НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVT0402S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0402S300M420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S110S180TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S130S220TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160L270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S160Q270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S260Q270TRF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S260Q330TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S300N420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S6R7S120TRF
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT0603S6R7T120TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17391.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+20869.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT16000MOHAUSOHS-NVT16000M Warehouse Devices
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT1601MOHAUSOHS-NVT1601M Warehouse Devices
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 460205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 792
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 64116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+33.35 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 915
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+61.93 грн
100+41.35 грн
500+32.66 грн
1000+27.74 грн
5000+22.00 грн
10000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
на замовлення 55753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.29 грн
10+35.11 грн
100+27.22 грн
500+25.97 грн
1000+25.01 грн
2500+21.70 грн
25000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.17 грн
500+33.72 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+37.40 грн
25+33.63 грн
100+27.65 грн
250+25.78 грн
500+24.65 грн
1000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1247+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 1247
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.63 грн
50+54.39 грн
100+42.17 грн
500+33.72 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+20.25 грн
636+19.20 грн
647+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+33.54 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.02 грн
10+66.41 грн
25+54.81 грн
100+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-Pin XSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.57 грн
11+29.27 грн
25+27.22 грн
100+23.57 грн
250+23.12 грн
500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.63 грн
10+40.95 грн
100+29.13 грн
500+27.88 грн
1000+26.85 грн
2000+26.34 грн
4000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+33.02 грн
397+30.75 грн
416+29.36 грн
500+26.75 грн
1000+23.46 грн
4000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.03 грн
500+27.51 грн
1000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 1133
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+24.99 грн
497+24.59 грн
505+24.19 грн
513+22.94 грн
522+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.09 грн
22+37.96 грн
100+31.03 грн
500+27.51 грн
1000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.57 грн
27+22.83 грн
100+21.66 грн
250+19.73 грн
500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.76 грн
17+48.77 грн
50+44.48 грн
100+37.32 грн
250+33.74 грн
500+32.96 грн
1000+30.28 грн
2500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 26545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.21 грн
10+50.42 грн
25+45.46 грн
100+37.56 грн
250+35.12 грн
500+33.66 грн
1000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.49 грн
5000+32.40 грн
7500+31.99 грн
12500+29.59 грн
17500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.32 грн
250+33.74 грн
500+32.96 грн
1000+30.28 грн
2500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
на замовлення 66662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+49.75 грн
100+35.68 грн
500+34.14 грн
1000+32.08 грн
2500+29.80 грн
5000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2004TL,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+43.72 грн
284+43.10 грн
329+37.17 грн
331+35.55 грн
500+32.85 грн
1000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.53 грн
16+54.47 грн
100+45.23 грн
500+40.08 грн
1000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 761
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.86 грн
10+69.80 грн
100+48.19 грн
500+42.30 грн
1000+32.74 грн
3000+30.53 грн
6000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXPNVT2006BQ.115 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+48.05 грн
25+43.31 грн
100+35.79 грн
250+33.46 грн
500+32.06 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+39.04 грн
355+34.41 грн
372+32.86 грн
500+29.73 грн
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.23 грн
500+40.08 грн
1000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+54.05 грн
15+40.60 грн
25+40.02 грн
100+33.28 грн
250+30.56 грн
500+29.28 грн
1000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.73 грн
500+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+62.35 грн
100+44.29 грн
500+41.49 грн
1000+35.97 грн
2500+33.62 грн
6000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+44.13 грн
1000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 692
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.62 грн
15+58.84 грн
100+46.79 грн
500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 5244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+40.78 грн
311+39.34 грн
314+38.95 грн
326+36.17 грн
334+32.62 грн
500+31.23 грн
1000+31.14 грн
3000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+29.93 грн
418+29.20 грн
500+29.12 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXPNVT2006BS.118 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+54.41 грн
25+49.14 грн
100+40.64 грн
250+38.03 грн
500+36.46 грн
1000+34.59 грн
2500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+44.13 грн
1000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 692
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 5244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.81 грн
16+37.86 грн
25+36.53 грн
50+34.87 грн
100+31.10 грн
250+29.08 грн
500+29.00 грн
1000+28.91 грн
3000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+47.99 грн
308+39.69 грн
326+37.50 грн
1000+36.08 грн
2500+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXPNVT2006PW.118 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+54.41 грн
25+49.14 грн
100+40.64 грн
250+38.03 грн
500+36.46 грн
1000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+50.53 грн
244+50.04 грн
295+41.38 грн
298+39.50 грн
500+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
на замовлення 28841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.45 грн
10+52.71 грн
100+37.81 грн
500+33.33 грн
1000+32.74 грн
2500+32.00 грн
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.41 грн
5000+35.15 грн
7500+34.71 грн
12500+32.12 грн
17500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.80 грн
13+46.92 грн
25+46.47 грн
100+37.05 грн
250+33.96 грн
500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 58077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.84 грн
10+65.74 грн
100+43.04 грн
500+39.36 грн
1000+33.69 грн
3000+30.68 грн
6000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+36.44 грн
404+30.26 грн
419+29.12 грн
500+26.82 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: DHVQFN20
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: DHVQFN20
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.19 грн
10+53.49 грн
25+48.31 грн
100+39.94 грн
250+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.34 грн
16+40.19 грн
25+39.94 грн
50+38.27 грн
100+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008BQZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.31 грн
10+62.22 грн
25+61.62 грн
100+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+67.01 грн
184+66.36 грн
208+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+69.74 грн
25+63.18 грн
100+52.51 грн
250+49.28 грн
500+47.32 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118
Код товару: 189102
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Логіка
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 13465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.43 грн
10+69.29 грн
100+53.34 грн
250+50.03 грн
500+48.11 грн
2500+46.86 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXPNVT2008PW.118 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+190.20 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.95 грн
10+60.08 грн
25+54.32 грн
100+45.05 грн
250+42.22 грн
500+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXPNVT2010BS.115 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.51 грн
3000+39.84 грн
4500+39.29 грн
7500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 26604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.66 грн
10+57.70 грн
100+42.82 грн
500+41.35 грн
1000+39.58 грн
1500+37.15 грн
3000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+84.60 грн
25+80.31 грн
100+61.91 грн
250+57.87 грн
500+51.14 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.30 грн
250+54.19 грн
500+50.86 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118
Код товару: 163785
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.70 грн
5000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 11817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.57 грн
10+86.30 грн
100+59.44 грн
500+52.90 грн
1000+41.79 грн
2500+38.92 грн
5000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.19 грн
10+92.43 грн
50+79.80 грн
100+62.30 грн
250+54.19 грн
500+50.86 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXPNVT2010PW.118 Level translators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.73 грн
10+79.67 грн
25+71.61 грн
100+62.45 грн
250+51.72 грн
500+43.27 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+85.80 грн
159+77.12 грн
175+69.74 грн
250+60.16 грн
500+48.54 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+363.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.15 грн
10+602.80 грн
25+574.81 грн
100+447.33 грн
250+407.86 грн
500+381.54 грн
1000+336.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DDM3R2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: MSOP
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+473.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DMTR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, WDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: WDFN
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 251938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+447.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.15 грн
10+602.80 грн
25+574.81 грн
100+447.33 грн
250+407.86 грн
500+381.54 грн
1000+336.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211DMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Supply voltage: 230V AC
Illumination: yes
Scale pan dimension: 230x174mm
Scale load capacity max.: 2.2kg
Readout graduation: 1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Type of device: scales
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Kind of scales: counting; electronic; precision
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Connectors for the country: Europe
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+11470.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Supply voltage: 230V AC
Illumination: yes
Scale pan dimension: 230x174mm
Scale load capacity max.: 2.2kg
Readout graduation: 1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Type of device: scales
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Kind of scales: counting; electronic; precision
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Connectors for the country: Europe
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9558.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT22000OHAUSOHS-NVT22000 Warehouse Devices
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2201OHAUSOHS-NVT2201 Warehouse Devices
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT27023121
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT27023135
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT31323873
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT31323915
на замовлення 17820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+23478.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19565.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.59 грн
10+66.00 грн
25+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsDescription: NVT4555UK - SIM card interface l
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.62x1.19)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+69.74 грн
25+63.21 грн
100+52.52 грн
250+49.29 грн
500+47.34 грн
1000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsSIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+71.73 грн
25+64.99 грн
100+54.03 грн
250+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+71.73 грн
25+64.99 грн
100+54.03 грн
250+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.71 грн
10+46.79 грн
100+38.26 грн
500+34.36 грн
1000+32.88 грн
4000+29.13 грн
8000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.66 грн
6+52.11 грн
10+48.82 грн
25+42.26 грн
50+39.90 грн
100+37.77 грн
500+33.13 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.44 грн
10+47.21 грн
25+42.52 грн
100+35.07 грн
250+32.78 грн
500+31.39 грн
1000+29.76 грн
2500+28.57 грн
5000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4558, NVT4858
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18946.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.65 грн
10+50.17 грн
100+38.70 грн
500+38.11 грн
1000+34.14 грн
2000+32.96 грн
4000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+48.89 грн
25+46.59 грн
50+42.19 грн
100+40.71 грн
250+38.82 грн
500+36.83 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 31385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.21 грн
10+79.01 грн
25+71.73 грн
100+59.74 грн
250+56.14 грн
500+53.96 грн
1000+51.32 грн
2500+49.46 грн
5000+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.40 грн
250+67.34 грн
500+58.93 грн
1000+48.81 грн
2500+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
на замовлення 13275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+78.43 грн
100+60.55 грн
250+56.87 грн
500+54.73 грн
1000+52.90 грн
2500+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.54 грн
10+98.21 грн
50+90.78 грн
100+77.40 грн
250+67.34 грн
500+58.93 грн
1000+48.81 грн
2500+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17086.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4557, NVT4858
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17943.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.25 грн
250+49.80 грн
500+46.69 грн
1000+36.85 грн
2500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 11429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+55.50 грн
100+39.87 грн
500+38.26 грн
1000+36.93 грн
4000+34.80 грн
8000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.94 грн
10+85.83 грн
50+73.78 грн
100+57.25 грн
250+49.80 грн
500+46.69 грн
1000+36.85 грн
2500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+46.59 грн
25+42.00 грн
100+34.66 грн
250+32.39 грн
500+31.03 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.59 грн
10+109.98 грн
100+94.17 грн
3000+44.80 грн
6000+43.85 грн
9000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+107.13 грн
25+101.71 грн
100+78.40 грн
250+73.29 грн
500+64.77 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Supply voltage: 230V AC
Illumination: yes
Scale pan dimension: 230x174mm
Scale load capacity max.: 6.2kg
Readout graduation: 1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Type of device: scales
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Kind of scales: counting; electronic; precision
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Connectors for the country: Europe
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10382.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Supply voltage: 230V AC
Illumination: yes
Scale pan dimension: 230x174mm
Scale load capacity max.: 6.2kg
Readout graduation: 1g
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Type of device: scales
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Kind of scales: counting; electronic; precision
Legalization certificate: no
Battery/ rechargeable battery: none
Connectors for the country: Europe
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+12459.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+24475.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Standard equipment: power supply
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20396.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT6400MOHAUSOHS-NVT6400M Warehouse Devices
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
25+12.34 грн
100+5.92 грн
500+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMINVTA7002NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+4.71 грн
198+3.07 грн
202+3.01 грн
217+2.69 грн
250+2.29 грн
500+2.01 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.56 грн
1500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiMOSFETs NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 834531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.20 грн
26+13.28 грн
100+5.52 грн
1000+5.08 грн
3000+3.83 грн
9000+3.46 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.47 грн
64+12.96 грн
133+6.22 грн
500+5.56 грн
1500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NVTC040N120M3SON SemiconductorNVTC040N120M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.60 грн
10+145.83 грн
100+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGONSEMINVTFS002N04CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.11 грн
10+137.06 грн
100+85.34 грн
500+71.14 грн
1500+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGONSEMINVTFS002N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.28 грн
10+141.29 грн
100+89.02 грн
500+73.57 грн
1500+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.60 грн
10+98.14 грн
100+62.83 грн
250+62.75 грн
500+51.42 грн
1000+51.35 грн
1500+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMINVTFS003N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.82 грн
10+91.58 грн
100+61.87 грн
500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.64 грн
3000+39.88 грн
4500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.82 грн
3000+39.88 грн
4500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.48 грн
10+93.06 грн
100+55.62 грн
500+44.80 грн
1000+42.89 грн
1500+41.12 грн
3000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.61 грн
10+91.88 грн
100+62.12 грн
500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS004N04CTAGONSEMINVTFS004N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+97.29 грн
100+65.84 грн
500+55.84 грн
1000+45.47 грн
1500+43.55 грн
3000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.40 грн
3000+40.80 грн
4500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGONSEMINVTFS005N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
10+87.90 грн
100+60.35 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS007N08HLTAGONSEMINVTFS007N08HLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+73.64 грн
100+57.33 грн
500+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.10 грн
3000+37.26 грн
7500+35.49 грн
10500+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS008N04CTAGONSEMINVTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+90.12 грн
100+67.47 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGONSEMINVTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.99 грн
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 40628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.45 грн
10+91.37 грн
100+55.99 грн
500+45.61 грн
1000+45.54 грн
1500+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS012P03P8ZTAGONSEMINVTFS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.78 грн
14+61.07 грн
100+44.73 грн
500+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+58.93 грн
100+45.40 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMINVTFS014P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.10 грн
500+31.42 грн
1500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.98 грн
10+61.17 грн
100+39.73 грн
500+31.93 грн
1500+27.51 грн
3000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+52.11 грн
100+39.51 грн
500+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.59 грн
10+63.03 грн
100+38.84 грн
500+30.83 грн
1000+28.91 грн
1500+26.56 грн
3000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGONSEMINVTFS015N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGONSEMINVTFS016N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+69.81 грн
100+49.10 грн
500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+93.91 грн
100+62.09 грн
500+49.14 грн
1000+41.71 грн
1500+34.58 грн
3000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.81 грн
3000+33.84 грн
4500+33.81 грн
7500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.82 грн
3000+31.31 грн
4500+30.62 грн
7500+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A Active OPN
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.86 грн
10+72.34 грн
25+57.82 грн
100+43.92 грн
250+42.30 грн
500+35.68 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGONSEMINVTFS020N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+66.90 грн
100+46.65 грн
500+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 28W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGONSEMINVTFS024N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+71.50 грн
100+48.19 грн
500+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.44 грн
10+73.44 грн
100+43.70 грн
500+34.87 грн
1500+31.63 грн
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.64 грн
3000+21.79 грн
4500+20.80 грн
7500+18.48 грн
10500+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 8277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.17 грн
10+53.64 грн
100+31.49 грн
500+24.79 грн
1500+21.41 грн
3000+19.13 грн
9000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGONSEMINVTFS027N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.13 грн
10+53.95 грн
100+35.51 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.59 грн
10+76.31 грн
100+44.44 грн
500+34.80 грн
1500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.41 грн
10+68.20 грн
100+45.47 грн
500+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+42.91 грн
100+28.70 грн
500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGONSEMINVTFS040N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.99 грн
100+28.25 грн
500+22.29 грн
1000+21.92 грн
1500+18.69 грн
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+59.24 грн
100+39.12 грн
500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.98 грн
10+59.48 грн
100+35.02 грн
500+27.66 грн
1000+27.37 грн
1500+23.39 грн
3000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS052P04M8LTAGONSEMINVTFS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGONSEMINVTFS070N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+39.47 грн
100+25.60 грн
500+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.38 грн
3000+15.27 грн
4500+14.53 грн
7500+12.85 грн
10500+12.38 грн
15000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS070N10MCLTAGON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.53 грн
3000+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.49 грн
12+72.21 грн
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.52 грн
10+141.29 грн
100+97.85 грн
500+83.13 грн
1000+81.66 грн
1500+69.82 грн
3000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.91 грн
10+129.66 грн
100+89.60 грн
500+67.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAGONSEMINVTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.14 грн
10+164.13 грн
100+130.95 грн
250+120.65 грн
500+107.41 грн
1000+95.64 грн
1500+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+110.29 грн
129+94.59 грн
141+86.76 грн
250+75.49 грн
500+62.70 грн
1000+59.58 грн
3000+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+98.14 грн
100+67.76 грн
250+63.05 грн
500+57.24 грн
1000+49.07 грн
1500+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONSEMINVTFS4C05NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.28 грн
10+102.41 грн
25+87.83 грн
100+77.68 грн
250+64.90 грн
500+55.90 грн
1000+55.32 грн
3000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.03 грн
12+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.91 грн
500+53.49 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
10+97.38 грн
100+77.91 грн
500+53.49 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.72 грн
10+98.99 грн
100+69.01 грн
250+68.93 грн
500+56.65 грн
1500+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAGONSEMINVTFS4C05NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGONSEMINVTFS4C06NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+81.08 грн
100+57.34 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.35 грн
10+101.52 грн
100+60.99 грн
250+60.91 грн
500+49.22 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWGONSEMINVTFS4C06NTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.24 грн
10+52.54 грн
100+45.54 грн
500+45.10 грн
1000+38.11 грн
1500+35.90 грн
3000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGONSEMINVTFS4C08NTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.01 грн
100+53.00 грн
500+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.32 грн
10+87.99 грн
100+53.70 грн
500+43.70 грн
1500+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+87.13 грн
100+62.92 грн
500+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGONSEMINVTFS4C10NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.29 грн
14+45.58 грн
25+42.84 грн
100+37.16 грн
250+33.58 грн
500+29.43 грн
1000+23.54 грн
3000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.47 грн
500+34.18 грн
1000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMINVTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+55.02 грн
100+42.79 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.46 грн
13+67.76 грн
100+45.47 грн
500+34.18 грн
1000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+49.09 грн
265+46.14 грн
295+41.50 грн
302+39.05 грн
500+33.02 грн
1000+25.35 грн
3000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+59.08 грн
100+45.93 грн
500+36.54 грн
1000+29.76 грн
2000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGONSEMINVTFS4C13NTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+74.03 грн
100+57.59 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGONSEMINVTFS4C13NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGONSEMINVTFS4C13NWFTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+74.10 грн
100+57.64 грн
500+45.86 грн
1000+37.35 грн
2000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.00 грн
10+78.34 грн
100+47.82 грн
500+38.77 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 17621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.30 грн
10+45.09 грн
100+31.93 грн
500+29.28 грн
1000+28.84 грн
1500+25.45 грн
3000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGONSEMINVTFS4C25NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGONSEMINVTFS4C25NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+42.18 грн
293+41.76 грн
351+34.81 грн
357+33.03 грн
500+26.99 грн
1000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.82 грн
3000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.33 грн
200+39.01 грн
500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.23 грн
10+58.44 грн
25+51.50 грн
26+42.95 грн
50+41.38 грн
71+40.65 грн
100+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.06 грн
16+39.17 грн
25+38.78 грн
100+31.17 грн
250+28.40 грн
500+24.06 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.50 грн
10+60.16 грн
100+41.50 грн
500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.02 грн
10+46.90 грн
25+42.91 грн
26+35.79 грн
50+34.49 грн
71+33.87 грн
100+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.40 грн
3000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.60 грн
15+58.84 грн
50+51.09 грн
200+40.16 грн
500+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.26 грн
10+53.30 грн
100+36.56 грн
500+31.12 грн
1000+26.48 грн
1500+24.65 грн
3000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.16 грн
3000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.68 грн
12+71.06 грн
100+52.98 грн
500+36.86 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+52.66 грн
235+52.13 грн
281+43.48 грн
289+40.84 грн
500+33.28 грн
1000+30.78 грн
3000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMINVTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.58 грн
10000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.55 грн
10+70.98 грн
100+48.04 грн
500+40.68 грн
1000+31.27 грн
2500+31.19 грн
5000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.51 грн
500+38.47 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.80 грн
10+67.51 грн
100+49.17 грн
500+37.87 грн
1000+32.25 грн
2000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.73 грн
13+48.90 грн
25+48.41 грн
100+38.94 грн
250+35.11 грн
500+29.66 грн
1000+28.58 грн
3000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.78 грн
10+100.68 грн
100+58.93 грн
500+46.86 грн
1000+46.27 грн
1500+41.79 грн
3000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGONSEMINVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 85490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.82 грн
32+19.01 грн
33+18.47 грн
100+17.40 грн
500+15.67 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+80.54 грн
100+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+80.54 грн
100+56.71 грн
500+45.04 грн
1000+39.04 грн
2000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGONSEMINVTFS5116PLWFTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+98.14 грн
100+58.93 грн
500+46.86 грн
1000+39.65 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.01 грн
14+45.58 грн
100+32.77 грн
250+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.60 грн
17+50.84 грн
100+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
на замовлення 29917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.31 грн
100+31.30 грн
500+20.45 грн
1000+20.30 грн
1500+18.69 грн
3000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+46.52 грн
100+32.02 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAGONSEMINVTFS5124PLTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGONSEMINVTFS5124PLTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.66 грн
10+44.83 грн
100+30.57 грн
500+22.82 грн
1000+20.68 грн
2000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 947
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
на замовлення 94534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.08 грн
10+45.35 грн
100+27.15 грн
500+21.63 грн
1000+18.24 грн
2500+18.17 грн
5000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.89 грн
10000+16.75 грн
15000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGONSEMINVTFS5124PLWFTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.68 грн
3000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
на замовлення 34633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.04 грн
10+47.72 грн
100+33.62 грн
500+26.93 грн
1000+26.85 грн
1500+23.98 грн
3000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.99 грн
10+36.71 грн
100+33.30 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.50 грн
100+21.36 грн
250+19.47 грн
500+18.39 грн
1000+18.09 грн
3000+17.80 грн
6000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+98.14 грн
100+68.42 грн
250+63.27 грн
500+57.38 грн
1000+49.22 грн
1500+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGONSEMINVTFS5C453NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.41 грн
10+88.82 грн
100+70.68 грн
500+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0026 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.17 грн
10+99.03 грн
100+74.11 грн
500+50.73 грн
1000+45.48 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.11 грн
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0026 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.11 грн
500+50.73 грн
1000+45.48 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+133.04 грн
10+109.14 грн
100+75.78 грн
250+71.14 грн
500+63.86 грн
1000+54.15 грн
1500+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMINVTFS5C453NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.65 грн
10+112.11 грн
100+76.59 грн
500+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+85.98 грн
100+66.87 грн
500+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.89 грн
10+88.83 грн
100+54.81 грн
500+44.58 грн
1000+44.51 грн
1500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGONSEMINVTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.58 грн
500+57.63 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+90.20 грн
100+71.76 грн
500+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMINVTFS5C454NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.11 грн
10+101.51 грн
100+68.00 грн
500+58.01 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+95.60 грн
100+67.90 грн
250+66.21 грн
500+56.28 грн
1000+51.42 грн
1500+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLTAGONSEMINVTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLWFTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.61 грн
10+111.68 грн
100+73.57 грн
500+58.93 грн
1500+51.79 грн
3000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C460NLWFTAGONSEMINVTFS5C460NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGONSEMINVTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.81 грн
11+80.38 грн
100+64.95 грн
500+52.49 грн
1000+44.35 грн
5000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGONSEMINVTFS5C466NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+127.89 грн
10+86.30 грн
100+57.09 грн
500+47.53 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGONSEMINVTFS5C471NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.66 грн
10+57.78 грн
100+35.90 грн
500+29.35 грн
1000+29.28 грн
1500+26.85 грн
3000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+79.53 грн
100+52.60 грн
500+45.83 грн
1000+44.88 грн
1500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMINVTFS5C471NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.0074 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.55 грн
500+49.51 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.0074 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.22 грн
10+89.13 грн
100+63.55 грн
500+49.51 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.85 грн
10+65.14 грн
100+39.58 грн
500+31.78 грн
1500+27.96 грн
3000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGONSEMINVTFS5C478NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMINVTFS5C478NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.59 грн
11+79.97 грн
100+52.90 грн
500+46.98 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+112.44 грн
10+76.90 грн
100+46.94 грн
500+43.77 грн
1500+34.58 грн
3000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.90 грн
500+46.98 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.34 грн
10+98.14 грн
100+60.33 грн
250+59.44 грн
500+50.32 грн
1500+48.19 грн
3000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGONSEMINVTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMINVTFS5C658NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.25 грн
500+52.34 грн
1000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.07 грн
10+105.75 грн
100+65.18 грн
500+53.48 грн
1500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.36 грн
10+118.84 грн
100+81.95 грн
500+54.79 грн
1000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+91.04 грн
100+70.78 грн
500+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.76 грн
10+82.53 грн
100+61.07 грн
500+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.75 грн
3000+46.01 грн
7500+43.82 грн
10500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+99.83 грн
100+67.76 грн
500+57.38 грн
1000+46.72 грн
1500+43.99 грн
3000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAGONSEMINVTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.05 грн
10+118.44 грн
100+77.98 грн
500+62.31 грн
1500+54.66 грн
3000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGONSEMINVTFS5C670NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGONSEMINVTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+89.68 грн
100+53.93 грн
500+42.67 грн
1500+36.78 грн
3000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.54 грн
500+48.89 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMINVTFS5C673NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.38 грн
10+91.61 грн
100+64.54 грн
500+48.89 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.82 грн
3000+23.42 грн
4500+23.38 грн
7500+21.59 грн
10500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGONSEMINVTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+59.85 грн
100+40.85 грн
500+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 21197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.66 грн
10+56.85 грн
100+38.62 грн
500+30.31 грн
1000+28.91 грн
1500+24.72 грн
3000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.71 грн
10+69.63 грн
100+42.30 грн
500+34.14 грн
1500+32.22 грн
3000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMINVTFS5C680NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.03 грн
12+69.74 грн
100+53.89 грн
500+39.39 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.70 грн
10+61.69 грн
100+43.08 грн
500+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGONSEMINVTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorPower MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGONSEMINVTFS6H850NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.87 грн
14+43.74 грн
25+43.30 грн
100+36.68 грн
250+33.91 грн
500+29.59 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+47.10 грн
262+46.63 грн
298+40.96 грн
299+39.44 грн
500+33.19 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+61.61 грн
100+42.85 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.46 грн
12+69.74 грн
100+47.62 грн
500+35.25 грн
1000+32.19 грн
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 619-628 дні (днів)
5+78.19 грн
10+63.79 грн
100+43.26 грн
500+36.64 грн
1000+29.80 грн
1500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGONSEMINVTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.04 грн
3000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGONSEMINVTFS6H850NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
10+66.44 грн
100+51.69 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLTAGONSEMINVTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLWFTAGONSEMINVTFS6H854NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGONSEMINVTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.11 грн
500+34.56 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.99 грн
13+67.84 грн
100+46.38 грн
500+33.18 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.65 грн
10+59.22 грн
100+41.79 грн
500+35.90 грн
1000+29.21 грн
1500+27.51 грн
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.42 грн
10+57.17 грн
100+44.47 грн
500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.42 грн
10+57.17 грн
100+44.47 грн
500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAGONSEMINVTFS6H854NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGONSEMINVTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 17064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.35 грн
10+65.99 грн
100+42.30 грн
500+34.14 грн
1000+32.74 грн
1500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NLWFTAGONSEMINVTFS6H860NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGONSEMINVTFS6H860NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 837-846 дні (днів)
7+51.67 грн
10+44.42 грн
100+29.57 грн
500+23.47 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGONSEMINVTFS6H880NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 29 mohm, 22 A WDFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.09 грн
10+50.68 грн
100+30.46 грн
500+24.35 грн
1000+24.28 грн
1500+20.45 грн
3000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+39.39 грн
100+25.63 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGONSEMINVTFS6H880NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+44.25 грн
100+25.01 грн
500+19.13 грн
1000+17.21 грн
1500+12.65 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.54 грн
10+52.20 грн
100+30.53 грн
500+24.13 грн
1000+23.84 грн
1500+20.45 грн
3000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAGONSEMINVTFS6H880NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.98 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGONSEMINVTFS6H888NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.62 грн
23+37.47 грн
100+27.98 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLWFTAGONSEMINVTFS6H888NLWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+43.14 грн
100+28.08 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.38 грн
500+14.79 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGONSEMINVTFS6H888NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.10 грн
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.19 грн
3000+16.89 грн
4500+16.09 грн
7500+14.25 грн
10500+13.74 грн
15000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.52 грн
22+38.54 грн
100+26.41 грн
500+17.47 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.50 грн
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+47.21 грн
100+30.85 грн
500+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.21 грн
3000+18.70 грн
4500+17.83 грн
7500+15.81 грн
10500+15.26 грн
15000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.13 грн
10+49.07 грн
100+28.32 грн
500+22.07 грн
1000+22.00 грн
1500+18.54 грн
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAGONSEMINVTFS6H888NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8Lonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+82.07 грн
100+63.82 грн
500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.79 грн
500+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMINVTFS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.76 грн
3000+41.48 грн
7500+39.51 грн
10500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.71 грн
10+94.08 грн
100+72.79 грн
500+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.87 грн
10+93.91 грн
100+62.02 грн
500+52.53 грн
1000+42.74 грн
1500+40.24 грн
3000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGONSEMINVTFWS002N04CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+110.35 грн
100+78.99 грн
500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiMOSFETs 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+116.75 грн
100+72.54 грн
500+59.22 грн
1000+59.15 грн
1500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.53 грн
10+120.14 грн
100+74.30 грн
500+61.36 грн
1000+60.11 грн
1500+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGONSEMINVTFWS002N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGONSEMINVTFWS003N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 669-678 дні (днів)
3+138.19 грн
10+113.37 грн
100+78.72 грн
250+75.04 грн
500+65.40 грн
1000+56.06 грн
1500+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.22 грн
10+115.41 грн
100+78.98 грн
500+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.10 грн
3000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.59 грн
100+74.04 грн
500+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.21 грн
10+87.90 грн
100+62.36 грн
500+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.81 грн
3000+44.61 грн
4500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
3+127.03 грн
10+113.37 грн
100+79.45 грн
500+64.74 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N04CTAGONSEMINVTFWS005N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiDescription: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiMOSFETs T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
4+112.44 грн
10+91.37 грн
100+62.09 грн
500+52.60 грн
1000+42.82 грн
1500+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiDescription: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS005N08XLTAGonsemiDescription: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAGONSEMINVTFWS007N08HLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+84.30 грн
100+65.57 грн
500+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.01 грн
10+93.06 грн
100+62.83 грн
500+53.26 грн
1000+43.41 грн
1500+40.76 грн
3000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGONSEMINVTFWS008N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+100.39 грн
100+68.12 грн
500+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.35 грн
10+101.52 грн
100+60.91 грн
500+49.22 грн
1500+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAGONSEMINVTFWS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAGONSEMINVTFWS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.52 грн
10+55.64 грн
100+36.67 грн
500+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.04 грн
3000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.21 грн
500+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.60 грн
14+62.31 грн
100+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+55.87 грн
100+43.42 грн
500+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.05 грн
10+62.35 грн
100+43.04 грн
500+36.49 грн
1500+29.72 грн
3000+29.13 грн
9000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMINVTFWS014P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.55 грн
3000+34.33 грн
4500+32.91 грн
7500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.41 грн
10+75.72 грн
100+50.17 грн
500+39.58 грн
1500+34.50 грн
3000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.31 грн
10+80.47 грн
100+54.02 грн
500+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.78 грн
10+71.50 грн
100+47.72 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A (Pb-Free, Wettable Flanks)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.57 грн
3000+36.21 грн
4500+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGONSEMINVTFWS020N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
10+83.76 грн
100+56.46 грн
500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 28W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+81.31 грн
100+54.72 грн
500+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+63.11 грн
100+38.26 грн
500+30.75 грн
1500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGONSEMINVTFWS027N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.21 грн
10+68.28 грн
100+45.49 грн
500+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+69.20 грн
100+48.67 грн
500+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.17 грн
10+81.98 грн
100+48.56 грн
500+40.68 грн
1000+38.84 грн
1500+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGONSEMINVTFWS030N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+65.57 грн
100+37.81 грн
500+29.57 грн
1000+27.88 грн
1500+23.76 грн
3000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+57.93 грн
100+38.36 грн
500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.46 грн
3000+21.85 грн
4500+21.81 грн
7500+20.22 грн
10500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGONSEMINVTFWS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+54.03 грн
100+37.39 грн
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.12 грн
10+54.74 грн
100+32.96 грн
500+30.38 грн
1000+27.00 грн
1500+21.78 грн
3000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.09 грн
3000+21.29 грн
4500+20.33 грн
7500+18.05 грн
10500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+52.65 грн
100+34.68 грн
500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 7339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.99 грн
10+78.68 грн
100+53.63 грн
500+45.47 грн
1000+37.00 грн
1500+34.80 грн
3000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGONSEMINVTFWS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.11 грн
21+18.62 грн
24+16.25 грн
38+10.27 грн
100+9.27 грн
115+7.82 грн
315+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 245477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
21+15.10 грн
100+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.73 грн
13+23.21 грн
15+19.50 грн
25+12.32 грн
100+11.13 грн
115+9.38 грн
315+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+5.37 грн
9000+5.26 грн
15000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 1089719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.47 грн
19+17.94 грн
100+8.46 грн
1000+7.43 грн
3000+5.44 грн
9000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.49 грн
11+33.33 грн
100+18.10 грн
500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
15+21.61 грн
100+13.66 грн
500+9.61 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
17+18.85 грн
100+9.51 грн
500+7.91 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.25 грн
36+23.52 грн
100+13.62 грн
500+8.97 грн
1000+6.41 грн
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMINVTR0202PLT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 29560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.69 грн
23+14.89 грн
100+7.21 грн
1000+6.40 грн
3000+5.00 грн
9000+4.34 грн
45000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.10 грн
6000+5.74 грн
9000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.62 грн
500+8.97 грн
1000+6.41 грн
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502Ponsemi PFET SOT23 30V 1.95A 20MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.26 грн
500+17.17 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.23 грн
23+36.48 грн
100+24.26 грн
500+17.17 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
6000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMINVTR4502PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiMOSFETs PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 61206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.83 грн
10+38.58 грн
100+21.92 грн
500+16.77 грн
1000+14.86 грн
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+22.38 грн
500+16.03 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
18+17.55 грн
100+11.07 грн
500+7.75 грн
1000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.99 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.50 грн
18+16.33 грн
100+9.66 грн
154+6.99 грн
424+6.62 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 2.5A, 110mohm Automotive Version of the NTR4503N
на замовлення 134297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.35 грн
17+19.97 грн
100+7.95 грн
1000+6.40 грн
3000+4.93 грн
9000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+5.01 грн
9000+4.90 грн
15000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.50 грн
39+21.29 грн
100+9.99 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.42 грн
30+13.10 грн
100+8.05 грн
154+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGONSEMINVTYS002N03CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+75.79 грн
100+50.71 грн
500+37.50 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGONSEMINVTYS003N03CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.