Продукція > DI0

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK-AQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK-AQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI002N10PWK

DI002N10PWK-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI002N10PWK-AQ

DI002N10PWK-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: DIOTEC - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	30.90 грн
29+	30.13 грн
100+	25.49 грн
500+	19.93 грн
1000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

DI003N03SQ2-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.01 грн
10+	40.17 грн
100+	27.82 грн
500+	21.81 грн
1000+	18.56 грн
2000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI004N06PWK

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 16A; 1.65W; QFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.65W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI004N06PWK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI004N06PWK-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI004N06PWK-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK

DI005C04PTK-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK-AQ

DI005C04PTK-AQ-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.31 грн
18+	17.93 грн
100+	12.09 грн
500+	8.79 грн
1000+	7.93 грн
2000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.61 грн
11+	35.11 грн
100+	21.27 грн
500+	18.67 грн
1000+	17.37 грн
4000+	12.78 грн
8000+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

DI005N03PW-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.73 грн
29+	30.64 грн
100+	25.92 грн
500+	20.24 грн
1000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, N

на замовлення 3542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.72 грн
10+	57.72 грн
100+	30.07 грн
500+	29.84 грн
1000+	28.92 грн
2000+	25.48 грн
4000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

DI005N06SQ2-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005P04PW

DI005P04PW-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005P04PW-AQ

DI005P04PW-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.60 грн
10+	169.82 грн
100+	87.99 грн
500+	87.23 грн
1000+	84.93 грн
2000+	74.75 грн
4000+	70.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 4.8/-3.3A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.8/-3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 60...-30A
Gate charge: 11.7/11.4nC
кількість в упаковці: 4000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.71 грн
10+	92.14 грн
100+	65.23 грн
500+	49.95 грн
1000+	46.27 грн
2000+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6A; Idm: 80A; 1.67W; QFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.67W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW-AQ

DI006N06PW-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW-AQ

на замовлення 3985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	45.49 грн
15+	26.78 грн
25+	16.02 грн
100+	13.31 грн
118+	7.89 грн
325+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW-AQ

на замовлення 3985 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	54.59 грн
9+	33.37 грн
25+	19.22 грн
100+	15.97 грн
118+	9.47 грн
325+	8.99 грн
8000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, -20V, -6A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.66 грн
11+	29.65 грн
100+	19.03 грн
500+	13.58 грн
1000+	12.20 грн
2000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI008C04PT

DI008C04PT-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.28 грн
10+	47.02 грн
100+	32.57 грн
500+	25.53 грн
1000+	21.73 грн
2000+	19.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.31 грн
25+	35.02 грн
100+	30.21 грн
500+	24.07 грн
1000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

DI008N09SQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

MOSFETs MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.29 грн
10+	44.08 грн
100+	24.94 грн
500+	20.12 грн
1000+	18.06 грн
2000+	16.60 грн
4000+	15.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	31.33 грн
500+	24.71 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI0101

IFM ELECTRONIC

DI0101 Measurement Sensors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0101

ifm efector, inc.

Description: SPEED MONITOR; M30 X 1,5; NORMAL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: SPST-NO
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Cable
Voltage - Supply: 20V ~ 250V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0104

IFM ELECTRONIC

DI0104 Measurement Sensors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0105

IFM ELECTRONIC

DI0105 Measurement Sensors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.01 грн
14+	26.05 грн
100+	15.38 грн
500+	11.94 грн
1000+	10.87 грн
2000+	9.87 грн
4000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Trans MOSFET N-CH 30V 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

DI010N03PW-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
14+	23.19 грн
100+	15.69 грн
500+	11.49 грн
1000+	10.41 грн
2000+	9.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

N-Channel Power MosfetAEC- Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

DI010N03PW-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI012N60D1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 150 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI014N25D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 250V 15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI014N25D1-AQ

MOSFET, DPAK, N, 250V, 15A, 0.28

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: DIOTEC - DI015N25D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.255 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.72 грн
10+	95.28 грн
100+	82.14 грн
500+	64.88 грн
1000+	54.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.92 грн
10+	112.94 грн
100+	76.86 грн
500+	57.65 грн
1000+	52.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

