Продукція > DI0

MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK-AQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI001N65PTK-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: DIOTEC - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	32.32 грн
29+	31.52 грн
100+	26.67 грн
500+	20.84 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.66 грн
10+	48.11 грн
100+	31.51 грн
500+	22.87 грн
1000+	20.71 грн
2000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3A; Idm: 9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI003N03SQ2

Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK-AQ

Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.13 грн
500+	24.01 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK-AQ

Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	55.04 грн
21+	43.64 грн
100+	26.13 грн
500+	24.01 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK-AQ

Description: DI005C04PTK-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V, 60mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005C04PTK-AQ

MOSFETs PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 5A, 3.5m?, 150C, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.95 грн
11+	36.73 грн
100+	22.25 грн
500+	19.53 грн
1000+	18.17 грн
4000+	13.37 грн
8000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI005N03PW-AQ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
15+	22.93 грн
100+	14.58 грн
500+	10.29 грн
1000+	9.19 грн
2000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.29 грн
29+	32.06 грн
100+	27.12 грн
500+	21.18 грн
1000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI005N06SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, N

на замовлення 2172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.28 грн
10+	55.69 грн
100+	29.06 грн
500+	28.74 грн
1000+	27.77 грн
2000+	24.57 грн
4000+	20.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.72 грн
10+	177.66 грн
100+	92.05 грн
500+	91.25 грн
1000+	88.85 грн
2000+	78.20 грн
4000+	73.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI006H03SQ

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.19 грн
10+	96.38 грн
100+	68.24 грн
500+	52.25 грн
1000+	48.41 грн
2000+	45.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW-AQ

DI006N06PW-AQ-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 465 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	60.77 грн
120+	9.91 грн
330+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI006N06PW-AQ

DI006N06PW-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, -20V, -6A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI006P02PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.82 грн
11+	31.43 грн
100+	20.19 грн
500+	14.40 грн
1000+	12.93 грн
2000+	11.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	32.77 грн
500+	25.85 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.88 грн
10+	49.19 грн
100+	34.07 грн
500+	26.71 грн
1000+	22.73 грн
2000+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	37.98 грн
25+	36.64 грн
100+	31.61 грн
500+	25.18 грн
1000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	22.40 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI008N09SQ

MOSFETs MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.44 грн
10+	46.12 грн
100+	26.09 грн
500+	21.05 грн
1000+	18.89 грн
2000+	17.37 грн
4000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI0101

ifm efector, inc.

Description: SENSOR SPST-NO CABLE
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: SPST-NO
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Termination Style: Cable
Voltage - Supply: 20V ~ 250V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0101

IFM ELECTRONIC

Category: Measurement Sensors
Description: Sensor: inductive; rotational speed; Range: 10mm; NO; 20÷250VDC
Type of sensor: inductive
Kind of sensor: rotational speed
Range: 10mm
Output configuration: NO
Supply voltage: 20...250V AC; 20...250V DC
Body material: brass
IP rating: IP65; IP67
Connection: cables
Lead length: 2m
Operating temperature: -25...80°C
Switch housing: M30x1,5
Overall length: 80mm
Kind of forehead: embedded
Resolution: 3600imp/revol.
Wire insulation material: PUR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Trans MOSFET N-CH 30V 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.81 грн
14+	27.25 грн
100+	16.09 грн
500+	12.49 грн
1000+	11.37 грн
2000+	10.33 грн
4000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

DI010N03PW-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	41.59 грн
113+	10.61 грн
309+	10.01 грн
24000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
14+	24.26 грн
100+	16.42 грн
500+	12.02 грн
1000+	10.89 грн
2000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

N-Channel Power MosfetAEC- Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI010N03PW-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI012N60D1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 150 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI014N25D1-AQ

MOSFET, DPAK, N, 250V, 15A, 0.28

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI014N25D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 250V 15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: DIOTEC - DI015N25D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.255 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	109.55 грн
10+	99.67 грн
100+	85.93 грн
500+	67.87 грн
1000+	56.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N25D1

Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.35 грн
10+	118.15 грн
100+	80.40 грн
500+	60.31 грн
1000+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI015N65D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI015N65D2-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI016N06PQ2-AQ

Dual NChannel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI016N06PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial gradeAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	25.14 грн
38+	24.24 грн
100+	23.26 грн
500+	18.01 грн
1000+	14.32 грн
5000+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DI017N06PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	23.97 грн
500+	18.68 грн
1000+	14.08 грн
5000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI017N10D1

