Продукція > NVT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVT0402S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0402S300M420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S110S180TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S130S220TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160L270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160Q270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S260Q270TRF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S260Q330TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S300N420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S6R7S120TRF
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S6R7T120TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Bulk
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 460205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 792
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 64116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+35.36 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.39 грн
10+57.47 грн
100+38.37 грн
500+30.31 грн
1000+25.74 грн
5000+20.41 грн
10000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1247+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 1247
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.24 грн
5000+18.03 грн
7500+17.78 грн
12500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
на замовлення 14564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.46 грн
11+29.52 грн
25+23.01 грн
100+20.07 грн
250+18.64 грн
500+17.82 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.27 грн
50+36.88 грн
100+32.26 грн
500+26.78 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+21.47 грн
636+20.35 грн
647+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 16707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
11+28.99 грн
25+26.01 грн
100+21.28 грн
250+19.80 грн
500+18.90 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.70 грн
500+32.54 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+35.56 грн
1000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.62 грн
10+61.64 грн
25+50.87 грн
100+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 1133
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.95 грн
500+26.55 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 13703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
12+24.93 грн
25+23.40 грн
100+20.42 грн
250+19.05 грн
500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+26.49 грн
497+26.07 грн
505+25.65 грн
513+24.32 грн
522+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.68 грн
12+26.30 грн
25+21.58 грн
100+20.00 грн
250+18.64 грн
500+18.09 грн
4000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.84 грн
27+27.93 грн
100+26.50 грн
250+24.13 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.03 грн
22+36.64 грн
100+29.95 грн
500+26.55 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+35.01 грн
397+32.60 грн
416+31.13 грн
500+28.36 грн
1000+24.87 грн
4000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
на замовлення 64789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+46.40 грн
25+36.32 грн
100+32.02 грн
250+29.97 грн
500+28.68 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
615+52.62 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 615
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.02 грн
250+32.57 грн
500+31.82 грн
1000+29.22 грн
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 10-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+47.41 грн
25+42.75 грн
100+35.33 грн
250+33.04 грн
500+31.66 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.40 грн
17+47.08 грн
50+42.93 грн
100+36.02 грн
250+32.57 грн
500+31.82 грн
1000+29.22 грн
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
615+52.62 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 615
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 10-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.44 грн
5000+30.47 грн
7500+30.09 грн
12500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR DFN2514-12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.59 грн
10+46.89 грн
25+42.31 грн
100+34.94 грн
250+32.67 грн
500+31.30 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.22 грн
25+39.21 грн
100+37.80 грн
250+34.98 грн
500+33.56 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.72 грн
500+30.70 грн
1000+28.06 грн
2500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.59 грн
10+47.97 грн
25+38.23 грн
100+33.66 грн
250+31.82 грн
500+30.93 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.84 грн
6000+29.94 грн
9000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+35.26 грн
500+32.63 грн
1000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.72 грн
18+45.88 грн
100+36.72 грн
500+30.70 грн
1000+28.06 грн
2500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+28.77 грн
457+28.34 грн
464+27.90 грн
472+26.48 грн
479+24.13 грн
500+22.79 грн
1000+22.41 грн
3000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.39 грн
10+57.87 грн
100+41.10 грн
500+38.51 грн
1000+33.39 грн
2500+31.20 грн
6000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+57.06 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.26 грн
24+30.82 грн
25+29.28 грн
50+26.69 грн
100+25.22 грн
250+24.82 грн
500+24.42 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+29.15 грн
452+28.63 грн
466+27.77 грн
800+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 444
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+57.06 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-HVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.74 грн
10+51.18 грн
25+46.18 грн
100+38.23 грн
250+35.77 грн
500+34.30 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.19 грн
5000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
на замовлення 20465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.57 грн
10+50.09 грн
25+39.33 грн
100+34.68 грн
250+32.50 грн
500+31.27 грн
1000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+38.64 грн
404+32.08 грн
419+30.87 грн
500+28.44 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 58077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.23 грн
10+61.01 грн
100+39.94 грн
500+36.53 грн
1000+31.27 грн
3000+28.47 грн
6000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+51.63 грн
25+46.63 грн
100+38.55 грн
250+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.58 грн
16+49.17 грн
25+48.86 грн
50+46.82 грн
100+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage-level translator for open-drain and push-pull applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118
Код товару: 189102
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Логіка
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.81 грн
10+53.48 грн
25+48.37 грн
100+40.12 грн
250+37.60 грн
500+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+70.87 грн
508+63.78 грн
1000+58.82 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+64.23 грн
25+50.59 грн
100+44.79 грн
250+42.06 грн
500+40.90 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+83.57 грн
183+70.89 грн
200+65.71 грн
1000+47.57 грн
2000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+70.87 грн
508+63.78 грн
1000+58.82 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.58 грн
10+83.08 грн
25+75.36 грн
100+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+54.29 грн
25+49.08 грн
100+40.71 грн
250+38.16 грн
500+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.42 грн
3000+36.00 грн
4500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 24140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.79 грн
10+51.19 грн
25+41.03 грн
100+37.14 грн
250+35.37 грн
500+34.62 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.62 грн
5000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.11 грн
10+89.21 грн
50+77.03 грн
100+60.13 грн
250+52.30 грн
500+49.09 грн
1000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 11817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+80.09 грн
100+55.17 грн
500+49.09 грн
1000+38.78 грн
2500+36.12 грн
5000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118
Код товару: 163785
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.55 грн
10+97.46 грн
25+87.60 грн
100+76.39 грн
250+63.28 грн
500+52.93 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+55.70 грн
25+50.39 грн
100+41.77 грн
250+39.16 грн
500+37.58 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.13 грн
250+52.30 грн
500+49.09 грн
1000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+90.97 грн
159+81.76 грн
175+73.94 грн
250+63.78 грн
500+51.46 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+355.32 грн
1600+334.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MR
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.31 грн
10+442.05 грн
100+337.28 грн
500+332.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.37 грн
10+440.39 грн
25+408.91 грн
100+351.28 грн
250+335.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GONN
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+351.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GONN
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.02 грн
10+581.81 грн
25+554.80 грн
100+431.75 грн
250+393.66 грн
500+368.26 грн
1000+324.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DDM3R2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: MSOP
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+457.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DMTR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, WDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: WDFN
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 251938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+431.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.02 грн
10+581.81 грн
25+554.80 грн
100+431.75 грн
250+393.66 грн
500+368.26 грн
1000+324.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GONN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Manufacturer series: Navigator
Operating temperature: 10...40°C
Connectors for the country: Europe
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Standard equipment: power supply
Type of storage device: scales
Illumination: yes
Readout graduation: 1g
Scale pan dimension: 230x174mm
Supply voltage: 230V AC
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Scale load capacity max.: 2.2kg
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Kind of scales: counting; electronic; precision
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Manufacturer series: Navigator
Operating temperature: 10...40°C
Connectors for the country: Europe
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Standard equipment: power supply
Type of storage device: scales
Illumination: yes
Readout graduation: 1g
Scale pan dimension: 230x174mm
Body dimensions: 240x250x74mm
Supply voltage: 230V AC
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Scale load capacity max.: 22kg
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Kind of scales: counting; electronic; precision
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Manufacturer series: Navigator
Operating temperature: 10...40°C
Connectors for the country: Europe
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Standard equipment: power supply
Type of storage device: scales
Illumination: yes
Readout graduation: 0.1g
Scale pan dimension: 230x174mm
Body dimensions: 240x250x74mm
Supply voltage: 230V AC
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Scale load capacity max.: 2.2kg
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Kind of scales: counting; electronic; precision
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT27023121
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT27023135
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT31323873
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT31323915
на замовлення 17820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsDescription: NVT4555UK - SIM card interface l
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.62x1.19)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.47 грн
10+80.74 грн
25+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+67.31 грн
25+61.01 грн
100+50.69 грн
250+47.58 грн
500+45.69 грн
1000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
6+50.30 грн
10+47.12 грн
25+40.79 грн
50+38.51 грн
100+36.46 грн
500+31.98 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.48 грн
10+43.42 грн
100+35.50 грн
500+31.88 грн
1000+30.52 грн
4000+27.04 грн
8000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+45.56 грн
25+41.04 грн
100+33.85 грн
250+31.64 грн
500+30.30 грн
1000+28.72 грн
2500+27.58 грн
5000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1788.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4558, NVT4858
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.30 грн
10+47.19 грн
25+44.97 грн
50+40.72 грн
100+39.29 грн
250+37.46 грн
500+35.55 грн
1000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+49.70 грн
25+38.99 грн
100+34.34 грн
250+32.09 грн
500+30.72 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.94 грн
10+76.32 грн
25+60.49 грн
100+53.46 грн
250+50.18 грн
500+48.27 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.50 грн
250+54.28 грн
500+52.16 грн
1000+48.54 грн
2500+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.70 грн
10+83.64 грн
50+75.91 грн
100+62.50 грн
250+54.28 грн
500+52.16 грн
1000+48.54 грн
2500+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 31515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+70.49 грн
25+63.97 грн
100+53.28 грн
250+50.05 грн
500+48.11 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4557, NVT4858
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2643.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13358.97 грн
5+12909.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16491.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.87 грн
250+34.41 грн
500+32.98 грн
1000+31.82 грн
2500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 27541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.22 грн
10+43.20 грн
25+38.94 грн
100+32.14 грн
250+30.04 грн
500+28.77 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.27 грн
15+54.01 грн
50+48.75 грн
100+39.87 грн
250+34.41 грн
500+32.98 грн
1000+31.82 грн
2500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.96 грн
8000+27.27 грн
12000+26.96 грн
20000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+103.40 грн
25+98.17 грн
100+75.67 грн
250+70.74 грн
500+62.52 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiMOSFETs NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 786544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
34+9.42 грн
100+4.85 грн
3000+3.14 грн
6000+2.87 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.37 грн
1500+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+5.77 грн
198+3.75 грн
202+3.68 грн
217+3.29 грн
250+2.80 грн
500+2.46 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
22+13.46 грн
100+8.43 грн
500+5.86 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.66 грн
76+10.51 грн
126+6.33 грн
500+5.76 грн
1500+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
21000+3.32 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+130.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.68 грн
10+140.76 грн
100+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.21 грн
10+135.05 грн
100+83.98 грн
500+71.01 грн
1000+60.49 грн
1500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.14 грн
10+138.98 грн
100+86.71 грн
500+74.42 грн
1000+68.14 грн
1500+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.69 грн
10+97.19 грн
100+66.30 грн
500+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.80 грн
10+87.94 грн
100+60.49 грн
500+48.95 грн
1000+48.34 грн
1500+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.43 грн
3000+35.23 грн
4500+33.83 грн
7500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 77A, 4.9mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.35 грн
10+80.84 грн
100+54.65 грн
500+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGONN
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.26 грн
3000+38.50 грн
4500+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+84.80 грн
100+49.70 грн
500+39.53 грн
1000+37.42 грн
1500+34.14 грн
3000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.40 грн
10+88.68 грн
100+59.96 грн
500+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.88 грн
10+84.84 грн
100+58.25 грн
500+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.84 грн
10+85.58 грн
100+50.11 грн
500+41.99 грн
1000+38.78 грн
1500+34.82 грн
3000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.85 грн
3000+39.38 грн
4500+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGONN
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.06 грн
10+73.08 грн
100+49.15 грн
500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.98 грн
10+71.52 грн
100+50.69 грн
500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.53 грн
3000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 38703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.72 грн
10+83.23 грн
100+49.91 грн
500+43.29 грн
1000+35.71 грн
1500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.30 грн
10+79.14 грн
100+54.65 грн
500+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.39 грн
3000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.60 грн
14+60.94 грн
100+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+49.36 грн
1000+45.52 грн
10000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+59.83 грн
100+36.94 грн
500+30.59 грн
1000+28.33 грн
1500+24.72 грн
3000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.04 грн
3000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+51.41 грн
100+38.65 грн
500+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+47.49 грн
100+36.01 грн
500+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.57 грн
10+47.90 грн
100+32.50 грн
500+27.04 грн
1000+20.28 грн
1500+20.00 грн
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8Zonsemi PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+64.28 грн
100+45.17 грн
500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.96 грн
10+68.23 грн
100+41.65 грн
500+35.84 грн
1000+32.23 грн
1500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.79 грн
3000+31.14 грн
4500+31.10 грн
7500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.99 грн
3000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+67.16 грн
100+44.99 грн
500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+54.97 грн
1000+50.70 грн
10000+45.20 грн
100000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.03 грн
3000+28.51 грн
4500+27.33 грн
7500+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+72.94 грн
100+42.33 грн
500+33.32 грн
1000+29.02 грн
1500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.71 грн
3000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 28W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+53.26 грн
1000+49.12 грн
10000+43.80 грн
100000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 608
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.91 грн
10+71.61 грн
100+41.31 грн
500+32.50 грн
1000+28.27 грн
1500+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.19 грн
3000+27.75 грн
4500+26.59 грн
7500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.53 грн
10+65.61 грн
100+43.88 грн
500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+45.49 грн
100+30.87 грн
500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.90 грн
3000+66.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.97 грн
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.57 грн
10+47.82 грн
100+28.20 грн
500+22.74 грн
1000+21.44 грн
1500+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.63 грн
3000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+63.54 грн
100+42.36 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.18 грн
10+61.01 грн
100+38.30 грн
500+30.59 грн
1000+28.95 грн
1500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.99 грн
3000+26.66 грн
4500+25.52 грн
7500+22.76 грн
10500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.21 грн
10+43.97 грн
100+24.99 грн
500+19.32 грн
1000+17.82 грн
1500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+41.20 грн
100+26.94 грн
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.64 грн
10+54.10 грн
100+31.13 грн
500+25.60 грн
1000+22.12 грн
1500+20.21 грн
3000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+51.18 грн
100+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.77 грн
3000+14.74 грн
4500+14.02 грн
7500+12.40 грн
10500+11.95 грн
15000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.75 грн
10+38.09 грн
100+24.70 грн
500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.50 грн
18+41.18 грн
25+38.09 грн
100+34.24 грн
500+29.96 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+35.55 грн
391+33.14 грн
500+31.32 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGONN
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.71 грн
10+125.15 грн
100+86.48 грн
500+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.30 грн
12+69.70 грн
100+66.19 грн
500+58.21 грн
1000+50.66 грн
2000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.22 грн
3000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.24 грн
10+119.35 грн
100+75.79 грн
500+65.20 грн
1000+61.04 грн
1500+55.99 грн
3000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.59 грн
500+118.58 грн
1000+109.96 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.19 грн
500+58.21 грн
1000+50.66 грн
2000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.94 грн
500+74.71 грн
1000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.75 грн
10+142.90 грн
100+91.49 грн
500+73.74 грн
1000+67.52 грн
1500+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.73 грн
10+146.57 грн
100+105.94 грн
500+74.71 грн
1000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.28 грн
10+77.23 грн
100+62.17 грн
500+53.83 грн
1000+48.35 грн
1500+41.89 грн
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.39 грн
10+102.37 грн
25+101.34 грн
100+96.74 грн
250+88.66 грн
500+84.24 грн
1000+83.37 грн
3000+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+72.08 грн
223+58.02 грн
500+52.10 грн
1000+48.74 грн
1500+40.73 грн
3000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.64 грн
15+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+95.55 грн
137+94.59 грн
139+93.64 грн
250+89.37 грн
500+81.90 грн
1000+77.81 грн
3000+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.57 грн
10+96.58 грн
100+59.33 грн
500+47.04 грн
1000+41.31 грн
1500+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+156.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+89.51 грн
100+62.27 грн
500+53.53 грн
1000+50.59 грн
1500+48.13 грн
3000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.41 грн
500+53.70 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+109.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.57 грн
10+90.01 грн
100+72.41 грн
500+53.70 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.87 грн
10+82.44 грн
100+50.32 грн
500+42.67 грн
1000+38.58 грн
1500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+78.26 грн
100+55.35 грн
500+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGONN
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+87.15 грн
100+52.23 грн
500+43.83 грн
1000+41.31 грн
2500+38.17 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.41 грн
10+64.46 грн
100+43.83 грн
500+39.40 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+69.56 грн
517+62.61 грн
1000+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.06 грн
10+72.71 грн
100+48.80 грн
500+36.19 грн
1000+33.10 грн
2000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.43 грн
10+76.26 грн
100+51.15 грн
500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+74.15 грн
177+73.41 грн
218+59.35 грн
250+56.81 грн
500+48.61 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.55 грн
10+71.38 грн
100+54.53 грн
500+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.77 грн
10+74.98 грн
100+49.77 грн
500+40.97 грн
1000+37.82 грн
1500+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.45 грн
25+78.65 грн
100+61.32 грн
250+56.36 грн
500+50.00 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+59.54 грн
100+39.64 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.95 грн
3000+24.82 грн
4500+23.76 грн
7500+21.17 грн
10500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.58 грн
10+36.59 грн
100+20.69 грн
500+15.84 грн
1000+13.52 грн
1500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.24 грн
10+34.70 грн
100+22.53 грн
500+17.75 грн
1000+13.66 грн
2500+12.43 грн
5000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.32 грн
20+41.82 грн
100+34.33 грн
500+30.55 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.59 грн
10+53.11 грн
100+41.30 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.42 грн
37+20.20 грн
39+18.75 грн
100+16.92 грн
250+16.23 грн
500+16.06 грн
1000+15.97 грн
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.33 грн
500+30.55 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+18.14 грн
732+17.69 грн
733+17.04 грн
740+15.62 грн
1000+14.90 грн
3000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+57.03 грн
100+44.33 грн
500+35.26 грн
1000+28.73 грн
2000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.88 грн
10+35.25 грн
100+22.87 грн
500+17.96 грн
1000+13.86 грн
2500+12.70 грн
5000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.45 грн
10+48.13 грн
100+40.62 грн
500+36.87 грн
1000+29.43 грн
1500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+71.45 грн
100+55.59 грн
500+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.40 грн
10+70.19 грн
100+42.67 грн
500+36.94 грн
1000+34.00 грн
2500+31.00 грн
5000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+71.52 грн
100+55.64 грн
500+44.26 грн
1000+36.05 грн
2000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 17621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.68 грн
10+41.85 грн
100+29.63 грн
500+27.17 грн
1000+26.76 грн
1500+23.62 грн
3000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
10+43.81 грн
100+36.87 грн
500+31.95 грн
1000+26.63 грн
1500+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGonsemi NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.94 грн
10+42.40 грн
100+25.13 грн
500+21.03 грн
1000+17.89 грн
1500+16.18 грн
4500+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMINVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+97.71 грн
26+46.06 грн
70+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+37.10 грн
353+36.73 грн
368+35.17 грн
374+33.40 грн
500+28.24 грн
1000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.40 грн
10+55.33 грн
100+36.67 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.62 грн
3000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.04 грн
15+54.56 грн
50+47.95 грн
200+38.39 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.49 грн
10+49.47 грн
100+33.93 грн
500+28.88 грн
1000+24.58 грн
1500+22.87 грн
3000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.69 грн
19+39.75 грн
25+39.35 грн
100+36.33 грн
250+33.13 грн
500+29.04 грн
1000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.73 грн
3000+22.82 грн
4500+21.82 грн
7500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.95 грн
200+38.39 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+62.03 грн
25+53.05 грн
100+42.19 грн
250+41.38 грн
500+33.52 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.36 грн
500+34.32 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+54.44 грн
1000+50.20 грн
10000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 595
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+50.15 грн
100+40.24 грн
500+30.13 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.22 грн
14+53.33 грн
25+52.45 грн
100+45.04 грн
250+40.52 грн
500+34.77 грн
1000+34.21 грн
3000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.45 грн
14+60.86 грн
100+48.83 грн
500+36.17 грн
1000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+49.78 грн
265+48.95 грн
297+43.59 грн
306+40.84 грн
500+33.80 грн
1000+31.93 грн
3000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.11 грн
10000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 85490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGONSEMINVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.15 грн
18+67.06 грн
48+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+65.53 грн
100+52.40 грн
500+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.36 грн
10+93.44 грн
100+54.69 грн
500+43.49 грн
1000+42.95 грн
1500+38.78 грн
3000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.22 грн
10000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.52 грн
10+80.09 грн
100+47.52 грн
500+41.17 грн
1000+38.10 грн
2500+35.50 грн
5000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.88 грн
10+81.73 грн
100+55.29 грн
500+41.24 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGONN
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.30 грн
29+26.08 грн
100+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.90 грн
3000+16.98 грн
4500+16.65 грн
7500+15.50 грн
10500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
966+33.50 грн
1047+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 966
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.42 грн
25+32.42 грн
100+24.53 грн
500+19.01 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
14+23.87 грн
100+16.80 грн
500+16.66 грн
1000+16.59 грн
1500+15.98 грн
3000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
10+30.92 грн
100+22.70 грн
500+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
10+38.46 грн
100+26.56 грн
500+20.98 грн
1000+18.47 грн
2000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
на замовлення 93980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.02 грн
10+40.36 грн
100+24.24 грн
500+20.82 грн
1000+17.27 грн
2500+17.21 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1142+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1142
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.92 грн
100+29.26 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.77 грн
3000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
на замовлення 33905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.43 грн
100+26.70 грн
500+24.92 грн
1000+22.87 грн
1500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 356400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+45.85 грн
1000+42.29 грн
10000+37.70 грн
100000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 706
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.53 грн
100+26.13 грн
250+23.82 грн
500+22.50 грн
1000+22.14 грн
3000+21.77 грн
6000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+48.86 грн
1000+45.07 грн
10000+40.18 грн
100000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+148.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGONN
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.53 грн
10+85.73 грн
100+68.22 грн
500+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+158.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.94 грн
10+97.36 грн
100+57.22 грн
500+50.59 грн
1500+45.47 грн
9000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.66 грн
3000+45.43 грн
4500+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.77 грн
10+101.29 грн
25+87.39 грн
100+60.83 грн
500+54.42 грн
1500+46.36 грн
3000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.49 грн
500+51.26 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.84 грн
10+101.18 грн
100+69.16 грн
500+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.38 грн
10+101.16 грн
100+70.49 грн
500+51.26 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.50 грн
10+77.65 грн
100+46.97 грн
500+40.90 грн
1000+35.71 грн
1500+35.44 грн
3000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+73.97 грн
100+51.44 грн
500+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.19 грн
500+57.40 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.58 грн
10+79.14 грн
100+63.40 грн
500+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+80.87 грн
100+56.67 грн
500+47.59 грн
1000+42.74 грн
1500+39.87 грн
3000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.75 грн
10+93.99 грн
100+75.19 грн
500+57.40 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.23 грн
10+71.38 грн
100+50.28 грн
500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLWFTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.69 грн
10+93.44 грн
100+57.28 грн
500+51.28 грн
1000+45.06 грн
1500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLWFTAGONN
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+92.53 грн
142+91.72 грн
200+64.77 грн
250+61.82 грн
500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+72.94 грн
100+45.20 грн
500+41.03 грн
1500+37.96 грн
9000+33.25 грн
24000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.62 грн
10+85.23 грн
100+60.14 грн
500+45.78 грн
1000+41.44 грн
5000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0073 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.14 грн
500+45.78 грн
1000+41.44 грн
5000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.17 грн
10+99.14 грн
25+98.28 грн
100+66.92 грн
250+61.33 грн
500+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.75 грн
186+69.77 грн
500+53.34 грн
1500+44.16 грн
3000+39.93 грн
4500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.91 грн
10+104.74 грн
100+74.75 грн
500+55.11 грн
1500+43.81 грн
3000+41.07 грн
4500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.66 грн
3000+34.66 грн
4500+33.82 грн
7500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.09 грн
10+84.01 грн
100+50.73 грн
500+37.42 грн
1000+36.73 грн
1500+32.57 грн
3000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+79.73 грн
100+54.66 грн
500+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.86 грн
23+33.54 грн
25+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.13 грн
500+48.15 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+32.45 грн
403+32.12 грн
407+31.84 грн
411+30.39 грн
500+27.87 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+52.37 грн
100+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.19 грн
14+59.10 грн
100+53.13 грн
500+48.15 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.22 грн
10+52.21 грн
100+40.83 грн
500+39.87 грн
1000+35.91 грн
1500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
21+36.21 грн
22+34.77 грн
25+33.19 грн
100+30.46 грн
250+28.95 грн
500+28.66 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
10+58.28 грн
100+41.56 грн
500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.35 грн
10+66.35 грн
25+57.62 грн
100+41.10 грн
500+34.89 грн
1000+28.54 грн
1500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+61.70 грн
232+55.84 грн
249+51.96 грн
262+47.69 грн
500+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.99 грн
3000+31.19 грн
4500+29.92 грн
7500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.07 грн
500+40.39 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.54 грн
12+66.11 грн
25+59.83 грн
100+53.68 грн
250+47.31 грн
500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.45 грн
10+80.45 грн
100+58.07 грн
500+40.39 грн
1000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.71 грн
100+48.88 грн
500+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+80.87 грн
25+63.63 грн
100+48.95 грн
250+47.04 грн
500+36.12 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 11604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.50 грн
10+81.66 грн
100+54.28 грн
500+44.93 грн
1500+40.49 грн
3000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.94 грн
10+82.16 грн
25+81.83 грн
100+68.35 грн
250+62.65 грн
500+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+76.68 грн
170+76.37 грн
196+66.15 грн
250+63.15 грн
500+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+77.81 грн
100+59.42 грн
500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.48 грн
500+51.48 грн
1000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+93.27 грн
100+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+98.15 грн
100+63.43 грн
500+51.34 грн
1000+44.31 грн
1500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.18 грн
10+100.37 грн
100+74.48 грн
500+51.48 грн
1000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+161.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+87.35 грн
100+59.48 грн
500+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.94 грн
10+79.66 грн
100+58.94 грн
500+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.91 грн
10+92.65 грн
100+62.88 грн
500+53.26 грн
1000+43.36 грн
1500+40.83 грн
3000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.11 грн
10+99.04 грн
100+71.84 грн
500+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+109.92 грн
100+72.37 грн
500+57.83 грн
1500+50.73 грн
3000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGONN
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.11 грн
10+83.23 грн
100+50.05 грн
500+39.60 грн
1500+34.14 грн
3000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGONN
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+70.71 грн
100+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.04 грн
10+86.03 грн
100+65.48 грн
500+52.29 грн
1000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 9474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.50 грн
10+74.98 грн
100+49.57 грн
500+43.36 грн
1000+36.73 грн
1500+36.66 грн
3000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.48 грн
500+52.29 грн
1000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+72.71 грн
100+55.17 грн
500+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.40 грн
10+55.40 грн
100+36.67 грн
500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.79 грн
10+58.02 грн
100+33.46 грн
500+26.35 грн
1000+23.49 грн
1500+21.44 грн
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.70 грн
3000+22.78 грн
4500+21.78 грн
7500+19.39 грн
10500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFETAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.87 грн
10+58.14 грн
100+44.39 грн
500+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.55 грн
12+68.98 грн
100+53.21 грн
500+39.28 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.79 грн
10+61.01 грн
100+40.97 грн
500+32.57 грн
1000+32.16 грн
1500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.11 грн
3000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.49 грн
10+84.32 грн
100+57.08 грн
500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.25 грн
3000+36.87 грн
4500+35.42 грн
7500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.25 грн
3000+36.87 грн
4500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.49 грн
10+84.32 грн
100+57.08 грн
500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+89.51 грн
100+52.50 грн
500+41.72 грн
1000+36.53 грн
1500+33.86 грн
3000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
500+35.21 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
661+48.97 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 661
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.67 грн
17+44.08 грн
25+43.64 грн
100+38.81 грн
250+34.94 грн
500+32.04 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.20 грн
3000+25.95 грн
4500+24.85 грн
7500+22.16 грн
10500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.78 грн
10+52.61 грн
100+33.18 грн
500+29.15 грн
1000+27.72 грн
1500+25.19 грн
3000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+41.15 грн
318+40.73 грн
345+37.57 грн
355+35.22 грн
500+31.15 грн
1000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.62 грн
14+59.42 грн
100+43.09 грн
500+35.21 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.39 грн
10+61.91 грн
100+41.27 грн
500+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGONN
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.58 грн
3000+29.90 грн
4500+28.67 грн
7500+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.38 грн
10+64.70 грн
100+41.78 грн
500+34.21 грн
1000+30.38 грн
1500+27.72 грн
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.54 грн
3000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.04 грн
3000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.45 грн
10+70.27 грн
100+47.08 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.35 грн
10+69.57 грн
100+42.33 грн
500+37.21 грн
1000+29.77 грн
1500+29.70 грн
3000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.98 грн
13+65.56 грн
100+48.27 грн
500+36.02 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+55.18 грн
100+42.92 грн
500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.13 грн
10+54.96 грн
100+38.78 грн
500+33.32 грн
1000+27.11 грн
1500+25.54 грн
3000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.91 грн
500+36.10 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.97 грн
3000+90.35 грн
6000+89.73 грн
12000+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.16 грн
10+62.13 грн
100+41.39 грн
500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+97.41 грн
3000+96.73 грн
6000+96.08 грн
12000+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.25 грн
3000+25.99 грн
4500+24.88 грн
7500+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.98 грн
3000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 15503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.36 грн
10+50.41 грн
100+36.19 грн
500+32.29 грн
1000+25.33 грн
1500+24.99 грн
3000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.00 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+67.23 грн
100+44.99 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.69 грн
14+59.34 грн
100+47.00 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.53 грн
10+69.72 грн
100+41.51 грн
500+33.11 грн
1500+28.95 грн
3000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 289500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.64 грн
3000+26.11 грн
4500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 290666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+61.32 грн
100+41.99 грн
500+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.52 грн
10+38.83 грн
100+25.32 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.33 грн
3000+15.26 грн
4500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 837-846 дні (днів)
7+47.95 грн
10+41.22 грн
100+27.45 грн
500+21.78 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.10 грн
100+23.43 грн
500+16.88 грн
1000+15.23 грн
2000+13.85 грн
5000+12.14 грн
10000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+38.16 грн
100+21.58 грн
500+16.59 грн
1000+14.88 грн
1500+13.72 грн
4500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+45.23 грн
100+27.24 грн
500+23.42 грн
1000+21.58 грн
1500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
911+35.52 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 911
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.19 грн
10+49.70 грн
100+32.74 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.23 грн
10+36.90 грн
100+21.17 грн
500+16.25 грн
1000+15.57 грн
1500+13.11 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.50 грн
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+35.50 грн
100+23.06 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.08 грн
3000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.50 грн
12000+23.30 грн
18000+21.68 грн
24000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.86 грн
10+44.68 грн
100+26.22 грн
500+22.05 грн
1000+17.89 грн
1500+16.04 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+27.60 грн
507+25.53 грн
512+25.27 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 469
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+25.39 грн
564+22.97 грн
569+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.16 грн
100+27.58 грн
500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.13 грн
24+33.46 грн
100+26.05 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.71 грн
27+27.48 грн
28+27.20 грн
100+23.73 грн
250+21.76 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.96 грн
3000+16.72 грн
4500+15.93 грн
7500+14.13 грн
10500+13.64 грн
15000+13.16 грн
37500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.23 грн
10+37.69 грн
100+22.26 грн
500+18.30 грн
1000+15.91 грн
1500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.29 грн
10+38.91 грн
100+25.36 грн
500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.21 грн
20+40.23 грн
100+26.53 грн
500+18.12 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.33 грн
3000+15.25 грн
4500+14.53 грн
7500+12.86 грн
10500+12.41 грн
15000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.45 грн
500+18.05 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.15 грн
10+41.93 грн
100+24.44 грн
500+19.66 грн
1000+18.02 грн
1500+14.27 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.04 грн
10+45.56 грн
100+29.78 грн
500+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.47 грн
3000+18.05 грн
4500+17.21 грн
7500+15.26 грн
10500+14.73 грн
15000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+73.45 грн
100+49.39 грн
500+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8Lonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.75 грн
500+49.93 грн
1000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.19 грн
10+66.27 грн
100+54.78 грн
500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.24 грн
10+93.99 грн
100+66.75 грн
500+49.93 грн
1000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+150.92 грн
122+106.08 грн
200+96.59 грн
500+69.02 грн
1000+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.53 грн
10+87.15 грн
100+57.56 грн
500+48.75 грн
1000+39.67 грн
1500+37.35 грн
3000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.06 грн
3000+34.27 грн
4500+34.07 грн
7500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiMOSFETs 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+102.07 грн
100+63.97 грн
500+57.62 грн
1000+51.62 грн
1500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.87 грн
10+106.51 грн
100+76.24 грн
500+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.26 грн
10+118.56 грн
100+72.37 грн
500+58.65 грн
1000+55.58 грн
1500+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.89 грн
10+74.28 грн
100+42.74 грн
500+35.03 грн
1000+30.66 грн
1500+28.13 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.23 грн
3000+45.97 грн
4500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.90 грн
10+106.00 грн
100+65.75 грн
500+52.44 грн
1000+51.62 грн
1500+46.15 грн
3000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.14 грн
10+102.00 грн
100+69.80 грн
500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+39.05 грн
25+35.24 грн
100+29.04 грн
250+27.13 грн
500+25.97 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.53 грн
10+66.50 грн
100+38.37 грн
500+30.31 грн
1000+27.38 грн
1500+24.99 грн
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+26.01 грн
9000+24.50 грн
13500+24.23 грн
22500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.39 грн
10+95.93 грн
100+65.39 грн
500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.78 грн
3000+42.83 грн
4500+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.30 грн
10+84.84 грн
100+60.19 грн
500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.94 грн
10+85.58 грн
100+51.82 грн
500+45.40 грн
1000+40.08 грн
1500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.08 грн
3000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiDescription: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.86 грн
3000+35.55 грн
4500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 79 A, 5.3 mohm
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.19 грн
10+88.72 грн
100+53.32 грн
500+45.20 грн
1000+37.76 грн
1500+34.21 грн
3000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiDescription: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.88 грн
10+81.58 грн
100+56.10 грн
500+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.47 грн
3000+31.35 грн
4500+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 40W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+47.63 грн
25+42.99 грн
100+35.58 грн
250+33.31 грн
500+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.19 грн
10+83.36 грн
100+56.36 грн
500+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGON SemiconductorPOWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+78.98 грн
500+71.07 грн
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+86.37 грн
100+58.31 грн
500+49.43 грн
1000+40.28 грн
1500+37.82 грн
3000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.63 грн
10+91.87 грн
100+53.32 грн
500+44.72 грн
1000+41.99 грн
1500+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.69 грн
10+96.89 грн
100+65.75 грн
500+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.15 грн
100+33.06 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 7058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.59 грн
10+60.14 грн
100+37.42 грн
500+29.77 грн
1000+27.65 грн
1500+26.29 грн
3000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.18 грн
13+63.25 грн
100+47.95 грн
500+35.87 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONN
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+53.33 грн
100+40.44 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.95 грн
500+35.87 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.17 грн
3000+29.19 грн
4500+28.89 грн
7500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.42 грн
10+61.10 грн
100+42.85 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.43 грн
10+64.78 грн
100+39.46 грн
500+34.75 грн
1000+30.38 грн
1500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.16 грн
10+62.65 грн
100+41.78 грн
500+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A Wettable Option
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.51 грн
3000+35.30 грн
4500+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGON SemiconductorPOWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+77.41 грн
500+69.67 грн
1000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 418
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.95 грн
10+83.58 грн
100+56.47 грн
500+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPOWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+72.36 грн
500+65.14 грн
1000+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.94 грн
3000+32.97 грн
4500+31.64 грн
7500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.43 грн
10+76.26 грн
100+51.41 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 28W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.45 грн
10+80.09 грн
100+46.91 грн
500+37.14 грн
1000+32.43 грн
1500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.59 грн
10+74.04 грн
100+49.83 грн
500+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.71 грн
3000+23.02 грн
4500+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 688
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.40 грн
10+57.24 грн
100+35.44 грн
500+29.43 грн
1000+28.68 грн
1500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+54.51 грн
100+38.77 грн
500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.26 грн
100+48.52 грн
500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+66.11 грн
100+40.49 грн
500+35.23 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.67 грн
3000+30.90 грн
4500+29.63 грн
7500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.60 грн
10+57.16 грн
100+32.91 грн
500+25.67 грн
1000+22.12 грн
1500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.33 грн
10+53.55 грн
100+35.44 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.22 грн
10+52.15 грн
100+36.09 грн
500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.65 грн
10+48.29 грн
100+29.15 грн
500+25.60 грн
1000+22.12 грн
1500+18.64 грн
3000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.25 грн
3000+20.55 грн
4500+19.62 грн
7500+17.43 грн
10500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.81 грн
100+33.48 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.82 грн
10+113.85 грн
100+67.52 грн
500+56.19 грн
1000+49.43 грн
1500+45.74 грн
3000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+84.80 грн
100+50.59 грн
500+42.88 грн
1000+35.84 грн
1500+32.98 грн
3000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.38 грн
10+35.88 грн
100+24.51 грн
500+22.74 грн
1500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
10+33.65 грн
25+30.27 грн
100+24.88 грн
250+23.20 грн
500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.65 грн
3000+31.19 грн
4500+30.09 грн
7500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single P-Channel Wettable Option
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.31 грн
10+73.57 грн
100+43.42 грн
500+36.94 грн
1500+29.90 грн
3000+28.47 грн
9000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.30 грн
10+69.45 грн
100+47.58 грн
500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+27.61 грн
14+22.12 грн
16+18.74 грн
50+12.92 грн
100+11.14 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 934990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.18 грн
100+11.13 грн
500+8.40 грн
1000+7.44 грн
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
16+18.94 грн
100+12.01 грн
500+8.45 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.17 грн
9000+5.86 грн
15000+5.16 грн
21000+4.96 грн
30000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+23.01 грн
24+17.75 грн
27+15.61 грн
50+10.77 грн
100+9.29 грн
500+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.22 грн
11+30.94 грн
100+16.80 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
15+20.86 грн
100+13.19 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.06 грн
55+14.66 грн
102+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 29560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.98 грн
23+13.82 грн
100+6.69 грн
1000+5.94 грн
3000+4.64 грн
9000+4.03 грн
45000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
17+18.20 грн
100+9.18 грн
500+7.64 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.06 грн
55+14.66 грн
102+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
6000+5.54 грн
9000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502Ponsemi PFET SOT23 30V 1.95A 20MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.40 грн
100+19.62 грн
500+14.05 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1864+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1864
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.60 грн
23+34.73 грн
100+23.98 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiMOSFETs PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 26633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.80 грн
10+33.53 грн
100+19.05 грн
500+14.88 грн
1000+12.97 грн
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -1.56A
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 1.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.38 грн
6000+14.10 грн
9000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.47 грн
6000+13.21 грн
9000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.98 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.36 грн
500+6.66 грн
1500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 30V 2A 0.110R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+10.18 грн
1432+9.04 грн
1447+8.94 грн
1713+7.28 грн
1759+6.57 грн
3000+5.80 грн
6000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 1271
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 1.5A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.59 грн
27+15.29 грн
31+13.48 грн
40+10.52 грн
50+8.46 грн
100+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
18+16.94 грн
100+10.68 грн
500+7.48 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.22 грн
67+11.13 грн
68+10.91 грн
100+9.34 грн
250+8.56 грн
500+6.94 грн
1000+6.76 грн
3000+6.21 грн
6000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.51 грн
85+9.40 грн
100+8.36 грн
500+6.66 грн
1500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4519+7.16 грн
10000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 4519
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
6000+5.62 грн
9000+5.54 грн
12000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
6000+4.84 грн
9000+4.73 грн
15000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 1.5A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.30 грн
17+19.05 грн
19+16.17 грн
25+12.62 грн
50+10.16 грн
100+8.19 грн
250+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+67.09 грн
100+44.87 грн
500+33.19 грн
1000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel LFPAK33 (Pb-Free)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.26 грн
100+48.54 грн
500+36.02 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+71.97 грн
100+48.34 грн
500+35.86 грн
1000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+63.68 грн
100+42.46 грн
500+31.32 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 40 V, 4.3 mohm, 85 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS005N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.61 грн
10+67.53 грн
100+45.05 грн
500+33.21 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS005N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS005N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 75µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.