DI015N25D1-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI016N06PQ2-AQ

Dual NChannel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI016N06PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 50A
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 50A
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	22.92 грн
500+	17.85 грн
1000+	13.46 грн
5000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial gradeAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 50A
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	24.03 грн
38+	23.18 грн
100+	22.23 грн
500+	17.22 грн
1000+	13.68 грн
5000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DI017N10D1

DI017N10D1-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018C03PT

DI018C03PT-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

Description: DI018N65D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 54A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 142W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

438+	27.70 грн
490+	24.76 грн
539+	22.50 грн
1000+	19.73 грн
1500+	17.06 грн
2500+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 438

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	41.20 грн
13+	31.72 грн
78+	12.11 грн
212+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.66 грн
100+	23.09 грн
500+	18.01 грн
1000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

DI020N06D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	56.13 грн
17+	42.74 грн
100+	26.42 грн
500+	21.48 грн
1000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 5577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.18 грн
10+	34.59 грн
100+	21.36 грн
500+	16.90 грн
1000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

387+	31.32 грн
566+	21.42 грн
571+	21.21 грн
698+	16.75 грн
1095+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 387

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	49.44 грн
10+	39.53 грн
78+	14.54 грн
212+	13.77 грн
10000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	23.09 грн
500+	18.01 грн
1000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.10 грн
10+	37.84 грн
100+	19.74 грн
500+	19.51 грн
1000+	18.90 грн
2500+	16.68 грн
5000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	28.41 грн
100+	25.49 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.61 грн
10+	47.16 грн
100+	24.64 грн
500+	24.33 грн
1000+	23.57 грн
2500+	20.89 грн
5000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.42 грн
10+	38.18 грн
100+	25.12 грн
500+	18.63 грн
1000+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 50A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	25.49 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	49.18 грн
500+	38.89 грн
1000+	32.44 грн
5000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

DI020P06PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.49 грн
15+	57.25 грн
100+	49.18 грн
500+	38.89 грн
1000+	32.44 грн
5000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.80 грн
10+	61.45 грн
100+	47.81 грн
500+	38.03 грн
1000+	30.98 грн
2000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

P-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Package / Case: 8-PowerVDFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.84 грн
10+	76.28 грн
100+	59.29 грн
500+	47.16 грн
1000+	38.42 грн
2000+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	61.03 грн
500+	48.22 грн
1000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.51 грн
13+	70.98 грн
100+	61.03 грн
500+	48.22 грн
1000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

DI020P06PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022N20PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 80A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022N20PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022N20PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 80A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022N20PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; Idm: 80A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022P06D1-AQ

DI022P06D1-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI022P06D1-Q

DI022P06D1-Q-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.35 грн
12+	27.58 грн
100+	17.62 грн
500+	12.50 грн
1000+	11.19 грн
2000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	19.57 грн
100+	17.60 грн
500+	13.71 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 100A; 135W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 48mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.29 грн
10+	120.55 грн
100+	83.40 грн
500+	70.32 грн
1000+	56.70 грн
5000+	54.48 грн
10000+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.60 грн
10+	105.05 грн
100+	83.57 грн
500+	66.36 грн
1000+	56.30 грн
2000+	53.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI025N25PQ

DI025N25PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

Description: DI028N10PQ2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	96.99 грн
500+	75.40 грн
1000+	61.87 грн
5000+	59.89 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

MOSFETs (Field Effect Transistors)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.18 грн
10+	114.16 грн
100+	96.99 грн
500+	75.40 грн
1000+	61.87 грн
5000+	59.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

Trans MOSFET P-CH 30V 28A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

DI028P03PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI02H

Apem

DIP Switches/SIP Switches

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

DI030N03D1-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.06 грн
500+	23.03 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

DI030N03D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.30 грн
21+	41.80 грн
100+	25.06 грн
500+	23.03 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 1502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.42 грн
10+	36.42 грн
100+	23.62 грн
500+	16.98 грн
1000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI032N03PTK

Description: IC
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI034N10PT-AQ

DI034N10PT-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2

Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

DI035N06PQ2-AQ-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.59 грн
18+	49.61 грн
100+	41.97 грн
500+	32.76 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	41.97 грн
500+	32.76 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N

на замовлення 4475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.93 грн
10+	46.11 грн
100+	26.86 грн
500+	22.88 грн
1000+	19.97 грн
5000+	16.45 грн
10000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, N, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.73 грн
10+	46.31 грн
100+	31.00 грн
500+	23.98 грн
1000+	19.80 грн
2000+	19.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.65 грн
28+	30.81 грн
100+	26.44 грн
500+	20.88 грн
1000+	17.44 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.90 грн
10+	45.23 грн
100+	26.32 грн
500+	22.34 грн
1000+	19.05 грн
5000+	15.61 грн
10000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 0, 25W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.59 грн
10+	45.43 грн
100+	30.38 грн
500+	23.46 грн
1000+	19.42 грн
2000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035P02PT

DI035P02PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P02PT

Trans MOSFET P-CH 20V 35A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.01 грн
10+	39.77 грн
100+	27.65 грн
500+	20.26 грн
1000+	16.47 грн
2000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 114-123 дні (днів)

6+	63.91 грн
10+	49.63 грн
100+	25.86 грн
500+	25.63 грн
1000+	24.79 грн
2500+	21.88 грн
5000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

DI035P04PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	26.35 грн
34+	25.41 грн
100+	21.89 грн
500+	17.45 грн
1000+	14.86 грн
5000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

DI035P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	29.36 грн
32+	26.87 грн
100+	23.09 грн
500+	18.25 грн
1000+	15.23 грн
5000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.83 грн
10+	39.85 грн
100+	27.75 грн
500+	20.33 грн
1000+	16.53 грн
2000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI036N20PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 200V, 36A, 0, 125W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI036N20PQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

DI038N04PQ2-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

DI038N04PQ2-AQ-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.04 грн
10+	109.11 грн
100+	56.85 грн
500+	56.31 грн
1000+	54.48 грн
2500+	48.20 грн
5000+	45.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.51 грн
15+	24.55 грн
100+	12.78 грн
500+	12.62 грн
1000+	12.24 грн
2500+	10.87 грн
5000+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.05 грн
10000+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	15.45 грн
38+	10.60 грн
100+	9.88 грн
115+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.45 грн
14+	23.99 грн
100+	14.38 грн
500+	12.49 грн
1000+	11.85 грн
2000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.06 грн
14+	27.01 грн
100+	14.23 грн
500+	13.01 грн
1000+	10.56 грн
5000+	9.11 грн
10000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.007 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	29.36 грн
32+	26.87 грн
100+	23.09 грн
500+	18.25 грн
1000+	15.23 грн
5000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

17+	18.54 грн
23+	13.21 грн
100+	11.86 грн
115+	9.76 грн
317+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1

Description: DI040N10D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1

DI040P04D1-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	56.74 грн
500+	44.79 грн
1000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.34 грн
100+	54.68 грн
500+	43.68 грн
1000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.67 грн
10+	74.20 грн
100+	49.46 грн
500+	36.44 грн
1000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

DI040P04D1-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

DI040P04D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

DI040P04PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.63 грн
10+	62.17 грн
100+	41.09 грн
500+	30.05 грн
1000+	27.31 грн
2000+	25.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.84 грн
10+	58.58 грн
100+	38.62 грн
500+	28.16 грн
1000+	25.57 грн
2000+	23.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.16 грн
19+	46.78 грн
100+	40.26 грн
500+	31.80 грн
1000+	26.56 грн
5000+	25.90 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

DI040P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	43.12 грн
100+	27.98 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.19 грн
2000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

DI045N03PT-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

DI045N03PT-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETID25°C= 45 ARDS(on) 3.4 mΩTjmax= 150°CVDSS= 30 VPD= 16 WEAS= 55 mJ AEC-Q

