Продукція > FDB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB-1012 | FINISAR | GBIC EVALUATION BOARD FDB кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1012 | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL GBIC TXRX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1017 | FINISAR | EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1017 | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFF Type: Telecom Utilized IC / Part: SFF Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1018 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD SFP/SFP+ Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1019 | FINISAR | EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1019 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1019 | Coherent | Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFF Type: Telecom Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SFF Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1022 | Coherent | Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1022 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD XFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, XFP Type: Telecom Utilized IC / Part: XFP Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1022 | FINISAR | XFP Evaluation Board FDB кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1022 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1027 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD SFP/SFP+ Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s Embedded: No Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1027 | FINISAR | Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD FOR SFP+ MODULES Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Finisar Corporation | EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1033 | FINISAR | Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1033 | Finisar Corporation | Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1034 | FINISAR | FDB-1034 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Finisar Corporation | 40G/100G CFP Breakout Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Coherent | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Coherent | Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Coherent | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1040-EL | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Coherent | Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Finisar | Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1042 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD QSFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP Type: Telecom Utilized IC / Part: QSFP Modules Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1042 | FINISAR | Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1043 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1043 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1043 | Coherent | Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP Packaging: Box Function: Fiber Optic Transceiver, CXP Type: Telecom Utilized IC / Part: CXP Modules Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1043 | FINISAR | C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1044 | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1044 | Finisar Corporation | Description: EVAL BRD T-XFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1045 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1045 | Coherent | Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE Packaging: Bulk Contents: Board(s) Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1045 | Finisar Corporation | Evaluation Board for 12X10 GBP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1047-CL | Coherent | Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1047-CL | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1047-S | Coherent | Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board (Module solders down to board) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1047-S | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1048 | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1048 | Finisar Corporation | Description: WAVELENGTH TUNING BOX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Tunable Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1050 | Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1051 | Coherent | Description: EVAL BOARD FOR QSFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP Type: Telecom Utilized IC / Part: QSFP Modules Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1051 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1051 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1052 | Finisar Corporation | Evaluation Board for Tunable S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1052 | Coherent | Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+. Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1052 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1053-10BK-EL | Finisar Corporation | Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1053-10BK-EL | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | Coherent | Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | Coherent | Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1057 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1061-EL-BT | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1067-CFP2-DCO | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-1068-QSFP-DD-DCO | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-2 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrester; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC IP rating: IP65; IP67 Mounting: M20x1.5 Type of protection: surge arrester Kind of surge arrester: Type 2+3 Operating temperature: -20...70°C Lead length: 0.25m Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Conform to the norm: ATEX Ex Leads: cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-2 24-N | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrester; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C Conform to the norm: ATEX Ex Leads: cables IP rating: IP65; IP67 Type of protection: surge arrester Kind of surge arrester: Type 2+3 Operating temperature: -20...70°C Lead length: 0.25m Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Mounting: 1/2" NPT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-25P(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25P(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT Packaging: Bulk Part Status: Active Features: Feed Through, Grounding Indents Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm) Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Primary Material: Metal | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25P(51) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-25PBL2TI2/1 | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1 - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Stecker Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e) euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25PF(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT Features: Feed Through, Grounding Indents Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Primary Material: Metal | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25PF(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-25PTI2/1 | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1 - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT tariffCode: 85366990 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: - isCanonical: Y Ausführung: Stecker Steckverbindermontage: Kabelmontage, Panelmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e) euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: IDC / IDT Steckverbindermaterial: Metallgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25S(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25S(05) | HIROSE | Category: D-Sub plugs and sockets Description: Connector: D-Sub; PIN: 25; plug; female; straight; IDC; 1A; black Type of connector: D-Sub Number of pins: 25 Connector: plug Kind of connector: female Spatial orientation: straight Electrical mounting: IDC Current rating: 1A Contact plating: gold-plated Colour: black Connector variant: feed-through Enclosure material: metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-25S(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT Features: Feed Through Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Part Status: Active Primary Material: Metal | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25SBL2T2/1 | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1 - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Buchse Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e) euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25ST2/1-LF | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85366930 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Buchse Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e) euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-3 | Plato | Chemicals CAP 10/PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-3 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrester; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC IP rating: IP65; IP67 Mounting: M20x1.5 Type of protection: surge arrester Kind of surge arrester: Type 2+3 Operating temperature: -20...70°C Lead length: 0.25m Number of poles: 3 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Conform to the norm: ATEX Ex Leads: cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-4 | Plato | Chemicals YELLOWCAP 10/PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN GUIDE PLATE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-P | Hirose Connector | Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-P | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB-S | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ONS/FAI | MOSFET N-Ch Power Trench, 40V, 460A, TO-263-7 (D2Pak (6 Leads + Tab)) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 300 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0105N407L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0105N407L Код товару: 155287
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 460 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 600 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi | MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 3341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V | на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 3341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 769 шт: термін постачання 241-250 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | ON Semiconductor | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V | на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0170N607L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0170N607L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1620A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 173nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi | MOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 250W Case: D2PAK-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 249nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 778 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 270 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: Power Trench Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 SVHC: Lead | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | на замовлення 29849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi | MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 246 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | на замовлення 6457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0250N807L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 240A Pulsed drain current: 1110A Power dissipation: 214W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0250N807L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0250N807L | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi | MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0250N807L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi | MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1100A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | на замовлення 16133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET NCH 60V 2.9Mohm | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | ONS/FAI | MOSFET N-Ch, 60V, 120A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC On-state resistance: 7.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK | на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 6090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 61429600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 29600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035AN06AD | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB035AN06AO | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035N | NS | 06+ SIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 16298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 856A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB039N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB039N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel UltraFET | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 281600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085C | onsemi | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB045AN08A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UltraFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | FSC | TO263 10+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET | на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi | MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V | на замовлення 2841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi | MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | ONN | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB0630N1507L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 720A; 300W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 300W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 97nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 720A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0690N1507L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB0690N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0690N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB069AN04C0-BINZ | на замовлення 1688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 6646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 175W | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm | на замовлення 18746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 695 шт: термін постачання 788-797 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 65024800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ONN | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 333 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: FDB PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ONN | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085C | ON Semiconductor | FDB075N15A-F085C | на замовлення 31309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085C | onsemi | Description: MODULE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB075N15A_SN00284 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi | MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB088N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB088N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs NCH 75V 8.8Mohm | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB088N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB10AN06AO | 03+ TO | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB10N20L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 8731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V | на замовлення 3238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench | на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50FTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC On-state resistance: 0.7Ω Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC On-state resistance: 0.65Ω Kind of channel: enhancement Technology: DMOS; UniFET™ Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi | MOSFETs 500V N-CH MOSFET | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50TM | ONN | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB12N50UTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50UTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB12N50UTM - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50UTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB12N50UTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 10024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON-Semiconductor | Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 194 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 300V 14A 0.29Ohm 140W D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30 | onsemi | onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ONS/FAI | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 140 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 300V N-Ch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 759 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi | MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr | на замовлення 9542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 Код товару: 46102
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB15N50_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | на замовлення 737 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ONS/FAI | MOSFET N-CH, 100V, 268A, D2PAK7 (TO-263 7 LD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V | на замовлення 3634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | MOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | On Semiconductor | MOSFET N-CH, 100V, 268A, TO-263 (D2PAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2020 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 20A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2020L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 20A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2020S18 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 20A W/ST 12-24VAC OR VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2020VL | Eaton Electrical | Circuit Breakers TYPE FDB 2P 20A BRK FOR 50C AMBIENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2020VW | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 20A 50 DEGREE W/O TERM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2020VWD01 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 2P 20A T/M 50C W/KEEPER NUTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2040 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 2P 40A/250VDC MAX 10K/600VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2060 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 2P 60A/250VDC MAX 10K/600VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2060L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2070 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 2P 70A/250VDC MAX 10K/600VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2070L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2070S22 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 70A W/ST 48-127VAC OR 48-60VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2080 | Eaton Electrical | Circuit Breakers TYPE FDB BREAKER 2 POLE 80 AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2080L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 80A CKBR W/LINE & LOAD TERMINALS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2080N06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 80 A W/LST1RPK Low Energy ST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET | на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 11422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2100D01S1803 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A KPR S/T 37.5VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2100S23 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 100A W/ST 48-127VAC / 48-60VDC RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2125A06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 2P 125A W/AUX SW 1A1B RH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2150D22 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FD2150 w/ line & line end cap | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 Код товару: 61087
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench | на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 2143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532_SB82254 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2532_SN00096 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2532_SN00238 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ONN | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ONS/FAI | MOSFET N-Ch, 150V, 37A, D2PAK (TO-263AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2570 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel UltraFET | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 99nC On-state resistance: 27mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 62A Drain-source voltage: 200V Power dissipation: 260W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2670 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 50nC | на замовлення 698 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONS/FAI | MOSFET N-Ch, 300V, 28A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | MOSFETs 300V N-Channel | на замовлення 10826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM транзистор Код товару: 193843
Додати до обраних
Обраний товар
| ON-Semicoductor | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3010D11 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 10A W/ LINE & LOAD END CAP KITSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3020L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 20A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3030L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 30A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3040A190405D11M04 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 40A ACCESSORIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060LA05 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB BRK 3P 60A W/ Line & Load Terminals | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060LA06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 60A W/AUX SW 1A1B RH PIGTAIL REAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060LD08 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 60AMP WITH CONTROL WIRE TERMINAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060VS05 | Bussmann / Eaton | FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3060VS05 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070LA02 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70A 1A1B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070LD08 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70AMP WITH CONTROL WIRE TERMINAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070LU13 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70A W/UVR 110-127VAC LH TERM L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070V | Eaton Electrical | Circuit Breakers SAME AS FDB3070 EXCEPT CALRTD 4 50C AMB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070VL | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70AMP L&L TERM 50 DEGREE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070VW | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 70A 50 DEGREE W/O TERMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070WA02D11S1803 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB CB 3P 70A w/o TERM W/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3070WL11 | Eaton Electrical | Circuit Breakers F-FRAME MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3125V | Eaton Electrical | Circuit Breakers SAME AS FDB3125 EXCEPT CALRTD 4 50C AMB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3125VL | Eaton Electrical | Circuit Breakers SAME AS FDB3125L EXCEPT CALRTD 4 50C AMB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3150LA10 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 3P 150A W/AUX SW 2A-2B LH TERM L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB32N12 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB33N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs UF 250V 94MOHM D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB33N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | на замовлення 15808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Ch MOSFET | на замовлення 14329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON-Semiconductor | N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 100V 80A 310W D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 6936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC On-state resistance: 22mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench | на замовлення 10562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3632_SB82115 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 43mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 61A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 Код товару: 155755
1
Додати до обраних
Обраний товар
| VBSemi | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 61 A Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41 Монтаж: SMD | у наявності 18 шт: 8 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652SB82059 | ON Semiconductor | FDB3652SB82059 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652SB82059 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652SB82059 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3672 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 44 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 10213200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3672_F085/BKN | onsemi | Description: FDB3672_F085/BKN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel Pwr Trench | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; D2PAK-3 Mounting: SMD Case: D2PAK-3 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18.5nC On-state resistance: 36mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 32A Power dissipation: 95W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench | на замовлення 7224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi | Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi | Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi | MOSFETs UF 300V 120MOHM U DPAK | на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi | MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | ONS/FAI | N-Ch MOSFET 150V, 27A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB3P50 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4010 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 40C BKR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4020P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB4020P | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4020P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V | на замовлення 5926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB4020P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4030L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB4030L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4035A06 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With AUX SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4035A13S10 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With Aux SW & S/T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4060 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 40C BKR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4060L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 40C BKR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4070L | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 40C BKR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB4090 | Eaton Electrical | Circuit Breakers FDB 40C BKR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB42AN15A0_SN00093 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB44N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Ch MOSFET | на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Gate charge: 61nC On-state resistance: 69mΩ Drain current: 26.4A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 307W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar | на замовлення 538 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi | MOSFETs 250V N-Ch MOSFET | на замовлення 3487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V | на замовлення 10474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Ch MOSFET | на замовлення 10350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 102 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5645 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5645 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5645 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5680 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 7838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5680 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5685 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5690 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5690 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 21703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V | на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 Код товару: 176853
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET | на замовлення 6097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB5800 | On Semiconductor | MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800_F085 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6021P | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6021P | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 21255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6030 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6030BL | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 82680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6030BL | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB | на замовлення 22487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6035A | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB6035AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6035AL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 172284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035AL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6035AL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | на замовлення 172289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6035L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6035L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB603AL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB603AL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6530A | FAIR | TO252 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6644 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6644S | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670 | FAIRCHILD | 03+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 52339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 22416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 19148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL Код товару: 150683
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB6670AL-NL | FAIRCHILD | 0651+ TO-263 | на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AS | FAIRCHILD | FDB6670AS | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AS | FAIRCHILD | FDB6670AS | на замовлення 3893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AS | FAIRCHILD | FDB6670AS | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670AS | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670ASNL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6670S | FAIRCHILD | FDB6670S | на замовлення 16740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V | на замовлення 19090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670S | FAIRCHILD | FDB6670S | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6676 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6676 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V | на замовлення 25443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6676S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB66870AL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6690S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB6690S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V | на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6690S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB66N15 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB66N15TM | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7020BL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 47043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | ONS/FAI | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | Fairchild Semiconductor | Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | на замовлення 62509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL-ON | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 60 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 Qualifikation: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BLS | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BLS | ON Semiconductor | FDB7030BLS | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BLS | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BLS | ON Semiconductor | FDB7030BLS | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BLS | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BLS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BLS | ON Semiconductor | FDB7030BLS | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L | ON Semiconductor | FDB7030L | на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | ON Semiconductor | FDB7030L | на замовлення 19775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | onsemi | MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L | ON Semiconductor | FDB7030L | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 64336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L | ON Semiconductor | FDB7030L | на замовлення 10177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | ON Semiconductor | FDB7030L | на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L_L86Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L_L86Z | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7030L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7042L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7042L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V | на замовлення 93855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7045 | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7045L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7045L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V | на замовлення 116964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7045L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 119044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7045L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7045L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB7051L | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB8030L | Fairchild Semiconductor | Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8030L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8030L_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V, TO263, NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8030L_T | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8132 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8160 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V | на замовлення 17624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8160-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V | на замовлення 10541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442 | onsemi | MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 235860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 250170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V NCHAN PwrTrench | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442-F085-FS | Fairchild Semiconductor | Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8443 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8443 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8443-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | на замовлення 167648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444TS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8445 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 20 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8453LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8453LZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8453LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 16.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8453LZ | onsemi | MOSFETs 40V N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86102LZ | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 3.1W Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V NCHAN PwrTrench | на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | на замовлення 705 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86102LZ | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V | на замовлення 6918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | на замовлення 640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi / Fairchild | MOSFETs PWM PFC COMBO | на замовлення 15946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi | MOSFETs PWM PFC COMBO | на замовлення 14100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 7882 шт: термін постачання 418-427 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86360_SN00307 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Power Trench FDD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Power Trench FDD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONN | на замовлення 765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 176 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK N-Channel PowerTrench | на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK) Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 176 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2 Verlustleistung: 176 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET | на замовлення 1600 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK) Verlustleistung: 176 Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 94 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8832 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET | на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832 | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8832_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8860 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12585 pF @ 15 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8860_SB82193 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860_SB82194 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860_SN00039 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8860_SN00040 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 23321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 55520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 2877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 17712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8870-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8870PB | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDB8874 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8874 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8874 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8874 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8876 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8876 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB | на замовлення 7486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8876 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8878 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8878 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8880 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8880 | Fairchild Semiconductor | Description: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8880-NL | FAIRCHILD | TO-263 0710+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8880-ON | onsemi | Description: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8896 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 93 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 80 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB8896_NL | FAIRCHIL | 09+ SOT23 | на замовлення 812 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL, MOSFET | на замовлення 8787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB9403-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V 110A 1.2mOhm N PowerTrench MOSFET | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 1555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403L-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9403_SN00268 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9406-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB9406-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDB9406-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9406-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB9406L-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB9406L-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |