Продукція > DI0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI00002RAPESCODescription: RAPESCO - DI00002 - Klebebandabroller, stoßfester Kunststoff, für Klebebänder mit den Abmessungen 50mm x 66mm
tariffCode: 39269097
productTraceability: No
Spendertyp: Band
rohsCompliant: NA
Länge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.56 грн
5+1137.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI001N65PTKDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI001N65PTKDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI001N65PTK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI001N65PTK-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI002N10PWKDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 2W; QFN2X2; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI002N10PWK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 2W; QFN2X2; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
10+39.63 грн
100+27.44 грн
500+21.52 грн
1000+18.32 грн
2000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2DIOTECDescription: DIOTEC - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.49 грн
29+29.72 грн
100+25.15 грн
500+19.66 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI004N06PWKDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 16A; 1.65W; QFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.65W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI004N06PWK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 16A; 1.65W; QFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.65W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N03PW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
18+17.69 грн
100+11.93 грн
500+8.67 грн
1000+7.83 грн
2000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N03PW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.94 грн
11+34.64 грн
100+20.99 грн
500+18.42 грн
1000+17.14 грн
4000+12.61 грн
8000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N03PW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2DIOTECDescription: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.28 грн
29+30.23 грн
100+25.57 грн
500+19.97 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2Diotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2Diotec SemiconductorDual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, N
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.17 грн
10+52.52 грн
100+27.40 грн
500+27.10 грн
1000+26.19 грн
2000+23.18 грн
4000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.82 грн
10+90.90 грн
100+64.35 грн
500+49.28 грн
1000+45.65 грн
2000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 4.8/-3.3A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.8/-3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 60...-30A
Gate charge: 11.7/11.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.66 грн
10+167.55 грн
100+86.81 грн
500+86.06 грн
1000+83.79 грн
2000+73.75 грн
4000+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI006N06PW-AQDiotec SemiconductorDI006N06PW-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI006N06PW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI006N06PW-AQ-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.31 грн
120+9.34 грн
328+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI006P02PWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, -20V, -6A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI006P02PWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
11+29.65 грн
100+19.04 грн
500+13.58 грн
1000+12.20 грн
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI006P02PWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DI006P02PWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI008N09SQDIOTECDescription: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+30.91 грн
500+24.38 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI008N09SQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+46.39 грн
100+32.13 грн
500+25.19 грн
1000+21.44 грн
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI008N09SQDIOTECDescription: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.82 грн
25+34.55 грн
100+29.81 грн
500+23.75 грн
1000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DI008N09SQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.37 грн
10+43.49 грн
100+24.61 грн
500+19.85 грн
1000+17.82 грн
2000+16.38 грн
4000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI008N09SQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DI0101ifm efector, inc.Description: SPEED MONITOR; M30 X 1,5; NORMAL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: SPST-NO
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Cable
Voltage - Supply: 20V ~ 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
14+22.88 грн
100+15.48 грн
500+11.34 грн
1000+10.27 грн
2000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.49 грн
14+25.70 грн
100+15.17 грн
500+11.78 грн
1000+10.72 грн
2000+9.74 грн
4000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MosfetAEC- Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI012N60D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI014N25D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 250V 15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI014N25D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, N, 250V, 15A, 0.28
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI015N25D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.47 грн
10+111.43 грн
100+75.83 грн
500+56.88 грн
1000+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI015N25D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI015N25D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI015N25D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.255 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.31 грн
10+94.00 грн
100+81.04 грн
500+64.01 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI015N25D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI016N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDual NChannel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI016N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI017N06PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+22.61 грн
500+17.61 грн
1000+13.28 грн
5000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI017N06PQ-AQDiotec SemiconductorDC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial gradeAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI017N06PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.71 грн
38+22.86 грн
100+21.93 грн
500+16.99 грн
1000+13.50 грн
5000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DI017N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORDI017N10D1-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.00 грн
75+14.91 грн
206+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI018N65D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 54A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 142W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI018N65D1Diotec SemiconductorDescription: DI018N65D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI018N65D1Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.65 грн
13+31.30 грн
77+12.03 грн
212+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.44 грн
10+37.33 грн
100+19.48 грн
500+17.06 грн
1000+15.55 грн
2500+13.51 грн
5000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+22.78 грн
500+17.77 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+28.30 грн
490+25.30 грн
539+22.99 грн
1000+20.16 грн
1500+17.43 грн
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+34.21 грн
100+20.51 грн
500+16.49 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.32 грн
100+22.78 грн
500+17.77 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorDI020N06D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.35 грн
17+43.67 грн
100+27.00 грн
500+21.95 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.78 грн
10+39.00 грн
77+14.44 грн
212+13.59 грн
10000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+32.01 грн
566+21.89 грн
571+21.68 грн
698+17.12 грн
1095+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 50A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+25.15 грн
500+19.66 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 50A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.59 грн
10+38.72 грн
100+22.19 грн
500+21.67 грн
1000+19.48 грн
2500+12.61 грн
5000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+35.46 грн
100+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.03 грн
100+25.15 грн
500+19.66 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.65 грн
15+56.48 грн
100+48.52 грн
500+38.37 грн
1000+32.01 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 29.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.09 грн
10+41.50 грн
100+23.10 грн
500+17.97 грн
1000+14.72 грн
10000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+48.52 грн
500+38.37 грн
1000+32.01 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDiotec SemiconductorP-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.76 грн
10+60.63 грн
100+47.17 грн
500+37.52 грн
1000+30.57 грн
2000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.47 грн
13+70.03 грн
100+60.21 грн
500+47.57 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDiotec SemiconductorP-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.59 грн
10+40.89 грн
100+26.64 грн
500+19.25 грн
1000+17.40 грн
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 29.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.49 грн
14+22.54 грн
67+16.61 грн
184+15.76 грн
5000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 29.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.41 грн
22+18.09 грн
67+13.84 грн
184+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+60.21 грн
500+47.57 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.52 грн
15+19.70 грн
50+15.29 грн
100+14.06 грн
250+12.64 грн
500+11.70 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.31 грн
100+17.36 грн
500+13.53 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
12+27.05 грн
100+17.31 грн
500+12.30 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.10 грн
25+15.81 грн
50+12.74 грн
100+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 100A; 135W; QFN5x6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.62 грн
10+207.48 грн
100+107.95 грн
500+107.20 грн
1000+104.18 грн
2500+91.34 грн
5000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2Diotec SemiconductorDescription: DI028N10PQ2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+95.69 грн
500+74.39 грн
1000+61.04 грн
5000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs (Field Effect Transistors)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.49 грн
10+112.63 грн
100+95.69 грн
500+74.39 грн
1000+61.04 грн
5000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI028P03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028P03PTDiotec SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 28A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028P03PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI02HApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorDI030N03D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.43 грн
10+36.17 грн
100+23.43 грн
500+16.85 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.59 грн
21+41.24 грн
100+24.73 грн
500+22.73 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.73 грн
500+22.73 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI032N03PTKDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+41.41 грн
500+32.32 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 110A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 35.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.86 грн
18+48.95 грн
100+41.41 грн
500+32.32 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+41.83 грн
100+28.06 грн
500+23.53 грн
1000+20.42 грн
2000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+45.49 грн
100+26.50 грн
500+23.33 грн
1000+19.70 грн
5000+16.23 грн
10000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, N, 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.80 грн
10+44.62 грн
100+25.97 грн
500+22.57 грн
1000+18.80 грн
5000+15.40 грн
10000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.27 грн
12+33.66 грн
100+23.35 грн
500+18.48 грн
1000+16.91 грн
2000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 0, 25W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+41.13 грн
100+27.51 грн
500+22.57 грн
1000+19.42 грн
2000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.20 грн
28+30.40 грн
100+26.08 грн
500+20.60 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
10+41.94 грн
100+28.03 грн
500+22.18 грн
1000+20.29 грн
2000+18.59 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P02PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P02PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 3900 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.06 грн
16+53.44 грн
100+44.29 грн
500+36.88 грн
1000+31.43 грн
5000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P02PTDIOTEC SEMICONDUCTORDI035P02PT-DIO SMD P channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
43+26.03 грн
118+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P02PTDiotec SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.57 грн
500+22.10 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
10+39.24 грн
100+27.28 грн
500+19.99 грн
1000+16.25 грн
2000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.88 грн
10+42.80 грн
100+24.99 грн
500+19.48 грн
1000+16.76 грн
2500+16.53 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.02 грн
19+45.48 грн
100+30.57 грн
500+22.10 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI035P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.96 грн
65+17.27 грн
178+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.24 грн
10+39.32 грн
100+25.59 грн
500+18.46 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.17 грн
10+42.97 грн
100+24.38 грн
500+18.72 грн
1000+15.55 грн
2500+15.32 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.89 грн
500+21.62 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.39 грн
19+46.66 грн
100+29.89 грн
500+21.62 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI036N20PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 200V, 36A, 0, 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI036N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.15 грн
10+107.65 грн
100+56.09 грн
500+55.56 грн
1000+53.75 грн
2500+47.56 грн
5000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
15+24.22 грн
100+12.61 грн
500+12.46 грн
1000+12.08 грн
2500+10.72 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.58 грн
