Продукція > DI0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI00002 | RAPESCO | Description: RAPESCO - DI00002 - Klebebandabroller, stoßfester Kunststoff, für Klebebänder mit den Abmessungen 50mm x 66mm tariffCode: 39269097 productTraceability: No Spendertyp: Band rohsCompliant: NA Länge: - euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI001N65PTK | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6?, 150C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI001N65PTK | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI001N65PTK-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI001N65PTK-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI003N03SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI003N03SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Power - Max: 1.6W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI003N03SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI003N03SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Power - Max: 1.6W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI003N03SQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 150C, N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI004N06PWK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 16A; 1.65W; QFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.65W Case: QFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI004N06PWK-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 16A; 1.65W; QFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.65W Case: QFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI005C04PTK-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005C04PTK-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DI005C04PTK-AQ Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 12.5W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V, 60mOhm @ 2A, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI005C04PTK-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 5A, 3.5m?, 150C, AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005C04PTK-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005N03PW-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005N03PW-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-QFN (2x2) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005N03PW-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6-UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-QFN (2x2) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI005N06SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI005N06SQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, N | на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005N06SQ2 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI005N06SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI006H03SQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI006H03SQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI006H03SQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 4.8/-3.3A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4.8/-3.3A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.7/11.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge Pulsed drain current: 60...-30A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI006H03SQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI006P02PW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: QFN2X2 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI006P02PW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI006P02PW | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, -20V, -6A, 150C, P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI006P02PW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI008N09SQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI008N09SQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 2W Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI008N09SQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI008N09SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI008N09SQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI008N09SQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 2W Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI009N10PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 9A, 115m, 175C AEC-Q101 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI0101 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR SPST-NO CABLE Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: SPST-NO Operating Temperature: -25°C ~ 80°C Termination Style: Cable Voltage - Supply: 20V ~ 250V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI010N03PW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0. Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI010N03PW | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI010N03PW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI010N03PW-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-QFN (2x2) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI010N03PW-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI010N03PW-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI010N03PW-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI012N10PQK2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 48A; 25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 25W Case: Dual PQFN5X6 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI012N60D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3, DPak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI014N03SQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 90V Drain current: 8A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 2W Case: SO8 On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI014N25D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 250V 15A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI014N25D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, N, 250V, 15A, 0.28?, 150C, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI014N25D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 28A; 73.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI015N25D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V | на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI015N25D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 250V 0.2OHM 175C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 125 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI015N25D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI015N25D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.255 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI015N65D2 | Diotec Semiconductor | D2PAK, N, 650V, 15A, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI015N65D2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 57.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 57.6W Case: D2PAK; TO263AB On-state resistance: 181Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI015N65D2-AQ | Diotec Semiconductor | D2PAK, N, 650V, 15A, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI015N65D2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 57.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 57.6W Case: D2PAK; TO263AB On-state resistance: 181Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI016N06PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI017N06PQ-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI017N06PQ-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI017N10D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI017N10D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 79W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 155mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI018N65D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, N, 650V, 18A, 0.19?, 175C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI018N65D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 54A; 142W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 142W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI018N65D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO-252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | DIOTEC | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 581 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1 | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020N06D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020N06D1-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020N06D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: PowerQFN 3x3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: PowerQFN 3x3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI022N20PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 200V, 22A, 42m?, 150C, AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI022P06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; Idm: -60A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -22A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 43W Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, P, -60V, -22A, 45m?, 150C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16.1A; Idm: 60A; 43W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, P, -60V, -22A, 45m?, 150C, AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI022P06D1-Q | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16.1A; Idm: 60A; 43W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI024N15D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; Idm: 68A; 60W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 60W Pulsed drain current: 68A Case: DPAK; TO252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |