Продукція > NVT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVT0402S160J270TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0402S300M420TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S110S180TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S130S220TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S160J270TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S160L270TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S160Q270TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S260Q270TRF | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S260Q330TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S300N420TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S6R7S120TRF | на замовлення 68500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT0603S6R7T120TRF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT1601M | OHAUS | Category: Warehouse Devices Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg Kind of display used: LCD Standard equipment: power supply Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option) Power supply: battery LR14 C 1,5V x4 Measuring unit: g; kg Battery/ rechargeable battery: none Scale pan dimension: 230x174mm Readout graduation: 0.5g Supply voltage: 230V AC Max. environment humidity: 85% Battery life: ~270h Scale load capacity max.: 1.6kg Kind of scales: counting; electronic; precision Connectors for the country: Europe Illumination: yes Manufacturer series: Navigator Type of device: scales Legalization certificate: yes Operating temperature: 0...40°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GM | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Packaging: Bulk Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | на замовлення 460205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 64116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels INTERFACE IC | на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GMZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications | на замовлення 2715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2001GMZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GMZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Grade: Automotive Number of Circuits: 1 Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2001GMZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002DP | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP | Description: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP | Description: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 24816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 7042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Interface IC | на замовлення 14564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002DP,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 24650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002GD | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2002GD,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002GD,125 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002GD,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002GD,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002GD,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002GF | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2002GF,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002GF,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002GF,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR HXSON8U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Data Rate: 33MHz Supplier Device Package: HXSON8U Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 13703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP | Description: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: XSON hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XSON MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR HXSON8U Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Data Rate: 33MHz Supplier Device Package: HXSON8U Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP | Description: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: XSON hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XSON MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications | на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2002TLH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP | на замовлення 816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 10-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 10-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 3 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 15511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP | Description: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP | на замовлення 64789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 10-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 10-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 3 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP | Description: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2003DP,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2004TL | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2004TL,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2004TL,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR DFN2514-12 Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: DFN2514-12 Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 9923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP | на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP | Description: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 6Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP | Category: Level translators Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 6 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 6 Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Case: DHVQFN16 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Number of inputs: 6 Manufacturer series: NVT Kind of output: open drain; push-pull Delay time: 1.5ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BQ,115 | NXP | Description: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 6Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP | Description: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: HVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 6Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-HVQFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Last Time Buy Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP | Category: Level translators Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 6 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 6 Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Case: HVQFN16 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Number of inputs: 6 Manufacturer series: NVT Kind of output: open drain; push-pull Delay time: 1.5ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-HVQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Last Time Buy Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP | на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP | Description: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: HVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 6Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006BS,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R | на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006BSHP | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006PW | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V | на замовлення 20465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 16-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP | Category: Level translators Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 6 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 6 Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Case: TSSOP16 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Number of inputs: 6 Number of outputs: 6 Manufacturer series: NVT Kind of output: open drain; push-pull Delay time: 1.5ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2006PW,118 | NXP/Nexperia/We-En | Стандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16 | на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQ,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V | на замовлення 58077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008BQZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Bidirectional voltage-level translator for open-drain and push-pull applications | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008BQZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008PW | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | на замовлення 11690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 20-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 Код товару: 189102
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Логіка | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2008PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 20-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010BQ,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BQ,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 24-DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 10 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BQ,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 10 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 5280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V | на замовлення 24140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 10 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 5812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010BS,118 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010PW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 Код товару: 163785
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Джерел живлення | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP | Description: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: -A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 24Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 10Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 24-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 10 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V | на замовлення 11817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP | Description: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: -A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns Anzahl der Pins: 24Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 10Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 24-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 10 Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2010PW,118 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT2023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK automotive grade | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CDM3R2G | ON Semiconductor | Board Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CDM3R2G | ON Semiconductor | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CDM3R2G | ON Semiconductor | Temp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CDM3R2G | ON Semiconductor | Temp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: -20°C ~ 110°C Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT210CMTR2G | ON Semiconductor | Board Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210CMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: -20°C ~ 110°C Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT210DDM3R2G | ON Semiconductor | Board Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210DDM3R2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVT210DDM3R2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, MSOP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Erfassungsgenauigkeit: 1C IC-Ausgang: Open-Drain hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.8V Bauform - Sensor: MSOP euEccn: NLR Erfassungstemperatur, min.: -40°C Erfassungstemperatur, max.: 125°C Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 23925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT210DDM3R2G | ON Semiconductor | Temp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210DDM3R2G | Rochester Electronics, LLC | Description: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210DMTR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVT210DMTR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, WDFN, 8 Pin(s) tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES Erfassungsgenauigkeit: 1C IC-Ausgang: Open-Drain hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.8V Bauform - Sensor: WDFN euEccn: NLR Erfassungstemperatur, min.: -40°C Erfassungstemperatur, max.: 125°C Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 251938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT210DMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: -20°C ~ 110°C Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT210DMTR2G | ON Semiconductor | Board Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211CMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C) Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C) Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211CMTR2G | onsemi | Board Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211CMTR2G | ON Semiconductor | Temp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211CMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C) Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C) Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT211DMTR2G | onsemi | Description: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode Package / Case: 8-WFDFN Output Type: I2C/SMBus Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V Sensor Type: Digital, Local/Remote Resolution: 8 b Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2) Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C) Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C) Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211DMTR2G | onsemi | Board Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT211DMTR2G | ON Semiconductor | Temp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT224RQR2G | ON Semiconductor | Description: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT27023121 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT27023135 | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT31323873 | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT31323915 | на замовлення 17820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) | на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP Semiconductors | Description: NVT4555UK - SIM card interface l Packaging: Bulk Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.62x1.19) | на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4555UKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556AUK012 | NXP USA Inc. | Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4556AUKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556AUKZ | NXP Semiconductors | SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556AUKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556AUKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556BUKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556BUKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V Applications: SIM Card Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556BUKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4556BUKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4557HKX | NXP USA Inc. | Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-XFQFN Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4557HKX | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO | на замовлення 14465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4557HKX | NXP USA Inc. | Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-XFQFN Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8) | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4557UKAZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 10MHz Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4557UKAZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 10MHz Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4557UKAZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4558-4858-EVB | NXP Semiconductors | Other Development Tools NVT4558-4858-EVB | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4558-4858-EVB | NXP USA Inc. | Description: EVAL BOARD FOR NVT4558, NVT4858 Packaging: Box Function: Transceiver Type: Interface Contents: Board(s) Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4558HKX | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SIM card interface level translator | на замовлення 7685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4558HKX | NXP USA Inc. | Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-XFQFN Output Type: Open Drain Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 10MHz Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4558HKX | NXP USA Inc. | Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-XFQFN Output Type: Open Drain Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 10MHz Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP | Description: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: WLCSP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 100mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 3ns Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: Memory Card Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7) Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP | Description: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: WLCSP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 100mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 3ns Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection | на замовлення 5418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKAZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: Memory Card Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7) Part Status: Active | на замовлення 36056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4857UKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4857UKZ | NXP USA Inc. | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V Applications: Memory Card Supplier Device Package: 20-WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4857UKZ | NXP Semiconductors | SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4857UKZ | NXP Semiconductors | SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4858-4557-EVB | NXP USA Inc. | Description: EVAL BOARD FOR NVT4557, NVT4858 Packaging: Box Function: Level Shifter Type: Interface Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858-4557-EVB | NXP | Description: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NVT4858, NVT4557 Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: NXP Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858-4557-EVB | NXP Semiconductors | Other Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP | Description: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: XQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.08V Logiktyp: Pegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.98V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-XFQFN Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 104Mbps Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 19865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP | Description: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: XQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.08V Logiktyp: Pegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.98V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4858HKZ | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 16-XQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-XFQFN Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 104Mbps Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858UKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4858UKZ | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVT4858UKZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 104Mbps Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVT4858UKZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 104Mbps Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 6 Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SC75 30V 154MA 7OHM | на замовлення 786544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTA7002NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTC040N120M3S | ON Semiconductor | NVTC040N120M3S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTE4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PFET SC89 760MA 20V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTE4151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | onsemi | MOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CTAG | onsemi | MOSFETs 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel | на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS002N04CTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 103A Pulsed drain current: 484A Power dissipation: 22W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS003N04CTAG | ON Semiconductor | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CETAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 77A, 4.9mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS004N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS005N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS005N04CTAG | ON Semiconductor | Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS005N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS005N04CTAG | onsemi | MOSFETs T6 40V SG NCH U8FL | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS007N08HLTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 71A Pulsed drain current: 347A Power dissipation: 40W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS007N08HLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS007N08HLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS007N08HLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS008N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS008N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS010N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs PTNG 100V LL IN | на замовлення 38703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS010N10MCLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS010N10MCLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS010N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM | на замовлення 5259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS015N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS015N04CTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS015N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 5055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8Z | onsemi | PT8P PORTFOLIO EXPANSION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8ZTAG | onsemi | MOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8ZTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8ZTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS015P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS016N06CT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Power Dissipation (Max): 36W Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS016N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS016N06CTAG | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS016N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS016N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A | на замовлення 6660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A Active OPN | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Power Dissipation (Max): 28W Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 112A Drain current: 24A Gate charge: 5.7nC On-state resistance: 22.6mΩ Power dissipation: 14W Gate-source voltage: ±20V Case: WDFN8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS024N06CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm | на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS027N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS030N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS030N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS030N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS040N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS040N10MCLTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 82A Power dissipation: 18W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS040N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm | на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS040N10MCLTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS040N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS052P04M8LTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A | на замовлення 6262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS052P04M8LTAG | ON Semiconductor | Power, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS052P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS052P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS070N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS070N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS070N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS070N10MCLTAG | ON Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTAG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NTWG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm | на замовлення 4518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4824NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | onsemi | MOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm | на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | onsemi | Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | onsemi | Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NWFTAG | onsemi | MOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C02NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 538500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 538500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C05NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH | на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTWG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM | на замовлення 4951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10N | onsemi | onsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NETAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 84335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NETWG | onsemi | NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFETWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFETWG | onsemi | NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFETWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM | на замовлення 17621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C306NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C306NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C308NTAG | onsemi | NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PL | onsemi | onsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors | на замовлення 1044 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | onsemi | MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm | на замовлення 13493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | onsemi | MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm | на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 85490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTWG | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH | на замовлення 3292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | onsemi | MOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm | на замовлення 19036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | onsemi | MOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm | на замовлення 93980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTAG | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH | на замовлення 33905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5124PLWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm | на замовлення 8061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5811NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTAG-ON | onsemi | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 18870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 60V 20A 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | на замовлення 775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 356400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm | на замовлення 3812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN | на замовлення 3159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 7177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5826NLWFTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL | на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 16455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF | на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 16455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C454NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLWFTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL | на замовлення 4379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0073 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF | на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C466NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 7400 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C471NLWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL | на замовлення 3014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL | на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 109 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 114 Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF | на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C658NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | onsemi | MOSFET T6 60V NCH LL U8FL | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C670NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLTAG | onsemi | MOSFETs T6 60V NCH LL U8FL | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF | на замовлення 9474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C673NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL | на замовлення 17280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLWFTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLWFTAG | onsemi | MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS5C680NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET T8 80V LL U8FL | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | onsemi | MOSFETs TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | onsemi | MOSFETs TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NLTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 8WDFN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NLWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | onsemi | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H854NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 15503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET T8 80V LL U8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 290666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 289500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | onsemi | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 2996 шт: термін постачання 837-846 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H860NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLTAG | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 83A; 17W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 22A Pulsed drain current: 83A Power dissipation: 17W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V U8FL | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21A; Idm: 80A; 16W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 16W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NWFTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21A; Idm: 80A; 16W; WDFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 16W Case: WDFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V U8FL | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H880NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 94500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 85442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NLWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 8WDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ON Semiconductor | на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | onsemi | MOSFET T8 80V U8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NWFTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V U8FL | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS6H888NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 77900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS8D1N08HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS8D1N08HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8L | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8L | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi | MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM | на замовлення 3076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CLTAG | onsemi | MOSFETs 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04CTAG | onsemi | MOSFETs 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS002N04XMTAG | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 103A Pulsed drain current: 484A Power dissipation: 22W Case: WDFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 103 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 69 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04CTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04XMTAG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04XMTAG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 35655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS003N04XMTAG | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS004N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS004N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS004N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N04CTAG | onsemi | MOSFETs T6 40V SG NCH U8FL | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N08XLTAG | onsemi | Description: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N08XLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 79 A, 5.3 mohm | на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS005N08XLTAG | onsemi | Description: T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS007N08HLTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 71A Pulsed drain current: 347A Power dissipation: 40W Case: WDFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS007N08HLTAG | onsemi | Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS007N08HLTAG | onsemi | Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS007N08HLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS008N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS008N04CTAG | ON Semiconductor | POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS008N04CTAG | onsemi | MOSFET T6 40V SG NCH U8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS008N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs PTNG 100V LL IN | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS010N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS012P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS012P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A | на замовлення 7058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015N04CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015N04CTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015P03P8ZTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101 | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS015P03P8ZTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A Wettable Option | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS015P03P8ZTAG | onsemi | Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS015P03P8ZTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS016N06CT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Power Dissipation (Max): 36W Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS016N06CTAG | onsemi | MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS016N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS016N06CTAG | ON Semiconductor | POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS016N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS020N06CTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS020N06CTAG | ON Semiconductor | POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS020N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS020N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS020N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS024N06CT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Power Dissipation (Max): 28W Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS024N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS024N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS024N06CTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS024N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS027N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm | на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS030N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS030N06CTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS030N06CTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS030N06CTAG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS040N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS040N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS040N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS052P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS052P04M8LTAG | ON Semiconductor | Power, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS052P04M8LTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A | на замовлення 8430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS052P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS070N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS070N10MCLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS070N10MCLTAG | onsemi | Description: PTNG 100V LL U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS1D3N04XMTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS1D3N04XMTAG | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS1D3N04XMTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS1D9N04XMTAG | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE | на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS4D9N04XMTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS4D9N04XMTAG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS4D9N04XMTAG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS8D1N08HTAG | onsemi | Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS9D6P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS9D6P04M8LTAG | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single P-Channel Wettable Option | на замовлення 3443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NVTFWS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NVTFWS9D6P04M8LTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|