14+26.65 грн
100+14.04 грн
500+12.83 грн
1000+10.42 грн
5000+8.98 грн
10000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.007 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.96 грн
32+26.51 грн
100+22.78 грн
500+18.01 грн
1000+15.03 грн
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.41 грн
23+17.46 грн
100+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.90 грн
10000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.49 грн
14+21.75 грн
100+14.44 грн
500+11.51 грн
1000+10.66 грн
5000+9.15 грн
10000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
13+24.53 грн
100+14.85 грн
500+12.49 грн
1000+10.84 грн
2000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1Diotec SemiconductorDescription: DI040N10D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+55.98 грн
500+44.19 грн
1000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDI040P04D1-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.50 грн
100+53.94 грн
500+43.09 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.04 грн
10+73.21 грн
100+48.80 грн
500+35.95 грн
1000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
10+61.34 грн
100+40.54 грн
500+29.65 грн
1000+26.94 грн
2000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.46 грн
10+55.12 грн
100+36.40 грн
500+26.63 грн
1000+24.20 грн
2000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.47 грн
19+46.15 грн
100+39.72 грн
500+31.38 грн
1000+26.20 грн
5000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.78 грн
10+40.73 грн
100+26.52 грн
500+19.16 грн
1000+17.31 грн
2000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 45A Automotive 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorDI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETID25°C= 45 ARDS(on) 3.4 mΩTjmax= 150°CVDSS= 30 VPD= 16 WEAS= 55 mJ AEC-Q
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 45V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 100V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 0.0065
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.04 грн
10+153.66 грн
100+80.02 грн
500+79.26 грн
1000+76.24 грн
2500+67.49 грн
5000+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.55 грн
11+83.16 грн
100+70.54 грн
500+54.65 грн
1000+46.16 грн
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Power Dissipation (Max): 110W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQ-QDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2DIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+45.05 грн
500+35.15 грн
1000+28.82 грн
5000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+98.10 грн
100+51.26 грн
500+50.73 грн
1000+47.48 грн
2500+30.80 грн
5000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+56.30 грн
100+39.18 грн
500+29.55 грн
1000+27.19 грн
2000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, N, 28W
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.54 грн
14+64.95 грн
100+45.22 грн
500+33.81 грн
1000+26.57 грн
5000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
14+28.54 грн
100+19.03 грн
500+14.78 грн
1000+13.45 грн
2000+12.27 грн
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerAEC-Q Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
10+35.57 грн
100+22.84 грн
500+17.74 грн
1000+16.14 грн
2000+14.72 грн
5000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.80 грн
20+43.19 грн
100+28.12 грн
500+21.07 грн
1000+17.86 грн
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.98 грн
10+36.41 грн
100+23.65 грн
500+17.50 грн
1000+15.35 грн
2000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.12 грн
500+21.07 грн
1000+17.86 грн
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.44 грн
10+57.38 грн
100+33.82 грн
500+26.95 грн
1000+21.59 грн
5000+19.78 грн
10000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N08PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, N, 80V, 48A, 0.0065
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N08PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 80V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N08PQ-QDiotec SemiconductorDC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTKDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTKDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI049N06PTK-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI04SApemDIP Switches/SIP Switches 4P SPST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.04 грн
10+42.70 грн
100+27.89 грн
500+20.19 грн
1000+18.26 грн
2000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.66 грн
23+38.19 грн
100+32.86 грн
500+25.95 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 0, 37W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 37W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.96 грн
26+32.77 грн
100+28.28 грн
500+22.57 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.82 грн
10+42.38 грн
100+29.57 грн
500+23.91 грн
1000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.86 грн
10+52.21 грн
100+32.59 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.53 грн
10+58.95 грн
100+30.80 грн
500+30.42 грн
1000+29.44 грн
2500+26.12 грн
5000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+29.30 грн
500+23.12 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+52.82 грн
100+35.48 грн
500+28.69 грн
1000+26.52 грн
2500+24.25 грн
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 compliant
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+52.45 грн
100+34.55 грн
500+25.21 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.72 грн
23+38.28 грн
100+33.03 грн
500+26.34 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+34.21 грн
500+27.05 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-QDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-QDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06PQ2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 280A; 40.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 40.5W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06PQ2-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: DI050N06PQ2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40.5W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.11 грн
27+31.93 грн
100+27.61 грн
500+22.02 грн
1000+18.65 грн
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.41 грн
25+35.14 грн
100+30.32 грн
500+24.22 грн
1000+20.54 грн
5000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+35.14 грн
500+27.76 грн
1000+23.16 грн
5000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, P, 39W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050P03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI052N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDual N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.75 грн
500+69.75 грн
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI054N10D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.17 грн
10+100.77 грн
100+83.75 грн
500+69.75 грн
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N06PQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 300A; 54.3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 54.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.22 грн
10+63.77 грн
20+47.89 грн
25+47.81 грн
53+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI060N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 300A; 54.3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 54.3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.46 грн
10+79.47 грн
20+57.47 грн
25+57.37 грн
53+54.26 грн
1000+52.75 грн
2500+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI064P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.22 грн
10+159.21 грн
100+131.26 грн
500+109.30 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI064P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.26 грн
500+109.30 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1617 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N06PTDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 300A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1Diotec SemiconductorDescription: DI065N08D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 80V 65A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQDComponentsDescription: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI068N03PQ-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.24 грн
46+24.25 грн
127+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET N Kanal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -43A; Idm: -300A; 54W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -43A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -43A; Idm: -300A; 54W
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -43A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.24 грн
5+80.68 грн
10+72.42 грн
22+42.78 грн
60+40.42 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 150C, P, AEC-Q101
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.48 грн
10+190.12 грн
100+98.89 грн
500+98.14 грн
1000+95.12 грн
2500+84.55 грн
5000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.25 грн
10+92.47 грн
100+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorP-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -43A; Idm: -300A; 54W
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -43A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.09 грн
5+100.54 грн
10+86.91 грн
22+51.33 грн
60+48.50 грн
1000+47.56 грн
2500+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI068P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+87.22 грн
500+68.88 грн
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-05MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-5V +/-0-600mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1196.01 грн
10+1080.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-12MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-12V +/-0-250mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1151.09 грн
10+1040.02 грн
1200+903.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-12MEAN WELL USA Inc.Description: I/P: 9-75VDC;O/P:12V 250MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI06W8-15MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-15V +/-0-200mA 1x1 Regulated DIP
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1509.54 грн
10+1191.94 грн
20+954.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQDiotec SemiconductorPChannel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Power dissipation: 46W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -300A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI070P04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+77.15 грн
500+60.94 грн
1000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Power dissipation: 46W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -300A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.77 грн
10+102.38 грн
100+69.81 грн
500+52.44 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs (Field Effect Transistors)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI072N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 46A; Idm: 280A; 43W; QFN3X3
Case: QFN3X3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 43W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 280A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 65V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.81 грн
10+41.06 грн
25+35.57 грн
41+27.27 грн
100+27.18 грн
113+25.76 грн
2500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI072N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 46A; Idm: 280A; 43W; QFN3X3
Case: QFN3X3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 43W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 280A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 65V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.34 грн
12+32.95 грн
25+29.65 грн
41+22.73 грн
100+22.65 грн
113+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI072N06PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI074N06D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 3X3 40V 0.0028OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 400A; 35.7W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 35.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 3X3 40V 0.0028OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
10+67.15 грн
100+46.94 грн
500+35.55 грн
1000+32.76 грн
2000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N08PQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI075N08PQDiotec SemiconductorDI075N08PQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI077P06D1DIOTEC SEMICONDUCTORDI077P06D1-DIO SMD P channel transistors
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.70 грн
18+65.11 грн
48+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 160A; 78W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 78W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.08 грн
10+118.82 грн
100+81.32 грн
500+61.27 грн
1000+56.43 грн
2000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 60V, 80A, 0, 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFET AEC-Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.41 грн
500+101.44 грн
1000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.25 грн
10+123.30 грн
100+84.56 грн
500+63.81 грн
1000+58.82 грн
2000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDI080N06PQ-AQ
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+130.09 грн
250+110.67 грн
500+85.72 грн
1250+76.11 грн
2500+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.99 грн
10+193.93 грн
100+130.41 грн
500+101.44 грн
1000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10D1Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10PQ-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N10PQ-AQDiotec SemiconductorDC/DC ConvertersPower SuppliesDC Drives Power ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade AEC-Q101 qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI087N03D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGKDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGKDiotec SemiconductorArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.52 грн
36+8.89 грн
100+5.69 грн
500+3.75 грн
1000+3.31 грн
2000+2.93 грн
5000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 9764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.65 грн
35+10.07 грн
100+5.51 грн
500+4.00 грн
1000+3.17 грн
2500+2.72 грн
10000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.58 грн
10+46.63 грн
100+29.15 грн
500+21.14 грн
1000+19.16 грн
2000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C, N
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.25 грн
10+55.30 грн
100+28.84 грн
500+28.61 грн
1000+27.63 грн
2000+24.46 грн
4000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.