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

Trans MOSFET N-CH 30V 45A Automotive 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N04PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 30A; Idm: 60A; 41.7W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 41.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N04PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N04PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 45V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 0.0065

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 100V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 400A
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.01 грн
11+	84.29 грн
100+	71.50 грн
500+	55.39 грн
1000+	46.79 грн
5000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Power Dissipation (Max): 110W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.74 грн
10+	155.74 грн
100+	81.11 грн
500+	80.34 грн
1000+	77.28 грн
2500+	68.40 грн
5000+	64.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-Q

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N03PTK-AQ

DI048N03PTK-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ

DI048N04PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

DI048N04PQ2-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

Description: DIOTEC - DI048N04PQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	45.66 грн
500+	35.63 грн
1000+	29.21 грн
5000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.54 грн
10+	99.43 грн
100+	51.95 грн
500+	51.42 грн
1000+	48.13 грн
2500+	31.22 грн
5000+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, N, 28W

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.73 грн
10+	57.07 грн
100+	39.72 грн
500+	29.95 грн
1000+	27.56 грн
2000+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.85 грн
14+	65.83 грн
100+	45.84 грн
500+	34.27 грн
1000+	26.93 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

DI048N04PQ2-AQ-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT

DI048N04PT-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.0076 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	42.23 грн
23+	38.71 грн
100+	33.30 грн
500+	26.30 грн
1000+	21.92 грн
5000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	44.71 грн
100+	30.84 грн
500+	23.07 грн
1000+	21.13 грн
2000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.0076 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	33.30 грн
500+	26.30 грн
1000+	21.92 грн
5000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.52 грн
10+	58.16 грн
100+	34.28 грн
500+	27.32 грн
1000+	21.88 грн
5000+	20.05 грн
10000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

MOSFET, PowerAEC-Q Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 80V, 48A, 0.0065

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 80V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ-Q

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK

DI049N06PTK-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

DI049N06PTK-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI04S

Apem

DIP Switches/SIP Switches 4P SPST

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT

DI050N04PT-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 0, 37W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	42.23 грн
23+	38.71 грн
100+	33.30 грн
500+	26.30 грн
1000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

DI050N04PT-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	45.27 грн
100+	29.51 грн
500+	21.30 грн
1000+	19.24 грн
2000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V

на замовлення 758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.84 грн
10+	52.60 грн
100+	32.85 грн
500+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.57 грн
10+	59.75 грн
100+	31.22 грн
500+	30.84 грн
1000+	29.84 грн
2500+	26.47 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	29.70 грн
500+	23.43 грн
1000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	70.38 грн
10+	48.70 грн
48+	19.85 грн
130+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.42 грн
26+	33.22 грн
100+	28.67 грн
500+	22.87 грн
1000+	19.42 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	84.46 грн
10+	60.69 грн
48+	23.82 грн
130+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	34.68 грн
500+	27.42 грн
1000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 compliant

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.73 грн
10+	52.84 грн
100+	34.81 грн
500+	25.41 грн
1000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	40.26 грн
23+	38.80 грн
100+	33.48 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-Q

Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-Q

Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 280A; 40.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 40.5W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

Description: DI050N06PQ2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P02PT

DI050P02PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

Description: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.56 грн
27+	32.36 грн
100+	27.98 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.91 грн
5000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

DI050P03PT-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, P, 39W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	35.62 грн
500+	28.13 грн
1000+	23.47 грн
5000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.91 грн
25+	35.62 грн
100+	30.73 грн
500+	24.55 грн
1000+	20.82 грн
5000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

DI050P03PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI052N04PQ2-AQ

Dual N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1

DI054N10D1-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1-AQ

DI054N10D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1-AQ

Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	142.48 грн
10+	89.27 грн
100+	64.38 грн
500+	54.36 грн
1000+	46.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1-AQ

Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.38 грн
500+	54.36 грн
1000+	46.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI056N10D2-AQ

DI056N10D2-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N06PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N06PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N10D1

DI060N10D1-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N10D1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI064P04D1

DI064P04D1-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI064P04D1-AQ

DI064P04D1-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N06PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1617 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N06PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 300A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

Description: DI065N08D1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 80V 65A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; Idm: 210A; 25W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 25W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 210A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	37.77 грн
14+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	45.32 грн
10+	36.05 грн
46+	24.39 грн
127+	23.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ

DComponents

Description: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A,

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

MOSFET N Kanal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1

DI068P04D1-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.15 грн
10+	99.23 грн
100+	78.97 грн
500+	62.71 грн
1000+	53.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI068P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	88.41 грн
500+	69.82 грн
1000+	58.27 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

DI068P04D1-AQ-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

MOSFET MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 150C, P, AEC-Q101

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.84 грн
10+	192.70 грн
100+	100.23 грн
500+	99.47 грн
1000+	96.41 грн
2500+	85.70 грн
5000+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-05

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-5V +/-0-600mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1212.24 грн
10+	1095.49 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-05

DI06W8-05 DC/DC Converters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-12

MEAN WELL USA Inc.

Description: I/P: 9-75VDC;O/P:12V 250MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1231.59 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-12

DI06W8-12 DC/DC Converters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-12

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-12V +/-0-250mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1166.72 грн
10+	1054.14 грн
1200+	915.88 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-15

DI06W8-15 DC/DC Converters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-15

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-15V +/-0-200mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1530.03 грн
10+	1208.12 грн
20+	967.14 грн

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 46W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

PChannel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

MOSFETs (Field Effect Transistors)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 46W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.43 грн
10+	86.88 грн
100+	61.51 грн
500+	47.11 грн
1000+	43.65 грн
2000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI070P04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	78.19 грн
500+	61.77 грн
1000+	51.50 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 46W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI072N06PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 46A; Idm: 280A; 43W; QFN3X3
Case: QFN3X3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 43W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 280A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 65V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	42.92 грн
12+	33.40 грн
25+	30.05 грн
41+	23.03 грн
100+	22.95 грн
113+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI072N06PT

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI072N06PT

на замовлення 176 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	51.50 грн
10+	41.62 грн
25+	36.06 грн
41+	27.64 грн
100+	27.55 грн
113+	26.11 грн
2500+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI074N06D1K

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 40V 0.0028OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	68.07 грн
100+	47.57 грн
500+	36.03 грн
1000+	33.21 грн
2000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 400A; 35.7W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 35.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 40V 0.0028OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 350A; 45W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 45W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

DI075N08PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI077P06D1

DI077P06D1-DIO SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 160A; 78W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 60V, 80A, 0, 80W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.68 грн
10+	120.43 грн
100+	82.43 грн
500+	62.10 грн
1000+	57.20 грн
2000+	53.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

DI080N06PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ

на замовлення 3750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	127.31 грн
250+	108.30 грн
500+	83.89 грн
1250+	74.48 грн
2500+	66.42 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	274.67 грн
10+	196.56 грн
100+	132.18 грн
500+	102.82 грн
1000+	81.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.95 грн
10+	124.97 грн
100+	85.70 грн
500+	64.68 грн
1000+	59.61 грн
2000+	55.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.18 грн
500+	102.82 грн
1000+	81.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI080N10D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10PQ-AQ

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC Drives Power ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade AEC-Q101 qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI087N03D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI087N03D1-AQ

DI087N03D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK

DI0A35N06PGK-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

MOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.66 грн
32+	11.00 грн
100+	6.12 грн
500+	4.44 грн
1000+	3.52 грн
2500+	2.98 грн
10000+	2.07 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	15.73 грн
36+	9.01 грн
100+	5.77 грн
500+	3.81 грн
1000+	3.35 грн
2000+	2.96 грн
5000+	2.50 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

DI0A35N06PGK-AQ SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C, N

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.22 грн
10+	56.05 грн
100+	29.23 грн
500+	29.00 грн
1000+	28.00 грн
2000+	24.79 грн
4000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2

Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2

DI0A4N45SQ2-DIO Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2