DI017N10D1-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	73.16 грн
76+	15.81 грн
208+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

MOSFETs DPAK, N, 650V, 18A, 0.19?, 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI018N65D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 54A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 142W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	24.15 грн
500+	18.84 грн
1000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

438+	28.98 грн
490+	25.90 грн
539+	23.54 грн
1000+	20.64 грн
1500+	17.85 грн
2500+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 438

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.36 грн
10+	39.58 грн
100+	20.65 грн
500+	18.09 грн
1000+	16.33 грн
2500+	13.05 грн
5000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	37.44 грн
100+	24.22 грн
500+	17.40 грн
1000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.71 грн
17+	44.71 грн
100+	27.64 грн
500+	22.47 грн
1000+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	26.85 грн
100+	24.15 грн
500+	18.84 грн
1000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

387+	32.77 грн
566+	22.41 грн
571+	22.19 грн
698+	17.52 грн
1095+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 387

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

DI020N06D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

DI020N06D1-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 1728 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	56.78 грн
78+	15.31 грн
215+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

DI020N06D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	71.87 грн
66+	18.21 грн
181+	17.21 грн
25000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	26.67 грн
500+	20.84 грн
1000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.74 грн
10+	37.60 грн
100+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	29.72 грн
100+	26.67 грн
500+	20.84 грн
1000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.25 грн
10+	41.05 грн
100+	23.53 грн
500+	22.97 грн
1000+	20.65 грн
2500+	13.37 грн
5000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020N06D1-AQ

Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.84 грн
10+	44.00 грн
100+	24.49 грн
500+	19.05 грн
1000+	15.61 грн
10000+	12.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	51.45 грн
500+	40.69 грн
1000+	33.94 грн
5000+	33.09 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.39 грн
10+	64.28 грн
100+	50.02 грн
500+	39.79 грн
1000+	32.41 грн
2000+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.37 грн
15+	59.89 грн
100+	51.45 грн
500+	40.69 грн
1000+	33.94 грн
5000+	33.09 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT

P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.87 грн
10+	43.11 грн
100+	28.11 грн
500+	20.31 грн
1000+	18.36 грн
2000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

P-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	63.84 грн
500+	50.44 грн
1000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

DI020P06PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

на замовлення 4576 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	34.48 грн
68+	17.61 грн
186+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI020P06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	81.08 грн
13+	74.26 грн
100+	63.84 грн
500+	50.44 грн
1000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	20.47 грн
100+	18.41 грн
500+	14.34 грн
1000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

на замовлення 200 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	34.48 грн
15+	20.88 грн
50+	16.21 грн
100+	14.91 грн
250+	13.41 грн
500+	12.41 грн
1000+	11.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.60 грн
12+	28.33 грн
100+	18.15 грн
500+	12.90 грн
1000+	11.57 грн
2000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	28.73 грн
25+	16.76 грн
50+	13.51 грн
100+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DI025N06PT-AQ

Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.82 грн
10+	220.00 грн
100+	114.46 грн
500+	113.66 грн
1000+	110.46 грн
2500+	96.85 грн
5000+	91.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI025N20PQ

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2

Description: DI028N10PQ2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	101.46 грн
500+	78.88 грн
1000+	64.73 грн
5000+	62.65 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.99 грн
10+	119.42 грн
100+	101.46 грн
500+	78.88 грн
1000+	64.73 грн
5000+	62.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

MOSFETs (Field Effect Transistors)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028N10PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

Trans MOSFET P-CH 30V 28A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI028P03PT

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI02H

Apem

DIP Switches/SIP Switches

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.22 грн
500+	24.10 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 1502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.21 грн
10+	37.69 грн
100+	24.46 грн
500+	17.59 грн
1000+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	55.76 грн
21+	43.73 грн
100+	26.22 грн
500+	24.10 грн
1000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI030N03D1

DI030N03D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI032N03PTK

Description: IC
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2

PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 35A, 15m?, 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2

Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	43.91 грн
500+	34.27 грн
1000+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	57.11 грн
18+	51.90 грн
100+	43.91 грн
500+	34.27 грн
1000+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DI035N06PQ2-AQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N

на замовлення 3703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	64.34 грн
100+	33.54 грн
500+	33.22 грн
1000+	32.18 грн
2500+	28.42 грн
5000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, N, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

на замовлення 3988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	84.85 грн
10+	51.61 грн
100+	33.91 грн
500+	24.68 грн
1000+	22.38 грн
2000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 2015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.72 грн
10+	61.03 грн
100+	31.78 грн
500+	31.54 грн
1000+	30.50 грн
2500+	26.97 грн
5000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 0, 25W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.20 грн
28+	32.24 грн
100+	27.66 грн
500+	21.85 грн
1000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	61.42 грн
10+	44.47 грн
100+	29.72 грн
500+	23.51 грн
1000+	21.51 грн
2000+	19.71 грн
5000+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.26 грн
10+	49.61 грн
100+	32.58 грн
500+	23.68 грн
1000+	21.46 грн
2000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035N10PT-AQ

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	51.18 грн
12+	35.69 грн
100+	24.76 грн
500+	19.59 грн
1000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI035P02PT

DI035P02PT-DIO SMD P channel transistors

на замовлення 260 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	76.50 грн
44+	27.62 грн
119+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035P02PT

Trans MOSFET P-CH 20V 35A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P02PT

Description: DIOTEC - DI035P02PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 3900 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.74 грн
16+	56.66 грн
100+	46.96 грн
500+	39.10 грн
1000+	33.33 грн
5000+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V

на замовлення 2321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	44.44 грн
100+	29.03 грн
500+	21.01 грн
1000+	19.00 грн
2000+	17.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 4474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.41 грн
500+	23.43 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

Description: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	73.18 грн
19+	48.22 грн
100+	32.41 грн
500+	23.43 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.85 грн
10+	45.38 грн
100+	26.49 грн
500+	20.65 грн
1000+	17.77 грн
2500+	17.53 грн
5000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

DI035P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	77.36 грн
66+	18.31 грн
179+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.10 грн
10+	45.56 грн
100+	25.85 грн
500+	19.85 грн
1000+	16.49 грн
2500+	16.25 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 4954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.70 грн
500+	22.93 грн
1000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.27 грн
10+	41.52 грн
100+	27.00 грн
500+	19.48 грн
1000+	17.59 грн
2000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI035P04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.40 грн
19+	49.48 грн
100+	31.70 грн
500+	22.93 грн
1000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI036N20PQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI036N20PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 200V, 36A, 0, 125W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2

Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI038N04PQ2-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.55 грн
10+	114.14 грн
100+	59.47 грн
500+	58.91 грн
1000+	56.99 грн
2500+	50.43 грн
5000+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.96 грн
15+	25.68 грн
100+	13.37 грн
500+	13.21 грн
1000+	12.81 грн
2500+	11.37 грн
5000+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.73 грн
14+	28.26 грн
100+	14.89 грн
500+	13.61 грн
1000+	11.05 грн
5000+	9.53 грн
10000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	26.94 грн
23+	18.51 грн
100+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
12+	28.68 грн
100+	18.41 грн
500+	13.10 грн
1000+	11.75 грн
2000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

на замовлення 175 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	32.32 грн
14+	23.07 грн
100+	15.31 грн
500+	12.21 грн
1000+	11.31 грн
5000+	9.71 грн
10000+	9.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.007 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	30.71 грн
32+	28.10 грн
100+	24.15 грн
500+	19.09 грн
1000+	15.93 грн
5000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040N10D1-AQ

MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17m, 175C, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	59.35 грн
500+	46.86 грн
1000+	39.10 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

DI040P04D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	73.71 грн
100+	49.23 грн
500+	36.37 грн
1000+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	66.27 грн
100+	57.20 грн
500+	45.69 грн
1000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

Description: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI040P04D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.37 грн
10+	65.03 грн
100+	42.99 грн
500+	31.43 грн
1000+	28.57 грн
2000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.11 грн
10+	58.11 грн
100+	38.40 грн
500+	28.09 грн
1000+	25.53 грн
2000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.52 грн
19+	48.94 грн
100+	42.11 грн
500+	33.27 грн
1000+	27.78 грн
5000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI040P04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.73 грн
10+	43.52 грн
100+	28.32 грн
500+	20.45 грн
1000+	18.48 грн
2000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

Trans MOSFET N-CH 30V 45A Automotive 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

DI045N03PTN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETID25°C= 45 ARDS(on) 3.4 mΩTjmax= 150°CVDSS= 30 VPD= 16 WEAS= 55 mJ AEC-Q

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI045N03PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N04PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 45V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 0.0065

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 100V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.04 грн
11+	88.18 грн
100+	74.80 грн
500+	57.95 грн
1000+	48.95 грн
5000+	46.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Power Dissipation (Max): 110W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.05 грн
10+	162.93 грн
100+	84.85 грн
500+	84.04 грн
1000+	80.84 грн
2500+	71.56 грн
5000+	67.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI045N10PQ-Q

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2

Description: DIOTEC - DI048N04PQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	47.77 грн
500+	37.27 грн
1000+	30.55 грн
5000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	73.29 грн
100+	48.95 грн
500+	36.13 грн
1000+	32.98 грн
2000+	32.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.096 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.096ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.36 грн
14+	68.87 грн
100+	47.95 грн
500+	35.85 грн
1000+	28.17 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, N, 28W

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

Description: MOSFET 2N-CH 40V 48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PQ2-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	104.02 грн
100+	54.35 грн
500+	53.79 грн
1000+	50.35 грн
2500+	32.66 грн
5000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.76 грн
20+	45.88 грн
100+	29.81 грн
500+	22.35 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

MOSFET, PowerAEC-Q Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	68.31 грн
77+	15.51 грн
211+	14.71 грн
25000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	39.44 грн
100+	25.64 грн
500+	18.46 грн
1000+	16.66 грн
2000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.23 грн
10+	60.84 грн
100+	35.86 грн
500+	28.58 грн
1000+	22.89 грн
5000+	20.97 грн
10000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.81 грн
500+	22.35 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI048N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 80V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 80V, 48A, 0.0065

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI048N08PQ-Q

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 49A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI049N06PTK-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI04S

Apem

DIP Switches/SIP Switches 4P SPST

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	44.18 грн
23+	40.50 грн
100+	34.84 грн
500+	27.51 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 0, 37W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N04PT-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	45.02 грн
100+	29.43 грн
500+	21.31 грн
1000+	19.27 грн
2000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	52.36 грн
100+	34.41 грн
500+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.15 грн
10+	62.50 грн
100+	32.66 грн
500+	32.26 грн
1000+	31.22 грн
2500+	27.69 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	31.07 грн
500+	24.51 грн
1000+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1581 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	78.66 грн
10+	56.00 грн
100+	37.62 грн
500+	30.42 грн
1000+	28.12 грн
2500+	25.71 грн
5000+	24.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	36.01 грн
26+	34.75 грн
100+	29.99 грн
500+	23.93 грн
1000+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1

на замовлення 1581 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	65.55 грн
10+	44.94 грн
100+	31.35 грн
500+	25.35 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	42.11 грн
23+	40.59 грн
100+	35.02 грн
500+	27.93 грн
1000+	23.70 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 compliant

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: DIOTEC - DI050N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	36.28 грн
500+	28.68 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-AQ

Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	55.03 грн
100+	36.24 грн
500+	26.45 грн
1000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-Q

Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06D1-Q

Description: MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3, DPak
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 280A; 40.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 40.5W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

MOSFETs PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 50A, 8.5m?, 175C, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050N06PQ2-AQ

Description: DI050N06PQ2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40.5W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

Description: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.11 грн
27+	33.85 грн
100+	29.27 грн
500+	23.35 грн
1000+	19.78 грн
5000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	37.26 грн
500+	29.43 грн
1000+	24.55 грн
5000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, P, 39W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: DIOTEC - DI050P03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	38.61 грн
25+	37.26 грн
100+	32.15 грн
500+	25.68 грн
1000+	21.78 грн
5000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DI050P03PT-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI052N04PQ2-AQ

Dual N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1-AQ

Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	122.12 грн
10+	106.85 грн
100+	88.80 грн
500+	73.96 грн
1000+	63.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI054N10D1-AQ

Description: DIOTEC - DI054N10D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0095 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.80 грн
500+	73.96 грн
1000+	63.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI060N06PQ

MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N06PQ

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI060N10D1

DI060N10D1-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 98 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	102.25 грн
20+	60.93 грн
54+	57.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI060N10D1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI064P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.15 грн
10+	168.81 грн
100+	139.18 грн
500+	115.90 грн
1000+	99.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI064P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI064P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7600 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	139.18 грн
500+	115.90 грн
1000+	99.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI065N06PT

MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 65A, 5m?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N06PT

Description: MOSFET N-CH 65V 65A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1617 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 300A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1

MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1-AQ

Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.26 грн
10+	94.47 грн
100+	63.98 грн
500+	47.78 грн
1000+	43.83 грн
2500+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI065N08D1-AQ

MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	168.09 грн
10+	105.86 грн
100+	62.27 грн
500+	49.55 грн
1000+	42.34 грн
2500+	38.98 грн
5000+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ

DI068N03PQ-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 25 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	49.03 грн
46+	25.91 грн
127+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ

DComponents

Description: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A,

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI068N03PQ-AQ

MOSFET N Kanal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI068P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	92.49 грн
500+	73.04 грн
1000+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

DI068P04D1-AQ-DIO SMD P channel transistors

на замовлення 2462 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	146.54 грн
22+	54.43 грн
61+	51.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

MOSFET MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 150C, P, AEC-Q101

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.41 грн
10+	201.59 грн
100+	104.86 грн
500+	104.06 грн
1000+	100.85 грн
2500+	89.65 грн
5000+	84.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI068P04D1-AQ

Description: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.45 грн
10+	97.55 грн
100+	66.21 грн
500+	49.51 грн
1000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-05

MEAN WELL

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-5V +/-0-600mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1268.15 грн
10+	1146.01 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-12

MEAN WELL USA Inc.

Description: I/P: 9-75VDC;O/P:12V 250MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1288.38 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-12

MEAN WELL

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-12V +/-0-250mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1220.52 грн
10+	1102.75 грн
1200+	958.11 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-15

MEAN WELL

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-15V +/-0-200mA 1x1 Regulated DIP

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1600.59 грн
10+	1263.84 грн
20+	1011.74 грн

В кошику од. на суму грн.

DI06W8-15

MEAN WELL USA Inc.

Description: I/P: 9-75VDC;O/P:15V 200MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 84.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.68 грн
5+	803.60 грн

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

PChannel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI070P04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.80 грн
500+	64.62 грн
1000+	53.88 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

MOSFETs (Field Effect Transistors)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI070P04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.90 грн
10+	108.06 грн
100+	73.66 грн
500+	55.33 грн
1000+	54.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI072N06PT

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI072N06PT

DI072N06PT-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 139 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	56.57 грн
41+	29.22 грн
113+	27.61 грн
10000+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI074N06D1K

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N04PT-AQ

Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.10 грн
10+	66.29 грн
100+	44.04 грн
500+	32.39 грн
1000+	29.52 грн
2000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI075N08PQ

DI075N08PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI077P06D1

DI077P06D1-DIO SMD P channel transistors

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	113.14 грн
18+	69.04 грн
48+	65.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 60V, 80A, 0, 80W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.01 грн
10+	124.07 грн
100+	85.28 грн
500+	65.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 80A; Idm: 480A; 65.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 65.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.12 грн
500+	100.89 грн
1000+	86.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ

на замовлення 3750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	133.18 грн
250+	113.30 грн
500+	87.75 грн
1250+	77.92 грн
2500+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	267.58 грн
10+	179.58 грн
100+	122.12 грн
500+	100.89 грн
1000+	86.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.94 грн
10+	128.82 грн
100+	88.69 грн
500+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N06PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET AEC-Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10D1

MOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10PQ-AQ

Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10PQ-AQ

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC Drives Power ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade AEC-Q101 qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI080N10PQ-AQ

MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 100V, 80A, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI087N03D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK

Description: DI0A35N06PGK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK

MOSFETs DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	16.45 грн
35+	9.76 грн
100+	6.05 грн
500+	4.15 грн
1000+	3.59 грн
2000+	3.24 грн
5000+	2.74 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

MOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 8434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

22+	17.65 грн
35+	10.68 грн
100+	5.84 грн
500+	4.24 грн
1000+	3.36 грн
2500+	2.88 грн
10000+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DI0A35N06PGK-AQ

Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2

MOSFETs MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C, N

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.55 грн
10+	58.64 грн
100+	30.58 грн
500+	30.34 грн
1000+	29.30 грн
2000+	25.93 грн
4000+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2

Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.93 грн
10+	47.03 грн
100+	30.75 грн
500+	22.30 грн
1000+	20.19 грн
2000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI0A4N45SQ2