249.82 грн
240+ 236.85 грн
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.59 грн
30+ 135.73 грн
120+ 116.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+326.69 грн
3+ 283.02 грн
5+ 214.13 грн
13+ 201.97 грн
IKW30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.47 грн
10+ 152.14 грн
100+ 118.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.1 грн
10+ 179.09 грн
25+ 135.62 грн
100+ 116.15 грн
240+ 113.56 грн
480+ 88.25 грн
1200+ 83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+331.24 грн
40+ 292.16 грн
50+ 258.94 грн
100+ 226.13 грн
200+ 207.64 грн
Мінімальне замовлення: 35
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.24 грн
3+ 227.11 грн
5+ 178.45 грн
13+ 168.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.03 грн
10+ 434.3 грн
25+ 342.62 грн
100+ 314.71 грн
240+ 295.9 грн
480+ 277.08 грн
1200+ 249.18 грн
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.35 грн
5+ 506.64 грн
10+ 422.2 грн
50+ 365.68 грн
100+ 312.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CS6Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+657.6 грн
24+ 479.76 грн
50+ 425.04 грн
100+ 385.37 грн
200+ 335.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+294.79 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.11 грн
30+ 338.37 грн
120+ 302.75 грн
510+ 250.7 грн
IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.92 грн
10+ 410.43 грн
25+ 288.76 грн
100+ 263.45 грн
240+ 262.15 грн
480+ 221.92 грн
IKW40N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.22 грн
5+ 466.6 грн
10+ 387.26 грн
50+ 335.94 грн
100+ 288.26 грн
250+ 282.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.38 грн
10+ 303.01 грн
25+ 286 грн
50+ 274.69 грн
100+ 239.28 грн
480+ 215.32 грн
720+ 194.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.65 грн
3+ 335.94 грн
7+ 317.69 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+263.08 грн
Мінімальне замовлення: 44
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.93 грн
10+ 307.35 грн
25+ 290.98 грн
50+ 279.56 грн
100+ 244.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+627.18 грн
3+ 418.63 грн
7+ 381.22 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.2 грн
10+ 370.23 грн
25+ 338.49 грн
50+ 323.55 грн
100+ 273.69 грн
480+ 239.7 грн
720+ 209.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+225.69 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005415716
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.95 грн
10+ 396.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.67 грн
30+ 382.71 грн
120+ 342.43 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.53 грн
10+ 491.02 грн
25+ 365.33 грн
100+ 331.58 грн
240+ 311.47 грн
480+ 292 грн
1200+ 250.47 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.56 грн
5+ 462.96 грн
10+ 407.64 грн
50+ 360.27 грн
100+ 315.71 грн
250+ 278.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.48 грн
10+ 475.35 грн
25+ 375.06 грн
100+ 344.56 грн
240+ 323.15 грн
480+ 303.68 грн
1200+ 295.9 грн
IKW40N120H3Infineon TechnologiesHigh speed Trans IGBT Chip
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+500.85 грн
25+ 479.33 грн
50+ 461.07 грн
100+ 429.52 грн
250+ 385.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120H3
Код товару: 153177		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3Infineon80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+303.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+812.95 грн
16+ 726 грн
50+ 627.3 грн
100+ 572.87 грн
200+ 508.62 грн
960+ 485.76 грн
1920+ 428.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.31 грн
10+ 479.08 грн
25+ 367.27 грн
100+ 344.56 грн
240+ 302.38 грн
480+ 272.54 грн
1200+ 260.86 грн
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.02 грн
30+ 397.88 грн
120+ 356 грн
510+ 294.79 грн
1020+ 265.31 грн
2010+ 248.6 грн
IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 483W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.74 грн
5+ 538.66 грн
10+ 449.86 грн
50+ 390.01 грн
100+ 333.81 грн
250+ 312.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2
Код товару: 150870		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+520.16 грн
25+ 497.81 грн
50+ 478.84 грн
100+ 446.08 грн
250+ 400.51 грн
500+ 374.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.66 грн
10+ 514.15 грн
25+ 405.56 грн
100+ 372.46 грн
240+ 350.4 грн
480+ 328.99 грн
1200+ 295.9 грн
IKW40N120T2
Код товару: 73806		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2InfineonTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+395.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.55 грн
10+ 476.96 грн
25+ 449.57 грн
100+ 386.39 грн
240+ 341.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.84 грн
5+ 543.76 грн
10+ 454.95 грн
50+ 394.07 грн
100+ 336.93 грн
250+ 284.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.45 грн
2+ 431.24 грн
5+ 407.59 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.66 грн
10+ 591.01 грн
25+ 416.59 грн
100+ 372.46 грн
240+ 370.52 грн
480+ 295.25 грн
1200+ 282.92 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+384.42 грн
32+ 367.91 грн
50+ 353.89 грн
100+ 329.67 грн
250+ 295.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+724.14 грн
2+ 537.4 грн
5+ 489.1 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+707.43 грн
18+ 639.03 грн
50+ 560.86 грн
100+ 514.45 грн
200+ 458.89 грн
960+ 407.04 грн
1920+ 362.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.84 грн
30+ 431.06 грн
120+ 385.7 грн
510+ 319.38 грн
1020+ 287.44 грн
IKW40N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPInfineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.35 грн
10+ 190.05 грн
25+ 184.44 грн
100+ 144.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.35 грн
30+ 152.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+111.26 грн
109+ 106.29 грн
Мінімальне замовлення: 104
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 40A 306W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.19 грн
10+ 306.7 грн
25+ 243.34 грн
100+ 221.92 грн
240+ 188.18 грн
1200+ 164.17 грн
2640+ 163.52 грн
IKW40N60H3Infineon technologies
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+492.46 грн
27+ 438.73 грн
50+ 400.61 грн
100+ 351.44 грн
200+ 322.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW40N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.91 грн
10+ 293.35 грн
100+ 189.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+479.56 грн
3+ 416.1 грн
4+ 306.6 грн
9+ 290.38 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.14 грн
30+ 260.41 грн
120+ 223.21 грн
510+ 186.2 грн
1020+ 159.43 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.63 грн
3+ 333.91 грн
4+ 255.5 грн
9+ 241.98 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842		Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IKW40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.43 грн
10+ 282.82 грн
25+ 232.3 грн
100+ 199.21 грн
240+ 187.53 грн
480+ 176.5 грн
1200+ 157.03 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+408.62 грн
33+ 358.5 грн
36+ 328.08 грн
50+ 307.2 грн
100+ 189.95 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.34 грн
30+ 233.17 грн
120+ 199.86 грн
510+ 166.72 грн
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.44 грн
10+ 332.9 грн
25+ 304.64 грн
50+ 285.26 грн
100+ 176.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.04 грн
10+ 369.06 грн
25+ 302.09 грн
240+ 238.6 грн
720+ 211.51 грн
1200+ 201.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.58 грн
10+ 298.49 грн
25+ 221.27 грн
100+ 190.77 грн
240+ 186.88 грн
480+ 146.65 грн
1200+ 138.21 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+375.61 грн
10+ 336.3 грн
25+ 276.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.56 грн
10+ 272.37 грн
25+ 223.87 грн
100+ 167.41 грн
240+ 161.57 грн
480+ 141.46 грн
1200+ 136.92 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005403468
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.41 грн
30+ 224.16 грн
120+ 192.13 грн
510+ 160.27 грн
IKW40N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65F5FInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товар відсутній
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+355.66 грн
10+ 320.23 грн
25+ 319.82 грн
50+ 289.38 грн
100+ 227.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.31 грн
3+ 287.95 грн
4+ 220.35 грн
10+ 208.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.01 грн
10+ 251.86 грн
100+ 187.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 727 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+289.95 грн
10+ 272.37 грн
25+ 201.81 грн
100+ 173.9 грн
240+ 170.01 грн
480+ 133.67 грн
1200+ 125.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+402.57 грн
34+ 341.01 грн
50+ 259.91 грн
200+ 234.61 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.96 грн
30+ 212.45 грн
120+ 182.08 грн
510+ 151.89 грн
1020+ 130.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+413.17 грн
3+ 358.83 грн
4+ 264.42 грн
10+ 249.82 грн
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+277.22 грн
44+ 265.31 грн
50+ 255.2 грн
100+ 237.73 грн
250+ 213.44 грн
500+ 199.34 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW40N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW40N65H5Infineon technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65H5InfineonIGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+202.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.86 грн
10+ 281.33 грн
25+ 227.11 грн
100+ 194.67 грн
240+ 183.64 грн
480+ 172.61 грн
1200+ 139.51 грн
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.44 грн
30+ 234.59 грн
120+ 201.08 грн
510+ 167.74 грн
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+363.48 грн
38+ 307.79 грн
50+ 234.51 грн
200+ 211.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.87 грн
10+ 272.97 грн
100+ 207.46 грн
500+ 177.09 грн
1000+ 149.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.26 грн
10+ 192.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.12 грн
30+ 310.66 грн
120+ 266.28 грн
IKW40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.76 грн
5+ 465.87 грн
10+ 387.26 грн
50+ 327.15 грн
100+ 272.66 грн
250+ 242.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038146
товар відсутній
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.11 грн
10+ 366.4 грн
25+ 300.44 грн
100+ 257.61 грн
240+ 242.69 грн
480+ 228.41 грн
1200+ 195.32 грн
IKW40N65WR5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+380.09 грн
35+ 336.13 грн
50+ 297.04 грн
100+ 259.11 грн
200+ 238.17 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+168.44 грн
10+ 153 грн
25+ 148.66 грн
50+ 141.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.72 грн
3+ 248.74 грн
5+ 190.61 грн
12+ 179.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+200.52 грн
10+ 173.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+357.27 грн
3+ 309.97 грн
5+ 228.74 грн
12+ 215.76 грн
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.25 грн
10+ 225.36 грн
25+ 170.01 грн
100+ 155.73 грн
240+ 125.24 грн
480+ 98.63 грн
1200+ 92.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+181.4 грн
70+ 164.77 грн
72+ 160.09 грн
73+ 152.82 грн
Мінімальне замовлення: 64
IKW40T120Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 500094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.97 грн
10+ 473.85 грн
25+ 373.76 грн
100+ 343.26 грн
240+ 323.15 грн
480+ 302.38 грн
1200+ 271.89 грн
IKW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+575.67 грн
25+ 550.94 грн
50+ 529.95 грн
100+ 493.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW40T120INFINEON10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Код товару: 48060		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+293.95 грн
41+ 281.32 грн
50+ 270.6 грн
100+ 252.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.21 грн
10+ 528.33 грн
25+ 371.82 грн
100+ 342.62 грн
240+ 336.78 грн
480+ 271.89 грн
1200+ 260.21 грн
IKW40T120FKSA1InfineonIGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+366.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.92 грн
30+ 396.77 грн
120+ 355.02 грн
510+ 293.97 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.52 грн
5+ 502.27 грн
10+ 419.29 грн
50+ 381.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.39 грн
10+ 414.67 грн
25+ 376.39 грн
100+ 247.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.68 грн
3+ 464.96 грн
6+ 423.4 грн
30+ 405.56 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+728.92 грн
18+ 658.57 грн
50+ 577.47 грн
100+ 530.47 грн
200+ 472.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.23 грн
3+ 373.11 грн
6+ 352.84 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IKW40TI20FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.84 грн
5+ 543.76 грн
10+ 455.68 грн
50+ 394.07 грн
100+ 336.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.36 грн
10+ 524.18 грн
25+ 476.22 грн
30+ 454.61 грн
100+ 390.95 грн
120+ 375.19 грн
240+ 353.17 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.25 грн
10+ 499.97 грн
25+ 393.88 грн
100+ 362.08 грн
240+ 340.02 грн
480+ 318.61 грн
1200+ 286.81 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.99 грн
30+ 418.06 грн
120+ 374.04 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+656.23 грн
21+ 564.5 грн
25+ 512.85 грн
30+ 489.58 грн
100+ 421.02 грн
120+ 404.05 грн
240+ 380.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.96 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.12 грн
10+ 430.96 грн
25+ 406.41 грн
100+ 372.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.77 грн
30+ 440.46 грн
120+ 394.11 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+479.36 грн
25+ 464.11 грн
27+ 437.67 грн
100+ 401.64 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.21 грн
10+ 529.44 грн
25+ 479.62 грн
30+ 454.61 грн
100+ 399.15 грн
120+ 368.35 грн
240+ 354.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.46 грн
5+ 615.1 грн
10+ 511.73 грн
50+ 447.47 грн
100+ 386.84 грн
250+ 362.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+758.71 грн
18+ 650.1 грн
25+ 578.21 грн
100+ 522.89 грн
240+ 455.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.29 грн
10+ 564.89 грн
25+ 419.83 грн
100+ 381.55 грн
240+ 367.92 грн
480+ 343.26 грн
1200+ 302.38 грн
IKW50N60DTPInfineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N60DTPInfineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+297.87 грн
3+ 253.54 грн
5+ 212.51 грн
13+ 201.16 грн
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.71 грн
10+ 209.69 грн
25+ 153.14 грн
100+ 151.19 грн
240+ 129.78 грн
480+ 129.13 грн
1200+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.22 грн
3+ 203.46 грн
5+ 177.09 грн
13+ 167.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.95 грн
30+ 181.67 грн
120+ 155.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3
Код товару: 94376		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+181.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+349.99 грн
35+ 334.95 грн
50+ 322.19 грн
100+ 300.14 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+181.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.85 грн
10+ 387.29 грн
25+ 317.96 грн
100+ 272.54 грн
240+ 257.61 грн
480+ 242.04 грн
1200+ 207.65 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+352.22 грн
34+ 346.01 грн
37+ 312.83 грн
100+ 271.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.99 грн
3+ 281.86 грн
8+ 266.32 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.47 грн
10+ 418.63 грн
25+ 304.33 грн
100+ 255.02 грн
240+ 254.37 грн
480+ 201.16 грн
1200+ 189.48 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+433.95 грн
32+ 367.85 грн
50+ 279.72 грн
100+ 268.81 грн
200+ 235.21 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+475.19 грн
3+ 351.24 грн
8+ 319.58 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.05 грн
30+ 319.4 грн
120+ 273.77 грн
IKW50N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.25 грн
10+ 345.04 грн
100+ 232.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+431.58 грн
28+ 413.03 грн
50+ 397.3 грн
100+ 370.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+260.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60T
Код товару: 145126		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 741 шт:
термін постачання 236-245 дні (днів)
1+457.25 грн
10+ 385.8 грн
25+ 304.33 грн
100+ 279.67 грн
240+ 262.8 грн
IKW50N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+286.49 грн
Мінімальне замовлення: 68
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.05 грн
10+ 528.73 грн
25+ 498.7 грн
100+ 465.93 грн
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+417.9 грн
32+ 366.6 грн
35+ 335.75 грн
100+ 298.91 грн
240+ 261.19 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.65 грн
10+ 459.68 грн
25+ 341.97 грн
240+ 323.8 грн
480+ 246.58 грн
1200+ 221.92 грн
2640+ 211.54 грн
IKW50N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.21 грн
5+ 460.05 грн
10+ 382.16 грн
50+ 331.21 грн
100+ 283.27 грн
250+ 265.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.98 грн
10+ 366.67 грн
25+ 335.81 грн
100+ 298.97 грн
240+ 261.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.45 грн
30+ 323.5 грн
120+ 289.43 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+643.92 грн
22+ 522.76 грн
50+ 451.42 грн
100+ 412.69 грн
200+ 366.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65EH5Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.42 грн
10+ 352.89 грн
25+ 329.48 грн
100+ 252.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.64 грн
30+ 288.19 грн
120+ 247.01 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+552.07 грн
24+ 499.3 грн
50+ 437.74 грн
100+ 402.33 грн
200+ 358.56 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.19 грн
10+ 350.73 грн
25+ 287.46 грн
100+ 223.22 грн
240+ 186.88 грн
1200+ 176.5 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+454.91 грн
31+ 380.04 грн
33+ 354.82 грн
100+ 272.39 грн
Мінімальне замовлення: 26
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 316-325 дні (днів)
1+422.43 грн
10+ 349.98 грн
25+ 287.46 грн
100+ 245.93 грн
240+ 232.3 грн
480+ 218.68 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+506.14 грн
26+ 443.61 грн
50+ 400.61 грн
100+ 347.67 грн
200+ 319.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+367.03 грн
10+ 306.34 грн
100+ 266.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.33 грн
10+ 337.03 грн
100+ 219.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+366.53 грн
38+ 305.92 грн
100+ 266.03 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 317-326 дні (днів)
1+432.27 грн
10+ 417.14 грн
25+ 292 грн
100+ 255.66 грн
240+ 254.37 грн
480+ 203.1 грн
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 273W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.25 грн
10+ 270.79 грн
100+ 206.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.05 грн
10+ 268.64 грн
25+ 201.81 грн
100+ 168.06 грн
240+ 162.22 грн
480+ 157.68 грн
1200+ 148.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.8 грн
30+ 250.07 грн
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+464.13 грн
29+ 406.48 грн
50+ 368.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW50N65F5
Код товару: 187321		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+319.47 грн
10+ 314.16 грн
25+ 217.38 грн
100+ 186.23 грн
240+ 171.96 грн
480+ 138.86 грн
1200+ 131.08 грн
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Mounting: THT
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Mounting: THT
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+412.88 грн
33+ 349.65 грн
50+ 266.31 грн
100+ 255.88 грн
200+ 223.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 14315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+366.87 грн
10+ 277.34 грн
100+ 166.69 грн
500+ 152.08 грн
1000+ 137.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65H5AInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+349.12 грн
10+ 345.63 грн
25+ 276.61 грн
100+ 198.93 грн
480+ 153.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.37 грн
10+ 301.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+337.18 грн
3+ 287.23 грн
4+ 240.09 грн
11+ 226.3 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+372.22 грн
39+ 297.88 грн
100+ 214.23 грн
480+ 165.59 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW50N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.18 грн
10+ 299.18 грн
100+ 189.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+461.73 грн
28+ 410.96 грн
50+ 375.52 грн
100+ 328.85 грн
200+ 302.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+244.78 грн
48+ 242.32 грн
52+ 223.55 грн
100+ 193.02 грн
Мінімальне замовлення: 47
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.41 грн
10+ 352.22 грн
25+ 253.72 грн
100+ 204.4 грн
480+ 180.39 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.06 грн
30+ 239.01 грн
120+ 204.86 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.29 грн
10+ 225.01 грн
25+ 207.58 грн
100+ 179.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+233.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.98 грн
3+ 230.49 грн
4+ 200.08 грн
11+ 188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 305W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.96 грн
5+ 586.71 грн
10+ 512.46 грн
50+ 442.06 грн
100+ 376.23 грн
250+ 318.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038142
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.69 грн
10+ 517.14 грн
25+ 408.15 грн
100+ 374.41 грн
240+ 351.7 грн
480+ 297.19 грн
1200+ 283.57 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.95 грн
30+ 432.84 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+986.88 грн
13+ 897.96 грн
50+ 798.3 грн
100+ 701.94 грн
200+ 627.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1221.39 грн
11+ 1104.13 грн
50+ 986.88 грн
100+ 867.77 грн
200+ 776.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+662.08 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.09 грн
5+ 736.66 грн
10+ 660.23 грн
50+ 579.27 грн
100+ 486.67 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP001668430
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.95 грн
10+ 738.02 грн
25+ 556.1 грн
100+ 523.01 грн
240+ 506.14 грн
480+ 443.84 грн
1200+ 434.76 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.46 грн
30+ 491.87 грн
120+ 440.09 грн
IKW50N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 282W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.81 грн
10+ 208.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.27 грн
30+ 186.49 грн
120+ 159.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+427.15 грн
3+ 370.62 грн
4+ 273.35 грн
10+ 257.94 грн
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.05 грн
10+ 226.85 грн
25+ 184.29 грн
100+ 159.63 грн
240+ 134.32 грн
480+ 120.69 грн
1200+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+488.55 грн
27+ 427.97 грн
50+ 386.94 грн
100+ 335.43 грн
200+ 307.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.96 грн
3+ 297.41 грн
4+ 227.79 грн
10+ 214.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.17 грн
10+ 447.74 грн
25+ 353 грн
100+ 323.8 грн
240+ 304.98 грн
480+ 285.51 грн
1200+ 269.94 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.09 грн
3+ 325.12 грн
7+ 307.55 грн
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+397.78 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW60N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.63 грн
5+ 520.47 грн
10+ 434.57 грн
50+ 369.06 грн
100+ 308.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.14 грн
10+ 402.11 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+609.71 грн
3+ 405.15 грн
7+ 369.06 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.13 грн
10+ 602.95 грн
25+ 475.64 грн
100+ 436.71 грн
240+ 410.1 грн
480+ 384.79 грн
1200+ 346.51 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+828.21 грн
18+ 646.81 грн
100+ 524.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.17 грн
30+ 522.52 грн
120+ 467.52 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.05 грн
10+ 600.61 грн
100+ 487.46 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+776.55 грн
2+ 573.62 грн
5+ 522.36 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.91 грн
10+ 596.98 грн
25+ 415.94 грн
100+ 372.46 грн
480+ 321.2 грн
1200+ 271.24 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+687.88 грн
23+ 501.26 грн
50+ 444.58 грн
100+ 402.33 грн
200+ 351.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.15 грн
5+ 428.75 грн
10+ 384.34 грн
50+ 322.42 грн
100+ 265.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.83 грн
10+ 416.8 грн
25+ 410.53 грн
100+ 368.49 грн
240+ 323.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+479.05 грн
26+ 448.86 грн
27+ 442.11 грн
100+ 396.84 грн
240+ 348.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.13 грн
2+ 460.31 грн
5+ 435.3 грн
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+453.78 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N60T
Код товару: 40498		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+570.61 грн
25+ 546.09 грн
50+ 525.29 грн
100+ 489.34 грн
250+ 439.35 грн
500+ 410.3 грн
1000+ 400.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.88 грн
10+ 510.42 грн
25+ 402.96 грн
100+ 369.87 грн
240+ 348.46 грн
480+ 326.39 грн
1200+ 293.95 грн
IKW75N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+621.96 грн
20+ 587.05 грн
26+ 458.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1Infineon80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+336.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.5 грн
2+ 469.77 грн
3+ 469.1 грн
5+ 443.41 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+718.46 грн
22+ 524 грн
50+ 464.61 грн
100+ 421.22 грн
200+ 366.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.48 грн
30+ 415.45 грн
120+ 371.73 грн
510+ 307.81 грн
1020+ 277.03 грн
2010+ 259.59 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.63 грн
10+ 582.8 грн
25+ 403.61 грн
100+ 370.52 грн
240+ 366.62 грн
480+ 293.95 грн
1200+ 275.13 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+791.4 грн
2+ 585.41 грн
3+ 562.92 грн
5+ 532.09 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.61 грн
10+ 543.29 грн
25+ 423.98 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.57 грн
5+ 551.04 грн
10+ 460.78 грн
50+ 399.48 грн
100+ 341.92 грн
250+ 320.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TXKInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+511.83 грн
25+ 489.84 грн
50+ 471.18 грн
100+ 438.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
на замовлення 81 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+435.98 грн
30+ 394.45 грн
32+ 370.23 грн
100+ 334.76 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.22 грн
5+ 482.61 грн
10+ 411.28 грн
50+ 338.64 грн
100+ 272.04 грн
250+ 266.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.84 грн
10+ 366.27 грн
25+ 343.78 грн
100+ 310.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.69 грн
30+ 331.79 грн
120+ 296.87 грн
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+774.84 грн
21+ 564.77 грн
50+ 501.26 грн
100+ 454.15 грн
200+ 396.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 296-305 дні (днів)
1+468.61 грн
10+ 426.1 грн
25+ 316.01 грн
100+ 287.46 грн
240+ 256.96 грн
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65EL5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.61 грн
10+ 450.72 грн
25+ 343.26 грн
100+ 302.38 грн
240+ 297.84 грн
480+ 279.67 грн
1200+ 263.45 грн
IKW75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.85 грн
5+ 558.32 грн
10+ 468.78 грн
50+ 398.8 грн
100+ 333.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+475.13 грн
26+ 454.72 грн
50+ 437.39 грн
100+ 407.46 грн
250+ 365.83 грн
500+ 341.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.94 грн
30+ 402.25 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.4 грн
10+ 588.08 грн
100+ 375.02 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.41 грн
10+ 518.77 грн
100+ 357.96 грн
500+ 344.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+706.89 грн
19+ 633.32 грн
100+ 403.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.13 грн
10+ 420.87 грн
25+ 332.23 грн
100+ 304.98 грн
240+ 286.81 грн
480+ 269.29 грн
1200+ 242.04 грн
IKW75N65ES5Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65ES5
Код товару: 169192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.61 грн
10+ 399.23 грн
25+ 281.62 грн
240+ 238.79 грн
1200+ 229.06 грн
2640+ 224.52 грн
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+723.06 грн
22+ 526.67 грн
50+ 467.06 грн
100+ 423.06 грн
200+ 369.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.02 грн
30+ 342.22 грн
120+ 306.21 грн
510+ 253.56 грн
1020+ 228.2 грн
2010+ 213.83 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+748.47 грн
17+ 677.14 грн
50+ 594.08 грн
100+ 545.54 грн
200+ 485.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.31 грн
5+ 460.05 грн
10+ 369.06 грн
50+ 327.83 грн
100+ 288.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.59 грн
30+ 360.54 грн
120+ 322.57 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+564.5 грн
23+ 522.04 грн
29+ 408.16 грн
50+ 389.67 грн
100+ 336.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.49 грн
10+ 446.99 грн
25+ 308.87 грн
100+ 288.11 грн
240+ 281.62 грн
480+ 255.02 грн
1200+ 238.79 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.18 грн
10+ 484.76 грн
25+ 379.01 грн
50+ 361.84 грн
100+ 312.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.22 грн
30+ 451.75 грн
120+ 404.18 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+769.16 грн
10+ 668.62 грн
25+ 556.1 грн
100+ 503.54 грн
240+ 417.89 грн
480+ 404.91 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1016.19 грн
16+ 757.26 грн
50+ 708.41 грн
100+ 604.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.7 грн
5+ 714.09 грн
10+ 642.76 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+894.82 грн
10+ 866.37 грн
25+ 676.8 грн
50+ 609.96 грн
100+ 572.32 грн
240+ 555.45 грн
1200+ 475.64 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.3 грн
10+ 830.67 грн
25+ 827.69 грн
50+ 780.08 грн
100+ 697.45 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1778.34 грн
9+ 1436.35 грн
10+ 1426.58 грн
50+ 1215.45 грн
100+ 1046.9 грн
200+ 979.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.29 грн
5+ 1061.32 грн
10+ 986.34 грн
50+ 896.96 грн
100+ 727.51 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+894.57 грн
25+ 891.35 грн
50+ 840.08 грн
100+ 751.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038158
товар відсутній
IKWH100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.54 грн
5+ 613.64 грн
10+ 534.3 грн
50+ 465.04 грн
100+ 386.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.13 грн
10+ 489.44 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W
товар відсутній
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.24 грн
10+ 544.75 грн
25+ 429.57 грн
100+ 394.53 грн
240+ 370.52 грн
480+ 347.81 грн
1200+ 312.77 грн
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005545963
товар відсутній
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.53 грн
10+ 152.23 грн
100+ 108.37 грн
240+ 99.28 грн
480+ 91.49 грн
1200+ 73.32 грн
5040+ 71.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.28 грн
10+ 157.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.18 грн
30+ 136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.41 грн
30+ 143.16 грн
120+ 122.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesSP005430891
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.64 грн
10+ 168.65 грн
25+ 138.21 грн
100+ 118.1 грн
240+ 111.61 грн
480+ 105.12 грн
1200+ 90.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.41 грн
30+ 144.96 грн
120+ 119.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430886
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.64 грн
10+ 161.93 грн
100+ 116.15 грн
240+ 106.42 грн
480+ 99.28 грн
1200+ 78.52 грн
5040+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.01 грн
10+ 312.67 грн
25+ 256.31 грн
100+ 219.97 грн
240+ 207 грн
480+ 194.67 грн
1200+ 166.77 грн
IKWH40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.54 грн
10+ 345.04 грн
100+ 298.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.75 грн
10+ 280.44 грн
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH40N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.85 грн
10+ 166.69 грн
100+ 125.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.43 грн
30+ 148.43 грн
120+ 127.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542785
товар відсутній
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.21 грн
10+ 190.29 грн
25+ 143.41 грн
100+ 123.29 грн
240+ 116.15 грн
480+ 111.61 грн
1200+ 88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.38 грн
10+ 367.89 грн
25+ 302.38 грн
100+ 258.91 грн
240+ 243.98 грн
480+ 229.71 грн
1200+ 196.61 грн
IKWH50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.78 грн
10+ 395.26 грн
100+ 341.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.59 грн
10+ 320.8 грн
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.46 грн
30+ 184.46 грн
120+ 158.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542787
товар відсутній
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.26 грн
10+ 243.27 грн
25+ 184.29 грн
100+ 158.33 грн
240+ 151.84 грн
480+ 140.16 грн
1200+ 112.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.86 грн
30+ 210.6 грн
120+ 180.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430894
товар відсутній
IKWH60N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.21 грн
10+ 235.85 грн
100+ 179.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.79 грн
10+ 269.39 грн
25+ 203.75 грн
100+ 175.2 грн
240+ 168.71 грн
480+ 155.09 грн
1200+ 125.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.25 грн
30+ 237.12 грн
120+ 203.25 грн
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430896
товар відсутній
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.64 грн
10+ 279.84 грн
25+ 229.06 грн
100+ 149.89 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.74 грн
10+ 373.79 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.08 грн
10+ 415.65 грн
25+ 328.34 грн
100+ 301.09 грн
240+ 282.92 грн
480+ 265.4 грн
1200+ 238.79 грн
IKWH75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.61 грн
5+ 491.35 грн
10+ 425.11 грн
50+ 371.09 грн
100+ 305.1 грн
Мінімальне замовлення: 2