НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
товар відсутній
FDB-1012FINISARGBIC EVALUATION BOARD FDB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1012Finisar CorporationDescription: BOARD EVAL GBIC TXRX
товар відсутній
FDB-1017FinisarFTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board
товар відсутній
FDB-1017FINISAREVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1017Finisar CorporationDescription: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
товар відсутній
FDB-1018Finisar CorporationDescription: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
товар відсутній
FDB-1019CoherentDescription: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
товар відсутній
FDB-1019CoherentFibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr
товар відсутній
FDB-1019FINISAREVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1019FinisarEvaluation Board for 2X10 Pin
товар відсутній
FDB-1022FINISARXFP Evaluation Board FDB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1022FinisarXFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board
товар відсутній
FDB-1022CoherentFibre Optic Development Tools XFP evaluation board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46279.73 грн
FDB-1022Finisar CorporationDescription: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
товар відсутній
FDB-1022II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools XFP evaluation board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46279.73 грн
FDB-1027FinisarFTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit
товар відсутній
FDB-1027Finisar CorporationDescription: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDB-1027FINISAREvaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1032-SFP+II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+87005.9 грн
FDB-1032-SFP+FinisarEvaluation Board For Pluggable
товар відсутній
FDB-1032-SFP+CoherentFibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+87005.9 грн
FDB-1032-SFP+Finisar CorporationDescription: EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE S
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+76755.43 грн
FDB-1032-SFP+Finisar CorporationEVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE
товар відсутній
FDB-1033FINISARLaserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1033Finisar CorporationDescription: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA
товар відсутній
FDB-1034FINISARFDB-1034
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1038-10BKCoherentDescription: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1038-10BKFinisar40G/100G CFP Breakout Board
товар відсутній
FDB-1038-10BKII-VI / FinisarFibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)
товар відсутній
FDB-1038-10BKFinisar Corporation40G/100G CFP Breakout Board
товар відсутній
FDB-1038-10BKCoherentFibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)
товар відсутній
FDB-1040-ELII-VI / FinisarFibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)
товар відсутній
FDB-1040-ELFinisarFiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)
товар відсутній
FDB-1040-ELCoherentFibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)
товар відсутній
FDB-1040-ELCoherentDescription: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDB-1040-ELFinisar40G/100G CFP Electrical Loop B
товар відсутній
FDB-1042Finisar CorporationDescription: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDB-1042FINISARQuadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1043II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps
товар відсутній
FDB-1043FinisarCXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board
товар відсутній
FDB-1043CoherentFibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps
товар відсутній
FDB-1043CoherentDescription: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1043FINISARC.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-1044II-VI / FinisarFiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB-1044Finisar CorporationDescription: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товар відсутній
FDB-1045FinisarEvaluation Board for 12X10 GBP
товар відсутній
FDB-1045II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine
товар відсутній
FDB-1045CoherentDescription: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1045CoherentFibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine
товар відсутній
FDB-1047-CLFinisar CorporationDescription: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
FDB-1047-CLII-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)
товар відсутній
FDB-1047-CLCoherentFibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)
товар відсутній
FDB-1047-SFinisar CorporationDescription: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товар відсутній
FDB-1048Finisar CorporationDescription: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active
товар відсутній
FDB-1048II-VI / FinisarFiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+
товар відсутній
FDB-1048FinisarWAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF
товар відсутній
FDB-1050FinisarFibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out
товар відсутній
FDB-1051FinisarQuadwire/QSFP Breakout Evaluation
товар відсутній
FDB-1051CoherentFibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+126229.21 грн
FDB-1051II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+126229.21 грн
FDB-1051CoherentDescription: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1052Finisar CorporationEvaluation Board for Tunable S
товар відсутній
FDB-1052CoherentDescription: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1052CoherentFibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.
товар відсутній
FDB-1052FinisarEvaluation Board for Tunable S
товар відсутній
FDB-1052II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.
товар відсутній
FDB-1053-10BK-ELII-VI / FinisarFiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)
товар відсутній
FDB-1053-10BK-ELFinisar100G CFP2 Breakout/Loopback
товар відсутній
FDB-1053-10BK-ELFinisar CorporationDescription: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товар відсутній
FDB-1054-4BKCoherentFibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)
товар відсутній
FDB-1054-4BKCoherentDescription: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
товар відсутній
FDB-1054-4BKII-VI / FinisarFibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)
товар відсутній
FDB-1054-4BKFinisar100G CFP4 Breakout Board
товар відсутній
FDB-1057FinisarEvaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out
товар відсутній
FDB-1057II-VI / FinisarFibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out
товар відсутній
FDB-1061-EL-BTII-VI / FinisarFiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT
товар відсутній
FDB-1062-ITTRA-RF-MMPXII-VI / FinisarFiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out
товар відсутній
FDB-1067-CFP2-DCOII-VI / FinisarFiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)
товар відсутній
FDB-1068-QSFP-DD-DCOII-VI / FinisarFiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)
товар відсутній
FDB-2 24-MOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Leads: leads 250mm
Type of protection: surge arrestor
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Mounting: M20x1.5
Number of poles: 2
Kind of surge arrester: Type 2+3
товар відсутній
FDB-2 24-MOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Leads: leads 250mm
Type of protection: surge arrestor
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Mounting: M20x1.5
Number of poles: 2
Kind of surge arrester: Type 2+3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-2 24-NOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
Mounting: 1/2" NPT
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Conform to the norm: ATEX Ex
Kind of surge arrester: Type 2+3
Leads: leads 250mm
Type of protection: surge arrestor
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Number of poles: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-2 24-NOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
Mounting: 1/2" NPT
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Conform to the norm: ATEX Ex
Kind of surge arrester: Type 2+3
Leads: leads 250mm
Type of protection: surge arrestor
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Number of poles: 2
товар відсутній
FDB-25P(05)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.21 грн
FDB-25P(05)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1795.3 грн
10+ 1581.75 грн
50+ 1284.87 грн
100+ 1262.56 грн
250+ 1227.13 грн
500+ 1210.06 грн
1000+ 1196.94 грн
FDB-25P(51)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
FDB-25P0L2TI2/1-LFCinch ConnectorsFilter D Straight Solder PCB
товар відсутній
FDB-25PBL2TI2/1-LFCINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1922.06 грн
5+ 1802.81 грн
10+ 1687.24 грн
25+ 1544.16 грн
FDB-25PBL2TI2/1-LFCinch ConnectorsFilter D Connector 25way Plug
товар відсутній
FDB-25PF(05)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1746.23 грн
10+ 1472.05 грн
FDB-25PF(05)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
FDB-25PTI2/1-LFCINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 25Contacts
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3033.64 грн
5+ 2838.56 грн
10+ 2636.86 грн
FDB-25PTI2/1-LFCinch ConnectorsConn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port
товар відсутній
FDB-25S(05)HIROSECategory: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)
товар відсутній
FDB-25S(05)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Feed Through
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.96 грн
10+ 1644.1 грн
FDB-25S(05)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1954.54 грн
10+ 1491.19 грн
30+ 1296.03 грн
50+ 1295.37 грн
100+ 1294.72 грн
250+ 1294.06 грн
500+ 1204.82 грн
FDB-25S(05)HIROSECategory: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
FDB-25S0L2T2/1-LFCinch Connectors25 way Filter D Connector Socket
товар відсутній
FDB-25SBL2T2/1-LFCinch ConnectorsFilter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K
товар відсутній
FDB-25SBL2T2/1-LFCINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1711.53 грн
5+ 1708.58 грн
10+ 1705.64 грн
25+ 1517.5 грн
50+ 1364.18 грн
100+ 1336.41 грн
FDB-25ST2/1-LFCinch ConnectorsConn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port
товар відсутній
FDB-25ST2/1-LFCINCH CONNECTIVITY SOLUTIONSDescription: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2557.35 грн
5+ 2347.55 грн
10+ 2151.74 грн
25+ 1945.41 грн
50+ 1747.81 грн
FDB-3PlatoChemicals CAP 10/PACK
товар відсутній
FDB-3 24-MOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-3 24-MOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
товар відсутній
FDB-3 24-NOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Mounting: 1/2" NPT
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
товар відсутній
FDB-3 24-NOBO BETTERMANNCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Mounting: 1/2" NPT
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB-4PlatoChemicals YELLOWCAP 10/PACK
товар відсутній
FDB-GPHirose Electric Co LtdDescription: CONN GUIDE PLATE
товар відсутній
FDB-PHirose ConnectorBench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE
товар відсутній
FDB-PHirose Electric Co LtdDescription: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG
товар відсутній
FDB-SHirose Electric Co LtdDescription: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT
товар відсутній
FDB0105N407L
Код товару: 155287
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB0105N407LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V
товар відсутній
FDB0105N407LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0105N407LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB0105N407LON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB0105N407LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V
товар відсутній
FDB0105N407LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0105N407LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0105N407LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB0105N407Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.5 грн
10+ 298.09 грн
25+ 255.27 грн
100+ 230.33 грн
250+ 225.74 грн
500+ 198.18 грн
FDB0165N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0165N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.61 грн
10+ 429.21 грн
100+ 357.67 грн
FDB0165N807Lonsemi / FairchildMOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.43 грн
10+ 430.15 грн
25+ 372.73 грн
100+ 337.3 грн
250+ 336.64 грн
500+ 335.33 грн
800+ 276.92 грн
FDB0165N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+327.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB016N04AL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB016N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 769 шт:
термін постачання 241-250 дні (днів)
1+352.17 грн
100+ 312.43 грн
500+ 238.86 грн
FDB016N04AL7ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB016N04AL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.61 грн
10+ 216.83 грн
100+ 175.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB016N04AL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB0170N607LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0170N607Lonsemi / FairchildMOSFET 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 13599 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
2+301.64 грн
10+ 267.15 грн
100+ 190.96 грн
500+ 176.52 грн
800+ 162.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB0170N607LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0190N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead
товар відсутній
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
товар відсутній
FDB0190N807LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.07 грн
10+ 232.85 грн
25+ 232.78 грн
100+ 194.85 грн
250+ 177.34 грн
500+ 164.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB0190N807Lonsemi / FairchildMOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 683-692 дні (днів)
1+405 грн
10+ 345.63 грн
25+ 292.02 грн
100+ 244.77 грн
250+ 237.55 грн
500+ 179.8 грн
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
товар відсутній
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0190N807LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB024N04AL7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 29849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+186.2 грн
Мінімальне замовлення: 105
FDB024N04AL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB024N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.07 грн
10+ 373.55 грн
25+ 307.11 грн
100+ 266.42 грн
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB024N06ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 226nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1060A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+358.23 грн
10+ 299.13 грн
25+ 279.83 грн
100+ 229.5 грн
250+ 204.7 грн
500+ 151.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB024N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.48 грн
10+ 304.12 грн
25+ 249.36 грн
100+ 213.93 грн
250+ 202.11 грн
500+ 189.65 грн
800+ 168.65 грн
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDB024N06ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 226nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1060A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.6 грн
10+ 273.83 грн
100+ 221.51 грн
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+385.78 грн
36+ 322.14 грн
38+ 301.36 грн
100+ 254.32 грн
250+ 222.88 грн
500+ 163.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 89995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+300.27 грн
10+ 242.66 грн
100+ 196.27 грн
FDB024N08BL7onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.14 грн
10+ 270.16 грн
25+ 221.8 грн
100+ 189.65 грн
250+ 179.15 грн
500+ 146.99 грн
800+ 135.84 грн
FDB024N08BL7ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 246W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 916A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
на замовлення 89600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.17 грн
1600+ 149.38 грн
2400+ 140.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB024N08BL7ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB024N08BL7ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 246W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 916A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.2 грн
10+ 348.55 грн
100+ 285.56 грн
FDB0250N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0250N807LON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
товар відсутній
FDB0250N807Lonsemi / FairchildMOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
товар відсутній
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0260N1007Lonsemi / FairchildMOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
товар відсутній
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.74 грн
10+ 525.18 грн
100+ 437.64 грн
FDB0260N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.05 грн
10+ 440.21 грн
100+ 364.39 грн
500+ 303.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+401 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+293.59 грн
1600+ 246.24 грн
2400+ 237.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB029N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.76 грн
10+ 392.16 грн
100+ 324.68 грн
FDB029N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB029N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 2.9Mohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.57 грн
10+ 363.74 грн
25+ 305.14 грн
100+ 274.3 грн
250+ 271.67 грн
500+ 252.64 грн
800+ 221.8 грн
FDB0300N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.92 грн
10+ 384.78 грн
25+ 366.4 грн
100+ 304.55 грн
250+ 215.2 грн
500+ 204.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.36 грн
1600+ 210.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0300N1007Lonsemi / FairchildMOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.16 грн
10+ 295.82 грн
25+ 255.92 грн
100+ 213.93 грн
250+ 185.05 грн
500+ 184.4 грн
800+ 182.43 грн
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.84 грн
10+ 358.12 грн
100+ 293.39 грн
FDB031N08onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
1+462.41 грн
10+ 452.79 грн
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.8 грн
10+ 349.21 грн
25+ 345.76 грн
100+ 271.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB035AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.72 грн
4+ 302.4 грн
9+ 275.61 грн
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.76 грн
10+ 289.56 грн
100+ 234.22 грн
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+424.09 грн
31+ 372.36 грн
100+ 292.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+216.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB035AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.92 грн
10+ 321.48 грн
25+ 263.8 грн
100+ 226.4 грн
250+ 213.93 грн
500+ 200.8 грн
800+ 178.49 грн
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB035AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.93 грн
4+ 242.66 грн
9+ 229.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB035AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB035AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 61429600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB035AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB035AN06AD
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB035AN06AOFAIRCHILDTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB035NNS06+ SIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB035N10AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+433.59 грн
100+ 362.92 грн
500+ 281.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.59 грн
10+ 348.75 грн
100+ 282.14 грн
FDB035N10Aonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.13 грн
10+ 391.66 грн
25+ 320.89 грн
100+ 274.96 грн
250+ 259.86 грн
500+ 244.77 грн
800+ 216.55 грн
FDB035N10AON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB035N10AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
товар відсутній
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 214
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.86 грн
10+ 433.59 грн
100+ 362.92 грн
500+ 281.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB039N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB039N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB045AN08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB045AN08fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel UltraFET
на замовлення 8108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.77 грн
10+ 214.32 грн
25+ 182.43 грн
100+ 150.93 грн
250+ 150.27 грн
800+ 118.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB045AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.55 грн
1600+ 146.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB045AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+162.86 грн
1600+ 143.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB045AN08A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085onsemi / FairchildMOSFET 75V N-CHAN PwrTrench
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB045AN08A0-F085ConsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB045AN08A0-SN00237ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 19A T/R
товар відсутній
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB045AN08A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
товар відсутній
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB047N10ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB047N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 10690 шт:
термін постачання 473-482 дні (днів)
2+250.35 грн
10+ 212.81 грн
25+ 176.52 грн
100+ 154.87 грн
250+ 148.31 грн
500+ 141.09 грн
800+ 129.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.88 грн
1600+ 155.72 грн
2400+ 146.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB047N10FSCTO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.39 грн
1600+ 144.6 грн
2400+ 136.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB047N10ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB047N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.4 грн
10+ 162.28 грн
100+ 130.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB050AN06A0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.05 грн
10+ 145.02 грн
100+ 122.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB050AN06A0FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB050AN06A0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.21 грн
10+ 161.5 грн
100+ 112.87 грн
800+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.21 грн
10+ 87.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB050AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB060AN08A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.64 грн
10+ 235.57 грн
100+ 192.87 грн
500+ 155.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.88 грн
10+ 253.74 грн
100+ 207.93 грн
FDB060AN08A0onsemi / FairchildMOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.29 грн
10+ 175.08 грн
25+ 150.27 грн
100+ 133.87 грн
250+ 132.56 грн
500+ 129.27 грн
800+ 110.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.55 грн
10+ 245.32 грн
25+ 238.77 грн
100+ 186.91 грн
250+ 170.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.82 грн
1600+ 149.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+295.67 грн
44+ 264.19 грн
45+ 257.14 грн
100+ 201.29 грн
250+ 183.6 грн
Мінімальне замовлення: 39
FDB0630N1507LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB0630N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
на замовлення 79324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.07 грн
10+ 349.16 грн
100+ 290.97 грн
FDB0630N1507LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
на замовлення 78400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+266.61 грн
1600+ 231.06 грн
2400+ 216.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB0630N1507Lonsemi / FairchildMOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.18 грн
10+ 392.42 грн
25+ 309.73 грн
100+ 284.14 грн
250+ 267.08 грн
500+ 246.74 грн
800+ 219.18 грн
FDB0690N1507Lonsemi / FairchildMOSFET 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
товар відсутній
FDB069AN04C0-BINZ
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB070AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
товар відсутній
FDB070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.44 грн
10+ 191.68 грн
25+ 161.43 грн
100+ 135.18 грн
250+ 130.59 грн
500+ 115.49 грн
800+ 99.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB070AN06A0ONSEMIFDB070AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+240.28 грн
6+ 162.41 грн
17+ 153.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB070AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.6 грн
10+ 193.45 грн
100+ 158.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB070AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB070AN06A0-F085onsemi / FairchildMOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 695 шт:
термін постачання 788-797 дні (днів)
2+248.82 грн
10+ 221.11 грн
100+ 157.49 грн
500+ 133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB070AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
на замовлення 65024800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB075N15Aonsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.5 грн
10+ 314.69 грн
25+ 257.89 грн
100+ 221.8 грн
250+ 208.68 грн
500+ 196.21 грн
800+ 174.55 грн
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.66 грн
10+ 245.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.67 грн
10+ 283.27 грн
100+ 229.17 грн
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+285.16 грн
43+ 265.03 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDB075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+211.54 грн
1600+ 174.42 грн
2400+ 164.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB075N15A-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15A-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB075N15A-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB075N15A-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB075N15A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.97 грн
10+ 314.33 грн
100+ 265.75 грн
500+ 209.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB075N15A-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB075N15A-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
FDB075N15A-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.95 грн
10+ 280.73 грн
100+ 200.8 грн
500+ 169.96 грн
800+ 154.87 грн
2400+ 148.96 грн
4800+ 147.65 грн
FDB075N15A-F085ConsemiDescription: MODULE
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDB075N15A_SN00284onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товар відсутній
FDB075N15A_TAPEMicross ComponentsFDB075N15A_TAPE
товар відсутній
FDB082N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.07 грн
10+ 331.25 грн
100+ 276.01 грн
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB082N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 294W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.2mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 468A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB082N15Aonsemi / FairchildMOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.21 грн
10+ 392.42 грн
100+ 274.96 грн
250+ 266.42 грн
500+ 241.49 грн
800+ 224.43 грн
FDB082N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB082N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 294W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.2mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 468A
товар відсутній
FDB082N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB088N08onsemi / FairchildMOSFET NCH 75V 8.8Mohm
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.3 грн
10+ 187.91 грн
100+ 131.24 грн
500+ 108.28 грн
800+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB088N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
на замовлення 48412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB088N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB088N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB088N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
на замовлення 48412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB088N08ONSEMIFDB088N08 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDB10AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB10AN06A0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB10AN06A0ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
товар відсутній
FDB10AN06A0FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB10AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB10AN06AO03+ TO
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB10N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB10N20Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB110N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+209.81 грн
1600+ 173 грн
2400+ 162.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB110N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 234W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 65A
On-state resistance: 11mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 369A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB110N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 234W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 65A
On-state resistance: 11mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 369A
товар відсутній
FDB110N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB110N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.12 грн
10+ 281.01 грн
100+ 227.29 грн
FDB110N15Aonsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.58 грн
10+ 299.6 грн
25+ 250.02 грн
100+ 214.58 грн
250+ 202.77 грн
500+ 188.33 грн
800+ 158.15 грн
FDB120N10ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 296A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FDB120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB120N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.9 грн
10+ 178.85 грн
25+ 154.87 грн
100+ 125.99 грн
800+ 91.21 грн
2400+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB120N10ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 296A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.63 грн
10+ 158.72 грн
100+ 128.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB12N50FTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDB12N50FTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB12N50FTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB12N50FTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB12N50FTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.51 грн
10+ 98.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB12N50FTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB12N50FTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.06 грн
10+ 133.57 грн
25+ 112.21 грн
100+ 93.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB12N50TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB12N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB12N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB12N50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 129.8 грн
100+ 89.9 грн
250+ 82.68 грн
500+ 74.81 грн
800+ 64.7 грн
2400+ 61.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB12N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB12N50TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB12N50UTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 333
FDB12N50UTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB12N50UTM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB12N50UTM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB13AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.29 грн
10+ 123.01 грн
100+ 84.65 грн
500+ 81.37 грн
800+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB13AN06A0ON-SemicoductorTransistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.35 грн
10+ 90.53 грн
25+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDB13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB13AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB13AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.71 грн
10+ 110.05 грн
100+ 87.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB13AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB13AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB14AN06LAfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14AN06LAfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
товар відсутній
FDB14AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDB14AN06LA0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
товар відсутній
FDB14AN06LA0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB14AN06LA0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB14AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
товар відсутній
FDB14AN06LA0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB14AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDB14N30fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14N30fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB14N30onsemionsemi UF 300V 290MOHM D2PAK
товар відсутній
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.67 грн
10+ 88.58 грн
25+ 87.83 грн
100+ 68.96 грн
250+ 63.06 грн
500+ 52.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDB14N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.92 грн
500+ 62.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB14N30TMonsemi / FairchildMOSFET 300V N-Ch MOSFET
товар відсутній
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB14N30TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.73 грн
10+ 104.53 грн
100+ 83.92 грн
500+ 62.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+95.39 грн
121+ 94.59 грн
148+ 77.02 грн
250+ 73.35 грн
500+ 58.75 грн
Мінімальне замовлення: 120
FDB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB14N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB150N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.45 грн
10+ 200.69 грн
100+ 162.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB15N50ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB15N50ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB15N50onsemi / FairchildMOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 922-931 дні (днів)
2+271.02 грн
10+ 224.89 грн
25+ 188.99 грн
100+ 158.15 грн
250+ 152.9 грн
500+ 148.31 грн
800+ 124.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB15N50
Код товару: 46102
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDB15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB15N50_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB16AN08A0onsemi / FairchildMOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 750 шт:
термін постачання 171-180 дні (днів)
2+200.58 грн
10+ 169.04 грн
100+ 117.46 грн
250+ 107.62 грн
500+ 103.03 грн
800+ 81.37 грн
2400+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB16AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 6786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 220
FDB16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB16AN08A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB16AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB1D7N10CL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB1D7N10CL7ON Semiconductor
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB1D7N10CL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB1D7N10CL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
товар відсутній
FDB1D7N10CL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB1D7N10CL7onsemiMOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 627-636 дні (днів)
1+512.94 грн
10+ 433.17 грн
100+ 313.67 грн
500+ 276.92 грн
FDB1D7N10CL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
товар відсутній
FDB20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 545
FDB20AN06A0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB20AN06A0FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB20AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB20AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20AN06A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB20N50FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.08 грн
1600+ 108.08 грн
2400+ 101.77 грн
5600+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.79 грн
10+ 190.66 грн
100+ 164.9 грн
500+ 130.56 грн
800+ 101.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB20N50Fonsemi / FairchildMOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.8 грн
10+ 195.45 грн
25+ 169.3 грн
100+ 137.15 грн
250+ 136.49 грн
500+ 134.52 грн
800+ 108.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB20N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 8666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.21 грн
10+ 175.54 грн
100+ 142.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB20N50FONSEMIDescription: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.9 грн
500+ 130.56 грн
800+ 101.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB24AN06LA0FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
товар відсутній
FDB24AN06LA0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
товар відсутній
FDB24AN06LA0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.55 грн
10+ 224.21 грн
100+ 181.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532
Код товару: 61087
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.27 грн
5+ 166.11 грн
14+ 156.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.88 грн
10+ 249.79 грн
100+ 175.87 грн
500+ 170.62 грн
800+ 137.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB2532ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+317.13 грн
5+ 206.99 грн
14+ 187.84 грн
FDB2532-F085onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDB2532-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2532-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB2532_SB82254onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB2552ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+208.33 грн
62+ 186.13 грн
63+ 182.83 грн
100+ 143.95 грн
250+ 132.27 грн
500+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 55
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2552ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+193.45 грн
10+ 172.83 грн
25+ 169.77 грн
100+ 133.67 грн
250+ 122.82 грн
500+ 89.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2552onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.84 грн
10+ 128.29 грн
100+ 92.53 грн
800+ 66.28 грн
2400+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2552onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2552-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB2552-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2570fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2570FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2570FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2572onsemi / FairchildMOSFET N-Channel UltraFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.76 грн
10+ 120.74 грн
100+ 83.34 грн
250+ 76.78 грн
500+ 69.56 грн
800+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 29A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 29A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.29 грн
10+ 108.82 грн
100+ 86.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+96.06 грн
10+ 87.82 грн
25+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDB2572_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+296.72 грн
10+ 240.2 грн
100+ 194.32 грн
FDB2614ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB2614ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
товар відсутній
FDB2614onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB2614ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 260
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.13 грн
10+ 294.46 грн
100+ 239.98 грн
500+ 185.93 грн
800+ 168.47 грн
1600+ 164.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2614onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.31 грн
10+ 267.15 грн
100+ 187.68 грн
800+ 147.65 грн
FDB2614ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2670fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2670FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
FDB2670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 182
FDB2670FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0363
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.82 грн
10+ 319.49 грн
100+ 262.07 грн
500+ 206.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2710onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 479-488 дні (днів)
1+342.98 грн
10+ 284.5 грн
25+ 232.96 грн
100+ 200.15 грн
250+ 189.65 грн
500+ 177.83 грн
800+ 157.49 грн
FDB2710ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 101nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 36.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB2710ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 260
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+262.07 грн
500+ 206.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB2710ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB2710onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.62 грн
10+ 252.1 грн
100+ 203.93 грн
FDB2710ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 101nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 36.3mΩ
товар відсутній
FDB28N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.29 грн
10+ 109.16 грн
100+ 86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB28N30TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB28N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.35 грн
1600+ 62.38 грн
2400+ 59.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB28N30TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB28N30TMON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDB28N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB28N30TMonsemi / FairchildMOSFET 300V N-Channel
на замовлення 20718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.29 грн
10+ 123.01 грн
100+ 85.31 грн
250+ 83.34 грн
500+ 75.46 грн
800+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB28N30TM транзистор
Код товару: 193843
ON-SemicoductorТранзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB32N12
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB33N25fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB33N25onsemi / FairchildMOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK
товар відсутній
FDB33N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB33N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB33N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.54 грн
10+ 123.76 грн
100+ 91.87 грн
800+ 65.62 грн
2400+ 65.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB33N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB33N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB33N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB33N25TMON-SemicoductorN-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3502ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3502onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.32 грн
10+ 94.54 грн
100+ 76.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB3502ON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3502ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3502onsemi / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.87 грн
10+ 81.5 грн
100+ 63.46 грн
250+ 57.94 грн
500+ 57.48 грн
800+ 47.12 грн
2400+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB3502onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.86 грн
1600+ 51.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
на замовлення 20487 шт:
термін постачання 953-962 дні (днів)
2+215.9 грн
10+ 178.85 грн
25+ 151.59 грн
100+ 125.99 грн
800+ 99.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB3632-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB3632-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB3632-F101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
FDB3632-SN00239ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A T/R
товар відсутній
FDB3632.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead
товар відсутній
FDB3632_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB3632_SB82115onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.41 грн
5+ 102.53 грн
10+ 83.39 грн
27+ 79.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.81 грн
500+ 74.51 грн
800+ 63.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3652
Код товару: 155755
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
очікується 20 шт:
20 шт - очікується 08.04.2024
1+75 грн
10+ 69 грн
FDB3652ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+149.29 грн
5+ 127.77 грн
10+ 100.07 грн
27+ 95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+122.94 грн
10+ 108.21 грн
100+ 89.81 грн
500+ 74.51 грн
800+ 63.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3652-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 220
FDB3652-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB3652-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB3652-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.
товар відсутній
FDB3652SB82059Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+170.43 грн
Мінімальне замовлення: 116
FDB3652SB82059ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+258.39 грн
Мінімальне замовлення: 138
FDB3652_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB3672fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3672Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
товар відсутній
FDB3672fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
товар відсутній
FDB3672ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3672-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB3672-F085onsemi / FairchildMOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.87 грн
10+ 169.04 грн
25+ 139.12 грн
100+ 118.12 грн
500+ 97.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.01 грн
10+ 156.67 грн
100+ 125.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB3672_F085/BKNonsemiDescription: FDB3672_F085/BKN
товар відсутній
FDB3682FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3682onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.3 грн
10+ 133.57 грн
100+ 91.87 грн
500+ 91.21 грн
800+ 65.62 грн
2400+ 62.28 грн
4800+ 60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.78 грн
10+ 119.42 грн
100+ 95.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3682FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3682fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товар відсутній
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товар відсутній
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товар відсутній
FDB38N30UON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB38N30Uonsemi / FairchildMOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120mO
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 686-695 дні (днів)
2+225.08 грн
10+ 186.4 грн
25+ 159.46 грн
100+ 131.24 грн
800+ 103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB390N15Aonsemi / FairchildMOSFET 150V NCHAN PwrTrench
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.9 грн
10+ 104.9 грн
100+ 79.4 грн
500+ 76.12 грн
800+ 57.22 грн
2400+ 57.03 грн
4800+ 55.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.16 грн
10+ 107.32 грн
100+ 85.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.04 грн
1600+ 61.31 грн
2400+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3P50fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB3P50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB4020PFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 370
FDB4020PFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB4020Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB4020PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
товар відсутній
FDB4020PONSEMIDescription: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+80.98 грн
Мінімальне замовлення: 445
FDB4020Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT
товар відсутній
FDB4030Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 360
FDB4030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB42AN15A0FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB42AN15A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB42AN15A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB42AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB42AN15A0FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB42AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB42AN15A0-F085Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB42AN15A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB42AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB44N25fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB44N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB44N25TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.09 грн
500+ 113.47 грн
800+ 73.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB44N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.74 грн
10+ 150.93 грн
100+ 104.34 грн
800+ 75.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB44N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+174.02 грн
5+ 148.22 грн
8+ 123.86 грн
22+ 116.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB44N25TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.49 грн
10+ 158.27 грн
100+ 128.09 грн
500+ 113.47 грн
800+ 73.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.94 грн
10+ 135.21 грн
100+ 107.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB44N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.02 грн
5+ 118.94 грн
8+ 103.22 грн
22+ 97.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.58 грн
1600+ 77.27 грн
2400+ 73.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB52N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB52N20fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB52N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.61 грн
5+ 145.66 грн
9+ 114.84 грн
23+ 109.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB52N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.34 грн
5+ 116.89 грн
9+ 95.7 грн
23+ 90.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.56 грн
10+ 164.9 грн
100+ 132.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB52N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 18308 шт:
термін постачання 513-522 дні (днів)
2+178.38 грн
10+ 146.4 грн
100+ 101.71 грн
800+ 74.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB52N20TMON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB5645FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+247.19 грн
Мінімальне замовлення: 79
FDB5645fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+379.11 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDB5645FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5680FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5680FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5680Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+118.37 грн
Мінімальне замовлення: 188
FDB5685fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5685fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5690fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товар відсутній
FDB5690fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товар відсутній
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товар відсутній
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB5800ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.09 грн
5+ 149.7 грн
7+ 123.04 грн
17+ 116.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB5800
Код товару: 176853
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB5800ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.31 грн
5+ 186.55 грн
7+ 147.65 грн
17+ 139.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.19 грн
10+ 193.95 грн
25+ 165.37 грн
100+ 138.46 грн
500+ 115.49 грн
800+ 98.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.83 грн
10+ 163.42 грн
100+ 134.71 грн
500+ 106.64 грн
1000+ 96.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB5800On SemiconductorMOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.82 грн
10+ 153.05 грн
100+ 123.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
товар відсутній
FDB6021Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6021PRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 385
FDB6021PFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6021PFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030BLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 82680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB6030BLON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
товар відсутній
FDB6030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB6030LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030LFAI0006+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
на замовлення 22487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 614
FDB6035A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 172290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+145.02 грн
Мінімальне замовлення: 247
FDB6035ALFAIRTO252
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 172290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 207
FDB6035ALFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
FDB6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB6035ALFAIRCHILDTO263
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+228.44 грн
Мінімальне замовлення: 89
FDB6035LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035LFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+338.62 грн
Мінімальне замовлення: 105
FDB6035Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB603ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB603ALFAI0006+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB603ALFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB603ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+86.6 грн
Мінімальне замовлення: 247
FDB603ALFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6530AFAIRTO252
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6644FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6644fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6644FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6644SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670FAIRCHILD03+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDB6670ALFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB6670ALFSC09+
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ALFAI04+
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ALON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB6670ALFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ALFAIRCHILDTO263
на замовлення 10135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670AL
Код товару: 150683
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDB6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 91766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 278
FDB6670ALFairchild
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670AL-NLINTEL09+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670AL-NLFAIRCHILD0651+ TO-263
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ASfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB6670ASfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ASNLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670ASNLfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V
на замовлення 19090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 112
FDB6670SFSC09+
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6670Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676FAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 25443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 386
FDB6676FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6676Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB66870ALfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB66870ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6690SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6690SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 398
FDB6690SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB6690Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB66N15fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB66N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB66N15TMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7020BLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7020BLfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB7030BLfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLFAI02+
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLFairchild
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB7030BLFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLFairchild SemiconductorDescription: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 70285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 704
FDB7030BLFSC09+
на замовлення 5424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BLFAIRTO252
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BL-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
товар відсутній
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDB7030BLSFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+125.9 грн
Мінімальне замовлення: 161
FDB7030BLSonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7030BLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
товар відсутній
FDB7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7030LFSC09+
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030LFAIRTO263/2.5
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB7030LFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB7030LFAIRCHILD
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 64336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+375.01 грн
Мінімальне замовлення: 52
FDB7030LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7030L_L86ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB7030L_L86Zonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB7030L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7042LFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7042Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7042LFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7042LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 120405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+39.6 грн
Мінімальне замовлення: 545
FDB7045FAIRCHILD04+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 119819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+401.93 грн
Мінімальне замовлення: 89
FDB7045LFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045LFSCTO
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 122774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+255.37 грн
Мінімальне замовлення: 81
FDB7045LFAIRCHILD
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB7045LFSC09+
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB7045L_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB7051L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8030LFairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB8030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8030LFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8030LFSC09+
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8030LFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товар відсутній
FDB8030L_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, TO263, NCH
товар відсутній
FDB8030L_Tonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDB8132Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8160Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
на замовлення 17624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 193
FDB8160-F085Fairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 233
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8441Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8441ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Power dissipation: 300W
Gate charge: 280nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDB8441onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.41 грн
10+ 72.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+100.8 грн
Мінімальне замовлення: 212
FDB8441-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+113.58 грн
Мінімальне замовлення: 313
FDB8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8442fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB8442fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NCHAN PwrTrench
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8442-F085-FSFairchild SemiconductorDescription: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+99.2 грн
Мінімальне замовлення: 202
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
товар відсутній
FDB8443onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8443ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.13 грн
10+ 277.71 грн
25+ 228.36 грн
100+ 198.18 грн
FDB8443onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8443-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
товар відсутній
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.81 грн
10+ 116.07 грн
100+ 92.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB8444fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8444onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.24 грн
10+ 130.55 грн
100+ 90.56 грн
250+ 83.34 грн
500+ 74.15 грн
800+ 64.7 грн
2400+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB8444Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 167648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 264
FDB8444fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8444-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB8444-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8444-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8444-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8444-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB8444TSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8444TSonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товар відсутній
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8445fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8445Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товар відсутній
FDB8445FAIRCHIL
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8445fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8445onsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES
товар відсутній
FDB8445Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.28 грн
10+ 179.43 грн
100+ 147.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB8445-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товар відсутній
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8447Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.66 грн
10+ 150.18 грн
25+ 127.31 грн
100+ 111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8447LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB8447LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDB8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.56 грн
10+ 140.61 грн
100+ 113.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB8453LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 417
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
товар відсутній
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Technology: UniFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB86102LZonsemi / FairchildMOSFET 100V NCHAN PwrTrench
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.93 грн
10+ 127.54 грн
100+ 89.25 грн
800+ 60.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
товар відсутній
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86102LZON Semiconductor
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Technology: UniFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
FDB86135ON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+301.21 грн
40+ 285.51 грн
41+ 280.96 грн
100+ 262.44 грн
250+ 237.99 грн
500+ 200.12 грн
Мінімальне замовлення: 38
FDB86135onsemi / FairchildMOSFET PWM PFC COMBO
на замовлення 19725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.23 грн
10+ 308.65 грн
25+ 267.74 грн
100+ 248.05 грн
250+ 246.08 грн
500+ 228.36 грн
800+ 209.33 грн
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+251 грн
1600+ 206.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.69 грн
10+ 265.11 грн
25+ 260.89 грн
100+ 243.69 грн
250+ 220.99 грн
500+ 185.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB86135ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.26 грн
10+ 336.11 грн
100+ 271.91 грн
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.96 грн
10+ 300.77 грн
100+ 243.28 грн
FDB86360-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+224.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB86360-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86360-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86360-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
1+445.57 грн
10+ 394.68 грн
25+ 324.17 грн
100+ 281.52 грн
500+ 239.52 грн
800+ 201.46 грн
2400+ 190.3 грн
FDB86360_SN00307onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
товар відсутній
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
товар відсутній
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86363-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356 грн
10+ 316.2 грн
100+ 225.08 грн
500+ 191.62 грн
800+ 161.43 грн
2400+ 153.55 грн
4800+ 148.96 грн
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+186.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.09 грн
10+ 304.39 грн
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.84 грн
10+ 246.61 грн
100+ 201.7 грн
500+ 159.95 грн
800+ 144.49 грн
1600+ 141.97 грн
2400+ 138.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
товар відсутній
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB86366-F085onsemi / FairchildMOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 166.78 грн
25+ 141.09 грн
100+ 118.12 грн
250+ 114.84 грн
500+ 103.03 грн
800+ 85.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDB86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB86366-F085ON Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.46 грн
10+ 143.89 грн
100+ 116.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB86563-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB86563-F085ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB86563-F085onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB86563-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 110A, 1.8mohm
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.03 грн
10+ 252.05 грн
100+ 179.8 грн
500+ 149.62 грн
800+ 125.99 грн
2400+ 124.03 грн
4800+ 122.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB86566-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
2+218.19 грн
10+ 193.95 грн
25+ 159.46 грн
100+ 135.84 грн
500+ 111.56 грн
800+ 91.87 грн
2400+ 83.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товар відсутній
FDB86569-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
товар відсутній
FDB86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB86569-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8832ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8832ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8832ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8832-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8832-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
товар відсутній
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8860fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
товар відсутній
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.87 грн
10+ 217.5 грн
25+ 208.7 грн
50+ 199.27 грн
100+ 154.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB8860fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
товар відсутній
FDB8860onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDB8860FAIRCHIL06+
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB8860-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товар відсутній
FDB8860-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB8860-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12585 pF @ 15 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 174
FDB8860_SB82193onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDB8860_SB82194onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній